的实施例的掩模板，不需要进行专门的掩模板定制，节省了生产成本。在应用于显示面板的制作时，又可以取消产线中的用于各种掩模板的储存空间的建造，节约产线空间；还可以减少人为更换掩模板的时间，减少产线的空闲时间。
【附图说明】
[0029]包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用于解释本发明的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的很多预期优点，因为通过引用以下详细描述，它们变得被更好地理解。附图的元件不一定是相互按照比例的。同样的附图标记指代对应的类似部件。
[0030]图1图示了根据现有技术的常规紫外光遮板的结构示意图；
图2图示了根据本发明的一实施例的掩模板的截面结构示意图；
图3图示了根据本发明的一实施例的电极的平面结构示意图；
图4图示了图3所示的电极与TFT单元的连接关系；
图5图示了根据本发明的另一实施例的电极的平面结构示意图；
图6图示了根据本发明的一实施例的掩模板的工作状态示意图；
图7图示了根据本发明的一实施例的掩模板中的带有纵横电极线的阵列基板的截面结构示意图；
图8图示了根据本发明的另一实施例的掩模板的截面结构示意图；
图9图示了根据本发明的另一实施例的掩模板的截面结构示意图；
图10图示了根据本发明的一实施例的掩模板的制作方法的示意流程图。
【具体实施方式】
[0031]在以下详细描述中，参考附图，该附图形成详细描述的一部分，并且通过其中可实践本发明的说明性具体实施例来示出。对此，参考描述的图的取向来使用方向术语，例如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因为实施例的部件可被定位于若干不同取向中，为了图示的目的使用方向术语并且方向术语绝非限制。应当理解的是，可以利用其他实施例或可以做出逻辑改变，而不背离本发明的范围。因此以下详细描述不应当在限制的意义上被采用，并且本发明的范围由所附权利要求来限定。
[0032]应当理解的是，本文描述的各个示例性实施例的特征可以相互组合，除非特别另外指出。
[0033]图1图示了根据现有技术的常规掩模板的结构示意图。从图1可知，常规的紫外光遮板包括固定不变的遮光区11和透光区12。其中在使用中，每个遮光区11对应于液晶面板的每个有效区(Active Area，简称为AA区)，从而在UV固化过程中对每个AA区中的液晶进行保护性遮挡。而透光区12对应于液晶面板中的密封胶和有效显示区的边缘所在的区域，从而在UV固化过程中使紫外光透过该遮板以照射到相应区域中，从而实现密封胶的光固化和AA区的边缘取向膜的去除。然而，常规的紫外光遮板中的遮光区11和透光区12的布局是固定不变的，从而需要针对不同尺寸的液晶面板设置不同尺寸的紫外光遮板。这导致了显示面板的制造过程中的繁琐并且提高了制造成本。
[0034]图2图示了根据本发明的一个实施例的掩模板的截面结构示意图。从图2可看出，该掩模板从下到上主要包括透明基板101、TFT阵列102、第一透明电极103、电致变色材料层104、离子导电层105，离子存储层106、第二透明电极107。透明基板101可以由玻璃或透明树脂等材料制成。而TFT阵列102和透明基板101构成了类似于液晶面板中的阵列基板的结构。TFT阵列102的形成方法与常规的阵列基板中的TFT阵列的形成方法类似。例如，在基板上形成栅极、栅绝缘层、有源层、源漏层等，以形成常规的顶栅型结构或底栅型结构的TFT阵列。第一透明电极103形成在TFT阵列102上，从而接受TFT阵列102中的各个TFT单元对透明电极103的供电。当然，本发明的掩模板中的第一透明电极的供电不限于通过TFT阵列来实现，还可通过其它形式来实现，例如通过将多根供电线连接到第一透明电极并且采用外置于掩模板上的开关阵列。下文以TFT阵列的供电形式为例对本发明的实施例进行解释。
[0035]在电极的一个具体示例中，第一透明电极103由纵横交错的电极线的网格(在图3中更清楚示出)构成。如下文将进一步详细描述的，该纵横交错的电极线由均匀布置的横向薄膜电极和纵向薄膜电极构成。该横向薄膜电极和纵向薄膜电极可利用镀膜刻蚀的工艺制成。其中横向薄膜电极与纵向薄膜电极相互绝缘，例如利用通过在两者相互交叉的部位之间设置绝缘层的方式。该纵横交错的电极线构成了遍布掩模板的工作区域的电极线网格。纵横电极线的宽度和线之间的间隔可根据所需要的图案尺寸的精度来设置。
[0036]再参考图2，电致变色材料层104、离子导电层105和离子存储层106构成了电致变色层。电致变色材料层104主要担负着变色的作用，例如由过渡元素或稀土元素与镁的合金(例如镁镍合金)、或氧化镍等材料制成。离子导电层105，又称为电解质层，例如由固态或液态的电解质制成，作用是使离子(例如H+、Li+等小正离子)在电致变色材料层104和离子存储层106之间传输。而离子存储层106又被称为对电极层，作用是存储和提供电致变色所需的离子，使电致变色过程维持平衡。而为了保持电致变色材料层104、离子导电层105和离子存储层106的结构稳定，在这三个层的边缘处封装有密封胶108。优选地，该密封胶108被夹在上下两个透明电极之间。应该认识到，该电致变色层同样可以由能够实现电致变色的其它形式的元件构成。
[0037]第二透明电极107可以由整层的电极膜层(即不具有孔或洞)构成。而该透明电极可通过连接到供电电极来被供电，该供电电极具有与对TFT供电所使用的电极相反的极性。
[0038]以下具体描述TFT阵列与电极之间的连接方式。如图4所示，在一个实施例中，该纵横交错的电极线31被设置为与邻近的TFT单元32上的漏极电气连接。而TFT单元32的栅极线33和源极线34被用于控制TFT单元32的导通。在一个示例中，该电极线31可以被形成为直接搭接在TFT单元的漏极上。为了保证一条电极线能够得到足够的供电，可以将一行或一列TFT单元组连接到同一条横电极线或纵电极线。而每个TFT单元仅连接到一条电极线，从而通过导通一条电极线所连接到的TFT单元来对该条电极线进行供电。而通过对特定电极线进行供电，可实现网格结构的透明区域。具体地，通过对TFT阵列的供电进行控制，可实现不同尺寸的网格结构。而薄膜电极中的纵横电极线的宽度和线之间的间隔可根据所需要的图案尺寸的精度来设置，例如可以被设置在几微米到几百微米之间。当然其它的尺寸也是可能的。优选地，相邻的电极线之间的间隔是恒定的，即电极线均匀分布在掩模板上。
[0039]图5图示了根据本发明的另一实施例的电极的平面结构示意图。其中，电极可以由图5中所示的电极块31的阵列构成。每一个电极块31被设置为与邻近的TFT单元32上的漏极电气连接。而TFT单元32的栅极线33和源极线3