主动矩阵式有机电激发光显示面板及其制作方法

专利名称：主动矩阵式有机电激发光显示面板及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光显示面板及其制作方法，特别是涉及一种主动矩 阵式有机电激发光显示面板及其制作方法。
背景技术：
资讯通讯产业已成为现今的主流产业，特别是携带型的各式通讯显示 产品更是发展的重点，而平面显示器为人与资讯的沟通界面，因此其发展
显得特别重要。目前应用在平面显示器的技术主要有下列几种电浆显示 器(Plasma Display Panel, PDP)、液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)、无机电致发光显示器(Electro-luminescent Display),发光二极管 (Light Emitting Diode, LED)、真空荧光显示器(Vacuum Fluorescent Display),场致发射显示器(Field Emission Display, FED)以及电变色显 示器(Electro-chromic Display)等。相较于其他平面显示技术，有机电激 发光显示面板因其具有自发光、无视角依存、省电、制程简易、低成本、 低操作温度范围、高应答速度以及全彩化等优点，而具有极大的应用潜力， 可望成为下一代的平面显示器的主流。
图1是现有习知的驱动电路的电路图。请参阅图1，现有习知的驱动电 路100适于与一高电压源V。。以及一低电压源Vcx搭配，以驱动一有机电激发 光元件0EL。现有习知的驱动电路100包括一扫描线110、 一资料线120以 及一控制单元130。其中，控制单元130电性耦接至扫描线110、资料线 以及高电压源VDD,且有机电激发光元件0EL电性耦接于控制单元130与低
电压源Vcx之间。
一般而言，高电压源V。D为正电压，而低电压源Vo:的电压
通常为0伏特(处于接地状态)。
由图1可知，驱动电路10 0中的控制单元13 0是由两个薄膜电晶体T1 、 T2以及一个电容器C所构成。其中，薄膜电晶体T1具有闸极G1、源极Sl 以及汲极D1，而闸极G1电性耦接至扫描线110，且汲极D1电性耦接至资 料线120。此外，薄膜电晶体T2具有闸极G2、源极S2以及汲极D2，闸极 G2电性耦接至Sl源极，而汲极D2电性耦接至高电压源VDD，且源极S2则 电性耦接至有机电激发光元件0EL。值得注意的是，在现有习知的驱动电路 100中，电容器C电性电性耦接于第二闸极G2以及汲极D2之间。
当一扫描讯号V，传送至扫描线110时，薄膜电晶体Tl会被开启，此 时，从资料线120所传送的电压讯号V隨便会透过薄膜电晶体Tl施加于薄
膜电晶体T2的闸极G2上，而施加于闸极G2上的电压讯号V隨可控制流经 薄膜电晶体T2以及有机电激发光元件OEL的电流I，以控制有机电激发光 元件OEL所欲显示的亮度。在资料线120所传送的电压讯号V隨施加于闸极 G2的同时，电压讯号V,亦会对电容器C进行充电的动作，且其参考电压 为高电压源V。D。换言之，当电压讯号V。ATA施加于闸极G2时，电容器C会记 录其两端的跨压(I V随-VDD I )。理想状态下，当薄膜电晶体Tl被关闭 时，电容器C可有效地维持施加于薄膜电晶体T2的闸极G2上的电压(VDATA), 但实际上，在长时间的操作后，薄膜电晶体T2的源极S2的电压Vs常会有 向上飘移的现象，使得闸极G2与源极S2的电压差Vgs逐渐变小，进而造成 控制有机电激发光元件OEL所欲显示的亮度衰减。
由上述可知，驱动电路100中的控制单元130仍然无法十分稳定地控 制通过有机电激发光元件OEL的电流I,而如何使通过有机电激发光元件 OEL的电流I更为稳定，将是有机电激发光显示面板在制造上会面临到的问 题。
由此可见，上述现有的有机电激发光显示面板在结构与使用上，显然 仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题， 相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计 被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是 相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的有机电激发光显示 面板，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的有机电激发光显示面板存在的缺陷，本发明人基于 从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运 用，积极加以研究创新，以期创设一种新型主动矩阵式有机电激发光显示 面板，能够改进一般现有的有机电激发光显示面板，使其更具有实用性。 经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具 实用价值的本发明。

