制造喷墨头的微致动器的方法

文档序号:2506812阅读:192来源:国知局
专利名称:制造喷墨头的微致动器的方法
技术领域
本发明涉及制造喷墨头的微致动器的方法,特别涉及制造如微致动器的方法,该方法利用主要用于制造半导体器件的构图工艺,容易形成具有要求图形的氧化物压电元件。
一般情况下,用于喷墨头的微致动器包括用喷射或发射墨的致动装置。该致动装置主要使用加热器和压电元件。
在微致动器采用压电元件的情况下,这些压电元件主要采用具有强压电特性的氧化物压电材料PZT。
参见

图16,图中展示了利用这种PZT的常规微致动器。如图16所示,微致动器包括PZT元件30,其下和上表面上分别固定有下和上电极20和40。振动板10固定于下电极20的一个表面上,与PZT元件30相对。振动板10可动作地耦合于PZT元件30上,以便能够产生机械变形。
具有多个储液室51的存储室板50固定于振动板10上,与PZT元件30相对。在振动板10弯曲时,墨引入到储液室51。然后,墨通过喷嘴(未示出)从储液室51向外喷射。
具有上述结构的包括PZT30、下和上电极20和40及振动板10的微致动器一般是利用以下的丝网印刷工艺或其它简单接合工艺制造的。
根据丝网印刷工艺,首先制备由例如氧化锆(ZrO2)等氧化物压电材料构成的薄坯片。在至少约1000℃的高温下焙烧该坯片,从而形成陶瓷薄板,该陶瓷薄板将用于制备振动板10。制造了振动板10后,在振动板10的要求部位上淀积厚为20微米以下的如铂(Pt)等导电材料,从而形成下电极20。
然后在下电极20的上表面上涂敷膏状的PZT。然后利用丝网印刷进行该涂敷PZT的精确层叠,从而形成有很小厚度的PZT层。然后在约1000℃以下的高温下焙烧PZT层,从而形成PZT元件30。
然后,在PZT元件30的上表面上涂敷金(Au),形成上电极40。于是制成微致动器。
在这种微致动器具有上述结构的情况下,PZT元件30随间歇加于下和上电极20和40间的高电压纵向膨胀和收缩,引起振动板10发生机械变形。借助振动板10的这种机械变形,固定于振动板10上的存储室板50的储液室51的体积发生改变。于是引入墨,并从储液室51向外喷墨。
振动板10还可以由不锈钢薄板构成,代替陶瓷薄板。在振动板10由这种金属薄板构成时,要单独制造PZT元件。这种情况下,利用粘结剂将PZT片粘结到振动板上。机械加工粘结的PZT片,形成要求图形的PZT元件。另外,利用粘结剂将制备成具有要求尺寸的PZT片粘结到不锈钢薄板上,同时不锈钢薄板已被构图,从而形成要求图形的PZT元件。
然而,在制造利用陶瓷薄板作其振动板的微致动器时,利用氧化锆膏很难形成具有要求厚度和精确尺寸的振动板。而且,由于所用的焙烧温度很高,存在着很多问题。
另外,通过利用丝网印刷工艺在振动板上层叠和构图PZT膏也很难形成有精确图形的PZT元件。具体说,构图工艺的精度相当差。而且,即使比振动板PZT要求的温度低,但PZT膏仍需要很高的焙烧温度。由于一般在约900℃以下的温度下焙烧这种PZT膏,所以所得PZT元件的压电性能被严重劣化。
在制造采用例如不锈钢薄板等的金属薄板作振动板的微致动器时,对粘结到不锈钢薄板上的PZT片进行构图的机械构图工艺有很低的精度。所以,在可靠性和经济方面不能令人满意。在将制备成具有要求尺寸的PZT片粘结到金属薄板上时,会使所得微致动器的成品率下降。进而导致微致动器的生产率降低。
因此,本发明的目的是提供一种制造微致动器的方法,能够利用腐蚀工艺形成要求图形的氧化物压电元件和要求图形的上电极,因而容易制造微致动器。
本发明另一目的是提供一种制造微致动器的方法,不利用昂贵的构图设备便能形成要求图形的压电元件和要求图形的上电极,因此降低了制造成本。
本发明再一目的是提供一种制造微致动器的方法,利用制造单个微致动器所需要的工艺同时制造多个微致动器,因此具有批量生产的优点。
根据一个方案,本发明提供一种制造微致动器的方法,包括以下步骤依次层叠振动板、下电极、氧化物压电片、及上电极层;利用腐蚀工艺构图电极层,从而形成要求图形的上电极;利用上电极作掩模,用腐蚀工艺构图氧化物压电片,从而形成要求图形的氧化物压电元件。可选择的是,可以按要求图形的上电极的形式在氧化物压电片上淀积电极层。
根据另一方案,本发明提供一种制造微致动器的方法,包括以下步骤在振动板上依次层叠下电极和氧化物压电片;利用腐蚀工艺构图氧化物压电片,形成要求图形的氧化物压电元件;在所得结构上淀积电极层;利用压电元件作掩模构图电极层,形成要求图形的上电极。可选择的是,可以按具的要求图形的上电极的形式在氧化物压电片上淀积电极层。
根据本发明,利用化学方法形成氧化物压电元件和上电极,它们是淀积于振动板或下电极上的。因此,可以同时分别形成多个氧化物压电元件和多个上电极。所以提高了生产率和经济效益。
从以下结合各附图对实施例的说明可以清楚本发明的其它目的和方案。
图1A-1I分别是展示本发明第一实施例制造微致动器的方法的顺序工艺步骤的剖面图;图2A和2B分别是展示本发明第二实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图;图3A-3D分别是展示本发明第三实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图;图4A-4E分别是展示本发明第四实施例制造微致动器的方法的顺序工艺步骤的剖面图;图5A和5B分别是展示本发明第五实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图;图6A-6D分别是展示本发明第六实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图;图7A-7I分别是展示本发明第七实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的面图;图8A和8B分别是展示本发明第八实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图;图9A-9D分别是展示本发明第九实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图10A-10F分别是展示本发明第十实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图;图11A-11C分别是展示本发明第十一实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图;图12A-12D分别是展示本发明第十二实施例制造微致动器的方法的必要工艺步骤的剖面图;图13是展示本发明另一实施例的剖面图,其中形成具有与上述实施例不同图形的氧化物压电元件;图14是展示腐蚀时间与腐蚀深度随腐蚀面积间的关系的曲线图;图15是展示层叠于根据本发明制造的微致动器的存储室板的下表面上的多层结构的剖面图;图16是展示根据常规方法制造的典型微致动器的结构的剖面图。
图1A-1I分别是展示本发明第一实施例制造微致动器的方法的剖面图。
