能量等级的超热中子，理论上若使用能量仅稍高于阀值的质子轰击金属锂中子产生部，可产生相对低能的中子，不须太多的缓速处理便可用于临床，然而锂金属(Li)和铍金属(Be)两种中子产生部与阀值能量的质子作用截面不高，为产生足够大的中子通量，通常选用较高能量的质子来引发核反应。
[0031]理想的中子产生部应具备高中子产率、产生的中子能量分布接近超热中子能区、无太多强穿辐射产生、安全便宜易于操作且耐高温等特性，但实际上并无法找到符合所有要求的核反应。在硼中子捕获治疗过程中，中子产生部由于受到加速质子的冲击、辐射，必然会受到损坏，而中子产生部对射束整形体产生的中子射束的品质有着很大的影响，所以定期或者根据中子产生部的受损情况对中子产生部进行更换就显得很有必要，下面介绍一种能够更换中子产生部的中子捕获治疗系统。
[0032]图1为本申请中子捕获治疗系统100的示意图。所述中子捕获治疗系统100包括射束整形体10和驱动组件20。
[0033]所述射束整形体10包括射束入口11、中子产生部12、邻接于中子产生部12的缓速体13、包围在中子产生部12和缓速体13外的反射体14及射束出口 15。所述中子产生部12与自所述射束入口 11入射的质子束发生核反应以产生中子，所述缓速体13对自所述中子产生部12产生的中子进行缓速，所述反射体14将偏离的中子导回至所述缓速体13以提高超热中子射束强度。
[0034]所述反射体14包括至少一个能够向远离或者靠近中子产生部12方向运动的活动件16。所述活动件16具有第一位置LI和第二位置L2(结合图2a和图2b)，所述活动件16在该第一位置LI和第二位置L2之间运动，当活动件16位于第一位置LI时，中子产生部12能够被更换；当活动件16位于第二位置L2时，中子产生部12不能够被更换。具体来说，当所述活动件16向远离中子产生部12的方向运动至第一位置LI时，中子产生部12从射束整形体10露出，取出中子产生部12并对中子产生部12进行更换；当更换好的中子产生部12安装于射束整形体10内以后，所述活动件16向靠近中子产生部12的方向运动到第二位置L2(活动件16包覆在中子产生部12的外周，中子产生部12不能够被更换)，在后续中子捕获治疗过程中该活动件16与反射体14共同导回偏离的中子。
[0035 ]所述活动件16可以是部分反射体或者部分反射体与部分缓速体的组合。活动件16为部分反射体的情况是指中子产生部12设置在缓速体13的前方被反射体14包覆住，缓速体13邻接在中子产生部12的后方，此时只要将部分反射体设置为可活动的结构(即活动件)，通过活动件的远离来更换中子产生部。活动件16为部分反射体和部分缓速体组合的情况是指，中子产生部12的一部分位于缓速体13的前方被反射体14包覆，一部分嵌设在缓速体13中被缓速体13包覆，此时为了能够更换中子产生部12，将包覆在中子产生部12外的部分反射体和部分缓速体设置为可活动的结构(即活动件)，从而实现中子产生部12的更换。
[0036]结合图3a和图3b，为了便于中子产生部12的更换，作为一种优选地，所述活动件16为对称件，该对称件具有对称平面A，活动件16沿该对称平面A对称，所述对称平面A经过所述中子产生部12的轴线I，所述反射体14具有第一直线高度Hl，所述活动件16具有第二直线高度H2，所述中子产生部12具有第三直线高度H3，所述活动件16的第二直线高度H2小于或者等于反射体14的第一直线高度Hl而大于所述中子产生部12的第三直线高度H3。
[0037]结合图4a和图4b，所述反射体14还具有第一连接部140，所述活动件16具有第二连接部160。所述第一连接部140具有第一连接面141和与第一连接面141连接的第一结合面142，所述第二连接部160具有第二连接面161和与第二连接面161连接的第二结合面162。