发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的有机电激发光显示面板存在的缺 陷，而提供一种新型的主动矩阵式有机电激发光显示面板及其制作方法，所 要解决的技术问题是使有机电激发光元件稳定地发光，并使主动矩阵式有 机电激发光显示面板具有稳定的影像品质。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于包括一
基板; 一有机电激发光元件阵列，包括多个阵列排列的有机电激发光元件，且
该有机电激发光元件阵列的多个阳极配置于该基板上； 一驱动电路阵列，配 置于该有机电激发光元件阵列上，该驱动电路阵列包括多个阵列排列的驱 动电路，其中该些驱动电路适于与一高电压源以及一低电压源搭配，以驱
动对应的有机电激发光元件，而每一驱动电路包括 一扫描线； 一资料线；以 及一控制单元，电性耦接至该扫描线、该资料线以及该低电压源，且对应的 有机电激发光元件电性耦接于该控制单元与该高电压源之间；以及一绝缘 层，配置于该基板上，且位于该有机电激发光元件阵列与该驱动电路阵列 之间，该绝缘层暴露部分每一有机电激发光元件。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其中所述的高电压源的电 压为V1伏特，而该低电压源的电压为V2伏特，且V1 〉 V2 = 0。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其中所述的每一控制单元 包括 一第一薄膜电晶体，具有一第一闸极、 一第一源极以及一第一汲极,其 中该第一闸极电性耦接至该扫描线，且该第一汲极电性耦接至该资料线；一 第二薄膜电晶体，具有一第二闸极、 一第二源极以及一第二汲极，其中该 第二闸极电性耦接至该第一源极，而该第二源极电性耦接至该低电压源，且 该第二汲极电性耦接至对应的有机电激发光元件；以及一电容器，电性耦 接于该第二闸极以及该第二源极之间。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其中所述的第一薄膜电晶 体与该第二薄膜电晶体为非晶硅薄膜电晶体。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其中所述的第一薄膜电晶 体与该第二薄膜电晶体为低温多晶硅薄膜电晶体。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其中所述的第一薄膜电晶 体与该第二薄膜电晶体为有机硅薄膜电晶体。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，中所述的有机电激发光元 件阵列更包括 一汇流线，电性耦接至该些阳极，以使该些阳极同时电性 耦接至该高电压源；多个有机官能层，配置于该些阳极上；以及多个彼此 电性绝缘的阴极，分别配置于对应的有机官能层上，而每一阴极分别与对 应的第二汲极电性耦接。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其中所述的阳极为多个条 状电极，而该些条状电极的延伸方向平行于该些扫描线的延伸方向，且该 汇流线的延伸方向垂直于该些扫描线的延伸方向。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于更包括一保护 层，配置于该绝缘层上。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于更包括一阻隔 图案，配置于该保护层上，以使该些阴极彼此电性绝缘。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于更包括 一有
