置有多个相邻的位置E，其形式为正方形矩阵，在其中的每一个位置中都具有电气连接网络8。
[0036]集成电路芯片3被传送并且通过粘合剂薄层固定到晶片2A的位置E中的每一个位置的前表面上。
[0037]接着，如之前所描述地安装连接接线9。
[0038]接下来，如之前所描述的，通过传送并且固定在芯片3的顶部上并借助于附接和填充机构13进行安装，从而对保护晶片12进行安装。
[0039]由此，在位置E，分别包括芯片3以及保护晶片12的堆叠的构件29形成在基体晶片2A的部分的顶部上，这些部分在稍后的阶段对应于支撑的基体晶片2。
[0040]由此，存在行进在堆叠的构件29之间的通道30，在基体晶片2A的前表面32上的相对应的区域31前方，并且存在围绕着所有堆叠的构件29的该前表面31的外围区域33。
[0041]接下来，如图3所描述的，在基体晶片2A的所述表面32的外围区域33上形成外部外围阻挡物34，围绕着所述多个堆叠的构件29并且离该多个堆叠的构件29有一定距离。
[0042]为此目的，沉积诸如适合的粘合剂之类的材料的带，并且该材料例如在炉中被硬化。由此在位于外围的堆叠的构件29和外部外围阻挡物34之间创建了外围通道35。
[0043]接着，例如通过滴涂注射，将第一涂层材料19A沉积在通道30中并且在外围通道35中。
[0044]第一涂层材料19A以如下这样的方式进行沉积，即突出的环形镶边20A围绕着与将要形成的环形镶边20对应的保护晶片12而形成，并且在通道30以及外围通道35中且沿着外围通道35，基本上与将要形成的沟槽24的一半对应地形成凹陷的沟槽24A。
[0045]接着，执行该第一涂层材料19A的硬化。由此，在每一个位置E中形成第一密封环19。
[0046]所述硬化的第一涂层材料19A具有可形变的特别的属性。例如，所述第一涂层材料19A可以由在炉中被硬化的适合的粘合剂树脂制成。
[0047]接着，如图5所描述的，如上述所获得的构件放置在模具的两个板36和37之间，所述模具板36抵靠着基体晶片2A的背表面按压并且模具板37位于第一涂层材料19A的突出的镶边20A的尖峰27A的顶部上，从而创建了沿着这些尖峰27A的封闭区域。
[0048]在突出的镶边20A的侧上，所述模具板37包括压缩性材料的膜38。在模制位置中，第一涂层材料19A的突出的镶边20A具有穿透的趋势并且穿透进入可形变的膜38，由此创建了沿着突出的镶边20A的尖峰27A而建立的环形封闭区域。此外，所述可形变的膜38依靠在保护晶片12的前表面22上，由此还创建了局部封闭面。
[0049]由此，在沟槽24A和模具板37之间存在间隙40。
[0050]归功于所述第一涂层材料19A和膜38的可形变的属性，由模具板37施加在突出的镶边20A以及保护晶片12上从而获得保护晶片12相对于间隙40的隔离的压力在堆叠的构件29，尤其是在芯片3中，不会诱发应力或者诱发极小的应力。
[0051]外部外围阻挡物34具有高度从而使得其至少在其外围的部分上不会到达模具板37，其方式为存在至少一个外围通路39。
[0052]接着，通过经由模具外围上的至少一个地方进行注入，将第二涂层材料25A注入到模具中，从而填充空间35和40，该材料能够经由压力和毛细作用发生迀移。例如，第二涂层材料25A可以为能够在炉中被硬化的适合的粘合剂树脂。当然，外部外围阻挡物34以及模具的外围被设计为允许空气的注入和排出。
[0053]接着，执行第二涂层材料25A的硬化。由此，在每个位置E中形成第二密封环25。
[0054]接着，如图6所描述的，在脱模之后，后部电气连接镶边被安装42在电气连接网络8的后部凸缘上。
[0055]最后，将在每个位置E中获得的电子器件I进行划片，例如通过沿着位置E的矩阵的线42贯穿晶片2A以及涂层材料19A和25A进行锯切。
[0056]根据一个变形的实施例，基体晶片2可以由包括用于处理来自芯片3的信号的电子电路的芯片所取代。
