4被用于控制TFT单元32的导通。在一个示例中，该电极线31可以被形成为直接搭接在TFT单元32的漏极上。相比于图4中所示的实施例，图5中的该实施例的电极布置的优点是，通过控制TFT单元32对相应区域的电极块31进行供电，可实现任意形状的掩模图案，并不限于块状的掩模图案。值得注意的是，该电极块31的形状不限于图5中图示的矩形形状，而根据需要可被制作成各种形状，包括多边形等。而电极块的分布密度可以根据所要求的掩模图案的精度来设置。
[0040]在优选的实施例中，第二透明电极107同样可以具有图4或图5所示的布置，以与第一透明电极107相配合实现更精确的透明图案。在优选的实施例中，在第二透明电极107上还设置了保护层，以保护第二透明电极107。
[0041]以上各个层的制备方法根据各个层所使用的材料包括电镀、沉积、蚀刻等，在此不对其做具体描述。
[0042]以下描述电致变色层的工作原理。该电致变色层在未通电情况下，呈金属反射态，不透光，例如呈现黑色，如图6中的黑色区块所示那样。以第一透明电极由纵横交错的电极线构成并且第二透明电极由整块电极层构成为例，在第一透明电极的部分电极线通过TFT单元被供电并且第二透明电极被供应相对的电压后，该部分电极线所对应区域的电致变色材料层吸氢或其它离子，转化为非导体的透明态，如图6中的黑色区块周围的区域所示那样。在图6中，为了便于理解，图6中的黑色区块周围的区域中还以虚线的形式示意性图示了电极线的网格布置。而由于电极线一般为透明材料制成，所以实际上电极线是不可见的。而由于本发明的实施例中的电极中的至少一个是由纵横交错的电极线的网格构成，在实际应用中，可以根据所需要紫外光照射的区域的大小和位置来对相应区域两侧的电极进行加电，从而实现例如图6所示的透明网格，进而实现非透明的块状阵列。
[0043]以下以稀土或过渡元素与镁的氢化物这一电致变色材料为例，解释电致变色的机理。其它材料的电致变色原理大体类似，在此不一一列举。
[0044]变色的过程例如如下式所示:2M+xH2=2MHx
其中，M为稀土元素或过渡元素与镁的合金;MHx为稀土元素或过渡元素与氢的化合物；H2为氢气。随着X的变化，膜层材料显示出不同的性质。例如当M为钇元素，在未通氢气时，钇膜处于反射状态;在通氢气的过程中，钇膜吸收氢原子形成钇氢化合物，此化合物的透光性能随着钇与氢原子的比值而改变。在X达到2时，钇膜的金属性最强，处于高反射导体状态;X值增到2.85时，钇膜反射光的性能有所下降;X继续增加到3时，膜变成完全透明。又如当M为Mg2Ni时，原始态Mg2Ni为高反射导体状态，当吸收氢气时，透光性能逐渐改变，当X为4的时候，Mg2Ni的吸氢值达到最大，此时的膜呈现出透明的状态。电致变色，就是通过电流电压的变化控制离子存储层的氢气产量，从而实现对变色过程的控制。
[0045]图7图示了根据本发明的一实施例的掩模板中的带有纵横电极线的阵列基板的纵横两个方向的截面结构示意图。由图5可看出，该阵列基板包括透明基板101、TFT阵列102和由纵横交错的电极线的网格构成的第一透明电极103。形成有TFT阵列102的透明基板101以类似于显示面板中的阵列基板的制作方法来制造，在此不对其进行详细描述。在形成有TFT阵列102的透明基板1I上制作由纵横交错的透明导电电极线的网格构成的第一透明电极103。电极103具体包括横向薄膜电极1031和纵向薄膜电极1032。而在横向薄膜电极1031和纵向薄膜电极1032相互交叉的部分之间形成有绝缘层1033。该横向薄膜电极1031、绝缘层1033、纵向薄膜电极1032可通过镀膜刻蚀的技术制成。该技术具体包括物理气相沉积(PVD)和湿法蚀刻或干法刻蚀等。镀膜刻蚀的方式相比于其它方式可实现更好的精度和更可靠的质量。而薄膜电极可利用ITO(氧化铟锡)材料制成，也可利用AZO(铝掺杂的氧化锌)、ΑΤ0(锑掺杂的二氧化锡)、FTO (掺杂氟的Sn02导电玻璃)等材料制成。
[0046]图8图示了根据本发明的另一实施例的掩模板的截面结构示意图。图8所示的实施例相比于图2所示的实施例的区别在于，其在第二透明电极107上设置了另一透明基板109。在此省略了该实施例中与上一实施例相同的部件的描述。利用该另一透明基板109，可以提高整个掩模板的耐久性。另外可以将第二透明电极107提前制作在该透明基板109上，并且将制备好的两个透明基板109对盒形成最终的掩I吴板，这提尚了制造效率和良品率。
[0047]图9图示了根据本发明的再另一实施例的掩模板的截面结构示意图。图9所示的实施例相比于图8所示的实施例的区别在于，其在第二透明电极107与另一透明基板109之间设置了另一 TFT阵列110。在此省略了该实施例中与上一实施例相同的部件的描述。该TFT阵列110可以类似于TFT阵列102的方式被设置在另一透明基板109上。在实际制作过程中，可以预先制作相同规格的具有TFT阵列和由纵横交错电极线的网格构成的电极层的阵列基板以分别用作下基板和上基板，这可简化制造工序。并且第一透明电极103和第二透明电极107均由纵横交错的电极线的网格构成可获得使所形成的图案更加精确的优点。
[0048]图10图示了根据本发明的一实施例的掩模板的制作方法的示意流程图。该方法主要包括以下步骤:S1、在第一透明基板101上设置TFT阵列102和第一透明电极103; S2、在所述第一透明电极103上依次形成电致变色层;S3、在所述离子存储层106上设置第二透明电极107。该第一透明电极103被配置为接受TFT阵列102的供电以形成不同形状的通电区域。该电致变色层具体包括依次形成的电致变色材料层104、离子导电层105和离子存储层106，在一个示例中，该第一透明电极103由相互交叉的横向薄膜电极线和纵向薄膜电极线的网格构成，其中每个电极线连接到所述TFT阵列中与该电极线相邻的TFT单元的漏极，并且优选地在相互交叉的电极线部分之间设置绝缘层。而第二透明电极107可以是整块电极层(这可利用电镀工艺将一层导电膜层镀到所述离子存储层上)或者是与第一透明电极103类似的纵横交错电极线。在另一示例中，该第一透明电极103包括电极块的阵列，其中每个电极块连接到所述TFT阵列中与该电极块相邻的TFT单元的漏极。
[0049]进一步地，该方法还包括利用密封胶封装所述电致变色材料层、离子导电层和离子存储层的边缘，以更好地保护上述各层。
[0050]另外，可选地，在形成的第二透明电极上形成保护层(在图2中未示出)，以用于保护第二透明电极。而替代地，还可以将所述第二透明电极形成在第二透明基板上，并且将所述第二透明基板与所述第一透明基板对盒，以形成对掩模板中的各层的更好保护。
[0051]而在本发明的另一实施例中，在将所述第二透明电极107形成在所述第二透明基板109上之前，在所述第二透明基板109上形成