微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法

专利名称：微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种孩"皮等离子体处理装置，其利用透过电介质板t或簇 射板的微波生成等离子体并对被处理体进行等离子体处理，特别是，涉及 一种构成电介质板t或簇射板的陶瓷部件及其制造方法。
背景技术：
通常，这种微波等离子体处理装置具有使用等离子体对玻璃基板、 半导体基板等被处理基板进行成膜、蚀刻、灰化等处理的处理室， 一方
面对该处理室内导入气体，另一方面使用径向线缝隙天线(RLSA)(以 下简称缝隙天线)等微波导入装置将微波供给到用电介质板隔开的处理 室内，由此使处理室内产生等离子体。这样，微波等离子体处理装置在 处理室内部配置成使放置玻璃基板、半导体基板等被处理体的放置台与 电介质板相对。
此外，电介质板使处理空间内保持气密性，并且构成将微波导入到 处理空间内的窗。
这种微波等离子体处理装置具有只有用电介质板构成的电介质窗 的结构、和具有簇射板并将其作为电介质窗的结构。
日本特开2004-265919号公报(专利文献1)所公开的是前一种结 构，在处理室中设置电介质板并使其与缝隙天线相对，利用该电介质板， 使进行等离子体处理的处理空间保持气密性。该形式的微波等离子体处 理装置通过由电介质板构成的电介质窗将来自缝隙天线的微波导入到 处理空间内。这种情况下，氩(Ar)等等离子气体从电介质板和放置台 之间，即、电介质板的下部导入到处理空间内。
另一方面，日本特开2006-310794号公报(专利文献2 )已公开有 以砖状铺满使微波透过的多个电介质板，从这些砖状板之间将用于生成 等离子体的氩等气体供给到处理室内的等离子体处理装置及处理方法。 专利文献2所示的电介质板是由多个电介质元件构成的。此外，作为具有后一种结构的微波等离子体处理装置，其具有圆形 形状的缝隙天线和圓形形状的簇射板，所述簇射板具有用于通过氩等等 离子气体的多个孔，该装置也是一种用电介质部件构成该簇射板的微波 等离子体处理装置。另外，还提出了具有上下两段结构的簇射板的微波 等离子体处理装置。
作为如上所述的电介质板、电介质元件以及蔟射板来使用的电介质 窗通常是用氧化铝陶瓷等陶瓷来形成的。
以下，本说明书将用含有电介质板、电介质元件以及蔟射板的电介 质窗等电介质来构成的部件统称为电介质窗部件。
另一方面，有报告说，对于这种微波等离子体处理装置，与使用氩
作为等离子体生成用气体时相比，使用氪(Kr)时能够形成特性优异的 膜，例如，氧化膜。
专利文献1:日本特开2004-265919号公报
专利文献2:日本特开2006-310794号y〉净艮

发明内容
但是，已发现实际上即使使用氪作为等离子体生成用气体，根据 微波等离子体处理装置的不同，也会有仅能得到具有与使用氩时相同程 度的特性的膜、如氧化膜的情况。具体地说，用这种微波等离子体处理 装置进行氧化时，通常供给氩和氧气(Ar/02)作为等离子体生成用气 体，但是，即使将该等离子体生成用气体换成氪和氧气(Kr/02)，根据 微波等离子体处理装置的不同，也会有不能得到显著差异的情况。这种 情况在将氩和氨气(Ar/NH3)换成氪和氨气(Kr/NH3)来形成氮化膜 时也是一样的。
因此，本发明的课题是查明用微波等离子体处理装置形成的膜、特 别是氧化膜、氮化膜的特性劣化的原因，提出消除该原因的方法，并通 过消除原因来改善生成的膜的特性。
使用Kr等离子体时，理论上应该能够形成比使用Ar等离子体时 好的氧化膜，但是，实际上，即使使用Kr等离子体，也仅能得到与使
6用Ar等离子体时同等程度的氧化膜。发明者为此进行了研究，结果发 现其原因之一是用等离子体形成的氧自由基在构成电介质部件的陶瓷 板的表面上被浪费，失去活性。具体地说，由于Kr等离子体比Ar等 离子体更容易生成高密度的等离子体，所以等离子体存在于更靠近电介 质窗部件的位置。其结果是，Kr等离子体变得容易受到电介质窗部件 表面的影响。另一方面，虽然电介质窗部件表面通过研磨而变得平滑， 但是，微观地观察该氧化铝陶瓷的电介质窗部件表面时，发现其具有峰 谷差(P-V)为2jim的凸凹。这样就发现，由于表面的凹凸大，所以等 离子会再结合而使得等离子体消失。
