一种抗蓝光抗电磁波有基材ab胶膜的制作方法

文档序号:10219893阅读:333来源:国知局
一种抗蓝光抗电磁波有基材ab胶膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及粘胶技术领域,具体涉及一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜。
【背景技术】
[0002]目前市场上提供的应用于钢化玻璃的AB胶,其主要是以PET为基材,基材的一面是硅胶,基材的另一面是其他粘胶材料。
[0003]该AB胶生产工艺主要是:先在PET基材的一面上涂布粘胶材料后覆上钢化玻璃膜,然后在PET基材的另一面涂布硅胶并与手机等移动终端贴合。手机等移动终端在使用的过程中常常存在电磁波,但是现有的AB胶普遍存在抗电磁波性能差的缺陷;而手机产品在使用的过程中或多或少都会发出一些蓝光,危害使用者的健康,因此具有良好的抗蓝光性能的AB胶也是目前市场急需的。

【发明内容】

[0004]为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本实用新型的目的在于提供一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其抗蓝光性能良好,且具有优异的抗电磁波性能。
[0005]本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,包括基材层、设于基材层上表面的抗蓝光层、设于抗蓝光层上表面的粘着剂层、设于粘着剂层的上表面的离型膜层、设于基材层的下表面的硅胶层以及设于硅胶层的下表面的剥离层,所述基材层的内部包含有纳米金属颗粒。
[0006]其中,所述抗蓝光层为抗蓝光UV丙烯酸树脂层。
[0007]其中,所述抗蓝光层的内部包含有纳米稀土荧光颗粒。
[0008]其中,所述离型膜层为PET膜层,离型膜层的透光率大于87%。
[0009]其中,所述粘着剂层为丙烯酸类、有机硅类或聚氨酯类材料层。
[0010]其中,所述基材层为PET聚酯薄膜层。
[0011]其中,所述剥离层为PET、PE或0ΡΡ膜层,剥离层的透光率大于87%。
[0012]其中,所述离型膜层的厚度为25_50μπι,所述粘着剂层的厚度为25_40μπι,抗蓝光层的厚度为8_20μπι。
[0013]其中,所述基材层的厚度为30_70μπι。
[0014]其中,所述硅胶层的厚度为25_40μπι,所述剥离层的厚度为25_50μπι。
[0015]其中,所述离型膜层和剥离层的边角处均设有手撕部。
[0016]其中,所述纳米金属颗粒的粒径为15-100nm,所述纳米稀土焚光颗粒的粒径为15-lOOnm。
[0017]其中,所述剥离层的下表面设有菱形标识体。
[0018]本实用新型的有益效果在于:本实用新型的基材层的上表面设有抗蓝光层,抗蓝光性能良好,基材层的内部包含有纳米金属颗粒,抗电磁波干扰性能优异;在本实用新型的使用过程中,先将离型膜层撕开,在粘着剂层的表面贴合钢化玻璃,利用粘着剂层的强粘接力,使粘着剂层与钢化玻璃紧密贴合,然后将剥离层撕开,将硅胶层贴合于手机等移动终端产品上,硅胶层具有自动排气的功能,内部不会产生气泡,贴合效果好,从而使手机等移动终端产品的表面可稳定地覆盖钢化玻璃,保护移动终端产品的屏幕不被刮花,提高移动终端产品的表面抗冲击性能。
【附图说明】
[0019]图1是本实用新型的示意图。
[0020]图2是本实用新型的仰视图。
[0021]附图标记为:1一基材层、2—抗蓝光层、3—粘着剂层、4一离型膜层、5—硅胶层、6—剥尚层、7 一手撕部、8 一菱形标识体。
【具体实施方式】
[0022]为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例及附图1对本实用新型作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。
[0023]见图1,一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,包括基材层1、设于基材层1上表面的抗蓝光层2、设于抗蓝光层2上表面的粘着剂层3、设于粘着剂层3的上表面的离型膜层4、设于基材层1的下表面的硅胶层5以及设于硅胶层5的下表面的剥离层6,所述基材层1的内部包含有纳米金属颗粒。
[0024]本实用新型的基材层1的上表面设有抗蓝光层2,抗蓝光性能良好,基材层1的内部包含有纳米金属颗粒,抗电磁波干扰性能优异;在本实用新型的使用过程中,先将离型膜层4撕开,在粘着剂层3的表面贴合钢化玻璃,利用粘着剂层3的强粘接力,使粘着剂层3与钢化玻璃紧密贴合,然后将剥离层6撕开,将硅胶层5贴合于手机等移动终端产品上,硅胶层5具有自动排气的功能,内部不会产生气泡,贴合效果好,从而使手机等移动终端产品的表面可稳定地覆盖钢化玻璃,保护移动终端产品的屏幕不被刮花,提高移动终端产品的表面抗冲击性能。
[0025]其中,所述抗蓝光层2为抗蓝光UV丙烯酸树脂层。抗蓝光UV丙烯酸树脂层的抗蓝光性能良好,抗蓝光率可达45%以上。
[0026]其中,所述抗蓝光层2的内部包含有纳米稀土荧光颗粒。通过在抗蓝光层2的内部添加纳米级的纳米稀土荧光颗粒进一步增强抗蓝光层2的抗蓝光性能,进一步提高了本实用新型的抗蓝光率,抗蓝光率可达到80%以上。
[0027]其中,所述离型膜层4为PET膜层,离型膜层4的透光率大于87%。离型膜层4的透光率高,有利于提高AB胶膜的整体透光率,PET膜的价格相对便宜,能够有效降低本实用新型的生产成本。
