专利名称：二极管芯体的酸洗盘的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及对二极管芯体专用酸洗盘结构的改进。
背景技术：
二极管芯体在进行塑封前，必须进行酸洗工序。酸洗时，将焊接为一体的上引线、芯片和下引线，插设在酸洗盘上；然后进行酸洗；最后，用清水冲洗。目前，本申请人的酸洗盘结构如图4、5所示，包括盘体I、盘脚3，在盘体I上开设若干插孔2，二极管芯体5的下引线插设在插孔2中。酸洗过程如图7所示，若干酸洗盘头尾(此处的“头尾”等于本案中单独显示酸洗盘时的左、右方向)相接。在行进过程中，有一 个清水冲洗工位6，对该工位下的酸洗盘进行冲洗。由于盘体I的盘面左、右侧(即行进时的“头尾”)为平面结构，水不能及时引流，导致该被清水冲洗的酸洗盘上的水，会溢流到相邻的酸洗盘上，影响相邻酸洗盘的处理效果；导致加酸后的材料收到污染。此外，现有酸洗盘的厚度较薄，下引线只有接近下引线钉头的较短部分处于插孔2中，而进行塑封时，封装边界线往往大于插孔2的深度，使得处于封装体内部的下引线上部较粗、下部较细，容易产生包胶现象，影响产品的品质。
实用新型内容本实用新型针对以上问题，提供了一种能防止冲洗时的交叉污染，且避免引线包胶的二极管芯体的酸洗盘。本实用新型的技术方案是所述二极管芯体包括上、下引线，及焊接在所述上、下引线之间的芯片；所述酸洗盘包括盘体和盘脚，所述盘体的盘面上开设有若干用于插放所述下引线的插孔，在所述盘面的左右两侧边缘处分别开设有敞口槽。所述盘脚截面在所述盘面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽的宽度。所述盘体上开设所述插孔部分的底面低于所述下弓I线的封装边界。本实用新型在盘体顶面(盘面)的左右侧分别开设敞口槽后，冲洗时，本盘上的水流通过该两敞口槽引流，不会溢流到相邻的酸洗盘上。盘脚截面在所述盘面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽的宽度；使得酸洗盘在码放时，盘脚不会“陷入”到敞口槽中。相对于现有技术“加厚”了盘体的厚度以后(盘体上开设所述插孔部分的底面低于所述下引线的封装边界)，插孔内的引线直径均匀，避免出现包胶现象。
图I是本实用新型的结构示意图，图2是图I的俯视图，图3是图I中M处局部放大图，图4是本实用新型背景技术的结构示意图，图5是图4中N处局部放大图，[0014]图6是本实用新型在堆码时的状态参考图，图7是本实用新型的使用状态参考图；图中I是盘体，11是加厚部分，2是插孔，3是盘脚，4是敞口槽，5是二极管芯体，51是下引线的封装边界，6是清水冲洗工位。
具体实施方式
本实用新型如图1-3所示，所述二极管芯体5包括上、下引线，及焊接在所述上、下引线之间的芯片；所述酸洗盘包括盘体I和盘脚3，所述盘体I的盘面上开设有若干用于插放所述下引线的插孔2，在所述盘面的左右两侧边缘处分别开设有敞口槽4。所述盘脚3截面在所述盘面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽4的宽度。这样在堆码时，盘脚3不会陷入到敞口槽4中，如图6所示。所述盘体I上开设所述插孔2部分的底面低于所述下引线的封装边界51。相对于现有技术的酸洗盘，相当于将原盘体I开设插孔2的部分进行加厚，形成加厚部分11。本实用新型可以将酸洗过程中多余的水引流，避免材料在酸洗过程受污染(另 给电镀工段节约稀硫酸的成本)；且引线不包胶。
权利要求1.二极管芯体的酸洗盘，所述二极管芯体包括上、下引线，及焊接在所述上、下引线之间的芯片；所述酸洗盘包括盘体和盘脚，所述盘体的盘面上开设有若干用于插放所述下引线的插孔，其特征在于，在所述盘面的左右两侧边缘处分别开设有敞口槽。
2.根据权利要求I所述的二极管芯体的酸洗盘，其特征在于，所述盘脚截面在所述盘面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽的宽度。
3.根据权利要求I所述的二极管芯体的酸洗盘，其特征在于，所述盘体上开设所述插孔部分的底面低于所述下弓I线的封装边界。
专利摘要二极管芯体的酸洗盘。涉及对二极管芯体专用酸洗盘结构的改进。提供了一种能防止冲洗时的交叉污染，且避免引线包胶的二极管芯体的酸洗盘。所述二极管芯体包括上、下引线，及焊接在所述上、下引线之间的芯片；所述酸洗盘包括盘体和盘脚，所述盘体的盘面上开设有若干用于插放所述下引线的插孔，在所述盘面的左右两侧边缘处分别开设有敞口槽。本实用新型在盘体顶面(盘面)的左右侧分别开设敞口槽后，冲洗时，本盘上的水流通过该两敞口槽引流，不会溢流到相邻的酸洗盘上。盘脚截面在所述盘面的左右方向的最大尺寸大于所述敞口槽的宽度；使得酸洗盘在码放时，盘脚不会“陷入”到敞口槽中。
文档编号B08B3/08GK202513128SQ20122015319
公开日2012年10月31日 申请日期2012年4月12日 优先权日2012年4月12日
发明者汤云, 王毅, 颜廷柱 申请人:扬州扬杰电子科技股份有限公司