机材料层，配置于该阻隔图案上；以及一导电材料层，配置于该有机材料 层上，其中该有机材料层的材料与该些有机官能层的材料相同，且该导电 材料层的材料与该些阴极的材料相同。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其中所述的每一有机官能 层包括 一电洞传输层，配置于对应的阳极上； 一有机电激发光层，配置 于该电洞传输层上；以及一电子传输层，配置于该有机电激发光层上。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其中所述的有机电激发光 元件阵列包括 一共用阳极，配置于该基板上，而该共用阳极电性耦接至 该高电压源；多个有机官能层，配置于该共用阳极上；以及多个彼此电性 绝缘的阴极，分别配置于对应的有机官能层上，而每一阴极分别与对应的 第二汲极电性耦接。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于更包括一保护 层，配置于该绝缘层上。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于更包括一阻隔 图案，配置于该保护层上，以使该些阴极彼此电性绝缘。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于更包括 一有 机材料层，配置于该阻隔图案上；以及一导电材料层，配置于该有机材料 层上，其中该有机材料层的材料与该些有机官能层的材料相同，且该导电 材料层的材料与该些阴极的材料相同。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于其中所述的每 一有机官能层包括 一电洞传输层，配置于该共用阳极上； 一有机电激发 光层，配置于该电洞传输层上；以及一电子传输层，配置于该有机电激发 光层上。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于其中所述的共 同阳极中具有多个开口，而该些控制单元位于该些开口上方。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作方法，包括在 一基板上形成一第一导电层；在该基板上形成一绝缘层，该绝缘层暴露出 部分该导电层；在该绝缘层上形成一驱动电路阵列；在该绝缘层上形成一 保护层；在该绝缘层所暴露的该导电层上形成一有机官能层；以及在该基 板上形成图案化的第二导电层，该第二导电层位于该有机官能层上，且与
该驱动电路阵列电性耦接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作方法名称，其中所述
的第一导电层为多个条状导电材料层。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作方法，其特征在于更
包括在形成该第 一导电层之后以及形成该绝缘层之前，在该基板与部分该 第 一导电层上形成一汇流线。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作方法，其特征在于更 包括在形成该保护层之后以及在形成该有机官能层之前，在该保护层上形 成一阻隔图案。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作方法，其中所述的有 机官能层的形成方法包括喷墨印刷制程或使用遮罩搭配沉积制程。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作方法，其特征在于更 包括在形成该有机官能层之后以及在形成该第二导电层之前，在该保护层 上形成一阻隔图案。
前述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作方法，其中所述的第 二导电层的形成方法包括使用遮罩搭配沉积制程。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案
;'J优点本发明将有机4激发光元件电性耦接于控制单元与高电压源之间， 以使得驱动电流在控制单元的控制下，依序流经有机电激发光元件以及控 制单元，因此本发明的驱动电路可使有机电激发光元件稳定地发光。
综上所述，本发明是有关于一种主动矩阵式有^L电激发光显示面板,其 包括基板、有机电激发光元件阵列、驱动电路阵列与绝缘层。有机电激发 光元件阵列的多个阳极配置于基板上。驱动电路阵列配置于有机电激发光 元件阵列上。绝缘层配置于基板上，且位于有机电激发光元件阵列与驱动 电路阵列之间，绝缘层暴露部分每一个有机电激发光元件。每一个驱动电 路包括扫描线、资料线与控制单元。控制单元电性耦接至扫描线、资料线 以及低电压源，且对应的有机电激发光元件电性耦接于控制单元与高电压 源之间。本发明的驱动电路可使有机电激发光元件稳定地发光。本发明具 有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进， 在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的有机电 激发光显示面板具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的 广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细说明如下。


