一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法

文档序号:9529682阅读:382来源:国知局
一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法
【技术领域】
[0001]本发明属于设施园艺技术领域,特别涉及一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法。
技术背景
[0002]全世界耕地面积逐渐减少,水资源极度短缺,人口数量却不断上升,粮食和生态安全受到巨大威胁。据统计,地球上干旱半干旱地区的面积占陆地面积的1/3以上,我国干旱半干旱地区的面积占全国土地面积的一半以上(52.5% ),全国人均水资源不足世界人均的1/4,属13个贫水国之一。因此合理利用占世界面积1/3的戈壁沙漠、半沙漠地区、滩涂、盐碱地等非耕地资源,开发水资源高效利用种植方法,对增加有效耕地面积,节约水资源,确保粮食和园艺产品生产安全均具有非常重要的战略意义。
[0003]“有机生态型无土栽培技术”中采用标准规格的地上栽培槽,槽边框高15_20cm,槽底部铺一层0.1mm厚的聚乙烯塑料薄膜,以防止土壤病虫传染,其上铺栽培基质,达到节水、节肥的效果。“设施蔬菜有机土栽培方法”中利用腐熟秸杆、有机肥等农产品废弃物与土壤混合配制成有机土,采用地面直接挖沟,沟内铺配制的有机土壤,用于栽培各种园艺作物。但是上述专利技术中其沟底铺设薄膜主要目的是防止土传病虫害,且存在基质栽培槽建造成本高、基质栽培管理技术要求严格、没有控制水分蒸发散失等问题。

