中子捕获治疗系统的制作方法_3

文档序号:10323579阅读:来源:国知局
件16和门闸22进行介绍。
[0043]所述门闸22的结构可以有很多种,本实施例中,所述活动件16的第二直线高度H2等于反射体14的第一直线高度Hl时,门闸22包覆在活动件16的外周,可以理解为活动件16嵌合在门闸22中,所述门闸22在导轨21中的运动相当于门闸22的开合运动,所述活动件16随门闸22的开合远离或者靠近中子产生部12。作为一种优选地,所述门闸22由混凝土制成。当然,为了节省空间或者成本,也可以将活动件16的一半甚至更少的部分嵌设在门闸22内(结合图5a),只要门闸22的设计能够支撑住所述活动件16,并能带动活动件16向远离或者靠近中子产生部12的方向运动即可。当活动件16的第二直线高度H2小于反射体14的第一直线高度时还可以在门闸22和导轨21之间设置支撑架23(结合图5b)。所述支撑架23的一端与门闸22固定,另一端在导轨21中向远离或者靠近射束整形体10的方向运动。所述活动件16随门闸22的运动沿导轨21向远离或者靠近中子产生部12的方向运动。也就是说,所述门闸22借助支撑架23在导轨21中的运动带动门闸22运动以避免需要将门闸22设置成足够大的尺寸使其直接在导轨21中运动,从而减小了门闸22的尺寸。
[0044]图6所示为本申请实施例二的示意图。所述驱动组件20包括转动件24(如轴件)和固持于转动件24上的门闸22’。所述转动件24位于射束整形体10的正下方并且该转动件24的轴线与所述中子产生部12的轴线平行。所述门闸22’绕转动件24上下转动,当所述门闸22’向下运动时,所述门闸22’带动活动件16向远离中子产生部12的方向运动,所述中子产生部12露出,更换中子产生部12;当门闸22’向上转动时,带动活动件16向靠近中子产生部12的方向转动,所述活动件16包围在中子产生部12外周,在后续中子捕获治疗过程中用于导回偏离的中子。
[0045]图7为本申请实施三的示意图。本实施例中所述驱动组件20包括固定在射束整形体10外的第一连杆25、连接于活动件16的第二连杆26以及连接第一连杆25和第二连杆26的第三连杆27,所述第三连杆27运动带动第二连杆26运动,所述活动件16随第二连杆26的运动向远离或者靠近中子产生部12的方向运动。
[0046]图8为本申请实施例四的示意图。当活动件16的第二直线高度H2小于所述反射体14的第一直线高度Hl时(尤其当活动件16的第二直线高度H2小于中子产生部12的第三直线高度H3时),可以在反射体14内设置导轨28,并在活动件16的外壁面设置手柄165,通过推拉手柄165带动活动件16沿导轨28向远离或者靠近中子产生部12的方向运动。当然,也可以将上述实施例一至实施例三中的驱动组件运用于本实施例中以替代手柄,此处就不详细介绍。
[0047]本申请揭示的中子捕获治疗系统并不局限于以上实施例所述的内容以及附图所表示的结构。在本申请的基础上对其中构件的材料、形状及位置所做的显而易见地改变、替代或者修改,都在本申请要求保护的范围之内。
【主权项】
1.一种中子捕获治疗系统,包括射束整形体,其特征在于:所述射束整形体包括射束入口、设于射束整形体内的中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包围在中子产生部和缓速体外的反射体及射束出口,所述中子产生部与自所述射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子,所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子缓速,所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度,所述射束整形体包括至少一个能够向远离或者靠近中子产生部方向运动的活动件,所述活动件具有第一位置和第二位置,所述活动件在该第一位置和第二位置之间运动,当活动件位于第一位置时,中子产生部能够被更换;当活动件位于第二位置时,中子产生部不能够被更换。2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述活动件为部分反射体或者部分反射体与部分缓速体的组合。3.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述活动件具有对称平面,所述活动件沿该对称平面对称,所述中子产生部具有轴线,所述活动件的对称平面经过所述中子产生部的轴线,所述反射体具有第一直线高度,所述活动件具有第二直线高度,所述中子产生部具有第三直线高度,所述第二直线高度小于或者等于第一直线高度而大于第三直线高度。