[0038]当所述活动件16的第二直线高度H2小于反射体14的第一直线高度Hl而大于所述中子产生部12的第三直线高度H3时，所述反射体14的第一连接面141与第一结合面142重合，所述活动件16的第二连接面161与第二结合面162重合，所述活动件16的第二结合面162与反射体14的第一结合面142连接且与所述中子产生部12的轴线所在任意一个平面重合(如图3a)。此时所述活动件16即为反射体14的一个部分，在这种情况下，当所述活动件16向远离中子产生部12的方向运动至第一位置LI时，活动件16在所述反射体14上形成缺口，所述中子产生部12自该缺口露出，在该缺口处对中子产生部12进行更换；当所述活动件16向靠近中子产生部12的方向运动至第二位置L2时，所述活动件16包围在所述中子产生部12的外周，在后续中子捕获治疗过程中活动件16与反射体14共同导回偏离的中子。
[0039]当所述活动件16的第二直线高度H2等于反射体14的第一直线高度Hl时，所述活动件16即为包围在中子产生部12外周的反射体14的一半。为了降低在后续中子捕获治疗过程中从活动件16与反射体14的连接处外泄的粒子或者辐射，作为一种优选地，所述反射体14的第一连接面141与第一结合面142位于不同平面，所述活动件16的第二连接面161与第二结合面162位于不同平面，所述第一连接面141与第二连接面161贴合，第一结合面142与第二结合面162贴合。第一连接部140与第二连接部160可具体如下设置(结合图4a)，第二连接面161与第二结合面162呈倾斜角设置，所述第一结合面142与第一连接面141呈倾斜角设置，前述两个倾斜角的和为180度。当活动件16包围在所述中子产生部12的外周时所述第二结合面162与第一结合面142贴合，第二连接面161与第一连接面141贴合。第一连接部140与第二连接部160也可如下设置(结合图4b)，所述第二结合面162为自第二连接面161凹设的凹槽面，所述第一结合面142为自第一连接面141突出的突出面，当活动件16包围在所述中子产生部12的外周时凹槽面和突出面相互嵌合。
[0040]下文详细介绍驱动组件20的结构，另，因为上文已经对活动件16的结构进行过详细介绍，下文就不再重复描述，在实际应用过程中，可以根据具体需求将上述活动件16的结构与下文所述的驱动组件20进行结合，且虽然下文实施例中均是以反射体具有两个活动件为例进行说明，但是如果在实际应用过程中设置一个活动件16就能够便于中子产生部12的更换，那么设置一个活动件即可。
[0041]图2a和图2b中所示也是本申请的实施例一，该实施例是以反射体14具有两个位于中子产生部12两侧且互相连接的活动件16(即第一活动件163和第二活动件164)为例进行介绍。所述驱动组件20包括设于射束整形体10外的导轨21和支撑活动件16的门闸22，所述门闸22在导轨21中运动以带动活动件16向远离或者靠近中子产生部12的方向运动。活动件16包括第一活动件163和第二活动件164，所述门闸22包括沿导轨21运动的第一门闸221和第二门闸222，所述第一门闸221支撑第一活动件163，所述第二门闸222支撑第二活动件164。所述第一门闸221和第二门闸222在导轨21中运动分别带动所述第一活动件163和第二活动件164向远离或者靠近中子产生部12的方向运动。当第一门闸221和第二门闸222分别向远离射束整形体10的方向运动到第一位置LI时，所述第一活动件163和第二活动件164也分别向远离中子产生部12的方向运动，此时中子产生部12从射束整形体10中露出，对中子产生部12进行更换；当第一门闸221和第二门闸222分别向靠近中子产生部12的方向运动到第二位置L2时，所述第一活动件163和第二活动件164也向靠近中子产生部12的方向运动直到第一活动件163和第二活动件164包覆在中子产生部12外周，在后续的中子捕获治疗过程中所述第一活动件163和第二活动件164用于导回偏离的中子。
[0042]为了便于结构设计，作为一种优选地，所述第一活动件163和第二活动件164的结构相同，所述第一门闸221和第二门闸222的结构相同，下文中为了便于介绍，均以统称活动