中。
[0247] 图2示出了有机发光二极管的结构，其中负极201、空穴传输层301、电子阻挡层 401、发光层501、电子传输层601、电子注入层801和正极701依次层压在基板101上。在图2 中，由化学式2表示的化合物可包含于电子阻挡层401中，且由化学式1表示的化合物可包含 于电子传输层601中。此外，由化学式2表示的化合物可包含于电子阻挡层401中，且由化学 式1表示的化合物可包含于电子注入层801中。此外，由化学式2表示的化合物可包含于电子 阻挡层401中，且由化学式1表示的化合物可包含于电子传输层601和电子注入层801中。
[0248] 图1和图2为根据本说明书的示例性实施方案的示例性结构，且还可包含其他有机 材料层。
[0249] 在有机发光二极管包含多个有机材料层的情况下，所述有机材料层可由相同材料 或不同材料形成。
[0250] 通常，作为负极材料，优选使用具有较大功函数的材料W使空穴顺利地注入到有 机材料层中。可用于本发明的负极材料的具体实例包括金属，例如饥、铭、铜、锋和金或其合 金;金属氧化物，例如氧化锋、氧化铜、氧化铜锡(ITO)和氧化铜锋(IZO);金属和氧化物的结 合物，例如ZnO:Al或SN〇2:Sb;导电聚合物，例如聚（3-甲基嚷吩）、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二 氧基)嚷吩](PEDOT)、聚化咯和聚苯胺等，但不限于此。
[0251] 通常，正极材料优选为具有小功函数的材料W使电子容易地注入到有机材料层 中。正极材料的具体实例包括金属，例如儀、巧、钢、钟、铁、铜、锭、裡、礼、侣、银、锡和铅或其 合金;多层结构材料，例如LiF/Al或Li化/Al等，但不限于此。
[0252] 空穴注入材料为注入来自电极的空穴的层，且优选空穴注入材料为具有下述能力 的化合物:能够传输空穴，W具有来自负极的空穴注入效应和至发光层或发光材料的优异 空穴注入效应，防止了发光层中产生的激子向电子注入层或电子注入材料的移动，并具有 优异的薄膜形成能力。优选空穴注入材料的最高占据分子轨道化0M0)介于负极材料的功函 数与周围有机材料层的HOMO之间。空穴注入材料的具体实例包括金属化嘟、低聚嚷吩、基于 芳胺的有机材料、基于六腊六氮杂苯并菲化exanitri Iehexaazatripheny Iene)的有机材 料、基于哇叮晚酬的有机材料、基于二糞嵌苯的有机材料、蔥酿、聚苯胺、基于聚嚷吩的导电 聚合物等，但不限于此。
[0253] 空穴传输层为接收来自空穴注入层的空穴并将该空穴传输至发光层的层，空穴传 输材料为能够接收来自负极或空穴注入层的空穴并将该空穴传输至发光层的材料，且具有 高空穴迁移率的材料适合作为空穴传输材料。其具体实例包括基于芳胺的有机材料、导电 聚合物W及同时存在共辆部分和非共辆部分的嵌段共聚物等，但不限于此。
[0254] 发光材料为接收并结合来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子的材料，W使 可见光区域的光发出，并优选使用对巧光和憐光具有优异量子效率的材料。发光材料的具 体实例包括8-径基-哇嘟侣复合物(Alqs);巧挫基化合物;二聚苯乙締化合物;BAlq; 10-径 基苯并哇嘟-金属化合物;苯并嗯挫、苯并嚷挫和苯并咪挫基化合物;基于聚(对亚苯基亚乙 締基KPPV)的化合物;螺环化合物;聚巧、红巧締等，但不限于此。
[0255] 发光层可包含主体材料和渗杂材料。主体材料的实例包括缩合芳族环衍生物、含 杂环的化合物等。缩合芳族环衍生物的具体实例包括蔥衍生物、巧衍生物、糞衍生物、并五 苯衍生物、菲化合物、巧蔥化合物等，且含杂环的化合物的具体实例包括巧挫衍生物、二苯 并巧喃衍生物、梯型巧喃化合物、喀晚衍生物等，但实施例不限于此。