另外还发现另一个原因是由于氧化铝陶瓷的表面由于研磨而呈现 缺氧状态，所以氧自由基被用于其表面的氧化，而没有被用到关键的处 理上。
本发明人在上述发现的基础上，寻求电介质窗部件的改善，并取得 了极好的效果。
根据本发明，利用平滑化涂布膜，使与电介质窗部件的等离子接触 的陶瓷部件表面(处理室侧的表面)变得平滑，并且使其为化学计量组 成(完全氧化物)，由此可以得到具有所需特性的膜。
例如，在本发明中，对于使用2.45GHz或915MHz作为微波的微 波等离子体装置，可以得到具有簇射板的微波等离子体处理装置，所述 簇射板的氧化铝等陶瓷部件的表面被平坦化涂布膜所覆盖。
此外，本发明不仅适用于具有簇射板并将其作为电介质窗部件的装 置，还适用于具有其他形式的电介质窗部件的微波等离子体处理装置。
但是，Si02对CF的CVD、等离子蚀刻时所使用的氟化碳气体的 耐受性较差，因此，在这种情况下，最好用￥203等耐腐蚀性绝缘膜进 行覆盖。
根据本发明，通过用平坦化涂布膜覆盖与陶瓷部件表面的等离子体 接触的面来形成微波等离子体处理装置用电介质窗部件，并使平坦化涂 布膜的表面成为完全氧化膜，由此能防止自由基消失，改善使用Kr(氪) 作为等离子体生成用气体时的特性。


图l是表示本发明的一实施方式的电介质窗部件的截面图。
图2是表示使用了图l所示的电介质窗部件的微波等离子体处理装 置的一例的示意图。
图3是表示使用了图1所示的电介质窗部件的微波等离子体处理装 置的另一例的示意图。
图4是表示可以适用图1所示的电介质窗部件的微波等离子体处理 装置的又一例的示意图。
符号说明
lO-电介质窗部件；10a-电介质窗；12-陶瓷部件；14-平坦化绝缘涂 布膜；16-耐腐蚀性膜；20-处理容器；22-放置台；24-绝缘板；26-被处 理基板；28-排气口； 30-气体导入口； 32-径向线缝隙天线(RLSA); 34-屏蔽部件；40-高频电源；42-波导管；44、 46、 49-导体板；48-导体环； 50-开口； 52-缝隙
具体实施例方式
参照图1，本发明的一实施方式的微波等离子体处理装置用电介质 窗部件IO是由用氧化铝(A1203)形成的陶瓷部件12、涂布在该陶瓷部 件12的一个面侧(这里，指处理空间侧的面侧)的平坦化涂布绝缘膜 14、以及涂布在平坦化涂布绝缘膜14上的耐腐蚀性膜(这里，指￥203 膜)16构成的。该构成如图所示，耐腐蚀性膜16朝向等离子体激发空 间侧、即处理空间侧。
在图示的电介质窗部件10中，切削研磨加工后的氧化铝陶瓷部件 12的表面的至少处理空间侧的表面具有峰谷差(P-V)为1.78fim、 Ra 为0.232nm的凹凸。
陶瓷部件12的处理空间侧的表面上形成有平滑化涂布绝缘膜14。 优选的是，利用含有Si、 C以及O且原子比为0>Si>l/2C的SiCO涂 布膜，作为形成平滑化涂布绝缘膜14的材料来形成。
8具体地说，SiCO涂布膜优选的是，由以SiO的重复单位为主构架、
其组成是由以通式((CH3)nSi02-n/2)x(Si02)u(其中，Il=l~3 ， X^l )
表示的一种或两种以上的氧化物构成。通过涂布含有以上式表示的氧化
物的液体状材料(SiCO)，使其干燥并进行烧制，可以得到化学计量组 成(Stoichiometric)的Si()2膜。
这里，对由SiCO材料得到Si02膜的方法的一例进行说明，首先， 使SiCO材料在以600rpm的速度旋转的陶瓷部件10上进行30秒钟涂 布。然后，在20%02、 80。/。N2的环境下，以130n的温度预烘烤5分钟 后，以5X:/min的升温速度加热到400匸，之后，在氮气环境下以2匸/min 的升温速度升温到900"C，以900t:的温度在10%H2O、 90%02的环境 下保持1小时，由此可以由SiCO材料得到在化学计量上具有Si02的组 成的氧化硅膜。
