一种水稻无土快速立体育秧技术的制备方法

文档序号:9403052阅读:437来源:国知局
一种水稻无土快速立体育秧技术的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种水稻育秧技术,尤其是一种水稻无土快速立体育秧技术的制备方 法。
【背景技术】
[0002] 我国是农业大国,农业经济在国民经济中占有主要地位。改革开放以来,国家为保 障粮食安全投入大量的资金和物力,搞农田水利建设与开发水田,扶持农民种植水稻。在水 稻面积、水稻品种改良、水稻种植技术等多方面都已经取得显著提高,为保证我国粮食安全 起到了重要作用。发展至今,我国的水稻种植技术,单位面积经济效益方面比发达国家日 本、韩国等国家还存在一定的差距。特别是水稻种植育秧、栽培管理及收获三个环节中的育 秧技术,我们国家还停留在大棚室育苗阶段,从小棚改至大棚仍然要大量的农田,并需要大 量采集壤土以客土为主的办法培育水稻秧苗。而且管理零散,靠自然光照增温。水稻旱育 壮秧每年需要大量的土地表层土壤,每育1亩秧苗需要取营养土 〇. 2立方米,即200公斤沃 土。由于水稻育秧的常年取土,优质土壤资源锐减,取土难度越来越大,取营养土壤更难。优 质土壤资源不可再生,土壤是地球表面经过千百万年,在自然中通过生物循环逐渐形成的, 是植物生长的基础。由于水稻育秧用土,每年农户乱挖滥采优质土壤,自然植被和生态环 境遭到了人为的破坏,优质土壤资源递减。另外,对农业生产废弃物的如何综合有效开发利 用,使其变废为宝,并减少不合理、不科学处理方式所造成的环境污染问题,因此,农民为育 出壮苗费尽心机,不过天气温度发生变化幅度大的年份出现,水稻秧苗将出现严重病害或 弱苗,依然形成了靠天吃饭的局面。同时也浪费大量的人力与物资。所以,农民都将育成壮 苗作为水稻生产的重中之重工作,为实现现代育苗技术应用,满足农业生产可持续发展的 需要,一种水稻无土快速立体育秧技术及制备方法应运而生,通过应用无土育秧基质板,利 用立体自动管理的育苗设施及先进的农艺技术措施,实现了快速育成水稻壮苗。提高了秧 苗素质,促进水稻生产增产增收。

