专利名称：可降低色度不均匀现象的显示影像系统的制作方法
技术领域：
本发明提供一种显示影像系统，尤指一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统。
背景技术：
随着平面显示器不断的推陈出新，各家厂商为了增加自家产品的竞争力，无不投入大量的资金以研发出新的平面显示技术。为了满足其技术高要求的应用，显示器面板厂商开始着眼于主动矩阵式有机电激发光二极管(active-matrix organic light emitting displays，AMOLED)的应用。主动矩阵式有机电激发光二极管(AMOLED)具有一集成电子底板并且特别适合使用在高分辨率与高信息量的影像应用上。多晶硅具有高载子移动率、提供高电载容量的薄膜晶体管以及高切换速率等优点，因此使得上述的显示方式由于多晶硅技术的发展而成为可能。在一主动矩阵式有机电激发光二极管显示中，每一个独立像素皆可藉由相对应的安装于集成电子底板上的驱动用薄膜晶体管与电容器而达到个别寻址的效果。
请参阅图1，图1为公知一主动矩阵式有机电激发光二极管10的电路图。主动矩阵式有机电激发光二极管10包含有复数个以矩阵方式排列的像素100，为求简化，图1仅显示一个像素。像素100耦接于VDD与VEE电压源之间并且藉由相对应的栅极线12与数据线14以电连接于外部驱动电路，而每一个像素皆使用一有机电激发光二极管102作为一像素发光装置。每一个像素100另包含一储存电容器104，一n型控制用薄膜晶体管106，以及一p型驱动用薄膜晶体管108。在每一个像素100中，控制用薄膜晶体管106的栅极与漏极分别电连接于栅极线12与数据线14，而驱动用薄膜晶体管108的栅极与源极分别电连接于控制用薄膜晶体管106的一源极与电压源VDD。储存电容器104耦接于驱动用薄膜晶体管108的栅极与源极。有机电激发光二极管102耦接于驱动用薄膜晶体管108的漏极与电压源VEE。
以下将描述主动矩阵式有机电激发光二极管10的操作。首先，由一外部栅极驱动电路产生一栅极控制信号并将其传输至栅极线12用以开关控制用薄膜晶体管106。接着，由一外部数据驱动电路到数据线14提供一信号电压，再藉由已开启的控制用薄膜晶体管106，输出此信号电压至驱动用薄膜晶体管108的栅极与储存电容器104，驱动用薄膜晶体管108再依据此信号电压供应一驱动电流至有机电激发光二极管102，使之发光。
一般而言，一薄膜晶体管具有三个工作模式关闭模式，线性模式，以及饱和模式。举例来说，一n型薄膜晶体管的漏极电流特性可以下列的公式表示(1)当Vgs＜Vth，Id_off＝0；(2)当0＜Vds＜Vgs-Vth，Id_linear＝μCOXWeffLeff[(Vgs-Vth)Vds-Vds2/2]；(3)当0＜Vgs-Vth＜Vds，Id_sat＝[μCOXWeffLeff(Vgs-Vth)2]/2。
其中，μ为载子有效表面移动率；COX为栅极氧化电容；Weff为有效通道宽度；Leff为有效通道长度；Vgs为薄膜晶体管栅极与源极之间的电压值；Vds为薄膜晶体管漏极与源极之间的电压值；Vth为薄膜晶体管临界电压值；Id_off为薄膜晶体管在关闭模式下的漏极电流；Id_linear为薄膜晶体管在线性区下的漏极电流；Id_sat为薄膜晶体管在饱和区下的漏极电流。
无论是何种掺杂形式，一晶体管开始导通的时间点是由其临界电压值来决定的，而其影响临界电压值的因素主要有栅极材料导电性，栅极氧化材料厚度以及通道掺杂浓度。薄膜晶体管的临界电压值可以偏离原先依据制程变量与操作环境改变等变量而设定的电压值。图2为驱动用薄膜晶体管108与有机电激发光二极管102的电流电压关系曲线示意图。在图2中，曲线A代表有机电激发光二极管102的电流电压关系曲线，曲线B代表驱动用薄膜晶体管108在额定临界电压值Vth下的电流电压关系曲线，曲线B’与B”分别代表当驱动用薄膜晶体管108的临界电压值从额定值Vth偏离至Vth’与Vth”时的电流电压关系曲线。如图2所示，有机电激发光二极管102的预设工作点S(图2中以“·”表示)可在临界电压值偏差下变更为S’与S”(图2中以“X”表示)。如公式1所示，有机电激发光二极管102的发光性主要是与驱动用薄膜晶体管108的临界电压值Vth有关，其电流电压关系特性在一饱和区内为一临界电压Vth的平方式。假如相对应的驱动用薄膜晶体管108的临界电压值偏离了额定电压值，则像素100在显示相同灰阶值的影像值时会具有色度不均匀现象(mura)。因此，公知技术的主动矩阵式有机电激发光二极管10即使是在薄膜晶体管特性仅稍微变动的条件下，其显示一致性依然是相当低的。
