低品位菱镁矿选择性解离设备及方法
【专利摘要】本发明提供一种低品位菱镁矿选择性解离方法，包括以下步骤：(1)、将低品位菱镁矿粉碎至1-10mm；(2)、将步骤(1)中粉碎得到的菱镁矿置于磁选机中磁选，磁选采用的磁场强度为2-5T；(3)、将步骤(2)得到的菱镁矿研磨至200目以下的粉料质量含量大于60％，过200目筛，取筛下物；(4)、将步骤(3)得到的菱镁矿在600-900℃下煅烧40-180min得到轻烧粉；(5)、将步骤(4)得到的轻烧粉研磨至200目以下的粉料质量含量大于97％，过200目筛，筛下物即为选择得到的高品位菱镁矿精矿。本发明低品位菱镁矿选择性解离方法步骤科学、合理，解决了现有技术中氧化镁回收率低，易造成环境污染的问题。
【专利说明】低品位菱镁矿选择性解离设备及方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及菱镁矿冶炼技术，尤其涉及一种低品位菱镁矿选择性解离方法。
【背景技术】
[0002]中国是世界上菱镁矿资源较为丰富的国家之一，而且分布比较集中，其中辽宁省菱镁矿储量丰富，占全国总量的85%，居全国首位。我国的菱镁产业现已发展成为独具特色的资源性优势产业，年产各种镁砂及制品1500万吨，产量居世界首位。
[0003]我国拥有的菱镁矿资源中，低品位菱镁矿占总储量近一半。由于开采缺乏科学依据、随意性大，采富弃贫、乱采滥掘现象非常严重。致使有些矿山的矿石回采率不足50%，相当一部分优质菱镁矿山遭到严重破坏。经过几十年的开采，商品级的菱镁矿已越来越少，特别是高品位的菱镁矿在某些地区已经不能满足生产需要。寻找低品位矿石的合理利用途径，充分发挥本地区的资源优势，是一项亟待解决的战略问题。
[0004]现有的菱镁矿的提纯方法主要采用浮选工艺完成。浮选工艺通常采用阳离子捕收剂十二胺和阴离子捕收剂油酸钠对菱镁矿浮选，两种离子捕收剂都能一定程度的分离菱镁矿中的精矿和二氧化硅，但精矿MgO回收率均较低，最多在60-70%左右，所以亟待一种简单、易行、选择率高的菱镁矿的提纯方法。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于，针对上述现有菱镁矿提纯方法选择性差、回收率低的问题，提出一种低品位菱镁矿选择性解离方法，采用该方法处理的菱镁矿选择性佳、回收率高。
[0006]为实现上述目的，本发明采用的技术方案是:一种低品位菱镁矿选择性解离方法，包括以下步骤:
[0007](I)、将低品位菱镁矿粉碎至1-1Omm ；
[0008](2)、将步骤⑴中粉碎得到的菱镁矿置于磁选机中磁选，所述磁选采用的磁场强度为2-5T;磁选后，菱镁矿(精矿)中的二氧化硅、氧化铁、氧化钙的含量均有不同程度的下降；
[0009](3)、将步骤(2)得到的菱镁矿研磨至200目以下的粉料质量含量大于60%，过200目筛，取筛下物；筛下物的二氧化硅、氧化铁和氧化钙含量再次下降；
[0010](4)、将步骤(3)得到的菱镁矿在600-900°C下煅烧40_180min得到轻烧粉；
[0011](5)、将步骤(4)得到的轻烧粉研磨至200目以下的粉料质量含量大于97%，过200目筛，筛下物即为选择得到的高品位菱镁矿。所述高品位菱镁矿中二氧化硅、氧化钙含量进一步下降，最终得到纯度大于98%的氧化镁，氧化镁回收率在80%以上。
[0012]进一步地,所述低品位菱镁矿中MgO质量含量< 41%。
[0013]进一步地，所述低品位菱镁矿由辊破碎机及振动筛组破碎。
[0014]进一步地,将低品位菱镁矿粉碎至3_5mm。
[0015]进一步地，所述步骤(2)中磁场强度为3-4T，更优选为3.2T。