参见图1A,图中示出了依次在与存储室板1形成为一体的振动板2上层叠的下电极3和氧化物压电片4。存储室板1具有多个均匀隔开的储液室1a。
根据该方法,在氧化物压电片4的上表面上涂敷光刻胶膜6,如图1B所示。然后对光刻胶膜6进行软烘工艺。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模对光刻胶膜6曝光,然后显影,从而去掉其不需要的部分。图1C示出了去掉了部分光刻胶膜6后所得的结构。
然后对光刻胶膜6进行硬烘工艺。此后,在包括未被保留的光刻胶膜6覆盖的氧化物压电片4的上表面和保留的光刻胶膜6的上部的所得结构的整个上表面上,涂敷要求厚度的电极层5,如图1D所示。
此时,去掉了部分光刻胶膜6形成的各沟槽的相对侧表面上没涂敷电极层5。这是因为将要涂电极层的该结构的上表面具有因形成沟槽造成的某种形貌。所以光刻胶膜6在其对应于每个沟槽相对侧表面的侧表面处具有未被电极层5覆盖的暴露部分。
向下朝着电极层5喷射漂洗液,该漂洗液穿透光刻胶膜6的暴露部分,从而完全去了保留的光刻胶膜6。
此时,还去掉了涂敷于光刻胶膜6上的那部分电极层5。于是,电极层5只留在氧化物压电片4的要求部分上,从而形成上电极,如图1E所示。
在包括未被上电极5覆盖的氧化物压电片4的上表面和上电极5的上表面的所得结构的整个表面上,涂敷另一光刻胶膜6,如图1F所示。
然后,对该光刻胶膜6进行软烘、曝光、显影和漂洗工艺,从而去掉其除覆盖上电极5外的部分,如图1G所示。光刻胶膜6的每个保留部分具有大于有关上电极5的面积,这是因为其完全覆盖上电极5的缘故。
然后硬烘光刻胶膜6。此后,沿图1H的箭头所示方向,利用腐蚀剂腐蚀氧化物压电片4的暴露部分,从而形成具有要求图形的氧化物压电元件。对氧化物压电片4的腐蚀向下和横向进行,如图1H中的虚线所示,并且向下方向在下电极3结束,横向在靠近每个上电极5的相对横向端点的位置结束。
这种情况下,下电极3由不与腐蚀氧化物压电片4所用腐蚀剂反应或与之反应很慢的腐蚀停止层构成。
在如上所述利用腐蚀工艺构图氧化物压电片4,使之具有要求图形时,其所得结构具有在向下延伸时面积增大的梯形剖面形状,而在其相对侧表面具有陡峭的弧形形状。
利用腐蚀工艺形成了具有要求图形的氧化物压电元件4后,利用漂洗液完全去掉覆盖上电极5的其余光刻胶膜6。于是形成具有图1I所示结构的微致动器。
图2A和2B分别是展示本发明第二实施例制造微致动器的方法的剖面图。图2A和2B中,与图1A-1I中对应的部件由相同的参考数字表示。
参见图2A,图中示出了依次层叠于扁平振动板2上的下电极3和氧化物压电片4。
在本发明的该实施例中,利用腐蚀工艺构图形成于氧化物压电片4上的电极层5的工艺步骤,及构图氧化物压电片4的工艺步骤与第一实施例相同。
第二实施例与第一实施例的不同在于,在构图了氧化物压电片4后,立即将具有多个均匀隔开的储液室1a的存储室板1固定于振动板2的下表面上,如图2B所示。
最优选的是,存储室板1设置成使构图氧化物压电片4后得到的氧化物压电元件分别垂直位于各储液室1a之上。
图3A-3D分别是展示本发明第三实施例制造微致动器的方法的剖面图。图3A-3D中,各分别对应于图1A-1I的部件用相同的参考数字表示。
参见图3A,图中示出了依次层叠于与存储室板1形成为一体的振动板2上的下电极3和氧化物压电片4。存储室板1处于没有形成储液室的状态。
在本发明的该实施例中,利用腐蚀工艺构图形成于氧化物压电片4上的电极层5的工艺步骤,及构图氧化物压电片4的工艺步骤与第一和第二实施例相同。
第三实施例与第一和第二实施例的不同在于,在构图了氧化物压电片4后,将存储室板1加工成具有多个均匀隔开的储液室1a。
根据该实施例,在存储室板1的下表面上涂敷光刻胶膜6,如图3B所示。然后对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻胶膜6后得到的结构如图3C所示,图3C是图3B的倒置图。
然后用已构图的光刻胶膜6作掩模,利用腐蚀剂腐蚀存储室板1,从而在存储室板1中形成多个均匀隔开的储液室,如图3D所示。
所以,本发明第三实施例的特征在于,通过构图存储室板1最后形成储液室。利用这种工艺步骤制造所要求的微致动器。
图4A-4E分别是展示本发明第四实施例制造微致动器的方法的剖面图。图4A-4E中,各分别对应于图1A-1I的部件用相同的参考数字表示。
参见图4A,图中示出了依次层叠于与存储室板1形成为一体的振动板2上的下电极3、氧化物压电片4和电极层5。存储室板1具有多个均匀隔开的储液室1a。
在本发明的该实施例中,在电极层5的上表面上涂敷光刻胶膜6,如图4B所示。光刻胶膜6。然后,对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻胶膜6后得到的结构如图4C所示。
最好是,分别对应于将要形成的上电极的保留光刻胶膜6部分具有大于上电极的尺寸。
去掉了部分光刻胶膜6后,局部露出上电极层5。利用腐蚀剂沿图4D中箭头所指方向在上电极层5的暴露部分腐蚀电极层5,从而形成要求图形的上电极。
然后,利用漂洗液完全去掉留在已构图的上电极5上的保留光刻胶膜6。于是只在氧化物压电片4上留有要求图形的上电极,如图4E所示。
同时,形成了上电极5A后的工艺步骤与开始于图1F的第一实施例的构图氧化物压电片4的工艺步骤相同。
即,在形成了上电极后得到的结构的整个上表面上,也即氧化物压电片4的暴露上表面部分及上电极5的上表面上,涂敷另一光刻胶膜6。对光刻胶膜6进行软烘、曝光,显影,和漂洗工艺,从而去掉其不必要的部分。然后硬烘保留的光刻胶膜6。利用腐蚀剂在暴露部分腐蚀氧化物压电片4,从而形成要求图形的氧化物压电元件。于是制成具有要求图形的微致动器。
图5A和5B分别是展示本发明第五实施例制造微致动器的方法的剖面图。图5A和5B中,与图1A-1I中对应的部件由相同的参考数字表示。
参见图5A,图中示出了依次层叠于扁平振动板2上的下电极3、氧化物压电片4和电极层5。
在本发明的该实施例中,构图电极层5的工艺步骤与第四实施例的工艺步骤相同。即,在上电极层5的上表面上涂敷光刻胶膜6。对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。然后硬烘保留的光刻胶膜6。利用腐蚀剂在其暴露部分腐蚀电极层5,从而形成要求图形的上电极。
然后,利用漂洗液漂洗留在已构图的上电极5上的保留光刻胶膜6,由此完全去掉了光刻胶膜6。于是只在氧化物压电片4上留有要求图形的上电极。
在包括氧化物压电片4的暴露上表面部分及上电极5的上表面的所得结构的整个上表面上,涂敷另一光刻胶膜6。对光刻胶膜6进行软烘、曝光,显影,漂洗工艺,从而去掉其不必要的部分。
然后硬烘保留的光刻胶膜6。利用腐蚀剂在其暴露部分腐蚀氧化物压电片4,从而形成要求图形的氧化物压电元件。
将预先制备成具有多个均匀隔开的储液室1a的存储室板1固定于振动板2的下表面上,如图5B所示。尽管未示出,但存储室板1可以设置成使各氧化物压电元件分别垂直立于各储液室1a之上。于是制成具有要求图形的微致动器。