图1是现有习知的驱动电路的电路图。图2是依照本发明的驱动电路的电路图。
图3A至图3G是依照本发明实施例所绘示的主动矩阵式有机电激发光
显示面板的制作流程剖面图。
图4A是依照本发明另一实施例所绘示的有机电激发光显示元件的阳极
的示意图。
图4B是依照本发明又一实施例所绘示的有机电激发光显示元件的阳极的示意图。
100、 200:驱动电路110、 210:扫描线
120、 220:资料线130、 230:控制单元
200a:驱动电路阵列300:基板
302、 314:导电层302a、 302b:导电材料层
303:开口304:汇流线
306:绝缘层308:保护层
310:接触窗312:阻隔图案
316:有机电激发光元件阵列Vcc:低电压源
VDD:高电压源VSCAN:扫描讯号
VDATA:高电压源OEL:有机电激发光元件
Tl、 T2:薄膜电晶体Gl、 G2:闸极
Sl、 S2:源极Dl、 D2:汲极
C:电容器I: 电流
HTL:电洞传输层R、 G、 B:有机电激发光层
ETL:电子传输层
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的主动矩阵式有机电激 发光显示面板及其制作方法，其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详
细i兌明如后。
图2是依照本发明的驱动电路的电路图。请参阅图2,本发明的驱动电
路200适于与一高电压源V。。以及一低电压源Vee搭配，以驱动一有机电激发
光元件OEL。由图2可知，驱动电路200包括一扫描线210、 一资料线220 以及一控制单元230。其中，控制单元230电性耦接至扫描线210、资料线 "0以及低电压源Vcx，且有机电激发光元件OEL电性耦接于控制单元230 与高电压源V。。之间。在本发明的较佳实施例中，高电压源V。。所提供的电压 为正电压(Vl伏特)，而低电压源L所提供的电压(V2伏特)为正电压或 负电压，且V1 > V2。当然，低电压源Vcc亦可以是接地，意即V2 = 0。
本发明的驱动电路200中，控制单元230可采用多种不同的电路布局 (circuit layout),如2T1C架构、4T1C架构等，本发明以下虽仅举2T1C
架构为例子进4于i兌明，^f旦本发明并非用以限定本发明的电路连4妻方式〗又适
用于2T1C架构中，任何熟习此项技艺的人士，当可将本发明所揭露的电路 连接方式与4T1C架构或是其他架构的控制单元进行整合。
由图2可知，在本发明的较佳实施例中，控制单元230包括一第一薄 膜电晶体T1、 一第二薄膜电晶体T2以及一电容器C。其中，第一薄膜电晶 体T1具有一第一闸极G1、 一第一源极S1以及一第一汲极D1，而第一闸极 Gl电性耦接至扫描线210,且第一汲极D1电性耦接至资料线D1。第二薄膜 电晶体T2具有一第二闸极G2、 一第二源极S2以及一第二汲极D2，第二闸 极G2电性耦接至第一源极Sl,而第二源极S2电性耦接至低电压源Vcx,且 第二汲极D2电性耦接至有机电激发光元件0EL。此外，由图2可清楚得知， 有机电激发光元件0EL具有一电性耦接至高电压源V。。的阳极(+)以及一电 性耦接至第二汲极D2的阴极(-)。
值得注意的是，在本发明的驱动电路200中，电容器C电性电性耦接 于第二闸极G2以及第二源极S2之间，以有效地维持第二闸极G2以及第二 源极S2之间的电压差，进而避免通过有机电激发光元件0EL的电流因长时 间操作而发生亮度衰减的问题。
在本发明的较佳实施例中，第一薄膜电晶体Tl与第二薄膜电晶体T2 可为非晶硅薄膜电晶体、低温多晶硅薄膜电晶体或有机薄膜电晶体。除此 之外，第一薄膜电晶体Tl与第二薄膜电晶体T2可以是顶闸极型态的薄膜 电晶体(top gate TFT)或是底电极型态的薄膜电晶体(bottom gate TFT)。