[0016]进一步地，所述步骤(4)中煅烧温度为800-900°C，煅烧时间为120_150min。
[0017]本发明中除特殊说明，所述含量均为质量含量。
[0018]本发明低品位菱镁矿选择性解离方法步骤科学、合理，与现有技术相比较具有以下优点:
[0019](I)本发明低品位菱镁矿选择性解离方法包括:粉碎-磁选-研磨-煅烧-研磨一系列处理，选矿得到的菱镁矿粉中氧化镁回收率大于80%，大大提高了矿石的综合利用率。
[0020](2)本发明低品位菱镁矿选择性解离方法与浮选法相比，不采用任何化学试剂和水，在节约生产成本的同时还减少了污水的排放。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1为本发明低品位菱镁矿选择性解离方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0022]以下结合实施例对本发明进一步说明:
[0023]实施例1
[0024]本实施例对大石桥地区的低品位菱镁矿进行选择，该低品位菱镁矿中MgO质量含量为40 %，氧化钙质量含量为2.3%，二氧化硅质量含量为4 %，氧化铁质量含量为0.8%。该低品位菱镁矿选择性解离方法如图1所示，包括以下步骤:
[0025](I)、将低品位菱镁矿置于粉碎设备中，粉碎至粒度为3-5_，所采用的粉碎设备包括辊破碎机及振动筛组。
[0026](2)、将步骤(I)中粉碎得到的低品位菱镁矿置于磁选机中磁选，磁选采用的磁场强度为3.2T;磁选后，菱镁矿(精矿)中的二氧化硅的含量降至1.5%以下，氧化铁含量降至0.3%以下，氧化钙的含量降至1.4%以下；磁选大大降低了菱镁矿中的氧化铁含量，轻烧粉中氧化铁的含量直接影响耐火砖的质量。
[0027](3)、将步骤⑵得到的菱镁矿置于研磨设备中研磨，使菱镁矿、方解石、石英、白云石达到单体解离的粒度。具体的研磨至200目以下的粉料质量含量大于60%，过200目筛，取筛下物；筛下物中二氧化硅的含量降至1.3%以下，氧化铁含量降至0.2%以下，氧化钙含量降至0.7%以下。
[0028](4)、将步骤(3)得到的菱镁矿在850°C下煅烧ISOmin得到轻烧粉。
[0029](5)、将步骤(4)得到的轻烧粉研磨至200目以下的粉料质量含量大于97%，过200目筛，筛下物即为选择得到的高品位菱镁矿精矿。得到的高品位菱镁矿精矿中二氧化硅的含量降至0.4%以下，氧化钙含量降至0.3%以下，最终得到纯度98.40%的氧化镁，氧化镁回收率在85%以上。
[0030]实施例2
[0031]本实施例处理的低品位菱镁矿中MgO质量含量为41%,氧化I丐质量含量为3%, 二氧化硅质量含量为3.2%，氧化铁质量含量为0.7%。该低品位菱镁矿选择性解离方法包括以下步骤:
[0032](I)、将低品位菱镁矿置于粉碎设备中，粉碎至粒度为5-8_。
[0033](2)、将步骤(I)中粉碎得到的低品位菱镁矿置于磁选机中磁选，所述磁选采用的磁场强度为5T ;磁选后,菱镁矿(精矿)中的二氧化娃的含量降至1.8%以下,氧化铁含量降至0.3%以下，氧化钙的含量降至1.6%以下。
[0034](3)、将步骤(2)得到的菱镁矿置于研磨设备中研磨，使菱镁矿、方解石、石英、白云石达到单体解离的粒度。具体的研磨至200目以下的粉料质量含量大于70%，过200目筛，取筛下物；筛下物中二氧化硅的含量降至1.4%以下，氧化铁含量降至0.2%以下，氧化钙含量降至0.8%以下。
[0035](4)、将步骤(3)得到的菱镁矿在800-900°C下煅烧180min得到轻烧粉。