图6A-6D分别是展示本发明第三实施例制造微致动器的方法的剖面图。图6A-6D中,各分别对应于图1A-1I的部件用相同的参考数字表示。
参见图6A,图中示出了依次层叠于与存储室板1形成为一体的振动板2上的下电极3、氧化物压电片4和电极层5。存储室板1处于没有形成储液室的状态。
在本发明的该实施例中,利用腐蚀工艺构图电极层5的工艺步骤及构图氧化物压电片4的工艺步骤与第四和第五实施例相同。
第六实施例与第四和第五实施例的不同在于,在构图了氧化物压电片4后,将存储室板1加工成具有多个均匀隔开的储液室1a。
根据该实施例,在构图了氧化物压电片4后,在存储室板1的下表面上涂敷光刻胶膜6,如图6B所示。然后对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻胶膜6后得到的结构如图6C所示,该图是图6B的倒置图。
然后用已构图的光刻胶膜6作掩模,利用腐蚀剂腐蚀存储室板1,从而在存储室板1中形成多个均匀隔开的储液室1a,如图6D所示。于是制成具有要求结构的微致动器。
图7A-7I分别是展示本发明第七实施例制造微致动器的方法的剖面图。
参见图7A,图中示出了依次层叠于与存储室板1形成为一体的振动板2上的下电极3和氧化物压电片4。存储室板1具有多个均匀隔开的储液室1a。
在该实施例中,在氧化物压电片4的上表面上涂敷要求厚度的光刻胶膜6,如图7B所示。然后,对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻胶膜6后得到的结构如图7C所示。
然后硬烘光刻胶膜6。这种情况下,分别对应于将要形成的氧化物压电元件的的保留光刻胶膜6的各部分具有大于氧化物压电元件的尺寸。
此后,利用腐蚀剂沿图7D中箭头所指方向在其暴露部分腐蚀氧化物压电片4,从而形成要求图形的氧化物压电元件。如图7D的虚线所示,向下和横向进行氧化物压电片4的腐蚀。
一般情况下,在构图了氧化物压电片4后得到的氧化物压电元件具有在向下延伸时面积增大的梯形剖面形状,而在其相对侧表面具有陡峭的弧形形状。
利用腐蚀工艺形成了具有要求图形的氧化物压电元件4后,利用漂洗液完全去掉覆盖压电元件4的的保留光刻胶膜6。图7E示出了具有要求图形的氧化物压电元件的所得结构。
此后,在包括下电极3的暴露上表面部分及氧化物压电元件4的上表面的图7E结构的整个上表面上,涂敷另一光刻胶膜6,如图7F所示。
光刻胶膜6的厚度最好大于将形成于各氧化物压电元件4上的各上电极的厚度。
对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。所得结构如图7G所示。
然后硬烘保留的光刻胶膜6。在包括保留光刻胶6的上表面及氧化物压电元件4的上表面的所得结构上,淀积均匀厚度的电极层5,如图7H所示。
这种情况下,电极层5淀积的厚度小于光刻胶膜6的厚度。
由于其上将要涂敷电极层5的该结构的上表面具有一定的形貌,所以电极层5不完全地涂敷于由于光刻胶膜6的部分去除形成的各沟槽相对侧表面上。于是,在其对应于每个沟槽的相对侧表面的侧表面处,光刻胶膜6具有未被电极层5覆盖的暴露部分。
在漂洗上述结构时,利用漂洗液,从电极层5的上表面开始,完全去掉了保留的光刻胶膜6及位于光刻胶膜6之上的部分电极层。
于是只在氧化物压电元件4上保留电极层5,由此形成上电极,如图7I所示。从而制成具有要求结构的微致动器。
图8A和8B分别是展示本发明第八实施例制造微致动器的方法的剖面图。图8A和8B中,与图1A-1I中对应的部件由相同的参考数字表示。
参见图8A,图中示出了依次层叠于扁平振动板2上的下电极3和氧化物压电片4。
在本发明的该实施例中,利用腐蚀工艺构图氧化物压电片4的工艺步骤,及在通过构图氧化物压电片4形成的氧化物压电元件上形成上电极的工艺步骤与第七实施例相同。
根据第八实施例,在形成了氧化物压电元件4和上电极5后,将具有多个均匀隔开的储液室1a的存储室板1固定于振动板2的下表面上,如图8B所示。存储室板1设置成使其各储液室1a分别垂直位于各氧化物压电元件4之下。
图9A-9D分别是展示本发明第九实施例制造微致动器的方法的剖面图。图9A-9D中,各分别对应于图1A-1I的部件用相同的参考数字表示。
参见图9A,图中示出了依次层叠于与存储室板1形成为一体的振动板2上的下电极3、氧化物压电片4和电极层5。存储室板1处于没有形成储液室的状态。
在本发明的该实施例中,利用腐蚀工艺构图氧化物压电片4的工艺步骤,及在通过构图氧化物压电片4形成的氧化物压电元件上形成上电极的工艺步骤与第七和第八实施例相同。
根据该实施例,在形成了上电极5后,在存储室板1的下表面上涂敷光刻胶膜6,如图9B所示。然后对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻胶膜6后得到的结构如图9C所示,该图是图9B的倒置图。
然后用已构图的光刻胶膜6作掩模,利用腐蚀剂腐蚀存储室板1,从而在存储室板1中形成多个均匀隔开的储液室,如图9D所示。于是制成具有要求结构的微器。
图10A-10F分别是展示本发明第十实施例制造微致动器的方法的剖面图。
参见图10A,图中示出了依次层叠于与存储室板1形成为一体的振动板2上的下电极3和氧化物压电片4。存储室板1具有多个均匀隔开的储液室1a。
在本发明的该实施例中,利用腐蚀工艺构图氧化物压电片4的工艺步骤与第七、第八和第九实施例的相同。
根据第十实施例,在形成了氧化物压电元件4后所得的结构的整个表面上,即氧化物压电元件4的上表面及下电极暴露上表面部分上,淀积要求厚度的电极层5,如图10B所示。
然后,在电极层5上涂敷光刻胶膜6,如图10C所示。对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。所得结构示于图10D。
去掉了部分光刻胶膜6后,局部暴露电极层5。此时,利用腐蚀剂沿图10D中箭头所指方向在其暴露部分腐蚀电极层5。
结果,只在氧化物压电元件4上保留电极层5。
于是形成上电极5。此后,完全去掉留在上电极5上的光刻胶膜6。于是制成具有要求结构的微致动器,如图10F所示。
图11A-11C分别是展示本发明第十一实施例制造微致动器的方法的剖面图。
参见图11A,图中示出了依次层叠于扁平振动板2上的下电极3和氧化物压电片4。
在本发明的该实施例中,利用腐蚀工艺构图氧化物压电片4的工艺步骤与第七、第八和第九实施例相同。
根据第十一实施例,在形成了氧化物压电元件4后的结构的整个表面上,即氧化物压电元件4的上表面及下电极的暴露上表面部分上,淀积要求厚度的电极层5。然后,在电极层5上涂敷光刻胶膜6。
对光刻胶膜6进行软烘、曝光、显影、然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。利用腐蚀剂在其暴露部分腐蚀电极层5,在氧化物压电元件4上形成要求图形的上电极,如图11B所示。
在形成了上电极5后,将预先制备成具有多个均匀隔开的储液室1a的存储室板1固定于振动板2的下表面上,如图11C所示。存储室板1可以设置成使各储液室1a分别垂直位于各氧化物压电元件4之下。