4.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述反射体具有第一连接部,所述第一连接部具有第一连接面和第一结合面,所述活动件具有第二连接部,所述第二连接部具有第二连接面和第二结合面,当活动件的第二直线高度小于反射体的第一直线高度而大于中子产生部的第三直线高度时,所述反射体的第一连接面与第一结合面重合,所述活动件的第二连接面与第二结合面重合,所述活动件的第二结合面与反射体的第一结合面连接且与所述中子产生部轴线所在的任意一个平面重合。5.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述反射体具有第一连接部,所述第一连接部具有第一连接面和第一结合面,所述活动件具有第二连接部,所述第二连接部具有第二连接面和第二结合面,当所述活动件的第二直线高度等于反射体的第一直线高度时,所述第一连接面和第一结合面连接但位于不同平面,所述第二连接面与第二结合面连接但位于不同平面,所述第一连接面与第二连接面连接,第一结合面与第二结合面连接。6.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述中子捕获治疗系统还包括驱动组件,所述驱动组件包括承载活动件的门闸及允许门闸向远离或者靠近中子产生部方向运动的导轨,所述门闸沿导轨向远离或者靠近射束整形体的方向运动,当门闸向远离射束整形体方向运动时,所述活动件向远离中子产生部的方向运动;当门闸向靠近射束整形体的方向运动时,所述活动件向靠近中子产生部的方向运动。7.根据权利要求6所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述导轨设于射束整形体夕卜,所述驱动组件还包括支撑架,所述支撑架的一端支撑门闸另一端在导轨中运动,所述门闸随着支撑架沿导轨运动而向远离或者靠近射束整形体的方向运动。8.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述中子捕获治疗系统还包括驱动组件,所述驱动组件包括门闸及支撑门闸并允许门闸转动的转动件,所述门闸支撑活动件,当门闸绕转动件向上转动时,所述活动件向靠近中子产生部的方向运动;当门闸绕转动件向下转动时,所述活动件向远离中子产生部的方向运动。9.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:所述中子捕获治疗系统还包括驱动组件,所述驱动组件包括第一连杆、第二连杆和连接第一、第二连杆的第三连杆,所述第一连杆固定在射束整形体外,所述第二连杆的一端固定于活动件另一端连接于第一连杆,所述第一连杆带动第三连杆运动,第三连杆带动第二连杆运动从而使得活动件向远离或者靠近中子产生部的方向运动。10.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统,其特征在于:当所述活动件的第二直线高度小于所述反射体的第一直线高度而大于中子产生部的第三直线高度,所述反射体内设有导轨,所述活动件安装于射束整形体中并能够沿导轨向远离或者靠近中子产生部的方向运动。
【专利摘要】本申请提供一种中子捕获治疗系统,包括射束整形体,其包括射束入口、设于射束整形体内的中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包围在缓速体外的反射体及射束出口,中子产生部与自射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子,缓速体将自中子产生部产生的中子缓速,反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度,射束整形体包括至少一个能够向远离或者靠近中子产生部方向运动的活动件,所述活动件具有第一位置和第二位置,所述活动件在该第一位置和第二位置之间运动,当活动件位于第一位置时,中子产生部能够被更换;当活动件位于第二位置时,中子产生部不能够被更换。本申请中子产生部更换方便,结构简单,运用灵活。
【IPC分类】A61N5/10
【公开号】CN205235192
【申请号】CN201520901136
【发明人】刘渊豪, 陈韦霖
【申请人】南京中硼联康医疗科技有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年11月12日
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