于第一全局信号(Vselx)，源极电性连接于第三节点(C)，漏极电性连接于第一节点(a)； 所述第一电容(Cl)的一端电性连接于第三节点(C)，另一端电性连接于有机发光二极管(OLED)的阴极及接地端； 所述第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(a)，另一端电性连接于第二节点(b)； 所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第二节点(b)，阴极电性连接于接地端; 所述第一薄膜晶体管(Tl)为驱动薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一全局信号(Vselx)、及第二全局信号(Vsely)均通过外部时序控制器产生。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一全局信号(Vselx)、第二全局信号(Vsely)、扫描信号电压(Vsel)、及交流电源电压(Vdd)相组合先后对应于复位阶段(Reset)、阈值电压检测阶段(Vthsensing)、阈值电压补偿阶段(Programming)、及驱动发光阶段(Emitting)； 在所述复位阶段(Reset)，所述扫描信号电压(Vsel)与第二全局信号(Vsely)为高电位，第一全局信号(Vselx)与交流电源电压(Vdd)为低电位； 在所述阈值电压检测阶段(Vth sensing)，所述第二全局信号(Vsely)与交流电源电压(Vdd)为高电位，扫描信号电压(Vsel)与第一全局信号(Vselx)为低电位； 在所述阈值电压补偿阶段(Programming)，所述扫描信号电压(Vsel)与第二全局信号(Vsely)为低电位，第一全局信号(Vselx)与交流电源电压(Vdd)为高电位； 在所述驱动发光阶段(Emitting)，所述扫描信号电压(Vsel)、第一全局信号(Vselx)、及第二全局信号(Vsely)为低电位，交流电源电压(Vdd)为高电位。
5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述参考电压(Vref)为一恒定电压。
6.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供一 AMOLED像素驱动电路； 所述AMOLED像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(Cl)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(OLED)； 所述第一薄膜晶体管(Tl)的栅极电性连接于第一节点(a)，源极电性连接于第二节点(b)，漏极电性连接于交流电源电压(Vdd); 所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于扫描信号电压(Vsel)，源极电性连接于数据信号电压(Vdata)，漏极电性连接于第三节点(C); 所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二全局信号(Vsely)，源极电性连接于第一节点(a)，漏极电性连接于参考电压(Vref); 所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第一全局信号(Vselx)，源极电性连接于第三节点(C)，漏极电性连接于第一节点(a)； 所述第一电容(Cl)的一端电性连接于第三节点(C)，另一端电性连接于有机发光二极管(OLED)的阴极及接地端； 所述第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(a)，另一端电性连接于第二节点(b)； 所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第二节点(b)，阴极电性连接于接地端; 所述第一薄膜晶体管(Tl)为驱动薄膜晶体管； 步骤2、进入复位阶段(Reset)； 所述扫描信号电压(Vsel)与第二全局信号(Vsely)提供高电位、第一全局信号(Vselx)与交流电源电压(Vdd)提供低电位，所述第一、第二、第三薄膜晶体管(T1、T2、T3)打开，第四薄膜晶体管(Τ4)关闭，数据信号电压(Vdata)逐行写入第三节点(C)与第一电容(Cl)，第一节点(a)写入参考电压(Vref)，第二节点(b)写入交流电源电压(Vdd)的低电位(Vdl)； 步骤3、进入阈值电压检测阶段(Vth sensing)； 所述第二全局信号(Vsely)与交流电源电压(Vdd)提供高电位、扫描信号电压(Vsel)与第一全局信号(Vselx)提供低电位，所述第一、第三薄膜晶体管(T1、T3)打开，第二、第四薄膜晶体管(Τ2、Τ4)关闭，数据信号电压(Vdata)存储于第一电容(Cl)，第一节点(a)维持参考电压(Vref)，第二节点(b)的电位提升至Vref-Vth，其中Vth为第一薄膜晶体管(Tl)的阈值电压； 步骤4、进入阈值电压补偿阶段(Programming)； 所述扫描信号电压(Vsel)与第二全局信号(Vsely)提供低电位、第一全局信号(Vselx)与交流电源电压(Vdd)提供高电位，所述第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)关闭，第一、第四薄膜晶体管(T1、T4)打开，存储于电容(Cl)的数据信号电压(Vdata)写入第一节点(a)，第一节点(a)的电位改变至数据信号电压(Vdata)，第二节点(b)的电位改变至Vref-Vth+Δ V, AV为数据信号电压(Vdata)对第一薄膜晶体管(Tl)的源极电压即第二节点(b)的电位所产生的影响； 步骤5、进入驱动发光阶段(Emitting)； 所述扫描信号电压(Vsel)、第一全局信号(Vselx)、及第二全局信号(Vsely)均提供低电位，交流电源电压(Vdd)提供高电位，所述第二、第三、第四薄膜晶体管(T2、T3、T4)关闭，第一薄膜晶体管(Tl)打开，由于第二电容(C2)的存储作用，所述第一节点(a)的电位即所述第一薄膜晶体管(Tl)的栅极电压维持为:Vg = Va = Vdata 其中，Vg表示第一薄膜晶体管(Tl)的栅极电压，Va表示第一节点(a)的电位； 所述第二节点(b)的电位即所述第一薄膜晶体管(Tl)的源极电压仍为:Vs = Vb = Vref-Vth+ Δ V 其中，Vs表示第一薄膜晶体管(Tl)的源极电压，Vb表示第二节点(b)的电位； 所述有机发光二极管(OLED)发光，且流经所述有机发光二极管(OLED)的电流与第一薄膜晶体管(Tl)的阈值电压无关。
7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
8.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一全局信号(Vselx)、及第二全局信号(Vsely)均通过外部时序控制器产生。
9.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述参考电压(Vref)为一恒定电压。
【专利摘要】本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用4T2C结构，包括：第一、第二、第三、第四薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4)、第一、第二电容(C1、C2)、及有机发光二极管(OLED)，并引入第一、第二全局信号(Vselx、Vsely)、及参考电压(Vref)；通过第三薄膜晶体管(T3)向第一节点(a)提供参考电压(Vref)，能够简化数据信号电压(Vdata)，减小数据信号电压(Vdata)的复杂度，通过第四薄膜晶体管(T4)将数据信号电压(Vdata)写入第一薄膜晶体管(T1)即驱动薄膜晶体管的过程与复位(Reset)及阈值电压检测(Vth sensing)的过程分开，增加复位时间与补偿时间，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化，使AMOLED的显示亮度较均匀，提升显示品质。
【IPC分类】G09G3-32
【公开号】CN104680982
【申请号】CN201510140733
【发明人】吴元均, 蔡玉莹
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年3月27日