图12A-12D分别是展示本发明第十二实施例制造微致动器的方法的剖面图。图12A-12D中,各分别对应于图IA-1I的部件用相同的参考数字表示。
参见图12A,图中示出了依次层叠于与存储室板1形成为一体的振动板2上的下电极3和氧化物压电片4。存储室板1处于没有形成储液室的状态。
在本发明的该实施例中,首先以与第七、第八和第九实施例相同的方式构图氧化物压电片4。然后,在构图了氧化物压电片4后所得结构的整个上表面上,即构图氧化物压电片4得到的氧化物压电元件4的上表面及下电极3的暴露上表面部分上,以与第十和第十一实施例相同的方式,依次涂敷电极层5和光刻胶膜6(未示出)。
根据该实施例,然后构图光刻胶膜,从而去掉其不必要的部分。利用已构图的光刻胶膜作掩模,利用腐蚀剂在其暴露部分腐蚀电极层5,从而在氧化物压电元件4上形成上电极。此时,利用漂洗工艺完全去掉保留的光刻胶膜6。
然后在存储室板1的下表面上涂敷光刻胶膜6,如图12B所示。对光刻胶膜6进行软烘。在完成了软烘工艺后,利用具有要求图形的掩模将光刻胶膜6曝光,显影,然后漂洗,从而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻胶膜6后所得结构示于图12C中,该图是图12B的倒置图。
然后,利用已构图的光刻胶膜6作掩模,利用腐蚀剂腐蚀存储室板1,从而在存储室板1中形成多个均匀隔开的储液室1a,如图12D所示。于是制成具有要求结构的微致动器。
从上述实施例可知,本发明的主要特征在于利用腐蚀工艺构图多层结构的各层,特别是至少一层氧化物压电层,制造具有多层结构的喷墨头微致动器。
尽管氧化物压电元件4设置于振动板2上,并且各压电元件与本发明上述实施例中的储液室1a垂直且中心对准,但也可以在与位于相邻储液室1a间的存储板1的各部分垂直和中心对准的振动板2的各部分上,分别设置另外的氧化物压电元件4,如图13所示。
图13的结构可以通过利用窄腐蚀宽度腐蚀氧化物压电片4制造。这种情况下,在相邻储液室1a之间限定的每个位置处及分别限定在储液室1a上的位置处形成形状相同的氧化物压电元件。在采用这种利用窄腐蚀宽度的腐蚀工艺时,由于腐蚀特性而具有以下几个优点,如图14所示。
即,通过利用窄腐蚀宽度的腐蚀工艺构图氧化物压电片4时,因为要腐蚀的面积减小,所以可以经济地实现构图,减少腐蚀时间,如图14所示。而且,没有或几乎没有负载效应。所以具有很好的可靠性。
这种情况下,还可以自动调节腐蚀深度。即,具有自限制效应。在图13所示的结构中,相邻存储室1a间不会发生串扰。因此,可以提高每个存储室的固有的排放频率。所以提高了性能。
根据上述一个实施例制造的微致动器中,可以在存储室板1的下表面上依次整体地或局部地层叠限制板7、沟道板8、限制板9和喷嘴板10,如图15所示。
振动板2最好是由厚3-200微米的金属薄板或厚5-300微米的陶瓷薄板构成。固定到振动板2上的存储室板1的厚度一般为50-1000微米。
在用金属薄板作振动板2时,金属薄板可以包括含10-30%的铬和70-90%的铁的不锈钢薄板,或含占总量90%以上的镍、铬、和钛的薄板。具体说,部分湿法腐蚀金属薄板使之具有要求的尺寸。可选择的是,可以利用冲压处理制造金属薄板,使之具有要求尺寸。还可以利用电形成工艺在分离的基片上形成金属薄板。
在用陶瓷薄板作振动板2时,可以包括含占总量80%以上的氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)和二氧化硅(SiO2)的薄板。将含氧化物粉的浆料成形为坯片,并烧结该坯片,也可以制造陶瓷薄板。可选择的是,将浆料成形为具有要求尺寸,然后烧结成形的浆料,由此制造陶瓷薄板。
下电极3最好是由导电金属或贵金属制成。下电极3是利用丝网印刷工艺或如溅射或蒸发工艺等汽相淀积工艺形成于振动板2上的。
分开制备的氧化物压电片4是借具有导电性的粘结剂粘结到下电极3上的。所以下电极3容易外连。
同时,在振动板2由导电金属材料构成时,可以不要下电极3。这种情况下,分开制备的氧化物压电片4可以直接粘结到振动板2上。另外,还可以利用丝网印刷工艺将氧化物压电片4直接形成于振动板2上。
所用振动板和粘结剂最好具有很好的耐酸性,以保证在利用主要含酸的腐蚀剂构图氧化物压电片4时不被腐蚀。
腐蚀工艺所采用的腐蚀剂可以是液相或气相的。利用液态腐蚀剂的腐蚀工艺被称为“湿法腐蚀”,而用气相腐蚀剂的腐蚀工艺被称为是“干法腐蚀工艺”。
湿法和干法工艺皆可用于腐蚀电极层形成上电极,及腐蚀氧化物压电片形成氧化物压电元件。然而,最好是采用干法腐蚀工艺形成上电极而不是形成氧化物压电元件。这是因为干法腐蚀工艺主要应用于小厚度薄膜。
粘结到振动板2或下电极3上的氧化物压电片4为厚约5-300微米的薄板形式。可以这样形成氧化物压电片4,形成薄板形坯片,然后烧结该坯片。另外,氧化物压电片4还可以由从一个主体上片切下来然后对其上下表面进行研磨形成的薄板构成。
氧化物压电片4可以具有含氧和包括占金属元素总量的40-60%的铅和钡的金属元素的钙钛矿结晶结构。一般情况下,这时采用的压电材料含95%以上的PZT(Pb(ZrTi)O3)、PLZT(Pb1-XLax(ZrTi)O3)、PZT-PMN(Pb(MnNb)O3)、PbTiO3、或BaTiO3。该压电材料可以另外含约5%以下的锶(Sr)、锰(Mn)、和铌(Nb)。
涂敷于下电极3或氧化物压电片4上的光刻胶膜6是这样层叠的,以约4000rpm的旋转速度在预定目标上旋涂液相光刻胶材料,或以干膜的形式在预定目标上层叠。
在约70-100℃的温度下软烘所涂的光刻胶膜6,并利用具有要求图形的掩模曝光,然后显影。
所涂的光刻胶膜6可以是负性或正性光刻胶材料。相对于所选的光刻胶材料,可以合适地确定显影液和漂洗液。
考虑到要利用腐蚀工艺构图氧化物压电片,最好是采用负性光刻胶材料,原因是负性光刻胶材料具有很高的耐酸性。
在根据上述方法制造微致动器时,可以使氧化物压电元件和上电极具有能够实现最佳喷射效率的的图形。而且,这些图形可以任意改变。因此,设计自由度相对提高。
常规情况下,要用昂贵的冲压机器来将氧化物压电片构图形成要求图形的氧化物压电元件,将电极层构图形成要求图形的上电极。而根据本是发明,构图工艺可以以化学方式实现。因此,不用任何昂贵的机器也容易制造。常规情况下,图形的变化涉及替换或附加昂贵设备。而本发明改变图形时只需要廉价地替换掩模。因此,从经济角度考虑本发明特别有益。
具体说,本发明的构图方法比常规采用的机械构图方法具有更好的精度。因此,形成微图形时本发明的方法最理想。所以所得致动器甚至其微细部分也具有提高了的性能。
而且,与通常情况采用的机械加工法相比,可以在减少加工时间的同时提高生产率,这获益于批量生产。
尽管为了展示的目的公开了本发明优选实施例,但所属领域的技术人员应理解,可以做出各种改形、附加和替换,而不会背离所附权利要求书所记载的本发明的范围和精神实质。
权利要求