发明内容
本发明提供一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一显示装置，包含有一数据线，用以提供显示信号及扫掠信号，一扫描重置线，用以提供扫描重置信号，一第一电容器，包含有一第一端点，电连接于该数据线，该第一电容器用来从该数据线储存电荷，一第一反向单元，包含有一输入端，电连接于该第一电容器的一第二端点，一第一供应端，电连接于一第一电压源，一第二供应端，电连接于电位大于该第一电压源的一第二电压源，以及一输出端，一第一重置开关，包含有一第一端点，电连接于该第一电容器的该第二端点与该第一反向单元的该输入端，一第二端点，电连接于该第一反向单元的该输出端，以及一控制端，电连接于该扫描重置线，一驱动用薄膜晶体管，包含有一控制端，电连接于该第一反向单元的该输出端，以及一发光单元，电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与电位大于或等于该第一电压源的一第三电压源。
本发明另提供一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一第一数据线，用以提供显示信号，一第二数据线，用以提供扫掠信号，一扫描线，用以提供扫描信号，一控制开关，包含有一控制端，电连接于该扫描线，以及一第一端点，电连接于该第一数据线，一电容器，电连接于该第二数据线与该控制开关的一第二端点，用以从该第一或该第二数据线提供电荷，一反向单元，包含有一输入端，电连接于该电容器，一第一供应端，电连接于一第一电压源，一第二供应端，电连接于电位大于该第一电压源的一第二电压源，以及一输出端，一驱动用薄膜晶体管，包含有一控制端，电连接于该反向单元的该输出端，以及一发光单元，电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与一第三电压源，该第三电压源的电位大于或等于该第一电压源的电位。
本发明另提供一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一像素，包含有一驱动用薄膜晶体管，用来控制该像素的照度，一数据线，用以向该像素提供显示信号与扫掠信号，以及一扫描重置线，用以向该像素提供扫描重置信号，其中该驱动用薄膜晶体管具有一线性区与一饱和区，且于线性区内，具有一工作点。
图1为公知一主动矩阵式有机电激发光二极管的电路图。
图2为驱动用薄膜晶体管与有机电激发光二极管的电流电压关系曲线示意图。
图3本发明第一实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管的显示影像系统示意图。
图4为反向单元的一输入与输出电压(Vin-Vout)特性示意图。
图5为本发明第一实施例主动矩阵式有机电激发光二极管的矩阵排列示意图。
图6为本发明第一实施例在一帧周期内整体运作的时序示意图。
图7驱动用薄膜晶体管与有机电激发光二极管的电流电压(I-V)关系曲线示意图。
图8本发明第二实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管的显示影像系统示意图。
图9为于主动矩阵式有机电激发光二极管中的串联反向单元的一Vin-Vout特性曲线示意图。
图10为本发明第三实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管的显示影像系统示意图。
图11本发明第三实施例的主动矩阵式有机电激发光二极管的矩阵排列示意图。
图12本发明第四实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管的显示影像系统示意图。
图13本发明反向单元与反向单元的电路图。
图14本发明显示影像系统另一实施例的示意图。