这样，具有化学计量组成的Si02膜的表面具有P-V为0.9nm、 Ra 为0.139nm的表面粗糙度，与陶瓷部件10的表面粗糙度相比较，已具 有了平坦的表面。
对于图1所示的电介质窗部件10，在上述Si02膜的表面上进一步 涂布Y203并进行干燥烧制而形成0.3jim厚度的Y203膜并将其作为耐腐 蚀性膜16。已确认这样形成的作为耐腐蚀性膜16的Y203膜的表面 呈现出比SK)2膜的表面小的表面粗糙度，并且极其致密没有缺陷。
这样，具有平坦表面的电介质窗部件10由于有效表面积小，所以 能够抑制电子离子的再结合量。因此，能够以较高的电力效率实现高等 离子体密度。
实际上，已经确认在将图示的电介质窗部件10作为微波等离子 体处理装置的电介质板、砖状的电介质元件、簇射板等使用时，可以形 成特性优异的氧化膜、氮化膜。特别是使用Kr等离子体时，能够形成 特性优异的氧化膜、氮化膜。
以下，对使用了图示的电介质窗部件的微波等离子体处理装置进行 说明。
参照图2，其表示了使用图l所示的电介质窗部件10作为电介质窗
9的微波等离子体处理装置。图示的微波等离子体处理装置具有有底圆筒
形状的处理容器20、和设置于该处理容器20的中央部的放置台22。处 理容器20利用绝缘板24与设置于处理容器20的底部的放置台22保持 绝缘。在放置台22的上表面放置有半导体、玻璃等基板26作为被处理 部件。此外，在处理容器20的底面周缘部设置有对处理容器20内进行 排气的排气口 28。
在处理容器20的侧壁设置有将气体导入到处理容器20内的气体导 入口 30,从该气体导入口 30导入Ar、 Kr等等离子体生成用气体。
另一方面，在开了 口的处理容器20的上部设置有图1所示的电介 质板10a作为电介质窗部件10，通过该电介质板10a使处理容器20内 的空间分为位于图的下部的处理空间和上部的微波施加区域。此外，在 电介质板10a和处理容器20之间配置有0型圏等密封部件31，由此， 利用处理容器20和电介质板10a来进行封闭的处理空间保持着气密性。
此外，在由电介质窗部件10构成的电介质板10a上，设置有将微 波供给到处理容器20内的RLSA (即，缝隙天线)32。缝隙天线32利 用由电介质窗部件10构成的电介质板10a与处理容器20内的处理空间 隔开。其结果是，缝隙天线32利用电介质板10a使自身免受等离子体 的损害。
在电介质板10a和缝隙天线32的外周，设置有在处理容器20的侧 壁上配置成环状的屏蔽部件34。通过该构成，能够防止从缝隙天线32 供给到处理容器20内的高频电磁场泄漏到外部。
缝隙天线32例如，通过波导管42连接到生成2.45GHz的高频电磁 场的高频电源40上。
此外，图示的缝隙天线32具有相互平行的2张圆形导体板44、 46、 以及将这些导体板44、 46的外周部连接起来并进行屏蔽的导体环48。 这里，导体板44、 46在两个导体板44、 46之间规定了径向波导路。
在径向波导路上部的导体板44的中心部，形成有连接于波导管42 的开口 50,来自高频电源40的高频电磁场从该开口 50导入到径向波导 路内。此外，在位于径向波导路的下部的导体板46上形成有多个缝隙52，该缝隙52用于将在径向波导路内传播的高频电磁场通过电介质板 10a供给到处理容器20内。因为缝隙天线32是由这些缝隙52来构成的， 所以将形成有缝隙52的导体板46称为缝隙天线32的天线面。
对于该结构，可以利用电介质板10a来进行封闭，使得在处理容器 20内生成的等离子体P不会泄漏到外部，由此，可以使缝隙天线32免 受等离子体P的损害。此外，图示的电介质板10a是由图l所示的电介 质窗部件10来构成的。但是，￥203膜(即，氧化钇膜)16可以省略。
根据实验，使用Kr/02来生成等离子体的情况与使用Ar/02等离子 体的情况相比，能够形成特性优异的氧化膜。