1.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在与存储室板形成为一体的振动板上层叠下电极和氧化物压电片,所说存储室板具有多个均匀隔开的储液室;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;在所说第一光胶膜的所说不必要部分去除后,在包括保留于所说氧化物压电片上的所说第一光刻胶膜的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷要求厚度的电极层;利用漂洗液去掉所说保留的第一光刻胶膜,同时去掉位于所说保留的第一光刻胶膜上的那部分所说电极层,由此形成上电极;在形成所说上电极后,在包括所说上电极的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个表面上涂敷第二光刻胶膜;去掉未覆盖所说上电极的所说第二光刻胶膜的不必要部分,使所说第二光刻胶膜的各保留部分分别具有大于与之有关的上电极的面积;利用所说上电极上保留的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成氧化物压电元件;及去掉所说第二光刻胶膜。
2.如权利要求1所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
3.如权利要求1所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
4.如权利要求3所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
5.如权利要求1所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
6.如权利要求1所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
7.如权利要求1所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
8.如权利要求1所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
9.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在一个扁平振动板上层叠下电极和氧化物压电片;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;在所说第一光胶膜的所说不必要部分去除后,在包括保留于所说氧化物压电片上的所说第一光刻胶膜的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷要求厚度的电极层;利用漂洗液去掉所说保留的第一光刻胶膜,同时去掉位于所说保留的第一光刻胶膜上的那部分所说电极层,由此形成上电极;在形成所说上电极后,在包括所说上电极的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个表面上涂敷第二光刻胶膜;去掉未覆盖所说上电极的所说第二光刻胶膜的不必要部分,使所说第二光刻胶膜的各保留部分分别具有大于与之有关的上电极的面积;利用所说上电极上保留的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成氧化物压电元件;去掉所说第二光刻胶膜;及在所说振动板的下表面上层叠具有多个均匀隔开的储液室的存储室板。
10.如权利要求9所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
11.如权利要求9所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
12.如权利要求11所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
13.如权利要求9所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
14.如权利要求9所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
15.如权利要求9所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
16.如权利要求9所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
17.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在与存储室板形成为一体的振动板上层叠下电极和氧化物压电片,所说存储室板没有储液室;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;在所说第一光胶膜的所说部分去除后,在包括保留于所说氧化物压电片上的所说第一光刻胶膜的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷要求厚度的电极层;利用漂洗液去掉所说保留的第一光刻胶膜,同时去掉位于所说保留的第一光刻胶膜上的那部分所说电极层,由此形成上电极;在形成所说上电极后,在包括所说上电极的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个表面上涂敷第二光刻胶膜;去掉未覆盖所说上电极的所说第二光刻胶膜的不必要部分,使所说第二光刻胶膜的各保留部分分别具有大于与之有关的上电极的面积;利用所说上电极上保留的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成氧化物压电元件;去掉所说第二光刻胶膜;在所说存储室板的下表面上涂敷第三光刻胶膜,并去掉所说第三光刻胶膜的不必要部分;及利用腐蚀剂构图所说存储室板,从而形成多个均匀隔开的储液室。
18.如权利要求17所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
19.如权利要求17所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
20.如权利要求19所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
21.如权利要求17所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
22.如权利要求17所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
23.如权利要求17所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
24.如权利要求17所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
