开关MOS(Metal-Oxide_semiconductor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)管或开关TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)；
[0053]所述开关晶体管，栅极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平；
[0054]当所述逻辑电平处于第一状态时，所述开关MOS管或所述开关TFT导通，电子器件的接地端接入低电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关MOS管或所述开关TFT断开，电子器件的接地端接入低电平。
[0055]在实际操作时，所述开关三极管的第一极可以为源极或漏极，所述开关三极管的第二极可以为源极或漏极。
[0056]所述开关晶体管优选包括开关MOS管或开关TFT，所述开关MOS管和所述开关TFT的导通和关断速度很快，尤其是当所述开关晶体管采用开关MOS管时，其导通和关断速度可以满足适用于高速显示装置的电子器件。
[0057]具体的，当所述开关晶体管包括开关MOS管或开关TFT时，当所述开关晶体管为N型晶体管时，当所述逻辑电平处于第一状态时，所述逻辑电平为高电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述逻辑电平为低电平；
[0058]当所述开关晶体管为P型晶体管时，当所述逻辑电平处于第一状态时，所述逻辑电平为低电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述逻辑电平为高电平。
[0059]下面通过几个具体实施例来说明本发明所述的电子器件的开关控制装置，在以下的具体实施例中，所述电子器件均是以工业相机或射频开关为例的，但是所述电子器件包括但并不限于工业相机或射频开关，也可以为其他的由脉冲控制信号控制开关的电子器件。
[0060]在以下的具体实施例中，逻辑电平输出单元可以为逻辑电平控制器，例如FPGA(Field —Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)、DSP(Digi tal SignalProcessor，数字信号处理器)、ARM微处理器或单片机，但是并不限于此，该逻辑电平输出单元可以为任何可以输出逻辑电平的器件。
[0061]如图3A所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第一具体实施例中，电子器件为工业相机30，工业相机30的高电平输入端也即工业相机的触发接口 Trigger，由高电平输出单元(图3A中未示)输出的高电平为幅值为6V的高电平；
[0062]所述开关单元采用开关MOS管Ml ;M1为N沟道增强型MOS管；
[0063]Ml的栅极G与逻辑电平控制器31的逻辑电平输出端连接，Ml的漏极D与所述工业相机30的接地端GND连接，Ml的源极S接入地端Gnd ；
[0064]当逻辑电平控制器31输出逻辑“I”时，即逻辑电平控制器31输出的逻辑电平为高电平时，Ml导通，工业相机30的接地端GND接地，此时Trigger与GND之间的电势差为6V，对工业相机来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足工业相机对信号电平的要求，实现工业相机的触发功能；
[0065]当逻辑电平控制器31输出逻辑“O”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为低电平时，M1断开，工业相机30的接地端GND悬空，则Trigger与GND之间不存在电势差，对于工业相机来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
[0066]如图3B所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第二具体实施例中，电子器件为工业相机30，工业相机30的高电平输入端也即工业相机的触发接口 Trigger，由高电平输出单元(图3B中未示)输出的高电平为幅值为6V的高电平；
[0067]所述开关单元采用开关MOS管Ml ;M1为P沟道耗尽型MOS管；
[0068]Ml的栅极G与逻辑电平控制器31的逻辑电平输出端连接，Ml的漏极D与所述工业相机30的接地端GND连接，Ml的源极S接入地端Gnd ；
[0069]当逻辑电平控制器31输出逻辑“I”时，即逻辑电平控制器31输出的逻辑电平为高电平时，Ml导通，工业相机30的接地端GND接地，此时Trigger与GND之间的电势差为6V，对工业相机来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足工业相机对信号电平的要求，实现工业相机的触发功能；
[0070]当逻辑电平控制器31输出逻辑“O”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为低电平时，M1断开，工业相机30的接地端GND悬空，则Trigger与GND之间不存在电势差，对于工业相机来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
[0071]如图3C所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第三具体实施例中，电子器件为工业相机30，工业相机30的高电平输入端也即工业相机的触发接口 Trigger，由高电平输出单元(图3C中未示)输出的高电平为幅值为6V的高电平；