[0057]本发明不限于上面所描述的例子。可以有各种实施例而不会偏离本发明的范围。
【主权项】
1.一种集体制造电子器件的方法，包括: 在基体晶片的前表面的被构建为矩阵形式的相邻的位置上分别形成多个堆叠的构件，使得在所述堆叠的构件之间存在通道，每个堆叠包括在所述基体晶片的顶部上的集成电路芯片以及在所述芯片的顶部上的保护晶片； 在所述基体晶片的所述前表面的外围区域上，围绕所述多个堆叠的构件并且位于离所述多个堆叠的构件一定距离处，形成外部外围阻挡物； 在所述通道内沉积第一涂层材料并且对该第一涂层材料进行硬化，从而形成第一密封环，所述第一密封环围绕所述堆叠的构件、具有相对于所述保护晶片的前表面而朝前突出并且位于包括所述保护晶片的外围边沿的环形区域内的环形镶边、并且沿着所述通道形成相对于所述突出的镶边的凹陷的沟槽； 将模具的一个表面放置为与所述突出的镶边相接触； 将第二涂层材料注入所述凹陷的沟槽中并且对该第二涂层材料进行硬化，从而形成第二密封环；以及 沿着所述位置执行划片操作，使得将形成在这些位置中的个体电子器件切割出。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述模具包括与所述突出的镶边相接触的可形变的材料的膜。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一密封环由可形变的材料制成。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述外部外围阻挡物和所述模具的所述表面之间创建空间。5.一种电子器件，包括: 基体晶片，具有前表面， 集成电路芯片，其背表面被固定到所述基体晶片的前表面上， 保护晶片，位于所述芯片的顶部上，以及 密封块，围绕所述芯片和所述保护晶片并且在所述基体晶片的前表面的外围部分上布置， 所述密封块包括: 第一密封环，围绕所述芯片和所述保护晶片而布置，具有相对于所述保护晶片的前表面而朝前突出并且位于包括所述保护晶片的外围边沿的环形区域内的环形镶边，并且形成相对于所述突出的环形镶边而凹陷的外围沟槽，以及第二密封环，填充所述第一密封环的外围沟槽。6.根据权利要求5所述的器件，其中所述突出的环形镶边延伸在所述保护晶片的前表面的外围区域上方。7.根据权利要求5和6中任一项所述的器件，其中所述第二密封环具有基本上位于所述突出的环形镶边的尖峰的平面中的前表面。8.根据权利要求5到7中任一项所述的器件，包括用于在所述芯片上方一定距离处安装所述保护晶片并且用于填充在所述保护晶片和所述芯片之间创建的自由空间的机构。9.根据权利要求5到8中任一项所述的器件，其中所述芯片包括传感器，所述传感器与未被所述突出的环形镶边覆盖的所述保护晶片的中心区域相对地延伸。10.根据权利要求9所述的器件，其中所述传感器为光学传感器并且所述保护晶片为透明的。
【专利摘要】本申请涉及制造电子器件的方法以及具有双密封环的电子器件。其中在基体晶片(2)的顶部上安装集成电路芯片(3)，并且在所述芯片的顶部上安装保护晶片(12)，围绕所述芯片和保护晶片并且在基体晶片的前表面的外围部分上形成密封块(18)。所述密封块包括：第一密封环(19)，其围绕芯片和保护晶片而布置，具有相对于保护晶片的前表面而突出的环形镶边(20)，并且形成相对于所述突出的环形镶边而凹陷的外围沟槽(24)；以及第二密封环(25)，其填充所述第一密封环的外围沟槽(24)。
【IPC分类】H01L21/56, H01L23/31
【公开号】CN105679717
【申请号】
【发明人】M·索里厄尔, K·萨克斯奥德
【申请人】意法半导体(格勒诺布尔2)公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年9月18日