一种沟槽栅igbt的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及IGBT(Insulted Gate Bipolar Transistor，绝缘棚.双极型晶体管)技术领域，更为具体的说，涉及一种沟槽栅IGBT。
【背景技术】
[0002]绝缘栅双极型晶体管具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单等特点，被广泛应用于工业、信息、新能源、医学、交通等领域。
[0003]参考图1所示，为现有的一种沟槽栅型IGBT芯片的结构示意图，现有的沟槽栅IGBT芯片的元胞中，包括有两个常规沟槽栅I，两个常规沟槽栅之间包括有相对设置的源极区2和发射极金属电极3，其中，发射极金属电极3延伸至P-基区。现有的沟槽栅型IGBT芯片在进行饱和电流的调节时，一般增加虚沟槽栅以通过调节常规沟槽栅和虚沟槽栅的比例，进行饱和电流的大小调节，但是，现有的增加虚沟槽栅的方式不仅复杂，而且增加了制作成本。
【实用新型内容】
[0004]有鉴于此，本实用新型提供了一种沟槽栅IGBT，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小，即采用调整源极区的面积的方式以调整沟槽栅IGBT的饱和电流，在制作沟槽栅IGBT时只需调整制作源极区的光刻板即可，不仅方式简单，而且保证了制作成本低。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下:
[0006]一种沟槽栅IGBT，包括至少一个元胞，所述元胞包括:
[0007]漂移区；
[0008]位于所述漂移区一表面上的基区；
[0009]位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽和第二常规沟槽，所述第一常规沟槽和第二常规沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与第一常规栅层之间和所述第二常规沟槽的内壁与第二常规栅层之间均设置有一第一栅氧化层；
[0010]以及，位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且形成于所述基区背离所述漂移区一侧内的源极区，其中，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小。
[0011 ]优选的，所述沟槽栅IGBT包括发射极金属电极；
[0012]所述发射极金属电极位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽中任意一常规沟槽与所述源极区之间。
[0013]优选的，所述源极区包括多个源极区段。
[0014]优选的，任意一所述源极区段为多边形或圆形。
[0015]优选的，所述沟槽栅IGBT包括发射极金属电极；
[0016]所述源极区包括第一子源极区和第二子源极区；
[0017]所述第一子源极区位于所述发射极金属电极和第一常规沟槽之间，所述第二子源极区位于所述发射极金属电极和第二常规沟槽之间。
[0018]优选的，所述第一子源极区包括多个第一子源极区段。
[0019]优选的，所述第二子源极区包括多个第二子源极区段。
[0020]优选的，任意一所述第一子源极区段为多边形或圆形；
[0021]以及，任意一所述第二子源极区段为多边形或圆形。
[0022]相较于现有技术，本实用新型提供的技术方案至少具有以下优点:
[0023]本实用新型提供了一种沟槽栅IGBT，包括至少一个元胞，所述元胞包括:漂移区；位于所述漂移区一表面上的基区;位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽和第二常规沟槽，所述第一常规沟槽和第二常规沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与第一常规栅层之间和所述第二常规沟槽的内壁与第二常规栅层之间均设置有一第一栅氧化层；以及，位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且形成于所述基区背离所述漂移区一侧内的源极区，其中，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小。
[0024]由上述内容可知，本实用新型提供的技术方案，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小，即采用调整源极区的面积的方式以调整沟槽栅IGBT的饱和电流，相当于间接实现了沟槽栅IGBT的总沟道宽度的调整，进而调节了饱和电流的大小，使得在制作沟槽栅IGBT时只需调整制作源极区的光刻板即可，不仅方式简单，而且保证了制作成本低。
【附图说明】
[0025]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0026]图1为现有的一种沟槽栅型IGBT芯片的结构示意图；
[0027]图2为本申请实施例提供的一种沟槽栅IGBT的结构示意图；
[0028]图3为本申请实施例提供的另一种沟槽栅IGBT的结构示意图；
[0029]图4a至图4e为本申请实施例提供的五种源极区段的结构示意图；
[0030]图5为本申请实施例提供的又一种沟槽栅IGBT的结构示意图；
[0031]图6为本申请实施例提供的又一种沟槽栅IGBT的结构示意图。
【具体实施方式】
[0032]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0033]正如【背景技术】所述，现有的沟槽栅IGBT在进行饱和电流的调节时，一般增加虚沟槽栅以通过调节常规沟槽栅和虚沟槽栅的比例，进行饱和电流的大小调节，但是，现有的增加虚沟槽栅的方式不仅复杂，而且增加了制作成本。
[0034]基于此，本申请实施例提供了一种沟槽栅IGBT，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小，即采用调整源极区的面积的方式以调整沟槽栅IGBT的饱和电流，在制作沟槽栅IGBT时只需调整制作源极区的光刻板即可，不仅方式简单，而且保证了制作成本低。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，其中，结合图2至图6所示，对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。
[0035]需要说明的是，本申请下列实施例均以N型基材为例对沟槽栅IGBT进行描述。即，漂移区为N-漂移区、基区为P-基区、源极区为N+源极区。
[0036]具体的，参考图2所示，为本申请实施例提供的一种沟槽栅IGBT的结构示意图，其中，沟槽栅IGBT包括至少一个元胞，所述元胞包括:
[0037]漂移区(未画出)；
[0038]位于所述漂移区一表面上的基区100;
[0039]位于所述基区100背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽和第二常规沟槽，所述第一常规沟槽和第二常规沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层201，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层202，且所述第一常规沟槽的内壁与第一常规栅层201之间和所述第二常规沟槽的内壁与第二常规栅层202之间均设置有一栅氧化层 203;
[0040]以及，位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且形成于所述基区100背离所述漂移区一侧内的源极区300，其中，通过确定所述源极