[0072]所述开关单元采用开关MOS管Ml ;M1为N沟道耗尽型MOS管；
[0073]Ml的栅极G与逻辑电平控制器31的逻辑电平输出端连接，Ml的漏极D与所述工业相机30的接地端GND连接，Ml的源极S接入地端Gnd ；
[0074]当逻辑电平控制器31输出逻辑“O”时，即逻辑电平控制器31输出的逻辑电平为低电平时，Ml导通，工业相机30的接地端GND接地，此时Trigger与GND之间的电势差为6V，对工业相机来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足工业相机对信号电平的要求，实现工业相机的触发功能；
[0075]当逻辑电平控制器31输出逻辑“I”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为高电平时，M1断开，工业相机30的接地端GND悬空，则Trigger与GND之间不存在电势差，对于工业相机来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
[0076]如图3D所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第四具体实施例中，电子器件为工业相机30，工业相机30的高电平输入端也即工业相机的触发接口 Trigger，由高电平输出单元(图3D中未示)输出的高电平为幅值为6V的高电平；
[0077]所述开关单元采用开关MOS管Ml ;M1为P沟道增强型MOS管；
[0078]Ml的栅极G与逻辑电平控制器31的逻辑电平输出端连接，Ml的漏极D与所述工业相机30的接地端GND连接，Ml的源极S接入地端Gnd ；
[0079]当逻辑电平控制器31输出逻辑“O”时，即逻辑电平控制器31输出的逻辑电平为低电平时，Ml导通，工业相机30的接地端GND接地，此时Trigger与GND之间的电势差为6V，对工业相机来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足工业相机对信号电平的要求，实现工业相机的触发功能；
[0080]当逻辑电平控制器31输出逻辑“I”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为高电平时，M1断开，工业相机30的接地端GND悬空，则Trigger与GND之间不存在电势差，对于工业相机来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
[0081]如图4A所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第五具体实施例中，电子器件为射频开关40，射频开关40的高电平输入端也即射频开关40的高电平端VCC，由高电平输出单元(图4A中未示)输出的高电平为幅值为12V的高电平；
[0082]所述开关单元采用开关MOS管Ml ;M1为N沟道增强型MOS管；
[0083]Ml的栅极G与逻辑电平控制器41的逻辑电平输出端连接，Ml的漏极D与所述射频开关40的接地端GND连接，Ml的源极S接入地端Gnd ；
[0084]当逻辑电平控制器41输出逻辑“I”时，即逻辑电平控制器41输出的逻辑电平为高电平时，Ml导通，射频开关40的接地端GND接地，此时VCC与GND之间的电势差为6V，对射频开关来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足射频开关对信号电平的要求，实现射频开关的触发功能；
[0085]当逻辑电平控制器41输出逻辑“O”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为低电平时，M1断开，射频开关40的接地端GND悬空，则VCC与GND之间不存在电势差，对于射频开关来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
[0086]如图4B所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第六具体实施例中，电子器件为射频开关40，射频开关40的高电平输入端也即射频开关40的高电平端VCC，由高电平输出单元(图4B中未示)输出的高电平为幅值为12V的高电平；
[0087]所述开关单元采用开关MOS管Ml ;M1为P沟道耗尽型MOS管；
[0088]Ml的栅极G与逻辑电平控制器41的逻辑电平输出端连接，Ml的漏极D与所述射频开关40的接地端GND连接，Ml的源极S接入地端Gnd ；
[0089]当逻辑电平控制器41输出逻辑“I”时，即逻辑电平控制器41输出的逻辑电平为高电平时，Ml导通，射频开关40的接地端GND接地，此时VCC与GND之间的电势差为6V，对射频开关来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足射频开关对信号电平的要求，实现射频开关的触发功能；
[0090]当逻辑电平控制器41输出逻辑“O”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为低电平时，M1断开，射频开关40的接地端GND悬空，则VCC与GND之间不存在电势差，对于射频开关来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
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