用于电阻抗成像的水槽的制作方法

文档序号:963822阅读:174来源:国知局
专利名称:用于电阻抗成像的水槽的制作方法
技术领域
本实用新型涉及的是一种电子成像技术领域的装置,具体是一种用于电阻抗成像 的水槽。
背景技术
电阻抗成像(Electrical Impedance Tomography,以下简称EIT)技术是对目标体 内电阻抗的分布或变化敏感的一种成像技术。对人体无创无害,系统结构简单,测量简便快 速,检测过程安全,成像成本低,对患者可长期监护。EIT成像硬件系统主要由恒流源驱动 模块、电极阵列、信号采集模块及控制单元等组成。物理模型是一套模拟被测对象的实验装 置,它是EIT模拟实验研究部分的重要单元。该装置除对材料的耐腐蚀性、电绝缘性、易加 工性、密封性等有较高要求外,对电极的定位也有严格的要求。经对现有的技术文献检索发现,传统的电阻抗成像系统的研究水槽是一种简单的 圆柱形模型,直径200mm-400mm之间,高100mm-400mm之间,电极等角度分布在管壁上。实 验装置高度固定,不能进行调整,电极相对于底座的高度固定不变,即不能研究电极阵列间 距对测量的影响和电场的三维效应;底座刻度不能方便地识别电极的安装位置以及电导率 扰动相对于电极的位置;所使用的导电液体大多为NaCl溶液,化学特性不够好,当有电场 存在时容易引起电极腐蚀。

实用新型内容本实用新型针对现有技术存在的上述不足,提供一种用于电阻抗成像的水槽,能 够实现调整电极阵列间距对测量的影响和对电场的三维效应的研究,并且能很好识别电极 安装位置。本实用新型是通过以下技术方案实现的,本实用新型包括底座、位于底座上的两 个电极圈、若干个层叠于电极圈之间的隔离圈和设置于相邻的隔离圈之间以及隔离圈和电 极圈之间的若干个法兰,所述的法兰上设有螺栓孔,电极圈和隔离圈之间以及若干相邻的 隔离圈之间由设置于螺栓孔上的螺栓固定连接。所述的电极圈、法兰和隔离圈三者内径大小相同。本装置在使用时,通过调整隔离圈的使用和个数,可以调节电极平面相对于容器 底的高度,以及2个电极圈上电极平面的间距,调节范围为80mm(电极圈40mm+2*法兰 20mm)到80mm+nX60mm(60mm =隔离圈20mm+2*法兰20mm,η为隔离圈个数),能够实现调 整电极平面间距对测量的影响和电场的三维效应的研究。底座刻度线上印有等间距的圆和 角间距,当电极安装在电极圈上时,通过它在底座上的投影,可以读出该电极的角间距以及 相对于底座中心的圆直径大小,从而能很好识别电极安装位置。

图1是本实用新型结构示意图。[0009]图2是电极圈1和法兰2结构主视图。图3是电极圈1和法兰2结构俯视图。图4是隔离圈3和法兰2结构剖视图。图5是隔离圈3和法兰2结构俯视图。图6是电极槽底座刻度线。图7是电极槽底座剖视图
具体实施方式
下面对本实用新型的实施例作详细说明,本实施例在以本实用新型技术方案为前 提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本实用新型的保护范围不限 于下述的实施例。如图1所示,本实施例包括底座5、位于底座5上的两个电极圈1、若干个层叠于 电极圈1之间的隔离圈3和设置于相邻的隔离圈3之间以及隔离圈3和电极圈1之间的若 干个法兰2,所述的法兰2上设有螺栓孔4,电极圈1和隔离圈3之间以及若干相邻的隔离 圈3之间由设置于螺栓孔4上的螺栓固定连接。所述的隔离圈3的长度为60mm。所述的电极圈1、法兰2和隔离圈3三者内径大小相同,为160mm;本装置根据需要,通过增减隔离圈3的数目改变电极槽的高度。所述的底座5的厚度为20mm,该底座5的外圈尺寸与法兰2相同以方便底座5与 隔离圈3或电极圈1连接;底座5上印有网格线,该网格线的中心圆直径为8mm,最外圈圆直径为160mm,在 这两个圆之间均勻的分布着18个大小不等的圆,其间距为4mm。,R20mm-R80mm间的圆160 等份,角间距2.25°,R8mm-R20mm间32等份,角间距11.25°,R4mm-R8mm间16等份,角间 距22. 5°,R4mm内8等份,角间距45°。从0°位置处标上阿拉伯数字0,然后以角度间距 11.25°为单位,依次标上0、1、2、3…..31。这些数字表示电极的序号。本装置在工作时,模拟实验水槽内装有导电液体,导电液体为医用导电膏,其导电 性能良好,且低腐蚀性,浮力大,导电液体中放有适当比重的可以悬浮的小球,便于在液体 中的适当位置引入电导率扰动。
权利要求一种用于电阻抗成像的水槽,其特征在于,包括底座、位于底座上的两个电极圈、若干个层叠于电极圈之间的隔离圈和设置于相邻的隔离圈之间以及隔离圈和电极圈之间的若干个法兰,所述的法兰上设有螺栓孔,电极圈和隔离圈之间以及若干相邻的隔离圈之间由设置于螺栓孔上的螺栓固定连接。
2.根据权利要求1所述的用于电阻抗成像的水槽,其特征是,所述的隔离圈的长度为 60mmo
3.根据权利要求1所述的用于电阻抗成像的水槽,其特征是,所述的电极圈、法兰和隔 离圈三者内径大小相同。
4.根据权利要求1或3所述的用于电阻抗成像的水槽,其特征是,所述的电极圈、法兰 和隔离圈三者内径均为160mm。
5.根据权利要求1所述的用于电阻抗成像的水槽,其特征是,所述的底座上印有网格线。专利摘要一种电子成像技术领域的用于电阻抗成像的水槽,包括底座、位于底座上的两个电极圈、若干个层叠于电极圈之间的隔离圈和设置于相邻的隔离圈之间以及隔离圈和电极圈之间的若干个法兰,所述的法兰上设有螺栓孔,电极圈和隔离圈之间以及若干相邻的隔离圈之间由设置于螺栓孔上的螺栓固定连接。本装置能够实现调整电极阵列间距对测量的影响和改变电场的三维效应对测量的影响,又能很好识别电极安装位置。
文档编号A61B5/053GK201710358SQ20102026790
公开日2011年1月19日 申请日期2010年7月23日 优先权日2010年7月23日
发明者张晓妮, 李露, 童倜, 马艺馨 申请人:上海交通大学
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