【发明内容】

[0003] 发明的目的就是针对上述现有技术存在的问题,针对水稻育秧作业的实际需要, 结合植物秸杆发酵粉、草炭土、椰壳粉等综合处理制成基质板,研究一种水稻快速立体育 秧技术及制备方法,达到保护优质土壤资源和生态环境、充分利用农业废弃物,使其变废为 宝、减轻环境污染的目的。本发明解决了国内采用普遍存在且落后的床土育秧的水稻育秧 技术方法,导致土壤过度开采,利用自然光照增温育秧时间长,而且很难育成壮苗,不能满 足可持续生态发展的需要。
[0004] -种水稻无土快速立体育秧技术的制备方法,其具体方案是:
[0005] 第一步,首先应用的是植物秸杆发酵粉、草炭土、椰壳粉等制成育秧基质粉或基质 板作为育秧基质,种子播种到育秧基质硬盘里,进行第一步暗室催芽。即:播种后的育秧盘 送到暗室,放入每层8盘的托架上,叠加30层,共计240盘为一个方桶形结构,四周围上塑 料薄膜封闭,尤其是托架下部距离地面25厘米,上部留20厘米空隙,保证上下通气。保持 30-33度的室温,3天种芽出齐后移到立体育苗大棚。暗室供热以地热方式加温,催芽三天, 长势在2-3厘米搬运到立体育秧大棚里进行育苗。
[0006] 第二步:水稻立体育秧大棚,只用散射光,阴亮通风,上盖及通风口自动开闭,温度 保持28-30度室温,85%的湿度。整个育秧时间10至12天,秧苗高度达12-13厘米。
[0007] 将长势在2厘米左右的育秧盘搬运到立体育秧大棚里立体育秧架上,支架10-15 层,每层之间20-25厘米,每层6个秧盘,支架底部安装转向轮6个,方便移动。立体育秧支 架每层左右设置植物生长灯,提供光照条件。两列支架排列间隔50厘米,设置自动行走雾 化喷水装置,配备立体分层雾化喷头,自动测定并及时增湿喷水。
[0008] 立体育秧大棚室内温度,湿度,通风,光照均实现电脑程序控制。根据大棚室内环 境变化情况及时控制增温、加湿、通风及光照设备,以满足育苗最佳物候条件。育苗阶段保 持10至12天。秧苗长到13厘米,移出大棚。
[0009] 第三步:将13厘米高的秧苗移到自然采光大棚内,在常温条件下练苗4-5天后,插 入大田,整个育秧过程15-20天。
[0010] 本发明用于水稻育苗采用了有机质等农业废弃物为育秧基质板,节约了不可再生 资源土壤的开采,保护环境不再破坏,并再次利用了作物秸杆的废弃资源。节约了育苗大棚 使用空间,自动控大棚室内温度,湿度,通风,光照等条件,缩短了育苗期。制提高了秧苗成 功率及素质。
【具体实施方式】
[0011] 本发明技术方案不局限于以下所列举【具体实施方式】,还包括各【具体实施方式】间的 任意组合。
[0012] 常规浸种后,将种子播在饱和水后的无土育秧基质板或松散无土育秧粉基质的育 秧硬盘中,无土育秧基质板和粉均由黑龙江稻乐农业科技有限公司生产的已申请了中国专 利。叠加堆放在催芽架上。催芽架结构:外边120cm长。120cm宽,IOOcm高,平放8盘,上 下叠放30层,每架合计240盘。堆放种盘后将四周用塑料薄膜封闭上下通风,并留有通风 口。下边留25cm。上边留20cm。用叉车将每个催芽架运送到100平方米的催芽暗室内,四 周留有50cm间距,保持通风。自动控制温度30-33度,3天后发芽长度达到2cm时,再用叉 车将催芽架送至立体育秧大棚。立体育秧大棚面积2500平方米。钢构阳光板保温设施,大 棚高度3. 5m,长50m,宽50米。安装自动电脑程序控制温度、湿度、通风、光照系统。
[0013] 将运来的秧盘人工摆放到立体育秧支架上。立体育秧支架规格:外边长190cm,宽 度65cm,高度220cm。平放每层、6个盘,上下纵向10层。每个立体育秧支架放置60盘。立 体育秧支架底部安装行走转向轮6个。将摆满盘的支架推摆到大棚内部,单列成行,共40 行,每行25架,每行间隔50cm。共计1000架(6万盘秧苗)。温度保持28-30度室温,及时 增湿喷水,保持85%的湿度。秧苗高度达12-13厘米移出大棚。每天连续批量摆放,并将 达到高度的秧盘移出,运送到普通大棚练苗。这样连续流水作业10-12天。保持每天摆放 4行支架(200架)。
[0014] 高度达12-13厘米秧苗移出大棚。送入自然采光普通大棚内,在常温条件下进行 练苗4-5天,提高秧苗素质,阔叶壮杆,增强抗逆性。经过练苗后的秧苗插入本田。整个育 秧过程20天。
[0015] 育苗实验:
[0016] 本发明的将播种后的育秧盘送到暗室,放入托架上叠加,共计240盘为一个方桶 形结构,四周围上塑料薄膜封闭,下部距离地面25厘米。上部留20厘米空隙,保证上下通 气。保持30-33度的室温,催芽三天,长势在2厘米左右搬运到立体育秧大棚里进行育苗。 温度保持28-30度室温,及时增湿喷水,保持85 %的湿度。秧苗高度达12-13厘米移出大 棚。在自然采光大棚内常温条件下练苗4-5天插入本田。整个育秧过程20天。实验结果 如下列各表所示。
[0017] 表一成秧率调查表
[0019] 以上均为随机取样三点平均值
[0020] 表二苗情调查表
【主权项】
1. 一种水稻无土快速立体育秧技术的制备方法,其步骤为: 第一步,首先应用的是植物秸杆发酵粉、草炭土、椰壳粉等制成育秧基质粉或基质板作 为育秧基质,种子播种到育秧基质硬盘里,进行第一步暗室催芽3天,保持30-33度的室温, 暗室供热地热方式加温,长势在2-3厘米搬运到立体育秧大棚里进行育苗; 第二步:水稻立体育秧大棚,只用散射光,阴亮通风,上盖及通风口自动开闭,温度保持 28-30度室温,85%的湿度,整个育秧时间10至12天,秧苗高度达12-13厘米; 第三步:将13厘米高的秧苗移到自然采光大棚内,在常温条件下练苗4-5天后,插入大 田,整个育秧过程15-20天。2. 根据权利要求权1所述的一种水稻无土快速立体育秧技术的制备方法,其特征是: 播种后的育秧盘送到暗室,放入每层8盘的托架上,叠加30层,共计240盘为一个方桶形结 构,四周围上塑料薄膜封闭,托架下部距离地面25厘米,上部留20厘米空隙。3.根据权利要求权2所述的一种水稻无土快速立体育秧技术的制备方法,其特征是: 育秧盘搬运到立体育秧大棚里立体育秧架上,支架10-15层,每层之间20-25厘米,每层6 个秧盘,支架底部安装转向轮6个,支架每层左右设置植物生长灯,提供光照条件,两列支 架排列间隔50厘米,大棚顶部设置自动行走雾化喷水装置,配备立体分层雾化喷头。4.根据权利要求权2所述的一种水稻无土快速立体育秧技术的制备方法,其特征是: 立体育秧大棚室内设有温度、湿度、通风、光照电脑程序控制装置。
【专利摘要】本发明涉及的是一种水稻无土快速立体育秧技术的制备方法,其步骤为:首先应用的是植物秸秆发酵粉、草炭土、椰壳粉等制成育秧基质,种子播种到育秧基质硬盘里,进行第一步暗室催芽3天;保持30-33度的室温,暗室供热地热方式加温。水稻立体育秧大棚,只用散射光,阴亮通风,上盖及通风口自动开闭,温度保持28-30度室温,85%的湿度,整个育秧时间10至12天,秧苗高度达12-13厘米;将12-13厘米高的秧苗移到自然采光大棚内,在常温条件下练苗4-5天后,插入大田,整个育秧过程15-20天。本发明节约了不可再生资源土壤,保护环境不再破坏,并再次利用了作物秸秆等废弃资源。节约了育苗大棚使用空间,自动控大棚室内温度,湿度,通风,光照等条件,缩短了育苗期。制提高了秧苗成功率及素质。
【IPC分类】A01G31/00
【公开号】CN105123470
【申请号】CN201510520362
【发明人】李金哲, 杨振东
【申请人】黑龙江稻乐农业科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月18日
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