一种amoled像素电路的控制方法
【专利说明】一种AMOLED像素电路的控制方法 【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种AMOLED像素电路的控制方法。 【【背景技术】】
[0002] 与液晶显示（IXD)相比，有机发光（AMOLED)显示器在近些年正受到广泛的关注。 图1显示了一个简单AMOLED的2-TFT像素电路。从图中可以看出，数据线Vdata提供了驱动 TFT所需要的信号电压，扫描线scan决定TFT开关管S1的开关状态，存储在电容Cs上的电 压被TFT驱动管Tl转化为通过OLED的电流。因为Tl管阈值电压存在漂移，这个简单的电 路不能被用做像素电路来驱动0LED，因为OLED的电流和亮度在某一特定的电压范围内随 着时间的延长而衰减。由于在栅源电压作用下，不能准确预测TFT的阈值电压的漂移过程， 有必要对Tl管的阈值电压漂移进行补偿，以稳定OLED亮度。
[0003] 在多种阈值电压补偿方法中，基于电压编程的像素电路由于稳定时间快而吸引了 众多人的注意。在这种电压编程电路中，存储电容器Cs被预先充入一定的电压Vc，在补偿 期间，电压通过一个二极管连接的驱动管Tl放电，直到电压达到阈值电压值，然后Cs停止 充电，如图2所示。此时，Tl关闭，Cs停止放电。然后，数据电压加到Cs上，形成Tl的栅极 电压Vdata+Vth。如果Tl在饱和范围，通过Tl的电流不受Vth的影响。
[0004] 然而，这种方法有两个缺陷：其一，电路的时间常数由驱动管Tl的跨导gj夬定。当 电容电压下降时，gm也随着下降，这样电流非常低，达到理想的阈值电压Vth时间很长。其 二，即便Vc达到Vth值，由于阈值电流的影响，Vc会继续下降，这样就不可能准确地测量阈 值电压。 【
【发明内容】
】
[0005] 为了克服现有技术的不足，本发明提供了一种补偿效果更好、精度更高的AMOLED 像素电路的控制方法及装置。
[0006] -种AMOLED像素电路的控制方法，所述AMOLED像素电路包括第一 TFT开关管、第 二TFT开关管、TFT驱动管、电容和0LED，所述OLED的阳极和阴极分别与第一电源和所述 TFT驱动管的漏极连接，所述TFT驱动管的源极与第二电源连接，所述TFT驱动管的栅极通 过第二TFT开关管与数据输入端连接，所述第一 TFT开关管连接在所述OLED的阴极和所述 TFT驱动管的栅极之间，所述TFT驱动管的栅极通过所述电容接地，所述控制方法包括如下 步骤：
[0007] 在第一阶段，打开所述第一 TFT开关管和第二TFT开关管，分别使所述第一电源和 第二电源处于低电平和高电平，所述TFT驱动管被关闭，使所述数据输入端处于高电平；
[0008] 在第二阶段，关闭所述第一 TFT开关管和打开第二TFT开关管，所述第一电源和第 二电源分别跳跃至高电平和低电平，使所述数据输入端处于高电平，所述TFT驱动管被打 开，所述OLED的阴极处的电压通过所述TFT驱动管放电；
[0009] 在第三阶段，关闭所述第一 TFT开关管和打开第二TFT开关管，使所述第一电源和 第二电源都处于高电平，所述数据输入端输入数据电平，所述TFT驱动管被关闭；
[0010] 在第四阶段，打开所述第一 TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使所述第一电源和 第二电源处于高电平，所述数据输入端输入数据电压；
[0011] 在第五阶段，关闭所述第一 TFT开关管和第二TFT开关管，使所述第一电源和第二 电源分别处于高电平和低电平。
[0012] 优选地，
[0013] 所述第一电源在所述第四阶段的高电平比在第三阶段的高电平要低。
[0014] 优选地，
[0015] 所述第二阶段的放电时长
其中，Cs为所述电容的容量，Cimd为所述OLED反偏时等效的电容容量，μ FET是所述TFT驱 动管的场效应迀移率，Ci是所述TFT驱动管绝缘层电容，W/L是所述TFT驱动管的沟道宽长 比，Δ Vthiniax所述TFT驱动管的最大阈值电压漂移量。
[0016] 优选地，
[0017] 所述第一 TFT开关管的控制端与第一扫描信号端连接，所述第二TFT开关管的控 制端与第二信号扫描端连接。
[0018] 本发明还提供了一种AMOLED像素电路的控制方法，所述AMOLED像素电路包括第 一 TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容和OLED，所述OLED的阳极和阴极分别与第 一电源和所述TFT驱动管的漏极连接，所述TFT驱动管的源极与第二电源连接，所述TFT驱 动管的栅极通过第二TFT开关管与数据输入端连接，所述第一 TFT开关管连接在所述OLED 的阴极和所述TFT驱动管的栅极之间，所述TFT驱动管的栅极通过所述电容接地，所述控制 方法包括如下步骤：