[0256] 渗杂材料的实例包括有机化合物、金属或金属化合物。
[0257] 作为渗杂材料的有机化合物的实例包括芳胺衍生物、苯乙締胺化合物、棚复合物、 巧蔥化合物等。具体而言，芳胺衍生物为具有取代或未取代的芳基胺基的缩合芳族环衍生 物，其实例包括巧、蔥、麗和具有芳基胺基的二巧并巧;苯乙締胺化合物为其中至少一个芳 基乙締基被取代或未取代的芳基胺取代的化合物，且在苯乙締胺化合物中，一个或两个或 更多个选自芳基、甲娃烷基、烷基、环烷基和芳基胺基的取代基为取代的或未取代的。其具 体实例包括苯乙締胺、苯乙締二胺、苯乙締=胺、苯乙締四胺等，但不限于此。此外，可使用 普通金属或金属化合物作为金属或金属化合物，且特别地，可使用金属络合物。此外，金属 络合物的实例包括银络合物、销络合物等，但不限于此。
[025引金属络合物化合物的实例包括8-径基哇嘟裡、双（8-径基哇嘟）锋、双（8-径基哇 嘟）铜、双（8-径基哇嘟)儘、S (8-径基哇嘟）侣、S (2-甲基-8-径基哇嘟）侣、S (8-径基哇 嘟)嫁、双（10-径基苯并比]哇嘟)被、双（10-径基苯并比]哇嘟)锋、双(2-甲基-8-哇嘟)氯化 嫁、双（2-甲基-8-哇嘟）（邻甲酪)嫁、双（2-甲基-8-哇嘟Kl-糞酪)侣、双（2-甲基-8-哇嘟） (2-糞酪)嫁等，但不限于此。
[0259] 电子注入层为注入来自电极的电子的层，并且优选为具有下述能力的化合物:能 够传输电子，来自正极的电子注入效果，和至发光层或发光材料的优异的电子注入效果;阻 止发光层中产生的激子迁移至空穴注入层;并具有优异的薄膜形成能力。其具体实例包括 巧酬(f Iuorenone )、蔥酿并二甲烧(ant虹aquinodimethane )、联苯酿、嚷喃二氧化物、嗯挫、 嗯二挫三挫、咪挫、巧四簇酸、亚巧基甲烧、蔥酬等，及其衍生物;金属络合物;含氮5元环衍 生物等，但并不限于此。
[0260] 金属络合物的实例包括8-径基哇嘟裡、双(8-径基哇嘟)锋、双(8-径基哇嘟)铜、双 (8-径基哇嘟）儘、S (8-径基哇嘟）侣、S (2-甲基-8-径基哇嘟）侣、S (8-径基哇嘟）嫁、双 (10-径基苯并比]哇嘟)被、双（10-径基苯并比]哇嘟)锋、双(2-甲基-8-哇嘟)氯化嫁、双(2-甲基-8-哇嘟）（邻甲酪)嫁、双(2-甲基-8-哇嘟）（1-糞酪)侣、双(2-甲基-8-哇嘟）（2-糞酪） 嫁等，但并不限于此。
[0261] 空穴阻挡层为防止空穴到达正极的层，且通常，可在与空穴注入层相同的条件下 形成。空穴阻挡层的具体实例包括嗯二挫衍生物、=挫衍生物、菲咯嘟衍生物、BCP、侣络合 物等，但不限于此。
[0262] 根据所使用的材料，本说明书的有机发光二极管可为顶部发光型、底部发光型或 两侧发光型。
[0263] 此外，本说明书的有机发光二极管可为下部电极为负极且上部电极为正极的正常 型，或可为下部电极为正极且上部电极为负极的倒置型。
[0264] 根据与应用于有机发光二极管的原理类似的原理，本说明书的示例性实施方案的 结构甚至可在包含有机太阳能电池、有机光导体、有机晶体管等有机电子二极管中起作用。
[0265] 在下文中，将通过实施例来详细描述本说明书。然而，本说明书的实施例可W各种 其他形式进行修改，且本说明书的范围不应解释为对下文详细描述的实施例的限制。提供 本说明书的实施例W使本领域的普通技术人员能充分地理解本说明书。
[0266] <实施例〉
[0267] <实施例1〉有机发光二极管的制备