附图标记说明30 主动矩阵式有机电激发光二极管23 扫描重置线34 数据线300 像素302 有机电激发光二极管304 储存电容器306 重置开关308 驱动用薄膜晶体管310 继电器开关312 反向单元VDD1、VDD2、VEE1、VEE2 电压源具体实施方式
图3为本发明第一实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管(active-matrix organic light emitting displays，AMOLED)30的显示影像系统示意图。主动矩阵式有机电激发光二极管(AMOLED)30包含有复数个以矩阵方式排列的像素300，为求简化，在图3中仅显示一个像素。像素300藉由相对应的扫描重置线32与数据线34以电连接于外部驱动电路，而每一个像素皆使用一有机电激发光二极管302作为一像素发光装置，每一个像素300另包含有一储存电容器304，一重置开关306，一驱动用薄膜晶体管308，以及一反向单元312。重置开关306耦接于反向单元312的输入与输出端之间，并且根据从扫描重置线32所接收来的重置信号来决定开(短路)或关(开路)。在反向单元312的输入及输出端的电压分别以Vin与Vout表示。耦接于数据线34与反向单元312的输入端之间的储存电容器304利用一继电器开关310来储存数据信号Vdata的电荷。驱动用薄膜晶体管308可以包含一p型驱动用薄膜晶体管，其具有电连接于反向单元312的输出端的一栅极与电连接于一电压源VDD1的一源极。有机电激发光二极管302耦接于驱动用薄膜晶体管308的一漏极与一电压源VEE1之间。反向单元312另包含一第一与第二供应端，其分别电连接于电压源VDD2与VEE2。重置信号可以使用一外部驱动电路来产生，而数据信号与扫掠信号则是可利用一外部数据驱动电路来产生。
图4为反向单元312的一输入与输出电压(Vin-Vout)特性示意图，如图4所示的实曲线即代表电压的特性曲线。Vto代表从反向单元312的输出端所获得的驱动用薄膜晶体管308的一起始电压，而Vti则是代表相对应的一输入电压。当重置开关306被启动时，反向单元312的Vin与Vout的数值相同。如图4中所示的G点代表起始工作点并且输入输出电压被重置为Vreset(此为在反向器电压特性中的一逻辑反向临界值)，这是因为在理论上，反向单元312的输出电压Vout会依据Vin是否大于Vreset的结果，立刻在高电位或低电位之间进行开关的动作。然而在实际应用上，上述的电压的过渡期曲线斜率并非无限大，因此要达到快速切换的操作，则必须让反向单元312的电压特性曲线斜率尽量陡峭，致使Vreset与Vti的数值能非常接近而约可视为相同。
图5为本发明第一实施例主动矩阵式有机电激发光二极管30的矩阵排列示意图。如图5所示的主动矩阵式有机电激发光二极管30包含一数据驱动电路36，一栅极驱动电路38，复数个数据线34，复数个扫描重置线32，以及复数个像素300。电力线51-54分别各自提供从电压源VDD1，VDD2，VEE1以及VEE2至每一个像素300的电力。电压源VDD1藉由相对应的开关410以提供像素300所需的电压。继电器开关310控制从数据驱动电路36通往相对应的数据线34的数据信号Vdata与扫掠信号Vsweep的信道。
图6为描述本发明第一实施例在一帧周期内整体运作的时序示意图。Vout代表反向单元312的输出端的电位，而则是Vsweep代表扫掠信号的电位。一般而言，扫掠信号为如图6所示的一三角形像素驱动电压。
如图6所示的帧周期中的前半部为一显示信号的一写入周期。在此写入周期中，开关410为开路，因此像素300与电压源VDD1为断路状态。首先扫描重置线32升至高电位并开启像素300的重置开关306，因此反向单元312的输入输出电压值皆会变更至Vreset。接着，重置开关306会被关闭，而相对应于显示影像的预设显示信号电压Vdata会依序输入至数据线34并施加于相对应的储存电容器304的一端。因此，每一个储存电容器304皆会储存位于一信号电压Vdata与反向单元312的电压之间的一电压差，而反向单元312的输出电压依然会保持在高电位。