[0036](5)、将步骤(4)得到的轻烧粉研磨至200目以下的粉料质量含量大于97%，过200目筛，筛下物即为选择得到的高品位菱镁矿精矿。所述高品位菱镁矿精矿中二氧化硅的含量降至0.4%以下，氧化钙含量降至0.35%以下，最终得到纯度98.40%的氧化镁，氧化镁回收率在80%以上。
[0037]实施例3
[0038]本实施例处理的低品位菱镁矿中MgO质量含量为41%,氧化I丐质量含量为2.0%,二氧化硅质量含量为5%，氧化铁质量含量为0.5%。该低品位菱镁矿选择性解离方法包括以下步骤:
[0039](I)、将低品位菱镁矿置于粉碎设备中，粉碎至粒度为5-8_。
[0040](2)、将步骤(I)中粉碎得到的低品位菱镁矿置于磁选机中磁选，所述磁选采用的磁场强度为2.5T ;磁选后,菱镁矿(精矿)中的二氧化娃的含量降至2.0%以下,氧化铁含量降至0.2%以下，氧化钙的含量降至1.3%以下；磁选大大降低了菱镁矿中的氧化铁含量，轻烧粉中氧化铁的含量直接影响耐火砖的质量。
[0041](3)、将步骤(2)得到的菱镁矿置于研磨设备中研磨，使菱镁矿、方解石、石英、白云石达到单体解离的粒度。具体的研磨至200目以下粉料质量含量大于60%，过200目筛，取筛下物；使二氧化硅的含量降至1.4%以下，氧化铁含量降至0.15%以下，氧化钙含量降至0.8%以下。
[0042](4)、将步骤(3)得到的菱镁矿在800°C下煅烧120min得到轻烧粉。
[0043](5)、将步骤(4)得到的轻烧粉研磨至200目以下粉料质量含量大于98%，过200目筛，筛下物即为选择得到的高品位菱镁矿精矿。所述高品位菱镁矿中二氧化硅的含量降至0.5%以下，氧化钙含量降至0.3%以下，最终得到纯度98.50%的氧化镁，氧化镁回收率在85%以上。
[0044]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【权利要求】
1.一种低品位菱镁矿选择性解离方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)、将低品位菱镁矿粉碎至1-1Omm； (2)、将步骤(I)中粉碎得到的菱镁矿置于磁选机中磁选，所述磁选采用的磁场强度为2-5T ； (3)、将步骤(2)得到的菱镁矿研磨至200目以下的粉料质量含量大于60%，过200目筛，取筛下物； (4)、将步骤(3)得到的菱镁矿在600-900°C下煅烧40-180min得到轻烧粉； (5)、将步骤(4)得到的轻烧粉研磨至200目以下的粉料质量含量大于97%，过200目筛，筛下物即为选择得到的高品位菱镁矿。
2.根据权利要求1所述低品位菱镁矿选择性解离方法，其特征在于，所述低品位菱镁矿中MgO质量含量< 41%。
3.根据权利要求1所述低品位菱镁矿选择性解离方法，其特征在于，所述低品位菱镁矿由辊破碎机及振动筛组破碎。
4.根据权利要求1或3所述低品位菱镁矿选择性解离方法，其特征在于，步骤(I)将低品位菱镁矿粉碎至3-5mm。
5.根据权利要求1所述低品位菱镁矿选择性解离方法，其特征在于，所述步骤(2)中磁场强度为3-4T。
6.根据权利要求1所述低品位菱镁矿选择性解离方法，其特征在于，所述步骤(4)中煅烧温度为800-900°C。
7.根据权利要求1或6所述低品位菱镁矿选择性解离方法，其特征在于，所述步骤(4)中煅烧时间为120-150min。
【文档编号】B02C21/00GK104190523SQ201410416055
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月21日 优先权日:2014年8月21日
【发明者】崔俊峰, 崔军, 么革, 齐国超, 崔毅, 崔薇薇, 何占高, 刘希洋 申请人:营口东吉科技（集团）有限公司