一种光合菌高密度快速培养方法

文档序号:410832阅读:448来源:国知局
专利名称:一种光合菌高密度快速培养方法
技术领域
本发明涉及细菌的培养方法,具体是ー种光合菌的高密度快速培养方法。
背景技术
光合菌是ー类能进行光合作用而不产氧的特殊生理类群的原核生物的总称,属于水圈微生物的ー类,广泛存在于自然界的各种静止水体中。光合菌菌体无毒,能够分解水体中的小分子有机物并对降解水体中氨氮有一 定作用,广泛用于养殖业、种植业、污水处理等方面。目前,光合菌的培养方式有两个大类,一是用外加光源照射在厌氧条件下培养,此种方法目前的问题在于细菌生长缓慢,菌浓度低,OD66tl=L 4(在660nm波长下光密度为I. 4),光合菌培养收效低;另外ー种方法是在室外或透明大棚内以自然光为光源在微氧条件下培养,此种方法的问题在于光照来源不稳定,光合菌培养易受外界条件影响等。

发明内容
本发明要解决的技术问题是,提供ー种光合菌高密度快速培养方法。本发明采用了如下技术方案
ー种光合菌高密度快速培养方法,其特征在于,包括以下步骤
(1)按10°/Γ30%的比例(体积比)将光合菌菌种接种于盛有无菌培养基的透明培养瓶中,所述光合菌菌种的OD66tl值为I. 5^2. I,所述无菌培养基中含有抗坏血酸;
(2)将温度控制在25 35°C进行厌氧、静置培养;先黑暗培养2飞小时;再光照培养
I.5 2天。优选地,步骤(2)中所述光照培养的光照强度为200(T5000LX。优选地,所述无菌培养基中抗坏血酸的浓度为O. 2^1. 5g/L。本发明的优点在于
(1)在实验室内进行光合菌培养,光合菌生长环境可控且稳定;
(2)在培养基中加入一定量抗坏血酸,有效降低培养基的氧化还原电位;
(3)光照培养前设置黑暗培养阶段,使光合菌进行微氧生长,继续降低培养液的氧化还原电位;缩短了培养时间,总时间约为I. 5^2天;培养后的光合菌浓度光密度为2. O以上,比传统培养方法浓度更高。


图I为本发明具体实施例与传统方法培养的光合菌培养的生长曲线对比图谱。具体实施方法
本发明技术方案实施方法包括但不限于以下实施方法。实施例I
ー种光合菌高密度快速培养方法,包括以下步骤(1)按25%的比例(体积比)将血色红假单胞菌菌种接种于盛有无菌培养基的透明培养瓶中,所述菌菌种的OD66tl值为2. I,所述无菌培养基中抗坏血酸的浓度为O. 5g/L ;
(2)温度控制在28°C进行静置、厌氧培养;先黑暗培养4小时;再光照培养I.5天,光照强度为5000LX。实施例2
ー种光合菌高密度快速培养方法,包 括以下步骤
(1)按10%的比例(体积比)将血色红假单胞菌菌种接种于盛有无菌培养基的透明培养瓶中,所述菌种的OD66tl值为I. 5,所述无菌培养基中抗坏血酸的浓度为I. 3g/L ;
(2)温度控制在32°C进行静置、厌氧培养;先黑暗培养4小时;再光照培养2天,光照强度为 2500LX。实施例3
实施例3与实施例I的差别在于,所培养的光合菌为深红红螺菌。实施例4
实施例4与实施例I的差别在于,所培养的光合菌为荚膜红细菌。对比例
对比例采用传统方法进行培养,包括以下步骤
(1)按10%的比例(体积比)将血色红假单胞菌菌种接种于盛有无菌培养基的透明培养瓶中,所述菌种的OD66tl值为I. 5,所述无菌培养基中不含抗坏血酸;
(2)温度控制在32°C进行厌氧、静置、光照培养,光照强度为2500LX。图I为本发明实施例I、实施例2与传统方法培养光合菌生长曲线对比图谱,实施例I在30小时就到达了生长平台期,实施例2也在36小时达到平台期,且平台期的OD值都高于2. O ;但传统方法在35小时才刚刚进入指数生长期。实施例3、实施例4中深红红螺菌、荚膜红细菌也在30小时左右达到平台期,且平台期OD值分别为2. 3,2. 4。上述实施例表明,本发明的培养方法适用于所有光合菌。
权利要求
1.ー种光合菌高密度快速培养方法,其特征在于,包括以下步骤 (1)按10°/Γ30%的比例(体积比)将光合菌菌种接种于盛有无菌培养基的透明培养瓶中,所述光合菌菌种的OD66tl值为I. 5^2. 1,所述无菌培养基中含有抗坏血酸;所述的体积比指的是像某物的水溶液ー样的光合菌菌种的体积浓度吗? (2)将温度控制在25 35°C进行厌氧、静置培养;先黑暗培养2飞小时;再光照培养1.5 2天。
2.如权利要求I所述的光合菌高密度快速培养方法,其特征在于,所述无菌培养基中抗坏血酸的浓度为O. 2^1. 5g/L。
3.如权利要求I所述的光合菌高密度快速培养方法,其特征在于,步骤(2)中所述光照培养的光照强度为200(T5000LX。
全文摘要
本发明公开了一种光合菌高密度快速培养方法,其特征在于,包括以下步骤(1)按10%~30%的比例(体积比)将光合菌菌种接种于盛有无菌培养基的透明培养瓶中,所述光合菌菌种的OD660值为1.5~2.1,所述无菌培养基中含有抗坏血酸;(2)将温度控制在25~35℃进行厌氧、静置培养;先黑暗培养2~5小时;再光照培养1.5~2天,光照强度为2000~5000LX。本发明的优点在于(1)在实验室内进行光合菌培养,光合菌生长环境可控且稳定;(2)通过在培养基中加入一定量抗坏血酸,并在光照培养前设置黑暗培养阶段,有效降低培养基的氧化还原电位,缩短了培养时间,提高了菌液的终浓度。
文档编号C12N1/38GK102690777SQ201210170290
公开日2012年9月26日 申请日期2012年5月29日 优先权日2012年5月29日
发明者郑连爽, 魏国良 申请人:浙江荣怀环保科技有限公司
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