一种二极管芯片酸洗工艺的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种二极管芯片酸洗工艺，所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125s，二次酸洗清洗时间70-78s；所述一次酸洗的清洗液为HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4的混合液，所述二次酸洗的清洗液为H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的混合液；所述一次酸洗液中HNO3:HF:CH3COOH和H2SO4的体积比为9:9:12:4；所述二次酸洗液中H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的体积比为1:0.8:3:0.2。本发明的优点在于：本发明的酸洗工艺中，在二次酸洗液中加入了冰醋酸，利用冰醋酸溶解掉混合酸洗中生成物硫酸铅，避免硫酸铅会吸附到芯片的侧面，提高了二极管芯片的电性能。
【专利说明】一种二极管芯片酸洗工艺
【技术领域】
[0001] 本发明属于二极管领域，涉及一种二极管芯片酸洗工艺。
【背景技术】
[0002] 根据二极管半导体生产原理，芯片要发挥作用时，必须经过酸腐蚀及酸钝化，二极 管芯片的酸洗工艺包括一次酸洗，二次酸洗，氨水与双氧水混合清洗，最后水超声清洗。
[0003] 目前一次酸洗中清洗液为硝酸、硫酸、氢氟酸以及冰醋酸的混合物；二次酸洗中清 洗为磷酸、双氧水和水的混合物，由于焊料中存在Pb，一次酸洗时，会与清洗液中的硫酸反 应形成硫酸铅PbS0 4，硫酸铅为不溶物，会吸附到芯片的侧面，影响硅片的质量。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种能够提高二极管电性能二极管芯片酸洗工 艺。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种二极管芯片酸洗工艺，其创新点 在于：所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗以及水超声清洗，其中一次 酸洗清洗时间110-125S，二次酸洗清洗时间70-78S ;所述一次酸洗的清洗液为HN03、HF、 CH3C00H和H2S0 4的混合液，二次酸洗的清洗液为H3P04、H20 2、H20和CH3C00H的混合液。
[0006] 进一步地，所述一次酸洗液中HN03 :HF :CH3C00H和H2S04的体积比为9 :9 :12: 4。
[0007] 进一步地，所述二次酸洗液中H3P04、H20 2、H20和CH3C00H的体积比为 1:0. 5?0. 8:3:0. 5?0. 2,且H202与CH3C00H总和为一个体积份。
[0008] 进一步地，所述二次酸洗液中H3P04、H20 2、H20和CH3C00H的体积比为1: 0. 8:3:0. 2〇
[0009] 本发明的优点在于：本发明的酸洗工艺中，在二次酸洗液中加入了冰醋酸，利用该 冰醋酸溶解掉混合酸洗中生成物硫酸铅，避免硫酸铅会吸附到芯片的侧面，提高了二极管 芯片的电性能。
【具体实施方式】
[0010] 实施例1 本发明公开了一种二极管芯片酸洗工艺，该工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双 氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125S，二次酸洗清洗时间70-78S ;二 次酸洗的清洗液体积组成为HN03:HF:CH3C00H :H2S04= 9 :9 :12:4;二次酸洗的清洗液体 积组成为 H3P04、H202、H20 :CH3C00H= 1: 0? 5:3: 0? 5。
[0011] 实施例2 一种二极管芯片酸洗工艺，该工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水 超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125S，二次酸洗清洗时间70-78S ;二次酸洗的清洗 液体积组成为HN03:HF:CH3C00H :H2S04= 9 :9 :12:4;二次酸洗的清洗液体积组成SH3P04、 H202,H20 ：CH3COOH= 1:0. 6:3:0. 4〇
[0012] 实施例3 一种二极管芯片酸洗工艺，该工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水 超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125S，二次酸洗清洗时间70-78S ;二次酸洗的清洗 液体积组成为HN03:HF:CH3C00H :H2S04= 9 :9 :12:4;二次酸洗的清洗液体积组成SH3P04、 H20 2,H20 ：CH3C00H= 1:0. 7:3:0. 3〇
[0013] 实施例4 一种二极管芯片酸洗工艺，该工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水 超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125S，二次酸洗清洗时间70-78S ;二次酸洗的清洗 液体积组成为HN03:HF:CH3C00H :H2S04= 9 :9 :12:4;二次酸洗的清洗液体积组成SH3P04、 H20 2,H20 ：CH3C00H= 1:0. 8:3:0. 2〇
[0014] 下表为上述实施例1、实施例2、实施例3、实施例4的酸洗与目前酸洗后的效果比 较，分别对1000个产品进行电性能测试后得出的结果：
【权利要求】
1. 一种二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、 氨水与双氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125S，二次酸洗清洗时间 70-78s ;所述一次酸洗的清洗液为HN03、HF、CH3C00H和H2S0 4的混合液，二次酸洗的清洗液 为 H3P04、H202、H20 和 CH3COOH 的混合液。
2. 根据权利要求1所述的二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述一次酸洗液中HN03 : HF :CH3COOH 和 H2S04 的体积比为 9 :9 :12:4。
3. 根据权利要求1所述的二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述二次酸洗液中H3P04、 H202、H20和CH3COOH的体积比为1: 0? 5?0? 8:3: 0? 5?0? 2,且H202与CH3COOH总和为一个体积 份。
4. 根据权利要求1所述的二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述二次酸洗液中H3P04、 H202、H20 和 CH3COOH 的体积比为 1: 0? 8:3:0. 2。
【文档编号】B08B3/08GK104399702SQ201410651917
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月17日 优先权日:2014年11月17日
【发明者】蔡彤 , 张练佳, 贲海蛟, 梅余锋 申请人:如皋市易达电子有限责任公司