如图6所示的帧周期的后半部为一扫掠周期。在此扫掠周期中，电连接于像素300与电压源VDD1之间的开关410为短路。由于当重置开关306为关闭状态时，每一个反向单元312的输入与输出端皆无法电连接于其它组件，故每一个反向单元312的输入电压皆为浮动电压而每一个储存电容器304的电压差皆为保持固定。因此，每一个反向单元312的输入电压皆会根据经由相对应的数据线34所施加于储存电容器304的信号而改变。在此扫掠周期中，数据线34皆被施加一扫掠信号且此扫掠信号在包含显示信号电压电位的一范围内进行扫掠，上述的显示信号电位已于写入周期中写入储存电容器304内。每一个反向单元312的输入电压Vin会随着所施加的扫掠信号的电位而增加。当达到一反向单元312的逻辑反向临界值时(如图6所示的T1)，反向单元312的输出电压会陡降至一低电位，接着，相对应的驱动用薄膜晶体管308开始导通，因此接通了相对应的有机电激发光二极管302与电压源VDD1而使得有机电激发光二极管302开始发光。当扫掠电压的电位降至可使反向单元312的输入电压值小于本身的逻辑反向临界值(如图6所示的T2)的一电位时，反向单元312的输出电压Vout将会再次切换回一高电位，而驱动用薄膜晶体管308会随之关闭，因此有机电激发光二极管302与电压源之间即呈断线状态。由上述可知，有机电激发光二极管302会在T1与T2之间保持发光，故此区间被称为像素300的放射周期。因此，藉由预先写入的显示信号电压以及扫掠信号以调变每一个像素的发光时间的方法，像素300可在多种的照度位准中发光。
图7为驱动用薄膜晶体管308与有机电激发光二极管302的电流电压(I-V)关系曲线示意图。相较于公知技术的主动矩阵式有机电激发光二极管10，其中驱动用薄膜晶体管108在饱和区中运作，本发明的驱动用薄膜晶体管308在线性区中运作。在图7中，曲线C代表有机电激发光二极管的电流电压关系曲线，曲线D代表驱动用薄膜晶体管308在额定临界电压Vth下的电流电压关系曲线，以及曲线D’与D”曲线分别代表当驱动用薄膜晶体管308的临界电压值从额定值Vth偏离至Vth’与Vth”时的电流电压关系曲线。如图7所示，有机电激发光二极管302的预设工作点S(图7中以“·”表示)可在临界电压值偏差下变更为T’与T”(图7中以“X”表示)。如公式(2)所示，因为当晶体管于线性区内运作时，晶体管的漏极电流与本身的临界电压仅有些微相关，故即或在驱动用晶体管308的特性有所变动时，主动矩阵式有机电激发光二极管30仍可具有较佳的显示一致性。
为了使驱动用薄膜晶体管308可于线性区内运作并降低因临界电压值变动所引起的色度不均匀现象(mura)，于主动矩阵式有机电激发光二极管30内所使用的电压源VDD1，VDD2，VEE1与VEE2必须设定为一固有值。在主动矩阵式有机电激发光二极管30内，电压源VDD1与VDD2的数值皆大于电压源VEE1与VEE2的数值，此外，VDD2的数值大于或等于VDD1的数值，而VEE2的数值则是小于或等于VEE1。综合以上所述的条件，主动矩阵式有机电激发光二极管30的偏压状况可以下列不等式表示VDD2≥VDD1＞VEE1≥VEE2。假如VEE1与VEE2的数值相同时，那么，仅需要三条电力线以分别供应从电压源VDD1，VDD2，and VEE至每一个像素300的电力即可。
图8为本发明第二实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管60的显示影像系统示意图。主动矩阵式有机电激发光二极管60包含复数个以矩阵方式排列的像素600，为求简化，图8仅显示一个像素。主动矩阵式有机电激发光二极管60有别于主动矩阵式有机电激发光二极管30之处在于主动矩阵式有机电激发光二极管60包含复数个储存电容器304，复数个重置开关306，以及复数个反向单元312。复数个反向单元312串联于数据线34与驱动用薄膜晶体管308之间。各个串联的反向单元312的输入端电压与输出端电压分别以Vinand Vout表示。在主动矩阵式有机电激发光二极管60之电压源值之间的大小关可由下列的关系不等式来表示VDD2≥VDD1＞VEE1≥VEE2，如此一来，驱动用薄膜晶体管308即可于线性区中运作。
图9为于主动矩阵式有机电激发光二极管80中的串联反向单元312的一Vin-Vout特性曲线示意图。在图9中，实线代表电压特性曲线，Vto’代表从串联反向单元312的输出端所获得的驱动用薄膜晶体管308的一起始电压，以及Vti’代表相对应的一输入电压。因为主动矩阵式有机电激发光二极管60包含更多的反向单元312，所以Vti’的数值可更近似于逻辑反向临界值Vreset，并且串联反向单元312的Vin-Vout特性曲线在过度期中可具有更陡的斜率。因此，相较于主动矩阵式有机电激发光二极管30，主动矩阵式有机电激发光二极管60可提供更快的切换操作。
