技术特征：
技术总结
晶圆级的微米‑纳米级半导体LED显示屏及其制备方法，涉及半导体光电器件，在第一导电型的第一半导体层蚀刻出3x组微米‑纳米尺寸的元件，该元件的表面分别与c面、r面和m面存在夹角，控制该三组表面夹角可调控三组有源层InxGa1‑xN/GaN多量子阱的发光波长为红绿蓝RGB波段的任意波长，可在同一晶圆上制作的RGB任意排列组合及任意波段组合的红绿蓝RGB模块，通过第一半导体制作接触电极并与集成电路控制板连接，可独立控制RGB元件的开关和功率，制作成晶圆级的微米‑纳米象素分辨率的高清、高画质的半导体LED显示屏。
技术研发人员：郑锦坚;郑清团;王星河;康俊勇
受保护的技术使用者：郑清团
技术研发日：2017.02.28
技术公布日：2017.07.07