[0028]其中,所述粘着剂层3为丙烯酸类、有机硅类或聚氨酯类材料层。具体地,所述粘着剂层3为聚氨酯类材料层,其粘接性能好,贴合效果好。
[0029]其中,所述基材层1为PET聚酯薄膜层。PET聚酯薄膜的价格相对便宜,能够有效降低本实用新型的生产成本。
[0030]其中,所述剥离层6为PET、PE或0ΡΡ膜层,剥离层6的透光率大于87%。具体地,所述剥离层6为0ΡΡ膜层。[0031 ]其中,所述离型膜层4的厚度为25-50μπι,所述粘着剂层3的厚度为25-40μπι,抗蓝光层2的厚度为8-20μπι。具体地,所述离型膜层4的厚度为25μπι,所述粘着剂层3的厚度为40μπι,抗蓝光层2的厚度为12μπι。离型膜层4、粘着剂层3和抗蓝光层2的厚度适中,确保制得的ΑΒ胶膜的整体厚度较薄。
[0032]其中,所述基材层1的厚度为30_70μπι。具体地,所述基材层1的厚度为60μπι。基材层1的厚度适中,确保制得的ΑΒ胶膜的整体厚度较薄。
[0033]其中,所述硅胶层5的厚度为25-40μπι,所述剥离层6的厚度为25-50μπι。具体地,所述硅胶层5的厚度为40μπι,所述剥离层6的厚度为25μπι。硅胶层5和剥离层6的厚度适中,确保制得的ΑΒ胶膜的整体厚度较薄。
[0034]其中,所述离型膜层4和剥离层6的边角处均设有手撕部7。手撕部7的设置便于使用者将离型膜层4或者剥离层6撕下,方便实用。
[°035] 其中,所述纳米金属颗粒的粒径为15-100nm,所述纳米稀土焚光颗粒的粒径为15-lOOnm。纳米金属颗粒和纳米稀土焚光颗粒的粒径大小适中,粒径过小则打磨成本高,粒径过大则会影响AB胶膜的透光率。
[0036]其中,所述剥离层6的下表面设有菱形标识体8。菱形标识体8便于使用者区分剥离层6和离型膜层4,避免反方向使用AB胶膜,同时,在AB胶膜与钢化玻璃贴合时,菱形标识体8能起到一定的对位作用,便于贴合。
[0037]上述实施例为本实用新型较佳的实现方案,除此之外,本实用新型还可以其它方式实现,在不脱离本实用新型构思的前提下任何显而易见的替换均在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其特征在于:包括基材层、设于基材层上表面的抗蓝光层、设于抗蓝光层上表面的粘着剂层、设于粘着剂层的上表面的离型膜层、设于基材层的下表面的硅胶层以及设于硅胶层的下表面的剥离层,所述基材层的内部包含有纳米金属颗粒。2.根据权利要求1所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其特征在于:所述抗蓝光层为抗蓝光UV丙烯酸树脂层。3.根据权利要求2所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其特征在于:所述抗蓝光层的内部包含有纳米稀土荧光颗粒。4.根据权利要求1所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其特征在于:所述离型膜层为PET膜层,离型膜层的透光率大于87%。5.根据权利要求1所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其特征在于:所述粘着剂层为丙烯酸类、有机硅类或聚氨酯类材料层。6.根据权利要求1所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其特征在于:所述基材层为PET聚酯薄膜层。7.根据权利要求1所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其特征在于:所述剥离层为PET、PE或OPP膜层,剥离层的透光率大于87%。8.根据权利要求1所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,其特征在于:所述离型膜层的厚度为25-50μπι,所述粘着剂层的厚度为25-40μπι,抗蓝光层的厚度为8-20μπι。9.根据权利要求1所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材ΑΒ胶膜,其特征在于:所述基材层的厚度为30-70μπι。10.根据权利要求1所述的一种抗蓝光抗电磁波有基材ΑΒ胶膜,其特征在于:所述硅胶层的厚度为25-40μπι,所述剥离层的厚度为25-50μπι。
【专利摘要】本实用新型涉及粘胶技术领域,具体涉及一种抗蓝光抗电磁波有基材AB胶膜,包括基材层、设于基材层上表面的抗蓝光层、设于抗蓝光层上表面的粘着剂层、设于粘着剂层的上表面的离型膜层、设于基材层的下表面的硅胶层以及设于硅胶层的下表面的剥离层,所述基材层的内部包含有纳米金属颗粒。本实用新型的抗蓝光性能良好,且具有优异的抗电磁波性能。
【IPC分类】B32B33/00, B32B15/02, B32B3/08, B32B27/30, B32B7/10, B32B27/08, B32B27/36, B32B5/16, B32B9/00, B32B7/06, B32B25/08
【公开号】CN205130536
【申请号】CN201520842255
【发明人】林凯
【申请人】东莞市纳利光学材料有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年10月28日
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