专利名称：一种烤烟种植中的施肥方法
技术领域：
本发明涉及一种烤烟种植中的施肥方法，属烤烟施肥技术领域。
背景技术：
烟草是我国重要的经济作物，在许多地区，烟草种植是当地百姓最重要的收入来 源。烟叶品质受到诸如气候、栽培措施等因素的影响，随着烟叶标准化生产和现代烟草农业 建设，烟叶生产技术需要进行一系列完善。精准高效施肥成为提高产质量的关键技术。目 前，烤烟基肥四用方式主要有单条施、穴施和定位环施三种。单条施易操作，但肥位距烟株 根系较远，前期吸收少，不利于烟株早出快发，肥位较低易造成流失；穴施肥力集中，有利于 烟株早出快发，但由于肥料过分集中，易出现烧苗，用工量大，不变机械作业；定位环施用工 量、肥位远，既不利于烟株早生快发，且易造成肥料流失，更不便机械作业。随着现代烟草农 业的迅速推进。机械化普及迅速提高，精准高效施肥技术的不断成熟，创新烤烟生产技术体 系，满足现代烟草农业需要成为当务之急。经文献检索，未见与本发明相同的公开报道。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术之不足，而提供一种有利烟株早生快发，减少施 肥环节，便于机械化作业，提高肥料使用效率的烤烟种植中的施肥方法。本发明是在大量研究的基础上提出的。大量研究发现烤烟种植过程中，烟株的 生长高度均有一定的规律。本发明根据烟株生成高度的规律，提出墒高的科学高度，将种植 中的施肥总量的95%分作为基肥在烤烟种苗未栽培前分二次施入墒中，不仅使用供肥时间 长，且省略了烟株过程生长中施肥的工序，更利于烟株生长。本发明的一种烤烟种植中的施肥方法为在烤烟种苗未栽培前，根据所需墒高测 土方确定的施肥总量，取施肥总量的95%分作为基肥分二次施入墒中；待烤烟种苗栽培 后，在偏离种苗中心10-15cm处施入总量5%的肥；具体步骤如下a.根据所需墒高测土方确定的施肥总量，取施肥总量的57%作为第一次基肥在 墒的上方进行单条施；b.再在第一次基肥施后墒的上方进行理墒达25cm，取施肥总量的38%作为第二 次基肥在墒的上方进行单条施；c.然后在施了第二次基肥的面上覆土 5-8cm，控制墒高为40cm，并使两层肥都在 垄体中央呈垂直分布。本发明方法中的单条施肥过程同现有技术。本发明与现有技术相比，具有以下优点1、肥力均勻适中，有利于烟株早生快发；2、供肥时间长，有利于烟株正常成熟；3、易于实践机械作业，有效降低肥料流失；
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4、减少追肥及打塘工序，降低劳动强度。
具体实施例方式下面结合附图
对本发明方法作进一步详述。本发明的一种烤烟种植中的施肥方法为 1、在烤烟种苗未栽培前，按常规方法根据所需理墒并测土方确定的施肥总量；2.取施肥总量的57%作为第一次基肥在墒的上方进行机械或人工单条施；3、再在第一次基肥施后墒的上方进行理墒达25cm，取施肥总量的38%作为第二 次基肥在墒的上方进行机械或人工单条施； 4.然后在施了第二次基肥的面上覆土 5或6. 5或8cm，控制墒高为40cm，并使两层 肥都在垄体中央呈垂直分布；5、将种苗栽培后，在偏离种苗中心10或15cm处施入总量5%的肥。本发明方法应用表明不仅肥力均勻、供肥时间长、烟株生长成熟快；有效防止了 肥料流失，降低了劳动强度。
权利要求
一种烤烟种植中的施肥方法，其特征在于本施肥方法为在烤烟种苗未栽培前，根据所需墒高测土方确定的施肥总量，取施肥总量的95％分作为基肥分二次施入墒中；待烤烟种苗栽培后，在偏离种苗中心10-15cm处施入总量5％的肥；具体步骤如下a.根据所需墒高测土方确定的施肥总量，取施肥总量的57％作为第一次基肥在墒的上方进行单条施；b.再在第一次基肥施后墒的上方进行理墒达到25cm，取施肥总量的38％作为第二次基肥在墒的上方进行单条施；c.然后在施了第二次基肥的面上覆土5-8cm，控制墒高为40cm，并使两层肥都在垄体中央呈垂直分布。
全文摘要
本发明涉及一种烤烟种植中的施肥方法，属烤烟施肥技术领域。在烤烟种苗未栽培前，根据所需墒高测土方确定的施肥总量，取施肥总量的95％分作为基肥分二次施入墒中；待烤烟种苗栽培后，在偏离种苗中心10-15cm处施入总量5％的肥；具体步骤如下a.根据所需墒高测土方确定的施肥总量，取施肥总量的57％作为第一次基肥在墒的上方进行单条施；b.再在第一次基肥施后墒的上方进行理墒达到25cm，取施肥总量的38％作为第二次基肥在墒的上方进行单条施；c.然后在施了第二次基肥的面上覆土5-8cm，控制墒高为40cm，并使两层肥都在垄体中央呈垂直分布。本发明具有不仅肥力均匀、供肥时间长、烟株生长成熟快；有效防止了肥料流失，降低了劳动强度的优点。
文档编号A01C21/00GK101849471SQ20101019321
公开日2010年10月6日 申请日期2010年6月7日 优先权日2010年6月7日
发明者张如阳, 李仕山, 红波, 计思贵, 龚理 申请人:云南省烟草公司普洱市公司