[0019] 在第一阶段，打开所述第一 TFT开关管和第二TFT开关管，分别使所述第一电源和 第二电源处于低电平和高电平，所述TFT驱动管被关闭，使所述数据输入端处于高电平；
[0020] 在第二阶段，关闭所述第一 TFT开关管和打开第二TFT开关管，所述第一电源和第 二电源分别跳跃至高电平和低电平，使所述数据输入端处于高电平，所述TFT驱动管被打 开，所述OLED的阴极处的电压通过所述TFT驱动管放电；
[0021] 在第三阶段，关闭所述第一 TFT开关管和打开第二TFT开关管，使所述第一电源和 第二电源都处于高电平，所述数据输入端输入数据电平，所述TFT驱动管被关闭；
[0022] 在第四阶段，打开所述第一 TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使所述第一电源和 第二电源处于低电平，所述数据输入端输入数据电压；
[0023] 在第五阶段，关闭所述第一 TFT开关管和第二TFT开关管，使所述第一电源和第二 电源分别处于高电平和低电平。
[0024] 优选地，
[0025] 所述第二阶段的放电时长 其中，Cs为所述电容的容量，Cimd为所述OLED反偏时等效的电容容量，μ FET是所述TFT驱 动管的场效应迀移率，Ci是所述TFT驱动管绝缘层电容，W/L是所述TFT驱动管的沟道宽长 比，Δ Vthiniax所述TFT驱动管的最大阈值电压漂移量。
[0026] 优选地，
[0027] 所述第一 TFT开关管的控制端与第一扫描信号端连接，所述第二TFT开关管的控 制端与第二信号扫描端连接。
[0028] 通过上述方案，可以有效对驱动管的阈值电压漂移进行补偿，从而减小电压误差。 【【附图说明】】
[0029] 图1是现有技术中一种简单AMOLED的2-TFT像素电路；
[0030] 图2是图1的OLED和Tl的等效电路；
[0031 ] 图3是本发明一种实施例的AMOLED像素电路；
[0032] 图4是图3所示的AMOLED像素电路的一种实施例的控制时序示意图；
[0033] 图5是图3所不的AMOLED像素电路的另一种实施例的控制时序不意图；
[0034] 图6是一种实施例的AMOLED像素电路的Δ Vth与放电时长t_p的关系图；
[0035] 图7是图1的AMOLED像素电路的Δ Vth与放电时长t_p的关系图。 【【具体实施方式】】
[0036] 以下对发明的较佳实施例作进一步详细说明。
[0037] 如图3所示，本发明一种实施例的AMOLED像素电路，包括第一 TFT开关管Sl、第二 TFT开关管S2S2、TFT驱动管T1、电容CjP 0LED，所述OLED的阳极和阴极分别与第一电源 Vdd和所述TFT驱动管Tl的漏极连接，所述TFT驱动管Tl的源极与第二电源V ss连接，所述 TFT驱动管Tl的栅极通过第二TFT开关管S2与数据输入端Vdata连接，所述第一 TFT开关 管Sl连接在所述OLED的阴极和所述TFT驱动管Tl的栅极之间，所述TFT驱动管Tl的栅 极通过所述电容Cs接地，所述第一 TFT开关管Sl的控制端（栅极）和第二TFT开关管S2 的控制端分别与第一扫描信号端scanl和第二信号扫描端scan2连接。本实施例中，TFT是 采用 a-Si TFT。
[0038] 如图4所示，一种实施例的AMOLED像素电路的控制方法，包括如下步骤：
[0039] 在第一阶段（phase)，电容〇^[)充电阶段，第一扫描信号端scanl和第二信号扫描 端scan2处于高电平，第一 TFT开关管Sl和第二TFT开关管S2被打开；数据输入端VdaJt 入数据高电平Vdata，第二电源Vss和第一电源V DD分别处于高电平和低电平的情况下，第一电 源Vdd要足够低，使OLED反偏充当一个电容C aED，第二电源Vss要足够高，可以关闭TFT驱动 管T1。
[0040] 这样，数据高电平Vdat^过第一 TFT开关管Sl对电容C s充电，直至电容C s的电压 为Vdatal,第一数据高电平Vdatal依次通过一 TFT开关管Sl和第二TFT开关管S2对电容C _ 充电，直至电容CaED的电压（即V ,点的电压）为V datal。
[0041] 在第二阶段，电容〇^[)放电阶段，第一扫描信号端scanl和第二信号扫描端scan2 分别处于低电平和高电平，关闭第一 TFT开关管SI和打开第二T