当一扫描讯号V，传送至扫描线210时，第一薄膜电晶体Tl会被开启， 此时，从资料线220所传送的电压讯号V,便会透过第一薄膜电晶体Tl施 加于第二薄膜电晶体T2的第二闸极G2上，而施加于第二闸极G2上的电压 讯号V随可控制流经第二薄膜电晶体T2以及有机电激发光元件OEL的电流 I,以控制有机电激发光元件OEL所欲显示的亮度。在资料线220所传送的 电压讯号V隨施加于第二闸极G2的同时，电压讯号V随亦会对电容器C进 行充电的动作，且其参考电压为低电压源Vce。换言之，当电压讯号V隨施 加于第二闸极G2时，电容器C会记录其两端的跨压(I VDATA - Vrc I )。在 本发明的驱动电路中，当第 一薄膜电晶体T1被关闭时，电容器C将可有效地 维持施加于第二薄膜电晶体T2的第二闸极G2上的电压(VDATA)，此外，在长 时间的操作后，由于电容器C是电性耦接于第二闸极G2与第二源极S2，因此 第二源极S2的电压Vs便不会有严重地飘移现象。换言之，第二闸极G2与 第二源极S2的电压差Vgs亦不会有太大的变化，如此设计将可有效地控制通 过有机电激发光元件0EL的电流I,以使得有机电激发光显示面板的显示品 质更为稳定。
本发明将举实施例进行详细的说明如下，以阐述如何将图2中的驱动 电路200制作于主动矩阵式有机电激发光显示面板上。
图3A至图3G为依照本发明实施例所绘示的主动矩阵式有机电激发光
显示面板的制作流程剖面图。首先，请参照图3A，提供基+反300,并在基 板300上形成导电层302。导电层302可作为本发明的动矩阵式有机电激发 光显示面板中的有机电激发光显示元件的阳极之用。导电层302的材料例 如是铟锡氧化物、铟锌氧化物或是其他透明/不透明的导电材料。在本实施 例中，导电层302例如为多个条状导电材料层。然后，在基板300与部分 导电层302上形成汇流线304，以与导电层302电性耦接，使多个导电层 302同时电性耦接至高电压源VDD。汇流线304的材料例如是金属、合金或
是其他透明/不透明的导电材料。
接着，请参阅图3B，在基板300上形成绝缘层306，以将导电层302 以及汇流线304与后续所形成的驱动电路阵列电性隔离。此外，绝缘层306 暴露出部分导电层302，也就是有机电激发光显示元件用以显示的区域。继 之，在绝缘层306上形成驱动电路阵列200a。驱动电路阵列200a包括多个 阵列排列的驱动电路200。有关于各个驱动电路200中的构件(如扫描线 210、资料线220、控制单元230、第一薄膜电晶体T1、第二薄膜电晶体T2、 电容器C以及低电压源Vcx等)以及各构件之间的电性耦接关系，已在图2 的相关说明中叙述，故在此不再重述。
值得注意的是，上述的扫描线210、资料线220以及控制单元230中的 第一薄膜电晶体T1、第二薄膜电晶体T2与电容器C皆可采用目前的薄膜电 晶体阵列制程(TFT-array process)来制作，如非晶硅薄膜电晶体阵列制程、 低温多晶硅薄膜电晶体阵列制程、有机薄膜电晶体阵列制程等。
此外，在本实施例中，导电层302的延伸方向平行于扫描线210的延 伸方向，且汇流线304的延伸方向垂直于扫描线210的延伸方向。当然，导 电层302的延伸方向亦可以是平行于资料线220的延伸方向或是设计成其 他延伸方向，且汇流线304的延伸方向随着导电层302的延伸方向而改变。
特别一提的是，上述有机电激发光显示元件的阳极除了可以是由多个 条状导电层组成之外，也可以是由一整块导电材料层302a所形成的共用阳 极(请参照图4A),或者也可以是其中具有多个开口 303的图案化导电材料 层302b所形成的共用阳极(请参照图4B)，而开口 303暴露出部分基底300。 也就是说，导电材料层302b中具有多个开口 303，而后续所形成的驱动电 路200中的第一薄膜电晶体T1与第二薄膜电晶体T2则位于开口 303上方 的绝缘层306上。重要的是，当有机电激发光显示元件的阳极为共用阳极 时，可以省去制作汇流线304的步骤。
然后，请参阅图3C，在绝缘层306上形成保护层308。保护层308将 驱动电路阵列200a覆盖住，且保护层308具有多个接触窗310，以暴露出 部分第二汲极D2。保护层308的材料例如是聚酰亚胺(polyimide)、环氧树 脂(epoxy)或是其他材质。而后，在308保护层上形成阻隔图案312。阻隔 图案312用以定义出后续所形成的阴极的位置。阻隔图案312的材料例如 为介电材料，且阻隔图案312的侧壁(sidewall)为底切的轮廓(under-cut
profile),以使得后续所形成的膜层能够自然地被阻隔图案312分离成各 自独立的薄膜图案(individual film patterns)。
然后，请参阅图3D 图3F，在形成阻隔图案312之后，在导电层302 上形成有机官能层。由于阻隔图案312具有将膜层自动分离的功能，因此 在形成有机官能层的同时，阻隔图案312上也会形成有机材料层，且有机 材料层的材料与有机官能层的材料相同。在本实施例中，有机官能层例如 是依序形成于导电层302上的电洞传输层HTL、有机电激发光层R、 G、 B以 及电子传输层ETL，且各层有机薄膜可釆用蒸镀、喷墨印刷等方式制作。