25.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在与存储室板形成为一体的振动板上层叠下电极、氧化物压电片和电极层,所说存储室板具有多个均匀隔开的储液室;在所说电极层的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用保留于所说电极层上的所说光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说电极层,从而形成上电极;在所说上电极形成后,在包括所说上电极的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖所说上电极的所说第二光刻胶膜的不必要部分,使所说第二光刻胶膜的各保留部分的面积分别大于与之有关的所说上电极;利用所说上电极上保留的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成氧化物压电元件;及去掉所说第二光刻胶膜。
26.如权利要求25所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
27.如权利要求25所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
28.如权利要求27所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
29.如权利要求25所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
30.如权利要求25所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
31.如权利要求25所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
32.如权利要求25所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
33.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在扁平振动板上层叠下电极、氧化物压电片和电极层,在所说电极层的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用保留于所说电极层上的所说光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说电极层,从而形成上电极;在所说上电极形成后,在包括所说上电极的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖所说上电极的所说第二光刻胶膜的不必要部分,使所说第二光刻胶膜的各保留部分的面积分别大于与之有关的所说上电极;利用所说上电极上保留的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成氧化物压电元件;去掉所说第二光刻胶膜;及在所说振动板的下表面上层叠具有多个均匀隔开的储液室的存储室板。
34.如权利要求33所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
35.如权利要求33所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
36.如权利要求35所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
37.如权利要求33所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
38.如权利要求33所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
39.如权利要求33所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
40.如权利要求33所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
41.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在与存储室板形成为一体的振动板上层叠下电极、氧化物压电片和电极层,所说存储室板没有储液室;在所说电极层的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用保留于所说电极层上的所说光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说电极层,从而形成上电极;在所说上电极形成后,在包括所说上电极的上表面和所说氧化物压电片的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖所说上电极的所说第二光刻胶膜的不必要部分,使所说第二光刻胶膜的各保留部分的面积分别大于与之有关的所说上电极;利用所说上电极上保留的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成氧化物压电元件;去掉所说第二光刻胶膜;在所说存储室板的下表面上涂敷第三光刻胶膜,并去掉所说第三光刻胶膜的不必要部分;及利用腐蚀剂构图所说存储室板,从而形成多个均匀隔开的储液室。
42.如权利要求41所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
43.如权利要求41所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
44.如权利要求43所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
45.如权利要求41所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
46.如权利要求41所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
47.如权利要求41所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
48.如权利要求41所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
49.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在与存储室板形成为一体的振动板上层叠下电极和氧化物压电片,所说存储室板具有多个均匀隔开的储液室;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用所说氧化物压电片上保留的所说第一光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成要求图形的氧化物压电元件;去掉所说保留的第一光刻胶膜;在形成所说氧化物压电元件后,在包括所说氧化物压电元件的上表面和所说下电极的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖所说氧化物压电元件的所说第二光刻胶膜的不必要部分;在所说第二光刻胶膜的所说去除后,在所得结构的整个暴露上表面上淀积电极层;及利用漂洗液去掉所说氧化物压电元件上保留的所说第二光刻胶膜,同时去掉所说第二光刻胶膜上的那部分所说电极层,从而形成上电极。
