Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，0LED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示
目.ο
[0003]OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型0LED(Passive Matrix OLED，PM0LED)和有源矩阵型0LED(Active Matrix 0LED，AM0LED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
[0004]AMOLED是电流驱动器件，当有电流流经有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流经有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。
[0005]如图1所示，传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、及电容C10，所述第一薄膜晶体管TlO为开关薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管，所述电容ClO为存储电容。具体地，第一薄膜晶体管TlO的栅极接入扫描信号Scan，源极接入数据信号Data，漏极与第二薄膜晶体管T20的栅极、及电容ClO的一端电性连接;所述第二薄膜晶体管T20的源极电性连接电源正电压VDD，漏极电性连接有机发光二级管D1的阳极;有机发光二级管D1的阴极电性连接电源负电压VSS;电容ClO的一端电性连接第一薄膜晶体管TlO的漏极，另一端电性连接第二薄膜晶体管T20的源极。AMOLED显示时，扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管TlO导通，数据信号Data经过第一薄膜晶体管TlO进入到第二薄膜晶体管T20的栅极及电容C10，然后第一薄膜晶体管TlO截止，由于电容ClO的存储作用，第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压，使得第二薄膜晶体管T20处于导通状态，驱动电流通过第二薄膜晶体管T20进入有机发光二级管D10，驱动有机发光二级管DlO发光。
[0006]图1所示的像素驱动电路结构较简单，不具有补偿功能，所以存在很多缺陷，其中比较明显的是:驱动薄膜晶体管即第二薄膜晶体管T20长期工作在正向偏压状态，这会导致阈值电压偏移，影响OLED显示装置的显示品质。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够对驱动薄膜晶体管的电性漂移进行恢复，使有机发光二极管的发光亮度稳定，提升显示品质。
[0008]本发明的另一目的在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够对驱动薄膜晶体管的电性漂移进行恢复，使有机发光二极管的发光亮度稳定，提升显示品质。
[0009]为实现上述目的，本发明首先提供一种AMOLED像素驱动电路，包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管;所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为开关薄I吴晶体管；
[0010]所述第三薄膜晶体管设置于第一薄膜晶体管的漏极与电源正电压之间，通过接入发光控制信号来控制有机发光二极管的发光时间；
[0011]所述第四薄膜晶体管设置于第一薄膜晶体管的栅极与电源负电压之间，通过接入电性恢复控制信号来控制向第一薄膜晶体管的栅极写入电源负电压；
[0012]所述第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管分别电性连接第一薄膜晶体管的漏极、源极，通过电性恢复控制信号来控制向第一薄膜晶体管的漏极、源极写入一参考负电压；
[0013]电源负电压与参考负电压的差值为负值，且电源负电压与参考负电压的差值的绝对值不超过有机发光二极管的开启电压。
[0014]第二薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一薄膜晶体管的栅极；
[0015]第三薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极接入电源正电压，漏极电性连接第一薄膜晶体管的漏极；
[0016]第四薄膜晶体管的栅极接入电性恢复控制信号，源极电性连接第一薄膜晶体管的栅极，漏极接入电源负电压；
[0017]第五薄膜晶体管的栅极接入电性恢复控制信号，源极接入参考负电压，漏极电性连接第一薄膜晶体管的漏极；
[0018]第六薄膜晶体管的栅极接入电性恢复控制信号，源极接入参考负电压，漏极电性连接第一薄膜晶体管的源极；
[0019]第一薄膜晶体管的栅极电性连接第二薄膜晶体管的漏极及第四薄膜晶体管的源极，源极电性连接有机发光二极管的阳极及第六薄膜晶体管的漏极，漏极电性连接第三薄膜晶体管的漏极及第五薄膜晶体管的漏极；
[0020]电容的一端电性连接于第一薄膜晶体管的栅极，另一端电性连接于第一薄膜晶体管的漏极或源极；
[0021]有机发光二极管的阳极电性连接于第一薄膜晶体管的源极及第六薄膜晶体管的漏极，阴极接入电源负电压。
[0022]所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、与第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
[0023]所述发光控制信号、及电性恢复控制信号均由外部时序控制器提供。
[0024]所述发光控制信号、扫描信号、与电性恢复控制信号相组合，在一帧画面周期内先后对应于一数据写入与发光阶段、及一电性恢复阶段；
[0025]在所述数据写入与发光阶段，所述扫描信号为高电位脉冲，发光控制信号为高电位，电性恢复控制信号为低电位；
[0026]在所述电性恢复阶段，所述扫描信号为低电位，发光控制信号为低电位，电性恢复控制信号为高电位。
[0027 ]本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括以下步骤:
[0028]步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
[0029]所述AMOLED像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管;所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为开关薄膜晶体管；
[0030]第二薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一薄膜晶体管的栅极；
[0031]第三薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极接入电源正电压，漏极电性连接第一薄膜晶体管的漏极；
[0032]第四薄膜晶体管的栅极接入电性恢复控制信号，源极电性连接第一薄膜晶体管的栅极，漏极接入电源负电压；
[0033]第五薄膜晶体管的栅极接入电性恢复控制信号，源极接入参考负电压，漏极电性连接第一薄膜晶体管的漏极；
[0034]第六薄膜晶体管的栅极接入电性恢复控制信号，源极接入参考负电压，漏极电性连接第一薄膜晶体管的源极；
[0035]第一薄膜晶体管的栅极电性连接第二薄膜晶体管的漏极及第四薄膜晶体管的源极，源极电性连接有机发光二极管的阳极及第六薄膜晶体管的漏极，漏极电性连接第三薄膜晶体管的漏极及第五薄膜晶体管的漏极；
[0036]电容的一端电性连接于第一薄膜晶体管的栅极，另一端电性连接于第一薄膜晶体管的漏极或源极；
[0037]有机发光二极管的阳极电性连接于第一薄膜晶体管的源极及第六薄膜晶体管的漏极，阴极接入电源负电压；
[0038]步骤2、进入数据写入与发光阶段；
[0039]所述电性恢复控制信号提供低电位，第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、与第六薄膜晶体管均截止;所述扫描信号逐行提供高电位脉冲信号，第二薄膜晶体管导通，正电位的数据信号写入第一薄膜晶体管的栅极，第一薄膜晶体管导通，所述发光控制信号提供高电位，第三薄膜晶体管导通，有机发光二极管发光；
[0040]步骤3、进入电性恢复阶段；
[0041]所述扫描信号提供低电位，第二薄膜晶体管截止，所述发光控制信号提供低电位，第三薄膜晶体管截止;所述电性恢复控制信号提供高电位，第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、与第六薄膜晶体管均导通，第一薄膜晶体管的栅极写入电源负电压，第一薄膜晶体管的漏极、源极均写入参考负电压;所述电源负电压与参考负电压的差值为负值，且电源负电压与参考负电压的差值的绝对值不超过有机发光二极管的开启电压，有机发光二极管不发光，电源负电压与参考负电压对所述第一薄膜晶体管进行电性恢复。
[0042]所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、与第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
[0043]所述发光控制信号、及电性恢复控制信号均由