图10为本发明第三实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管70的显示影像系统示意图。主动矩阵式有机电激发光二极管70包含复数个以矩阵方式排列的像素700，为求简化，图10仅显示一个像素。像素700藉由相对应的一扫描线72，一数据线74，以及一扫掠线76以电连接于外部驱动电路，而每一个像素皆使用一有机电激发光二极管702作为一像素发光装置，每一个像素700另包含有一储存电容器704，一控制开关706，一驱动用薄膜晶体管708，一继电器开关710，以及一反向单元712。控制开关706耦接于反向单元712的输入与数据线74之间，并且根据从扫描线72所接收来的扫描信号来决定开或关。耦接于扫掠线76与反向单元712的输入端之间的储存电容器704利用继电器开关710来储存扫掠信号Vsweep的电荷。驱动用薄膜晶体管708可以包含一p型驱动用薄膜晶体管，其具有电连接于反向单元712的输出端的一栅极与电连接于一电压源VDD1的一源极。有机电激发光二极管702耦接于驱动用薄膜晶体管708的一漏极与一电压源VEE1之间。在反向单元712的输入及输出端的电压分别以Vin与Vout表示。反向单元712亦包含一第一与第二供应端，其分别电连接于电压源VDD2与VEE2。在主动矩阵式有机电激发光二极管70的电压源值之间的大小关系可由下列的关系不等式来表示VDD2≥VDD1＞VEE1≥VEE2，如此一来，驱动用薄膜晶体管708即可于线性区中运作。扫描信号可以使用一外部栅极驱动电路来产生，而数据信号Vdata与扫掠信号Vsweep则是可利用一外部数据驱动电路来产生。定电压VGND的电位可设定为VDD1，VDD2，VEE1，VEE2，或是接地。
图6也可为描述本发明主动矩阵式有机电激发光二极管70的整体运作示意图。在写入周期内，扫描线72升至高电位并开启控制开关706，而一预设显示信号电压Vdata会则是会透过被开启的控制开关706以从数据线74输入至储存电容器704的一端，此时，储存电容器704的另一端为接地。因此，储存电容器704会储存位于显示信号电压Vdata与VGND之间的一电压差，而反向单元712的输出电压依然保持在高电位。在驱动周期内，从扫掠线76输入一扫掠信号Vsweep至储存电容器704，而反向单元712的输入电压Vin亦随之改变。当反向单元712的输入电压Vin超过本身逻辑反向临界值时(如图6所示的T1)，反向单元712的输出电压会陡降至一低电位，接着，相对应的驱动用薄膜晶体管708开始导通，因此接通了有机电激发光二极管702与电压源VDD1而使得有机电激发光二极管702开始发光。当扫掠电压的电位降至可使反向单元712的输入电压值小于本身的逻辑反向临界值(如图6所示的T2)的一电位时，反向单元712的输出电压Vout将会再次切换回一高电位，而驱动用薄膜晶体管708会随之关闭，因此有机电激发光二极管702与电压源VDD1之间即呈断线状态。由上述可知，有机电激发光二极管702会在T1与T2之间保持发光，故此区间被称为像素700的放射周期。因此，藉由预先写入的显示信号电压以及扫掠信号以调变每一个像素的发光时间的方法，像素700可在多种的照度位准中发光。
图11为本发明第三实施例的主动矩阵式有机电激发光二极管70的矩阵排列示意图。如图11所示的主动矩阵式有机电激发光二极管70包含一数据驱动电路781，一栅极驱动用电路782，复数个扫描线72，复数个数据线74，复数个扫掠线76，以及复数个像素700。电力线51与52用来提供从电压源VDD1，VDD2，VEE1以及VEE2至每一个像素700的电力，其中VDD1与VDD2的数值大于VEE1与VEE2的数值。