50.如权利要求49所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
51.如权利要求49所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
52.如权利要求51所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
53.如权利要求49所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
54.如权利要求49所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
55.如权利要求49所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
56.如权利要求49所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
57.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在扁平振动板上层叠下电极和氧化物压电片;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用所说氧化物压电片上保留的所说第一光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成要求图形的氧化物压电元件;去掉所说保留的第一光刻胶膜;在形成所说氧化物压电元件后,在包括所说氧化物压电元件的上表面和所说下电极的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖所说氧化物压电元件的所说第二光刻胶膜的不必要部分;在所说第二光刻胶膜的所说去除后,在所得结构的整个暴露上表面上淀积电极层;利用漂洗液去掉所说氧化物压电元件上保留的所说第二光刻胶膜,同时去掉所说第二光刻胶膜上的那部分所说电极层,从而形成上电极;及在所说振动板的下表面上层叠具有多个均匀隔开的储液室的存储室板。
58.如权利要求57所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
59.如权利要求57所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
60.如权利要求59所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
61.如权利要求57所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
62.如权利要求57所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的各部分上,与所说各储液室垂直且中心对准,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
63.如权利要求57所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
64.如权利要求57所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
65.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在与存储室板形成为一体的振动板上层叠下电极和氧化物压电片,所说存储室板没有储液室;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用所说氧化物压电片上保留的所说第一光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成要求图形的氧化物压电元件;去掉所说保留的第一光刻胶膜;在形成所说氧化物压电元件后,在包括所说氧化物压电元件的上表面和所说下电极的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖所说氧化物压电元件的所说第二光刻胶膜的不必要部分;在所说第二光刻胶膜的所说去除后,在所得结构的整个暴露上表面上淀积电极层;利用漂洗液去掉所说氧化物压电元件上保留的所说第二光刻胶膜,同时去掉所说第二光刻胶膜上的那部分所说电极层,从而形成上电极;在所说存储室板的下表面上涂敷第三光刻胶膜,并去掉所说第三光刻胶膜的不必要部分;及利用腐蚀剂构图所说存储室板,从而形成多个均匀隔开的储液室。
66.如权利要求65所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
67.如权利要求65所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
68.如权利要求67所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
69.如权利要求65所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
70.如权利要求65所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
71.如权利要求65所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
72.如权利要求65所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
73.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在与存储室板形成为一体的振动板上层叠下电极和氧化物压电片,所说存储室板具有多个均匀隔开的储液室;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用所说氧化物压电片上保留的所说第一光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成要求图形的氧化物压电元件;去掉所说保留的第一光刻胶膜;在形成所说氧化物压电元件后,在包括所说氧化物压电元件的上表面和所说下电极的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,淀积电极层;在所说电极层的上表面上涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖氧化物压电元件的所说第二光刻胶膜的不必要部分;利用保留于所说电极层上的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂去掉所说电极层的不必要部分,从而形成上电极;及去掉所说保留的第二光刻胶膜。