[0268] 将在其上施用厚度为KWO A的氧化铜锡（ITO)薄膜的玻璃基板(corning 7059 玻璃)浸入溶解有洗涂剂的蒸馈水中，进行超声波清洗。在运种情况下，本文所使用的洗涂 剂为购自Fi scher公司的产品，且本文所使用的蒸馈水为已通过使用购自Mi 11 ipore公司的 过滤器过滤两次的蒸馈水。清洗ITO 30分钟，然后通过使用蒸馈水超声波清洗两次，每次10 分钟。用蒸馈水清洗完成后，通过使用溶剂如异丙醇、丙酬和甲醇进行超声波清洗，将所得 产物干燥并转移至等离子清洗机。此外，通过使用氧等离子干洗基板5分钟，然后转移至真 空沉积器。
[0269] 在热真空下，将W下化学式的化合物六腊六氮杂苯并菲(在下文中，称为"HAT") W 100 A的厚度沉积在制备的ITO透明电极上，形成薄膜。基板与空穴注入层之间的界面性质 可通过此薄膜改善。随后，将化学式HT-I的化合物W熟谢產的厚度沉积在薄膜上W形成空 穴传输层，并将化学式2-1-17的化合物W綺的厚度沉积在空穴传输层上W形成电子 阻挡层。
[0270] 随后，将2重量％的化学式PD-I的化合物渗杂至化学式PH-I的化合物上W形成厚 度为400 A的发光层。在真空下，将化学式1-1-1的电子传输层材料和哇嘟裡化iQ) Wl: 1 的重量比沉积在发光层上W形成厚度为300 A的电子注入和传输层。随后，将厚度为 12 1的氣化裡化i巧和厚度为2,(100 A的侣沉积在电子传输层上W形成正极。
[0271] 在上述过程中，有机材料的沉积速度保持在0.3至0.8 A/秒。此外，将正极的氣化 裡的沉积速度保持在款3 A/秒，并将侣的沉积速度保持在1.5至主5A/秒。在沉积过程 中，将真空度保持在1 X 1(T7至3 X 1(T7。
[0274] <实施例2〉有机发光二极管的制备
[0275] 用与实施例1相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于使用化学式2-1-12 代替实施例1中的化学式2-1-17。
[0276] <实施例3〉有机发光二极管的制备
[02W]用与实施例1相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于使用化学式2-1-11 代替实施例1中的化学式2-1-17。
[0278] <实施例4〉有机发光二极管的制备
[0279] 用与实施例1相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于使用化学式2-1-14 代替实施例1中的化学式2-1-17。
[0280] <实施例於有机发光二极管的制备
[0281] 用与实施例1相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于使用化学式1-1-2代 替实施例1中的化学式1-1-1。
[0282] <实施例於有机发光二极管的制备
[0283] 用与实施例2相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于使用化学式1-1-2代 替实施例2中的化学式1-1-1。
[0284] <实施例7〉有机发光二极管的制备
[0285] 用与实施例3相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于使用化学式1-1-2代 替实施例3中的化学式1-1-1。
[0286] <实施例8〉有机发光二极管的制备
[0287] 用与实施例4相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于使用化学式1-1-2代 替实施例4中的化学式1-1-1。
[0288] <实施例9〉有机发光二极管的制备
[0289] 用与实施例1相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于使用化学式1-1-27 代替实施例1中的化学式1-1-1。
[0290] <实施例10〉