Amoled像素驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示
目.ο
[0003]OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PM0LED)和有源矩阵型OLED (Active Matrix OLED, AM0LED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有发光二极管自身的电流决定。由于在AMOLED的驱动电路中，驱动薄膜晶体管的阈值电压会随着工作时间而漂移，从而导致OLED的发光不稳定，因此需要采用能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移的像素驱动电路。
[0004]图1所示为一种现有的AMOLED像素驱动电路，包括:第二开关薄膜晶体管SW2，其栅极电性连接于第η级第二扫描控制信号gate2(n)，源极电性连接于数据信号data，漏极电性连接于镜像薄膜晶体管MR的漏极及第二电容Cst2的一端；镜像薄膜晶体管MR，其栅极经由第一节点D电性连接于驱动薄膜晶体管DR的栅极，源极电性连接于第一开关薄膜晶体管SWl的源极，漏极电性连接于第二开关薄膜晶体管SW2的漏极及第二电容Cst2的一端；第一开关薄膜晶体管SW1，其栅极电性连接于第η级第一扫描控制信号gatel (η)，源极电性连接于镜像薄膜晶体管MR的源极，漏极电性连接于第一节点D ;预充电薄膜晶体管PC，其栅极与漏极均电性连接于第η-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)，源极电性连接于第一节点D ;驱动薄膜晶体管DR，其栅极经由第一节点D电性连接于镜像薄膜晶体管MR的栅极，源极电性连接于接地端GND，漏极电性连接于有机发光二极管OLED的阴极；第一电容Cstl的一端电性连接于第一节点D，另一端电性连接于接地端GND ;第二电容Cst2的一端电性连接于第二开关薄膜晶体管SW2的漏极及镜像薄膜晶体管MR的漏极，另一端电性连接于接地端GND ;有机发光二极管OLED的阳极电性连接于直流电源电压VDD，阴极电性连接于驱动薄膜晶体管DR的漏极；直流电源电压VDD提供高电位。图2所示为对应于图1电路的时序图，该电路的补偿过程依次包括预充电(Pre-charge)、数据写入(Program)、复位(Restore)、驱动发光(Drive)四个阶段，在预充电阶段，第一节点D的电位被抬升至第n_l级第二扫描控制信号Gate2(n-1)的高电位，驱动薄膜晶体管DR被导通，导致在预充电、数据写入、复位三个阶段中，有机发光二极管OLED始终处于发光状态，然而，面板所需的仅为驱动发光阶段里有机发光二极管OLED的发光，其余三个阶段有机发光二极管OLED的发光为非必要发光。图3所示为上述像素驱动电路中有机发光二极管OLED的驱动电流模拟图，由图3可知，有机发光二极管OLED的驱动电流Itjled在四个阶段均存在，导致有机发光二极管OLED在四个阶段均发光，但只有在驱动发光阶段的发光才是正常和必要的，在驱动发光阶段之前的其余三个阶段内，有机发光二极管OLED的驱动电流Itjled较大，因此存在比较大的非必要发光。这种非必要发光会对OLED的寿命产生影响，同时也会影响面板的实际显示效果，如降低对比度，出现漏光现象等。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，解决现有的AMOLED像素驱动电路在补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移过程中会产生非必要发光的问题，使OLED在非必要发光时间处于关闭状态，能够延长OLED寿命，优化面板的实际显示效果。
[0006]为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED像素驱动电路，包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；
[0007]所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第η级第二扫描控制信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第三薄膜晶体管的漏极及第一电容的一端；
[0008]所述第三薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第四薄膜晶体管的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管的漏极及第一电容的一端;
[0009]所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第η级第一扫描控制信号，源极电性连接于第三薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第一节点；
[0010]所述第五薄膜晶体管的栅极与漏极均电性连接于第η-1级第二扫描控制信号，源极电性连接于第一节点；
[0011]所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于发光控制信号，源极电性连接于直流电源电压，漏极电性连接于有机发光二极管的阳极；
[0012]所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于接地端，漏极电性连接于有机发光二极管的阴极；
[0013]所述第一电容的一端电性连接于第六薄膜晶体管的漏极及第三薄膜晶体管的漏极，另一端电性连接于接地端；
[0014]所述第二电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于接地端；
[0015]所述有机发光二极管的阳极电性连接于第二薄膜晶体管的漏极，阴极电性连接于第四薄膜晶体管的漏极；
[0016]所述直流电源电压提供直流高电位；
[0017]所述发光控制信号按照时序提供高、低交替电位，控制所述有机发光二极管是否发光。
[0018]所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、与第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
[0019]所述第η级第二扫描控制信号、第η级第一扫描控制信号、第级第二扫描控制信号、及发光控制信号相组合，先后对应于预充电阶段、数据写入阶段、复位阶段、及驱动发光阶段；
[0020]所述发光控制信号在预充电阶段、数据写入阶段、及复位阶段均提供低电位，控制所述有机发光二极管不发光；在驱动发光阶段提供高电位，控制所述有机发光二极管发光。[0021 ] 在所述预充电阶段，所述第η级第二扫描控制信号为低电位，第η级第一扫描控制信号为低电位，第η-1级第二扫描控制信号为高电位；
[0022]在所述数据写入阶段，所述第η级第二扫描控制信号为高电位，第η级第一扫描控制信号为高电位，第η-1级第二扫描控制信号为低电位；
[0023]在所述复位阶段，所述第η级第二扫描控制信号为高电位，第η级第一扫描控制信号为低电位，第η-1级第二扫描控制信号为低电位；
[0024]在所述驱动发光阶段，所述第η级第二扫描控制信号为低电位，第η级第一扫描控制信号为低电位，第η-1级第二扫描控制信号为低电位。
[0025]在所述数据写入阶段，所述数据信号为高电位；在所述复位阶段，所述数据信号为低电位。
[0026]本发明还提供另一种AMOLED像素驱动电路，包括:第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；
[0027]所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第η级第二扫描控制信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第三薄膜晶体管的漏极及第一电容的一端；
[0028]所述第三薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第四薄膜晶体管的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管的漏极及第一电容的一端;
[0029]所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第η级第一扫描控制信号，源极电性连接于第三薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第一节点；
[0030]所述第五薄膜晶体管的栅极与漏极均电性连接于第η-1级第二扫描控制信号，源极电性连接于第一节点；
[0031]所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于接地端，漏极电性连接于有机发光二极管的阴极；
[0032]所述第一电容的一端电性连接