之后，请参阅图3G，在各个有机官能层上形成彼此电性绝缘的导电层
示元件的阴极之用。此外，导^层314藉由接触窗310与驱动电路阵列200a 的各个第二汲极D2电性耦接。由于阻隔图案312具有将膜层自动分离的功 能，因此在形成导电层314的同时，有机材料层上会形成导电材料层，且 导电材料层的材料与导电层314的材料相同，例如为铝金属。
特别一提的是，上述电洞传输层HTL、有机电激发光层R、 G、 B以及电 子传输层ETL的图案化不一定是要透过阻隔图案312,在其他实施例中亦可 采用其他方式来进行这些膜层的图案化，例如利用遮罩(shadow mask)并 搭配沉积制程，或者使用喷墨印刷制程，而省去阻隔图案312的制作步骤。 此外，当省去阻隔图案312的制作步骤时，在形成电洞传输层HTL、有机电 激发光层R、 G、 B以及电子传输层ETL之后，可以形成另一个阻隔图案以 形成彼此电性绝缘的导电层314,或者也可以遮罩搭配沉积制程来形成导电 层314。
值得注意的是，在彼此电性绝缘的导电层314制作完成之后，各个有 机电激发光元件OEL便已被视为制作完成，此时，由有机电激发光元件0EL 阵列排列而成的有机电激发光元件阵列316亦被视为制作完成。
以下将以图3G来说明本发明的主动矩阵式有机电激发光显示面板。
请参阅图3G,本发明的主动矩阵式有机电激发光显示面板包括基板 300、有机电激发光元件阵列316、驱动电路阵列200a与绝缘层(未绘示)。 有机电激发光元件阵列316包括多个阵列排列的有机电激发光元件，且有 机电激发光元件阵列316的阳极(导电层302)配置于基板300上。驱动电路 阵列200a配置于有机电激发光元件阵列316上。绝缘层配置于基板300上， 且位于有机电激发光元件阵列316与驱动电路阵列200a之间，以使有机电 激发光元件阵列316与驱动电路阵列200a电性隔离。绝缘层暴露部分的每 一个有机电激发光元件。
驱动电路阵列200a包括多个阵列排列的驱动电路200，其中驱动电路
200适于与高电压源V。。以及低电压源Vo;搭配，以驱动对应的有机电激发光
元件。有关于各个驱动电路200中的构件以及各构件之间的电性耦接关系， 已在图2的相关说明中叙述，故在此不再重述。
在本实施例中，有机电激发光元件阵列316还包括汇流线3(M、有机官 能层与多个彼此电性绝缘的阴极(导电层314)。上述的阳极(导电层302)例 如为多个条状电极，而条状电极的延伸方向例如是平行于扫描线210的延 伸方向。汇流线304电性耦接至阳极(导电层302),以使所有的阳极(导电 层302)同时电性耦接至高电压源VDD。汇流线304的延伸方向例如是垂直于 扫描线210的延伸方向。当然，条状阳极(导电层302)的延伸方向亦可以是 平行于资料线220的延伸方向或是设计成其他延伸方向，且汇流线304的 延伸方向随着条状阳极(导电层302)的延伸方向而改变。
有机官能层配置于阳极(导电层302)上。有机官能层例如包括依序配置 于阳极(导电层302)上的电洞传输层HTL、有机电激发光层R、 G、 B以及电 子传输层ETL。阴极(导电层314)分别配置于对应的有机官能层上，并分别 与对应的第二汲极D2电性耦接。
此外，保护层308选择性地配置于绝缘层上，而阻隔图案312选择性 地配置于保护层308上，以使阴极(导电层314)彼此电性绝缘。保护层308 具有多个接触窗310，而阴极(导电层314)则藉由接触窗310与第二汲极D2 电性耦接。另外，有机材料层(未绘示)配置于阻隔图案312上，而导电材 料层(未绘示)配置于有机材料层上。有机材料层的材料与有机官能层的材 料相同，且导电材料层的材料与阴极(导电层314)的材料相同。
特别一提的是，阳极(导电层302)除了可以是由多个条状电极之外，也 可以是块状的共同电极。在另一实施例中，当阳极为共同电极(即图4A中 的导电材料层302a)时，则可以省去汇流线304的配置。此外，在又一实施 例中，共同电极(即图4B中的导电材料层302b)中还可以具有多个开口 303, 而第一薄膜电晶体Tl与第二薄膜电晶体T2则位于开口 303上方的绝缘层 上。
综上所述，由于本发明将有机电激发光元件电性耦接于控制单元与高 电压源之间，使得驱动电流在控制单元的控制下，依序流经有机电激发光 元件以及控制单元本发明的驱动电路，因此本发明可使主动矩阵式有机电 激发光显示面板具备较佳的显示品质。此外，本发明的主动矩阵式有机电 激发光显示面板在制作上与现有制程相容，且不会造成过度的成本负担。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围 内。