74.如权利要求73所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
75.如权利要求73所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
76.如权利要求75所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
77.如权利要求73所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
78.如权利要求73所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
79.如权利要求73所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
80.如权利要求73所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
81.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在扁平振动板上层叠下电极和氧化物压电片;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用所说氧化物压电片上保留的所说第一光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成要求图形的氧化物压电元件;去掉所说保留的第一光刻胶膜;在形成所说氧化物压电元件后,在包括所说氧化物压电元件的上表面和所说下电极的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,淀积电极层;在所说电极层的上表面上涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖氧化物压电元件的所说第二光刻胶膜的不必要部分;利用保留于所说电极层上的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂去掉所说电极层的不必要部分,从而形成上电极;去掉所说保留的第二光刻胶膜;及在所说振动板的下表面上层叠具有多个均匀隔开的储液室的存储室板。
82.如权利要求81所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
83.如权利要求81所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
84.如权利要求83所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
85.如权利要求81所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
86.如权利要求81所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的与所说各储液室垂直且中心对准的各部分上,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
87.如权利要求81所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
88.如权利要求81所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
89.一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,包括以下步骤依次在与存储室板形成为一体的振动板上层叠下电极和氧化物压电片,所说存储室板没有储液室;在所说氧化物压电片的上表面上涂敷第一光刻胶膜,并去掉所说第一光刻胶膜的不必要部分;利用所说氧化物压电片上保留的所说第一光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂构图所说氧化物压电片,从而形成要求图形的氧化物压电元件;去掉所说保留的第一光刻胶膜;在形成所说氧化物压电元件后,在包括所说氧化物压电元件的上表面和所说下电极的暴露上表面部分的所得结构的整个暴露上表面上,淀积电极层;在所说电极层的上表面上涂敷第二光刻胶膜,并去掉未覆盖氧化物压电元件的所说第二光刻胶膜的不必要部分;利用保留于所说电极层上的所说第二光刻胶膜作掩模,用腐蚀剂去掉所说电极层的不必要部分,从而形成上电极;去掉所说保留的第二光刻胶膜;在所说存储室板的下表面上涂敷第三光刻胶膜,并去掉所说第三光刻胶膜的不必要部分;及利用腐蚀剂构图所说存储室板,从而形成多个均匀隔开的储液室。
90.如权利要求89所述的方法,其中所说振动板由厚3-200微米的金属薄板构成。
91.如权利要求89所述的方法,其中所说振动板由厚5-300微米的陶瓷薄板构成。
92.如权利要求91所述的方法,其中将含氧化物粉的浆料成形为坯片,然后烧结坯片,由此形成所说陶瓷薄板。
93.如权利要求89所述的方法,其中将氧化物压电材料成形为厚10-300微米的薄板,然后烧结所说薄板,由此形成所说氧化物压电片。
94.如权利要求89所述的方法,其中在所说氧化物压电片的所说构图步骤,利用窄腐蚀宽度腐蚀所说氧化物压电片,使所说各氧化物压电片位于所说振动板的各部分上,与所说各储液室垂直且中心对准,与所说存储室板的各部分垂直且中心对准的所说振动板的各部分分别对应于相邻储液室间限定的区域。
95.如权利要求89所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用腐蚀液湿法腐蚀所说氧化物压电片。
96.如权利要求89所述的方法,其中在所说氧化物压电片构图步骤,利用等离子腐蚀气体干法腐蚀氧化物压电片。
全文摘要
一种制造用于喷墨头的微致动器的方法,利用主要用于制造半导体器件的构图工艺,容易形成具有要求图形的氧化物压电元件和上电极。该方法包括以下步骤:依次层叠振动板、下电极、氧化物压电片、和电极层;构图电极层,从而形成要求图形的上电极;并利用上电极作掩模,用腐蚀工艺构图氧化物压电片,从而形成要求图形的氧化物压电元件。
文档编号B41J2/14GK1226478SQ981258
公开日1999年8月25日 申请日期1998年12月22日 优先权日1998年2月19日
发明者金日 申请人:三星电机株式会社
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