图12为本发明第四实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管80的显示影像系统示意图。主动矩阵式有机电激发光二极管80包含复数个以矩阵方式排列的像素800，为求简化，图12仅显示一个像素。主动矩阵式有机电激发光二极管80有别于主动矩阵式有机电激发光二极管70之处在于主动矩阵式有机电激发光二极管80包含复数个反向单元712，其分别串联于储存电容器704与驱动用薄膜晶体管708的栅极之间。在主动矩阵式有机电激发光二极管80内所使用的电压源值，其大小关系可由下列的关系不等式来表示VDD2≥VDD1＞VEE1≥VEE2，如此一来，驱动用薄膜晶体管708即可于线性区中运作。因为主动矩阵式有机电激发光二极管80包含更多的反向单元712，所以串联反向单元712的Vin-Vout特性曲线在过度期中可具有更陡的斜率。因此，相较于主动矩阵式有机电激发光二极管70，主动矩阵式有机电激发光二极管80可提供更快的切换操作。
图13为本发明反向单元312与反向单元712的电路图。反向单元312与反向单元712为一典型的互补金氧半导体(complementary metal oxidesemiconductor，CMOS)反向器，其具有一p型薄膜晶体管92与一n型薄膜晶体管94。薄膜晶体管92与94的栅极相连接于反向单元的输入端，薄膜晶体管92与94的漏极相连接于反向单元的输出端，薄膜晶体管92与94的源极被视为供应端并分别电连接于VDD2与VEE2。反向单元312与712的电路配置并不限于上述的方法。
图14为本发明显示影像系统另一实施例的示意图，在此实施例中，显示影像系统可为一显示装置40或是一电子装置2。如图14所示，显示装置40包含有一主动矩阵式有机电激发光装置，如在第3，8，10，12图中所示的主动矩阵式有机电激发光二极管30，60，70，80。显示装置40可以是一电子装置(在此实施例中为电子装置2)中的一部份。一般而言，电子装置2包含显示装置40以及一控制器50。控制器50可电连接于显示装置40以提供一输入信号(如一影像信号)而使得显示装置40产生影像。电子装置2可以是一行动电话，数字相机，个人数据助理(personal data assistant，PDA)，笔记型计算机，桌上型计算机，电视，汽车用屏幕显示，或是可携式DVD播放器等诸如此类的装置。
在本发明中，有机电激发光二极管的发光由扫掠电压与输入数据电压所控制。双态有机电激发光二极管的驱动是依据相对应的驱动薄膜晶体管的开关状态来决定的，而驱动薄膜晶体管则是会在线性区中运作以使因临界电压变动而造成的色度不均匀现象得以降低。此外，藉由减少用来驱动有机电激发光二极管的电压源，亦可降低系统的电力消耗。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依照本发明申请专利范围所做的等效变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一显示装置，包含有一数据线，用以提供显示信号及扫掠信号；一扫描重置线，用以提供扫描重置信号；一第一电容器，包含有一第一端点，电连接于该数据线，该第一电容器用来从该数据线储存电荷；一第一反向单元，包含有一输入端，电连接于该第一电容器的一第二端点；一第一供应端，电连接于一第一电压源；一第二供应端，电连接于电位大于该第一电压源的一第二电压源；以及一输出端；一第一重置开关，包含有一第一端点，电连接于该第一电容器的该第二端点与该第一反向单元的该输入端；一第二端点，电连接于该第一反向单元的该输出端；以及一控制端，电连接于该扫描重置线；一驱动用薄膜晶体管，包含有一控制端，电连接于该第一反向单元的该输出端；以及一发光单元，电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与电位大于或等于该第一电压源的一第三电压源。
2.如权利要求1所述的系统，其中该驱动用薄膜晶体管的一第二端点电连接于一第四电压源，其电位小于或等于该第二电压源且大于该第三电压源的电位。
3.如权利要求2所述的系统，另包含一薄膜晶体管，电连接于该驱动用薄膜晶体管的该第二端点与该第四电压源之间。
4.如权利要求1所述的系统，其中该驱动用薄膜晶体管的一第二端点电连接于该第二电压源。
5.如权利要求1所述的系统，另包含一数据驱动电路，电连接于该数据线，用以产生该显示信号与该扫掠信号；以及一栅极驱动电路，电连接于该扫描重置线，用以产生该扫描重置信号。
6.如权利要求5所述的系统，另包含一继电器开关，电连接于该数据驱动电路的输出端与该数据线的输出端，用以控制该显示信号与该扫掠信号进入该数据线的信道。
