专利名称：有机电界双面发光标示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及主动有机发光技术，具体的说是涉及一种有机电界双面发光标示装置。
背景技术：
图1为传统的有机电界双面发光标示装置，它包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一电容C1、第二电容C2、第一发光器件D1及第二发光器件D2 ;第一晶体管T1的源极连接第一数据线DATA1，栅极连接第一信号扫描线SCAN1，漏极连接第二晶体管T2的栅极，并通过第一电容C1连接电源；第二晶体管T2的源极连接电源，漏极通过第一发光器件D1接地；第三晶体管T3的源极连接第二数据线DATA2，栅极连接第二信号扫描线SCAN2，漏极连接第四晶体管T4的栅极，并通过第二电容C2连接电源VDD;第四晶体管T4的源极连接电源VDD，漏极通过第二发光器件D2接地。 其工作原理是当第一信号扫描线SCAN1为低电平时，第一晶体管Tl导通，数据信号经过第一晶体管Tl进入第二晶体管T2的栅极，使得第二晶体管T2进入饱和状态，电源VDD为第一发光器件Dl提供电压，第一发光器件Dl发光，同时由第一晶体管Tl输出的数据电压对第一电容充电；当第一信号扫描线SCAN1为高电平时，第一晶体管Tl截止，但此时第一电容Cl上存储的数据电压仍然保证第二晶体管T2进入饱和状态，第一发光器件Dl发光。同理，当第二信号扫描线SCAN2为低电平时，第三晶体管T3导通，数据信号经过第三晶体管T3进入第四晶体管T4的栅极，使得第四晶体管T4进入饱和状态，电源VDD为第二发光器件D2提供电压，第二发光器件D2发光，同时由第三晶体管T3输出的数据电压对第二电容D2充电；当第二信号扫描线SCAN2为高电平时，第三晶体管T3截止，但此时第二电容C2上存储的数据电压仍然保证第四晶体管T4进入饱和状态，第二发光器件D2发光。传统的有机电界双面发光标示装置电路结构复杂，稳定性低，且由于采用了两根信号扫描线，降低了像素开口率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对传统的有机电界双面发光标示装置结构复杂、像素开口率低的不足，提出一种构造简单、像素开口率大的有机电界双面发光标示装置。 本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是有机电界双面发光标示装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件、第一电容及第二电容；所述第一晶体管的源极连接第一数据线，栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线，漏极连接第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源，漏极接地；所述第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间；所述第三晶体管的源极连接第二数据线，漏极连接第四晶体管的栅极；所述第四晶体管的源极连接电源，漏极通过第二发光器件接地；所述第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间。
所述第一晶体管、第二晶体管均为NM0S管，第三晶体管、第四晶体管均为PM0S管。 所述第一发光器件、第二发光器件均为有机发光器件。 所述有机发光器件为0LED。 本发明的有益效果是结构简单、稳定性高、像素开口率大。
图1为传统的有机电界双面发光标示装置电路结构图； 图2为本发明的有机电界双面发光标示装置电路结构图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明作进一步的描述。 如图2所示，本发明中的有机电界双面发光标示装置，包括第一晶体管T1、第二晶 体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一发光器件D1、第二发光器件D2;所述第一晶 体管Tl的源极连接第一数据线DATA1，栅极连接第三晶体管T3的栅极且连接信号扫描线 SCAN，漏极连接第二晶体管T2的栅极；所述第二晶体管T2的源极通过第一发光器件Dl接 电源VDD，漏极接地；所述第一电容Cl连接在第二晶体管T2的栅极与地之间；所述第三晶 体管T3的源极连接第二数据线DATA2，漏极连接第四晶体管T4的栅极；所述第四晶体管T4 的源极连接电源VDD，漏极通过第二发光器件D2接地；所述第二电容C2连接在第四晶体 管T4的栅极与电源VDD之间。第一晶体管Tl、第二晶体管T2采用NM0S管，第三晶体管、 第四晶体管采用PMOS管。第一发光器件D1、第二发光器件D2均可采用有机发光器件(如 0LED)。 其工作原理是当信号扫描线SCAN为高电平时，第一晶体管Tl导通，第一数据线 DATA1上的数据信号通过第一晶体管Tl进入第二晶体管T2的栅极，第二晶体管T2逐渐饱 和，驱动电源VDD为第一发光器件Dl供电，第一发光器件Dl发光，同时，由第一晶体管Tl 输出的数据电压为第一电容C1充电；于此同时，第三晶体管T3处于截止状态，没有数据信 号进入第四晶体管T4，第二发光器件D2不发光。当信号扫描线SCAN为低电平时，第三晶体 管T3导通，第二数据线DATA2上的数据信号进入第四晶体管T4的栅极，第四晶体管T4逐 渐饱和，驱动电源VDD为第二发光器件D2供电，第二发光器件D2发光，同时由第三晶体管 T3输出的数据电压为第二电容C2充电；于此同时，第一晶体管T1处于截止状态，没有数据 信号进入第二晶体管T2，但第一电容Cl存储了数据信号，可继续驱动电源VDD为第一发光 器件供电。当信号扫描线SCAN上的下一个电平到来时，第一晶体管T1导通，第一发光器件 Dl发光，第三晶体管T3截止，但第二电容C2存储了数据信号，可继续驱动电源VDD为第二 发光器件供电，第三这样就能实现双面发光显示，由于只采用了一根信号扫描线，大大提高 了像素开口率，且简化了电路，稳定性高。
权利要求
有机电界双面发光标示装置，其特征在于包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件，第一电容及第二电容；所述第一晶体管的源极连接第一数据线，栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线，漏极连接第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源，漏极接地，所述第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间；所述第三晶体管的源极连接第二数据线，漏极连接第四晶体管的栅极；所述第四晶体管的源极连接电源，漏极通过第二发光器件接地，所述第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间。
2. 如权利要求l所述的有机电界双面发光标示装置，其特征在于所述第一晶体管、第 二晶体管均为NM0S管，第三晶体管、第四晶体管均为PM0S管。
3. 如权利要求1或2所述的有机电界双面发光标示装置，其特征在于所述第一发光 器件、第二发光器件均为有机发光器件。
4. 如权利要求3所述的有机电界双面发光标示装置，其特征在于所述有机发光器件 为0LED。
全文摘要
本发明涉及主动有机发光技术。本发明公开了一种构造简单、像素开口率大的有机电界双面发光标示装置。其技术方案的要点是包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件、第一电容和第二电容；第一晶体管的源极连接第一数据线，栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线，漏极连接第二晶体管的栅极；第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源，漏极接地；第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间；第三晶体管的源极连接第二数据线，漏极连接第四晶体管的栅极；第四晶体管的源极连接电源，漏极通过第二发光器件接地；第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间。本发明结构简单、稳定性高、像素开口率大。
文档编号G09G3/32GK101739957SQ200910311789
公开日2010年6月16日 申请日期2009年12月18日 优先权日2009年12月18日
发明者李金川, 金正学 申请人:四川虹视显示技术有限公司