权利要求
1、一种主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于包括一基板；一有机电激发光元件阵列，包括多个阵列排列的有机电激发光元件，且该有机电激发光元件阵列的多个阳极配置于该基板上；一驱动电路阵列，配置于该有机电激发光元件阵列上，该驱动电路阵列包括多个阵列排列的驱动电路，其中该些驱动电路适于与一高电压源以及一低电压源搭配，以驱动对应的有机电激发光元件，而每一驱动电路包括一扫描线；一资料线；以及一控制单元，电性耦接至该扫描线、该资料线以及该低电压源，且对应的有机电激发光元件电性耦接于该控制单元与该高电压源之间；以及一绝缘层，配置于该基板上，且位于该有机电激发光元件阵列与该驱动电路阵列之间，该绝缘层暴露部分每一有机电激发光元件。
2、 根据权利要求1所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征 在于其中所述的高电压源的电压为VI伏特，而该低电压源的电压为V2伏 特，且V1 > V2 = 0。
3、 根据权利要求1所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于其中所述的每一控制单元包括一第一薄膜电晶体，具有一第一闸极、 一第一源极以及一第一汲极，其中该第 一闸极电性耦接至该扫描线，且该第 一汲极电性耦接至该资料线；一第二薄膜电晶体，具有一第二闸极、 一第二源极以及一第二汲极，其 中该第二闸极电性耦接至该第一源极，而该第二源极电性耦接至该低电压 源，且该第二汲极电性耦接至对应的有机电激发光元件；以及 一电容器，电性耦接于该第二闸极以及该第二源极之间。
4、 根据权利要求3所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于其中所述的第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体为非晶硅薄膜电晶 体。
5、 根据权利要求3所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征 在于其中所述的第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体为低温多晶硅薄膜电 晶体。
6、 根据权利要求3所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征 在于其中所述的第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体为有机硅薄膜电晶 体。
7、 根据权利要求3所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征 在于其中所述的有^^几电激发光元件阵列更包括一汇流线，电性耦接至该些阳极，以使该些阳极同时电性耦接至该高 电压源；多个有机官能层，配置于该些阳极上；以及多个彼此电性绝缘的阴极，分别配置于对应的有机官能层上，而每一 阴极分别与对应的第二汲极电性耦接。
8、 根据权利要求7所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征 在于其中所述的阳极为多个条状电极，而该些条状电极的延伸方向平行于 该些扫描线的延伸方向，且该汇流线的延伸方向垂直于该些扫描线的延伸 方向。
9、 根据权利要求7所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征 在于更包括一保护层，配置于该绝缘层上。
10、 根据权利要求9所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特 征在于更包括一阻隔图案，配置于该保护层上，以使该些阴极彼此电性绝 缘。
11、 根据权利要求10所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特 征在于更包括一有机材料层，配置于该阻隔图案上；以及 一导电材料层，配置于该有机材料层上，其中该有机材料层的材料与该些有机官能层的材料相同，且该导电材 料层的材料与该些阴极的材料相同。
12、 根据权利要求7所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特 征在于其中所述的每一有机官能层包括一电洞传输层，配置于对应的阳极上； 一有机电激发光层，配置于该电洞传输层上；以及 一电子传输层，配置于该有机电激发光层上。
