技术总结
一种平面带孔硅靶加工工艺，属于硅靶加工领域。该工艺包括以下工序:（1）平面硅靶板材毛坯的准备；（2）平面硅靶的开孔：选用普通加工设备，采用外径尺寸较加工孔径小2～4mm的薄壁细颗粒金刚石钻头，旋转磨削钻孔，钻孔不可一面钻通，需先一面钻入，在翻转另一面钻通；（3）平面硅靶的孔口倒角；（4）平面硅靶的孔径加工：选用普通加工设备，采用400～1200目范围内树脂金刚石圆柱状砂轮，旋转磨削去除孔径尺寸2～4mm预留量；（5）平面硅靶的平面精磨；（6）加工完毕后进行检测、清洗、烘干、包装工序。采用此工艺加工硅靶，可达到加工效率高、尺寸精度高、表面粗糙度好、生产成品率高的效果。
技术研发人员：盛旺;盛之林;范占军;谢永龙;马晓林
受保护的技术使用者：宁夏高创特能源科技有限公司
文档号码：201610650452
技术研发日：2016.08.10
技术公布日：2016.12.14