7.如权利要求1所述的系统，另包含一第二反向单元，包含有一输入端，电连接于该第一反向单元的该输出端；以及一输出端，电连接于该驱动用薄膜晶体管的该控制端；以及一第二重置开关，包含有一第一端点，电连接于该第二反向单元的该输入端；一第二端点，电连接于该第二反向单元的该输出端；以及一控制端，电连接于该扫描重置线。
8.如权利要求7所述的系统，另包含一第二电容器，电连接于该第一反向单元的该输出端与该第二反向单元的该输入端。
9.如权利要求7所述的系统，其中该第二反向单元的一第一供应端电连接于该第一电压源，且该第二反向单元的一第二供应端电连接于该第二电源电压。
10.如权利要求7所述的系统，其中该第二反向单元包含一互补金氧半导体反向器。
11.如权利要求1所述的系统，其中该第一反向单元包含一互补金氧半导体反向器。
12.如权利要求1所述的系统，还包含一电子装置，其中该电子装置包括该显示装置及一控制器，电连接于该显示装置，用以向该显示装置提供输入信号以使该显示装置显示影像。
13.一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一显示装置，包含有一第一数据线，用以提供显示信号；一第二数据线，用以提供扫掠信号；一扫描线，用以提供扫描信号；一控制开关，包含有一控制端，电连接于该扫描线；以及一第一端点，电连接于该第一数据线；一电容器，电连接于该第二数据线与该控制开关的一第二端点，用以从该第一或该第二数据线提供电荷；一反向单元，包含有一输入端，电连接于该电容器；一第一供应端，电连接于一第一电压源；一第二供应端，电连接于电位大于该第一电压源的一第二电压源；以及一输出端；一驱动用薄膜晶体管，包含有一控制端，电连接于该反向单元的该输出端；以及一发光单元，电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与一第三电压源，该第三电压源的电位大于或等于该第一电压源的电位。
14.如权利要求13所述的系统，其中该驱动用薄膜晶体管的一第二端点电连接于一第四电压源，该第四电压源的电位小于或等于该第二电压源且大于该第三电压源的电位。
15.如权利要求13所述的系统，其中该驱动用薄膜晶体管的一第二端点电连接于该第二电压源。
16.如权利要求13所述的系统，另包含有一数据驱动电路，电连接于该第一数据线与该第二数据线，用以提供该显示信号、该扫掠信号，以及一定电压；以及一栅极驱动电路，电连接于该扫描线，用以提供该扫描信号。
17.如权利要求16所述的系统，另包含一继电器开关，电连接于该数据驱动电路的输出端与该第二数据线的输出端，用以提供该显示信号与该定电压进入该第二数据线的信道。
18.如权利要求13所述的系统，还包含一电子装置，其中该电子装置包括该显示装置及一控制器，电连接于该显示装置，用以向该显示装置提供输入信号以使该显示装置显示影像。
19.一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一像素包含有一驱动用薄膜晶体管，用来控制该像素的照度；一数据线，用以向该像素提供显示信号与扫掠信号；以及一扫描重置线，用以向该像素提供扫描重置信号；其中该驱动用薄膜晶体管具有一线性区与一饱和区，且于线性区内，具有一工作点。
20.如权利要求19所述的系统，其中该像素为该显示影像系统的一主动矩阵式有机电激发光二极管的一部份。
全文摘要
显示影像系统包含有一显示装置，包含有一数据线，一扫描重置线，一第一电容器，一第一反向单元，一第一重置开关，一驱动用薄膜晶体管，以及一发光单元。该数据线用以提供显示信号及扫掠信号。该扫描重置线用以提供扫描重置信号。该第一电容器用来从该数据线储存电荷。该第一反向单元具有一输入端、一第一供应端、一第二供应端，以及一输出端。该第一重置开关具有一第一端点、一第二端点，以及一控制端。该驱动用薄膜晶体管具有一控制端。该发光单元电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与电位大于或等于该第一电压源的一第三电压源。
文档编号G09G3/30GK101055697SQ200710090999
公开日2007年10月17日 申请日期2007年3月30日 优先权日2006年4月14日
发明者林敬伟 申请人:统宝光电股份有限公司