区300的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小。
[0041 ]需要说明的是，本申请实施例提供的沟槽栅IGBT还包括有集电极区、集电极金属电极等结构，此与现有技术相同，故不作多余赘述。
[0042]本申请实施例提供的源极区可以只与一常规沟槽栅(即常规沟槽、常规栅层和其相应的栅氧化层)相接触，而与另一常规沟槽栅不接触。具体参考图2所示，所述沟槽栅IGBT包括发射极金属电极400 ；
[0043]所述发射极金属电极400位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽中任意一常规沟槽与所述源极区300之间。其中，源极区与发射极金属电极和邻近常规沟槽栅接触，且发射极金属电极在基区至漂移区方向上延伸至漂移区内，此与现有技术相同，故不作多余赘述。
[0044]其中，根据源极区的面积大小，本申请实施例提供的源极区可以为条形源极区，SP参考图2所示的源极区结构。另外，源极区的结构还可以由多个源极区段组成，具体参考图3所示，为本申请实施例提供的另一种沟槽栅IGBT的结构示意图，源极区300包括多个源极区段 301。
[0045]具体的，每一源极区段301可以为多边形或圆形，具体可以参考图4a至图4e所示，为本申请实施例提供的五种源极区段的结构示意图，其中，源极区段301可以为图4a所示的正方形，可以为图4b所示的长方形，可以为图4c所示的平行四边形，可以为图4d所示的菱形，或者，可以为图4e所示的圆形，对此本申请实施例不作具体限制，需要根据实际应用进行具体设计。
[0046]此外，本申请实施例提供的源极区可以分为两个子源极区，每个子源极区分别与一常规沟槽栅(即常规沟槽、常规栅层和其相应的栅氧化层)相接触。具体参考图5所示，为本申请实施例提供的又一种沟槽栅IGBT的结构示意图，所述沟槽栅IGBT包括发射极金属电极400;
[0047]所述源极区包括第一子源极区302和第二子源极区303;
[0048]所述第一子源极区302位于所述发射极金属电极400和第一常规沟槽之间，所述第二子源极区303位于所述发射极金属电极400和第二常规沟槽之间。
[0049]同样的，根据源极区的面积大小，本申请实施例提供的所述第一子源极区302可以包括多个第一子源极区段302a。
[0050]以及，所述第二子源极区303可以包括多个第二子源极区段303a。
[0051]其中，参考图5所示，第一子源极区302和第二子源极区303包括相同数量的子源极区段，且每个第一子源极区段302a分别与一第二子源极区段303a相对。
[0052]或者，参考图6所示，第一子源极区302和第二子源极区303包括相同数量的子源极区段，且包括有相对的第一子源极区段302a和第二子源极区段303a，还包括有不相对的第一子源极区段302a和第二子源极区段303a。
[0053]又或者，第一子源极区和第二子源极区包括不相同数量的子源极区段，且包括有相对的第一子源极区段和第二子源极区段，还包括有不相对的第一子源极区段和第二子源极区段。需要说明的是，本申请实施例对于第一子源极区段和第二子源极区段的数量不作具体限制，并且，对于第一子源极区段和第二子源极区段的相对情况同样不作具体限制，需要根据实际应用进行具体设计。
[0054]其中，任意一所述第一子源极区段为多边形或圆形；以及，任意一所述第二子源极区段为多边形或圆形。
[0055]本申请实施例提供了一种沟槽栅IGBT，包括至少一个元胞，所述元胞包括:漂移区；位于所述漂移区一表面上的基区；位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽和第二常规沟槽，所述第一常规沟槽和第二常规沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与第一常规栅层之间和所述第二常规沟槽的内壁与第二常规栅层之间均设置有一第一栅氧化层；以及，位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且形成于所述基区背离所述漂移区一侧内的源极区，其中，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小。
[0056]由上述内容可知，本实用新型提供的技术方案，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小，即采用调整源极区的面积的方式以调整沟槽栅IGBT的饱和电流，相当于间接实现了沟槽栅IGBT的总沟道宽度的调整，进而调节了饱和电流的大小，使得在制作沟槽栅IGBT时只需调整制作源极区的光刻板即可，不仅方式简单，而且保证了制作成本低。
[0057]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种沟槽栅IGBT，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括: 漂移区； 位于所述漂移区一表面上的基区； 位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽和第二常规沟槽，所述第一常规沟槽和第二常规沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与第一常规栅层之间和所述第二常规沟槽的内壁与第二常规栅层之间均设置有一第一栅氧化层； 以及，位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且形成于所述基区背离所述漂移区一侧内的源极区，其中，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小。2.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述沟槽栅IGBT包括发射极金属电极； 所述发射极金属电极位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽中任意一常规沟槽与所述源极区之间。3.根据权利要求2所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述源极区包括多个源极区段。4.根据权利要求3所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，任意一所述源极区段为多边形或圆形。5.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述沟槽栅IGBT包括发射极金属电极； 所述源极区包括第一子源极区和第二子源极区； 所述第一子源极区位于所述发射极金属电极和第一常规沟槽之间，所述第二子源极区位于所述发射极金属电极和第二常规沟槽之间。6.根据权利要求5所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述第一子源极区包括多个第一子源极区段。7.根据权利要求6所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述第二子源极区包括多个第二子源极区段。8.根据权利要求7所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，任意一所述第一子源极区段为多边形或圆形； 以及，任意一所述第二子源极区段为多边形或圆形。
【专利摘要】本实用新型提供了一种沟槽栅IGBT，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小，即采用调整源极区的面积的方式以调整沟槽栅IGBT的饱和电流，相当于间接实现了沟槽栅IGBT的总沟道宽度的调整，进而调节了饱和电流的大小，使得在制作沟槽栅IGBT时只需调整制作源极区的光刻板即可，不仅方式简单，而且保证了制作成本低。
【IPC分类】H01L29/739
【公开号】CN205248282
【申请号】CN201520893094
【发明人】刘国友, 覃荣震, 黄建伟, 罗海辉, 戴小平
【申请人】株洲南车时代电气股份有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年11月10日