【发明内容】

[0004]本发明针对现有技术中存在的问题,提供一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法。
[0005]为了实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:
[0006]—种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法,其具体步骤为:
[0007](1)挖栽培沟:在日光温室内根据栽培畦向挖栽培沟,栽培沟长度方向有1:150-1:250 的坡降;
[0008](2)栽培沟铺膜:在栽培沟底部以及两侧铺设厚度为0.1mm的塑料薄膜,并且在距离下水口 0.5-1.5m处的栽培沟底部塑料薄膜上打渗水孔;
[0009](3)装填栽培基质:在栽培沟底部塑料薄膜上先铺3-5cm厚的沥水层,然后在沥水层上面填充当地易得的无土栽培基质,人工配制的富含有机质的土壤或与栽培作物无相同致病菌的一般园田土壤中;
[0010](4)制作灌水沟:栽培沟内采用双垄定植,株间行距为45-55cm,双行之间为灌水沟;
[0011](5)地面铺地膜:在栽培沟及两个栽培畦间的地面上全部铺设厚度为0.008mm的地膜,限制土壤水分蒸发。
[0012]所述栽培沟的深度为50cm,宽度为80cm,两个栽培沟的间距为60cm。
[0013]所述渗水孔的个数为3-5个,孔径为0.5cm-l.5cm。
[0014]所述沥水层的填充物质为石砾、珍珠岩和粗砂中的一种或一种以上。
[0015]所述栽培基质的总空隙度在60%以上。
[0016]所述的灌水沟的深度为8-llcm,适宜的亩单次灌水量为10_15m3。
[0017]本发明的优点为:1)利用闲置的非可耕地,扩展了土地资源。2)成本低:与无土栽培相比,“堵漏限蒸”方法的前期投入成本低,且效果好。3)节水:在已经完成的具体试验过程中,与对照处理相比,堵漏限蒸处理的平均节水率可达51%,且产量没有降低。4)技术简单堵漏限蒸”技术沿用农民经验管理技术,便于操作和实施。5)便于机械化和标准化:根据栽培蔬菜种类对栽培沟和灌水沟规格进行标准化,后续可以开发配套农机具,实现栽培沟和灌水沟的机械化操作,进一步降低劳动强度,进行规模化生产。
【附图说明】
[0018]图1为一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面以2013-2014年,在河北省廊坊市永清县曹家务乡空军农业新技术试验基地日光温室内进行黄瓜多茬栽培试验为例,对本发明作进一步说明。该日光温室为新建的大跨度半地下式温室,土壤质地为沙土。
[0020](1)挖栽培沟:在日光温室内南北方向挖深50cm、宽80cm、长8.5m的栽培沟,在栽培沟长度方向有1:200的坡降,南高北低,两个栽培沟的间距为60cm。
[0021](2)栽培沟铺膜:在栽培沟底部以及两侧铺设厚度为0.1_的塑料薄膜,在距离下水口 lm的栽培沟底部塑料薄膜上打4个直径为lcm的渗水孔。
[0022](3)装填栽培基质:在栽培沟底部塑料薄膜上方铺5cm厚的粒径为3_6_的河沙,然后在栽培沟内填充就近挖取的菜园土壤,园田土壤基本理化性质为有机质含量1.5%,pH值 7.42、EC 值 0.22mS.cm \ 容重 1.29g.cm 3、田间持水量 26.01 %。
[0023](4)制作灌水沟:栽培沟内采用双垄定植,栽培沟内行距50cm,栽培沟内双行之间为灌水沟,灌水沟沟深作8cm和11cm两个处理,折合亩每次灌水量分别为10m3和15m3,以当地常规灌水方式及灌水量为对照。
[0024](5)地面铺地膜:在栽培沟及两个栽培畦间的地面上全部铺设厚度为0.008mm的地膜,限制土壤水分蒸发。
[0025](6)肥料投入:每个栽培茬口亩施商品有机肥1500_2000kg,分4_6次随水追施氮磷钾复合肥80-100kgo
[0026](7)实施效果:秋冬茬于9月上旬定植,翌年1月上旬拉秧;冬春茬于2月下旬定植,7月上旬拉秧。对照、沟深8cm和11cm处理的年亩总灌水量分别为446m3、186m3和251m3,所有处理年亩产量均达到7500kg以上,处理间产量差异不显著,但是两个处理节水率分别达到40%和60%,节水效果非常明显。
【主权项】
1.一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法,其特征在于,该方法的具体步骤为: (1)挖栽培沟:在日光温室内根据栽培畦向挖栽培沟,栽培沟长度方向有1:150-1:250的坡降; (2)栽培沟铺膜:在栽培沟底部以及两侧铺设厚度为0.1mm的塑料薄膜,并且在距离下水口 0.5-1.5m处的栽培沟底部塑料薄膜上打渗水孔; (3)装填栽培基质:在栽培沟底部塑料薄膜上先铺3-5cm厚的沥水层,然后在沥水层上面填充无土栽培基质,人工配制的富含有机质的土壤,或与栽培作物无相同致病菌的一般园田土壤; (4)制作灌水沟:栽培沟内采用双垄定植,株间行距为45-55cm,双行之间为灌水沟; (5)地面铺地膜:在栽培沟及两个栽培畦间的地面上全部铺设厚度为0.008mm的地膜,限制土壤水分蒸发。2.根据权利要求1所述一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法,其特征在于,所述栽培沟的深度为50cm,宽度为80cm,两个栽培沟的间距为60cm。3.根据权利要求1所述一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法,其特征在于,所述渗水孔的个数为3-5个,孔径为0.5cm-l.5cm。4.根据权利要求1所述一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法,其特征在于,所述沥水层的填充物质为石砾、珍珠岩和粗砂的一种或一种以上。5.根据权利要求1所述一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法,其特征在于,所述栽培基质的总空隙度在60%以上。6.根据权利要求1所述一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法,其特征在于,所述的灌水沟的深度为8-1 lcm,适宜的亩单次灌水量为10-15m3。
【专利摘要】本发明公开了属于设施园艺技术领域的一种用于非可耕地设施堵漏限蒸栽培方法。该方法将建于地上的栽培槽改为地面下挖的栽培沟,将无土栽培基质或有机土扩展到适宜栽培作物生长的所有基质,同时地面及栽培沟全部覆盖地膜,采用膜下沟灌的灌水方式并规范了灌水沟的规格。该方法将土壤蒸发降至最低,既堵漏又限蒸,节水潜力更大;而且建造成本低,适用范围广。
【IPC分类】A01G1/00
【公开号】CN105284355
【申请号】CN201510702496
【发明人】张振贤, 高丽红, 眭晓蕾, 郑纯, 李董, 梁耿
【申请人】中国农业大学
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年10月26日
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