参照图3,其表示的是将本发明的电介质窗部件10作为簇射板60 使用的微波等离子体处理装置。图3所示的微波等离子体处理装置通过 设置于波导管42上以及处理室20的上部的径向线缝隙天线(RLSA) 64将微波41供给到处理室20内。具体地说，在RLSA32的下部设置 有盖板62以及与该盖板62留有间隔地配置的簇射板60，来自RLSA64 的微波穿过盖板62和簇射板60，放射到处理室内的等离子体产生区域 中。
由具有与图1同样的构成的电介质窗部件10形成的簇射板60具有 使等离子体生成用气体通过的多个孔(直径50nm左右)58。优选的是， 孔58的内侧面也涂布平坦化涂布膜。
另一方面，激发等离子体的等离子体激发用气体通过气体导入口 30 导入到簇射板60内。这里，将作为等离子体激发用气体的Kr气体(或 Ar气体、Xe气体)等稀有气体从簇射板60均匀地吹出到等离子体产 生区域内，通过放射到那里的微波来激发等离子体。
该例中，簇射板60只具有由平坦化涂布膜形成的Si02膜，省略了 Y203膜。对于该结构，通过从簇射板60的孔58导入Kr/02气体，可以 使特性已改善的Si02膜成膜到硅基板26的表面上。
参照图4，对适用本发明的电介质窗部件10的另一个微波等离子体 处理装置进行说明。图示的微波等离子体处理装置，除了图3所示的簇 射板60之外还设置了供给处理气体的簇射板70。以下，将簇射板60以及70分别称为上层簇射板以及下层簇射板。
具体地说，图示的微波等离子体处理装置具有处理容器(处理腔) 20以及放置台22，所述放置台22设置于该处理容器20内并且利用静 电吸盘保持被处理基板26,优选利用通过热等压法(HIP)来形成的 AlN或Ah03制成，在处理容器20内，围绕放置台22的空间上等间隔 地，即、相对于放置台22的被处理基板26以近似轴对称的关系，在至 少2个部位、优选3个以上部位上形成有排气口 28。处理容器20通过 排气口 28,利用螺杆泵等进行排气、减压。
处理容器20优选的是，由将Al作为主要成分的Al合金制成，内
了无缺陷的氧化铝膜，其作为第l层膜。此外，在氧化铝膜的表面形成 有通过等离子体喷涂法而形成的氧化钇膜，其作为第2层膜。
此外，在处理容器20的内壁的与被处理基板26对应的部分上，通 过电介质窗部件10形成了具有多个喷嘴开口部58的上层簇射板60。图 示的簇射板60构成处理容器20的内壁的一部分，具有在图1所示的圓 盘状的电介质窗部件上设置有多个喷嘴开口的结构。
在上层簇射板60上设置有盖板62,并在二者之间夹有密封圏。在 上层簇射板60的与盖板62接触的一侧，形成有与各个喷嘴开口部58 连通的等离子气体流路59。等离子气体流路59形成在簇射板60和盖板 62之间，该等离子气体流路59与连接于在处理容器20的外壁上形成的 等离子气体导入口 30的等离子气体流路58A连通。
图示的上层簇射板60利用形成于处理容器20的内壁上的突出部来 进行保持，突出部的保持簇射板60的部分上形成有球状体，以抑制异 常放电。
对于该构成，供给到等离子气体导入口 30的Ar、 Kr等等离子气 体依次通过上层簇射板60内部的流路58A以及流路59后，通过开口部 58，同样地供给到上层簇射板60正下方的空间。
在盖板62上，与盖板62紧密接触地设置有具有多个缝隙的圆盘状 的导体板46，其构成缝隙天线32的一部分。图示的径向线缝隙天线32是由形成天线主体的导体板49、以及由夹持在导体板46、 49之间的低 损耗电介质材料A1203、 SiO;j或Si3N4制成的延迟板64构成的。
径向线缝隙天线32安装在处理容器20上，且二者之间夹有密封圏， 频率为2.45GHz或8.3GHz的微波从外部的微波源(图中未表示)通过 波导管42供给到径向线缝隙天线32上。所供给的微波从导体板46的 缝隙、通过盖板62以及上层簇射板60放射到处理容器20中，上层簇 射板60正下方的空间中，在从开口部58供给的等离子气体中激发等离 子体。
图示的上层簇射板60没有凹凸极其平坦，因此，作为高效的微波 透过窗来发挥作用。
此外，图4所示的微波等离子体处理装置的处理容器20中，在上 层簇射板60和放置台22上的被处理基板26之间，具有从在处理容器 20的外壁上设置的处理气体注入口 66被供给处理气体的下层簇射板 70。下层簇射板70具有从多个处理气体喷嘴开口部进行排出的格状的 处理气体通路70a。
