基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器的制作方法与工艺

技术特征：
1.基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器，其特征在于，包括匹配层（1），阵列结构压电材料薄片（2），绝缘胶层（3），硅像素芯片（4），芯片bonding电路板（5）；所述阵列结构压电材料薄片（2）由单面电极及阵列结构的压电材料小单元构成，匹配层（1）粘附在单面电极上，单面电极接地，阵列结构的压电材料小单元通过绝缘胶层（3）与硅像素芯片（4）粘接，硅像素芯片（4）固定安装在芯片bonding电路板（5）上；所述阵列结构压电材料薄片（2）的单面电极用于使阵列结构的压电材料小单元与硅像素芯片（4）之间形成电势差，进而在硅像素芯片（4）的像素上产生感应电荷；阵列结构压电材料薄片（2）的两面电极中的其中一面，通过机械研磨或者化学腐蚀的方法去除；在去除电极的面上，通过微加工蚀刻的方法，将阵列结构压电材料薄片（2）切成64行*64列的方形阵列结构，与硅像素芯片（4）的像素阵列形成一一对应的关系，保留的单面电极面仍是完整的未被切割分裂的平面。2.根据权利要求1所述的基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器，其特征在于，所述硅像素芯片（4）采用像素阵列结构，阵列结构压电材料薄片（2）的压电材料小单元蚀刻成紧实的阵列结构、与硅像素芯片（4）的像素阵列一一对应。3.根据权利要求1所述的基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器，其特征在于，所述硅像素芯片（4）由基于CMOS集成电路的像素阵列构成，像素尺寸小于200μm，每个像素都包含顶层金属，硅像素芯片（4）用于根据阵列结构压电材料薄片（2）上的电信号，产生感应电荷信号，感应电荷信号在像素内转换成模拟信号或数字信号读出。4.根据权利要求1或2所述的基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器，其特征在于，所述阵列结构压电材料薄片（2）与硅像素芯片（4）之间采用压电材料与电极阵列相配合的结构。5.根据权利要求1所述的基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器，其特征在于，所述芯片bonding电路板（5）包括3.3V电压转换电路、5.0V电压转换电路、模拟输出电压驱动电路、数模转换器、数字信号处理电路和MCX适配器；所述3.3V电压转换电路分别与数字信号处理电路、硅像素芯片（4）、数模转换器连接；所述数字信号处理电路与硅像素芯片（4）连接；所述数模转换器与硅像素芯片（4）连接；所述5.0V电压转换电路与模拟输出电压驱动电路连接；硅像素芯片（4）的模拟输出端经模拟输出电压驱动电路与MCX适配器连接。6.根据权利要求5所述的基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器，其特征在于，所述3.3V电压转换电路、5.0V电压转换电路分别采用LM1117-3.3芯片、LM1117-5.0芯片，所述模拟输出电压驱动电路采用THS4281芯片，所述数模转换器采用DAC8568芯片，所述数字信号处理电路采用SN65LVDT14芯片。