1.一种显示装置，包括第一区域和第二区域，
其中所述第一区域包括：
栅电极；
所述栅电极上的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区；
所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；
所述源电极和所述漏电极上的第二绝缘层；
所述第二绝缘层上的第一导电层，所述第一导电层包含铟；
所述第一导电层上的第三绝缘层；以及
所述第三绝缘层上的像素电极，所述像素电极电连接至所述源电极和所述漏电极中的一个，其中所述像素电极包含铟，
其中所述第二区域包括：
包含与所述栅电极相同的材料的第二导电层；
所述第二导电层上的所述第一绝缘层；以及
所述第一绝缘层上的第三导电层，所述第三导电层包含与所述源电极和所述漏电极相同的材料，
其中所述像素电极包含铟，
其中所述氧化物半导体层包含铟、镓、锌和氧，
其中所述源电极和所述漏电极中的每一个均包括第一层和第二层，
其中所述第一层包含铟和氧，
其中所述第二层包含铜，
其中所述第一导电层与所述沟道形成区重叠，
其中所述像素电极与所述第一导电层重叠，并且
其中所述第二导电层和所述第三导电层彼此电连接。
2.一种显示装置，包括第一区域和第二区域，
其中所述第一区域包括：
栅电极；
所述栅电极上的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区；
所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；
所述源电极和所述漏电极上的第二绝缘层；
所述第二绝缘层上的第一导电层，所述第一导电层包含铟；
所述第一导电层上的第三绝缘层；以及
所述第三绝缘层上的像素电极，所述像素电极电连接至所述源电极和所述漏电极中的一个，其中所述像素电极包含铟，
其中所述第二区域包括：
包含与所述栅电极相同的材料的第二导电层；
所述第二导电层上的所述第一绝缘层；以及
所述第一绝缘层上的第三导电层，所述第三导电层包含与所述源电极和所述漏电极相同的材料，
其中所述像素电极包含铟，
其中所述氧化物半导体层包含铟、镓、锌和氧，
其中所述源电极和所述漏电极中的每一个均包括第一层和第二层，
其中所述第一层包含铟和氧，
其中所述第二层包含铜，
其中所述第一导电层与所述沟道形成区重叠，
其中所述像素电极与所述第一导电层重叠，
其中所述像素电极通过所述第二绝缘层中的接触孔电连接至所述源电极和所述漏电极中的所述一个，
其中所述接触孔与所述氧化物半导体层重叠，并且
其中所述第二导电层和所述第三导电层彼此电连接。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中所述氧化物半导体层包括微晶和多晶中的一个。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述像素电极在一区域中与所述源电极和所述漏电极中的所述一个接触，并且
其中所述区域不与所述氧化物半导体层重叠。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中所述像素电极与所述氧化物半导体层重叠。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置，
其中所述像素电极与所述第二导电层重叠。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置，还包括：
所述第二绝缘层上的第四导电层，所述第四导电层包含与所述第一导电层相同的材料，
其中所述第四导电层与所述第二导电层重叠。
8.根据权利要求1或2所述的显示装置，还包括：
所述第二绝缘层上的第四导电层，所述第四导电层包含与所述第一导电层相同的材料，
其中所述第四导电层与所述第三导电层重叠。