在下层簇射板70和被处理基板26之间的空间中，进行期望的均匀 的基板处理。所述基板处理包括等离子体氧化处理、等离子体氮化处理、 等离子体氧氮化处理以及等离子体CVD处理等。此外，供给C4F8、 C5F8 或C4F6等容易离解的碳氟化合物气体、F类或C1类等蚀刻气体，作为 从下层簇射板70供给到空间的气体。通过从高频电源72对放置台22 施加高频电压，可以对被处理基板26进行反应离子刻蚀。
图示的例子中，CxFy(C5F8、 C4Fs等)气体等处理气体通过导入管 66,进入到在簇射板70的下部形成的扩散等离子体区域中。这样，通 过对扩散等离子体区域供给处理气体，可以使氟碳膜等形成到硅基板26 上。
参照图4，下层簇射板(处理气体供给构造)70与处理容器内壁一 样，在将Al作为主要成分的合金原材料上与上述同样地通过阳极氧化 来形成氧化铝保护膜作为第1层膜，再在其上形成氧化钇膜作为第2层 膜。格状的处理气体通路70a在处理气体供给口 31R处连接到处理气体 注入口 66,从在下面形成的多个处理气体喷嘴开口部(图中未表示)将处理气体均匀地排出到空间。此外，下层簇射板70上还形成有使等离 子体以及等离子体中所含有的处理气体在相邻的处理气体通路70a之间 通过的开口部(图中未表示)。
图示的上层簇射板60如图1所示，利用平坦化涂布膜以及耐腐蚀 性膜(Y203 )进行覆盖，具有极平坦的表面。
产业可利用性
上述实施方式对用图1所示的电介质窗部件IO构成微波等离子体 处理装置的电介质板、上层簇射板的情况进行了说明，但是本发明完全 不受此限定，例如，还可以适用于为了使微波通过而具有多个电介质元 件(即，多个砖状部件)的微波等离子体处理装置。
权利要求
1. 一种微波等离子体处理装置，具有传播微波的天线、使在所述天线中传播的微波透过的电介质窗、供给规定气体的气体供给部、以及利用透过所述电介质窗的微波将所述规定气体等离子化并处理被处理体的处理室，其特征在于，所述电介质窗由陶瓷部件制成，所述陶瓷部件的处理室侧的表面覆盖有平滑化涂布绝缘膜。
2. —种微波等离子体处理装置，具有传播微波的天线、使在所述天 线中传播的微波透过并向处理室供给规定气体的簇射板、将所述规定气 体向所述簇射板供给的气体供给部、以及利用透过所述簇射板的微波将 所述规定气体等离子化并处理被处理体的处理室，其特征在于，所述簇射板由陶瓷部件制成，所述陶瓷部件的处理室侧的表面覆盖有平滑化涂布绝缘膜。
3. 根据权利要求1或2所述的微波等离子体处理装置，其特征在于， 所述平滑化涂布绝缘膜由多个膜构成。
4. 根据权利要求1 3中任意一项所述的微波等离子体处理装置，其特征在于，所述平滑化涂布绝缘膜包括Si02膜，该Si02膜是在所述陶瓷部件的所述表面上进行涂布、烧制而成的。
5. 根据权利要求4所述的微波等离子体处理装置，其特征在于，所述Si02膜的厚度大于所述陶瓷部件的所述表面的用峰谷差值表示的粗糙度值。
6. 根据权利要求5所述的微波等离子体处理装置，其特征在于， 所述Si02膜的厚度是lnm 5nm。
7. 根据权利要求l-6中任意一项所述的微波等离子体处理装置，其特征在于，所述平滑化涂布绝缘膜的表面被Y203膜覆盖。
8. 根据权利要求1~6中任意一项所述的微波等离子体处理装置， 其特征在于，所述平滑化涂布绝缘膜的至少其与所述等离子体接触的表面是化学计量组成的Si02。
9. 根据权利要求7所述的微波等离子体处理装置，其特征在于， 所述￥203膜的至少其与所述等离子体接触的表面为化学计量组成。
10. 根据权利要求1 9中任意一项所述的微波等离子体处理装置， 其特征在于，向所述处理室供给用于处理所述被处理体的气体的处理气 体供给部设置在所述陶瓷部件和所述被处理体之间。
11. 根据权利要求1~10中任意一项所述的微波等离子体处理装置， 其特征在于，所述陶瓷部件具有多个砖状部件。
