晶体管设置于第一薄膜晶体管的栅极与电源负电压之间，通过接入电性恢复控制信号来控制向第一薄膜晶体管的栅极写入电源负电压，第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管分别电性连接第一薄膜晶体管的漏极、源极，通过电性恢复控制信号来控制向第一薄膜晶体管的漏极、源极写入参考负电压，且设置电源负电压与参考负电压的差值为负值，能够在有机发光二极管发光结束后对驱动薄膜晶体管的电性漂移进行恢复，使有机发光二极管的发光亮度稳定，提升显示品质。
[0069]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括:第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(Cl)、及有机发光二极管(Dl);所述第一薄膜晶体管(Tl)为驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管(T2)为开关薄膜晶体管； 所述第三薄膜晶体管(T3)设置于第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D)与电源正电压(VDD)之间，通过接入发光控制信号(Em)来控制有机发光二极管(Dl)的发光时间； 所述第四薄膜晶体管(T4)设置于第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)与电源负电压(VSS)之间，通过接入电性恢复控制信号(CS)来控制向第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)写入电源负电压(VSS); 所述第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)分别电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D)、源极(S)，通过电性恢复控制信号(CS)来控制向第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D)、源极(S)写入一参考负电压(Vref); 电源负电压(VSS)与参考负电压(Vref)的差值为负值，且电源负电压(VSS)与参考负电压(Vr ef)的差值的绝对值不超过有机发光二极管(DI)的开启电压。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)； 第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入发光控制信号(Em)，源极接入电源正电压(VDD)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D); 第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)，漏极接入电源负电压(VSS); 第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极接入参考负电压(Vref)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D); 第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极接入参考负电压(Vref)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的源极(S); 第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)电性连接第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第四薄膜晶体管(T4)的源极，源极(S)电性连接有机发光二极管(Dl)的阳极及第六薄膜晶体管(T6)的漏极，漏极(D)电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极及第五薄膜晶体管(T5)的漏极； 电容(Cl)的一端电性连接于第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)，另一端电性连接于第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D)或源极(S); 有机发光二极管(Dl)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(Tl)的源极(S)及第六薄膜晶体管(T6)的漏极，阴极接入电源负电压(VSS)。3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、与第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述发光控制信号(CS)、及电性恢复控制信号(CS)均由外部时序控制器提供。5.如权利要求1或2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述发光控制信号(Em)、扫描信号(Scan)、与电性恢复控制信号(CS)相组合，在一帧画面周期内先后对应于一数据写入与发光阶段、及一电性恢复阶段； 在所述数据写入与发光阶段，所述扫描信号(Scan)为高电位脉冲，发光控制信号(Em)为高电位，电性恢复控制信号(CS)为低电位； 在所述电性恢复阶段，所述扫描信号(Scan)为低电位，发光控制信号(Em)为低电位，电性恢复控制信号(CS)为高电位。6.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1、提供一 AMOLED像素驱动电路； 所述AMOLED像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管(TI)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(Cl)、及有机发光二极管(Dl);所述第一薄膜晶体管(Tl)为驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管(T2)为开关薄膜晶体管； 第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G); 第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入发光控制信号(Em)，源极接入电源正电压(VDD)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D); 第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)，漏极接入电源负电压(VSS); 第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极接入参考负电压(Vref)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D); 第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极接入参考负电压(Vref)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(Tl)的源极(S); 第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)电性连接第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第四薄膜晶体管(T4)的源极，源极(S)电性连接有机发光二极管(Dl)的阳极及第六薄膜晶体管(T6)的漏极，漏极(D)电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极及第五薄膜晶体管(T5)的漏极； 电容(Cl)的一端电性连接于第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)，另一端电性连接于第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D)或源极(S); 有机发光二极管(Dl)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(Tl)的源极(S)及第六薄膜晶体管(T6)的漏极，阴极接入电源负电压(VSS); 步骤2、进入数据写入与发光阶段； 所述电性恢复控制信号(CS)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、与第六薄膜晶体管(T6)均截止;所述扫描信号(Scan)逐行提供高电位脉冲信号，第二薄膜晶体管(T2)导通，正电位的数据信号(Data)写入第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)，第一薄膜晶体管(Tl)导通，所述发光控制信号(Em)提供高电位，第三薄膜晶体管(T3)导通，有机发光二极管(Dl)发光； 步骤3、进入电性恢复阶段； 所述扫描信号(Scan)提供低电位，第二薄膜晶体管(T2)截止，所述发光控制信号(Em)提供低电位，第三薄膜晶体管(T3)截止;所述电性恢复控制信号(CS)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、与第六薄膜晶体管(T6)均导通，第一薄膜晶体管(Tl)的栅极(G)写入电源负电压(VSS)，第一薄膜晶体管(Tl)的漏极(D)、源极(S)均写入参考负电压(Vref);所述电源负电压(VSS)与参考负电压(Vref)的差值为负值，且电源负电压(VSS)与参考负电压(Vref)的差值的绝对值不超过有机发光二极管(Dl)的开启电压，有机发光二极管(Dl)不发光，电源负电压(VSS)与参考负电压(Vref)对所述第一薄膜晶体管(Tl)进行电性恢复。7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、与第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。8.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述发光控制信号(CS)、及电性恢复控制信号(CS)均由外部时序控制器提供。
【专利摘要】本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，采用6T1C结构的驱动电路，其中第四薄膜晶体管(T4)设置于第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)与电源负电压(VSS)之间，通过接入电性恢复控制信号(CS)来控制向第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)写入电源负电压(VSS)，第五、第六薄膜晶体管(T5、T6)分别电性连接第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)、源极(S)，通过电性恢复控制信号(CS)来控制向第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)、源极(S)写入参考负电压(Vref)，且设置电源负电压(VSS)与参考负电压(Vref)的差值为负值，能够对驱动薄膜晶体管的电性漂移进行恢复，使有机发光二极管的发光亮度稳定，提升显示品质。
【IPC分类】G09G3/3233
【公开号】CN105679243
【申请号】CN201610154542
【发明人】韩佰祥
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年3月17日