13、 根据权利要求3所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特 征在于其中所述的有机电激发光元件阵列包括一共用阳极，配置于该基板上，而该共用阳极电性耦接至该高电压源； 多个有机官能层，配置于该共用阳极上；以及多个彼此电性绝缘的阴极，分别配置于对应的有机官能层上，而每一 阴极分别与对应的第二汲极电性耦接。
14、 根据权利要求13所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于更包括一保护层，配置于该绝缘层上。
15、 根据权利要求14所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于更包括一阻隔图案，配置于该保护层上，以使该些阴极彼此电性绝缘。
16、 根据权利要求15所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特 ;f正在于更包4舌一有机材料层，配置于该阻隔图案上；以及 一导电材^F层，配置于该有机材料层上，其中该有机材料层的材料与该些有机官能层的材料相同，且该导电材料层的材料与该些阴极的材料相同。
17、 根据权利要求13所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特征在于其中所述的每一有机官能层包括 一电洞传输层，配置于该共用阳极上； 一有机电激发光层，配置于该电洞传输层上；以及 一电子传输层，配置于该有机电激发光层上。
18、 根据权利要求13所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板，其特 征在于其中所述的共同阳极中具有多个开口，而该些控制单元位于该些开 口上方。
19、 一种主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作方法，包括 在一基板上形成一第一导电层；在该基板上形成一绝缘层，该绝缘层暴露出部分该导电层；在该绝缘层上形成一驱动电路阵列；在该绝缘层上形成一保护层；在该绝缘层所暴露的该导电层上形成一有机官能层；以及 在该基板上形成图案化的第二导电层，该第二导电层位于该有机官能 层上，且与该驱动电路阵列电性耦接。
20、 根据权利要求19所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作 方法名称，其特征在于其中所述的第一导电层为多个条状导电材料层。方法，其特征在于更包括在形成该第 一导^层之后以及形成该绝缘层之前， 在该基板与部分该第 一导电层上形成一汇流线。
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22、 根据权利要求19所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作 方法，其特征在于更包括在形成该保护层之后以及在形成该有机官能层之 前，在该保护层上形成一阻隔图案。
23、 根据权利要求19所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作 方法，其特征在于其中所述的有机官能层的形成方法包括喷墨印刷制程或 使用遮罩搭配沉积制程。
24、 根据权利要求23所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作 方法，其特征在于更包括在形成该有机官能层之后以及在形成该第二导电 层之前，在该保护层上形成一阻隔图案。
25、 根据权利要求19所述的主动矩阵式有机电激发光显示面板的制作 方法，其特征在于其中所述的第二导电层的形成方法包括使用遮罩搭配沉 积制程。
全文摘要
本发明是有关一种主动矩阵式有机电激发光显示面板，其包括基板、有机电激发光元件阵列、驱动电路阵列与绝缘层。有机电激发光元件阵列的多个阳极配置于基板上。驱动电路阵列配置于有机电激发光元件阵列上。绝缘层配置于基板上，且位于有机电激发光元件阵列与驱动电路阵列之间，绝缘层暴露部分每一个有机电激发光元件。每一个驱动电路包括扫描线、资料线与控制单元。控制单元电性耦接至扫描线、资料线以及低电压源，且对应的有机电激发光元件电性耦接于控制单元与高电压源之间。本发明的驱动电路可使有机电激发光元件稳定地发光。
文档编号G09G3/30GK101192368SQ20061016086
公开日2008年6月4日 申请日期2006年11月30日 优先权日2006年11月30日
发明者陈彦君 申请人:铼宝科技股份有限公司