12. 根据权利要求2 11中任意一项所述的微波等离子体处理装置， 其特征在于，所述陶瓷部件具有用于将所述规定气体导入到处理室的多 个开口。
13. 根据权利要求12所述的微波等离子体处理装置，其特征在于， 所述陶瓷部件的所述多个开口中分别插有多孔体和具有比所述开口的 直径小的一个或多个气体通过孔的部件之中的至少一者。
14. 根据权利要求12或13所述的微波等离子体处理装置，其特征 在于，所述陶资部件的所述开口的直径为50nm以下。
15. 根据权利要求1 14中任意一项所述的微波等离子体处理装置， 其特征在于，所述微波的频率为2.45GHz或915MHz。
16. 根据权利要求1~15中任意一项所述的微波等离子体处理装置， 其特征在于，所述平滑化涂布绝缘膜是对以原子比为0>Si>l/2C的方 式含有Si、 C和O的SiCO膜进行烧制而得到的。
17. 根据权利要求16所述的微波等离子体处理装置，其特征在于， 所述SiCO膜是由一种或两种以上的氧化物形成的，该氧化物以SiO的 重复单位为主构架，其组成由((CH3) nSi02 -n/2 ) X (Si02 ) 表示， 其中，n=l~3, x化
18. —种电介质窗部件，是为了透过微波而在微波等离子体处理装 置中使用的电介质窗部件，其特征在于，具有陶瓷部件和在该陶瓷部件的至少等离子体处理空间侧的表面 上形成的平滑化涂布绝缘膜。
19. 根据权利要求18所述的电介质窗部件，其特征在于，所述平滑 化涂布绝缘膜上还形成有耐腐蚀性￥203膜。
20. 根据权利要求18或19所述的电介质窗部件，其特征在于，所 述平滑化涂布绝缘膜是使用以原子比为0>Si>l/2C的方式含有Si、 C 和O的SiCO膜形成的。
21. 根据权利要求18 20中任意一项所述的电介质窗部件，其特征 在于，所述SiCO膜是由一种或两种以上的氧化物形成的，该氧化物以 SiO的重复单位为主构架，其组成由通式((CH3) nSi02_n/2) x (Si02) i-x表示，其中，n=l~3, x^l。
22. —种电介质窗部件的制造方法，是为了透过微波而在微波等离 子体处理装置中使用的电介质窗部件的制造方法，其特征在于，准备陶瓷部件，在该陶瓷部件的一表面上涂布含有以通式((CH3) nSi02_n/2) x (Si02) Lx表示的一种或两种以上的氧化物的液体状材料， 对进行该涂布而得到的膜进行烧制而形成Si02膜，其中，n=l~3， "1。
23. 根据权利要求22所述的电介质窗部件的制造方法，其特征在 于，所述Si02膜是化学计量组成的Si02。
24. 根据权利要求22或23所述的电介质窗部件的制造方法，其特征在于，将所述Si02膜用耐腐蚀性膜覆盖。
25. 根据权利要求24所述的电介质窗部件的制造方法，其特征在 于，所述耐腐蚀性膜是具有化学计量组成的￥203膜。
26. —种电子器件的制造方法，其特征在于，具有使用权利要求 1~17中任意一项所述的微波等离子体处理装置对被处理体进行等离子 体处理的工序。
全文摘要
本发明提供一种微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法。已知道存在一种微波等离子体处理装置，其在使用Kr作为等离子体生成用气体时也仅能得到与使用Ar等其他稀有气体时相同的特性的氧化膜、氮化膜。在本发明中，构成微波等离子体处理装置的电介质窗部件不是只用陶瓷部件来构成的，在该陶瓷部件的处理空间侧的表面上，涂布了通过热处理可以得到化学计量上的SiO₂的组成的平坦化涂布膜后，通过热处理形成具有极其平坦且致密的表面的平坦化涂布绝缘膜。在该平坦化涂布绝缘膜上形成耐腐蚀性膜。
文档编号C04B35/01GK101521147SQ200910007679
公开日2009年9月2日 申请日期2009年2月20日 优先权日2008年2月28日
发明者北野真史, 后藤哲也, 大见忠弘, 平山昌树, 村川惠美, 松冈孝明, 白井泰雪, 绵贯耕平 申请人:国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社