用于检测显示面板的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别地涉及一种用于检测显示面板的方法。
【背景技术】
[0002]在显示装置的显示面板的制造中，一般包括多个制程。例如，对于AMOLED显示面板的制造，一般包括阵列基板(背板)制程、有机发光层(EL)制程以及封装制程等。在阵列基板制程中，通常采用阵列测试(array test)工艺对制造完成的阵列基板进行不良筛查，确定其是否存在缺陷。一方面，可以拦截不良的阵列基板流入后续的制程而生产出不良的显示面板，另一方面，可以监控阵列基板制程工艺的稳定性。
[0003]为了验证阵列测试(array test)的可靠性，通常需要将一部分阵列基板投入到有机发光层制程和封装制程，并得到显示面板单元(cell)，接着，利用显示面板单元测试(cell test)工艺对显示面板单元进行测试，即通过点亮面板单元进行测试，从而验证阵列测试的可靠性，以修正阵列测试工艺中的测试条件。
[0004]但是，有机发光层的制作需要较高的成本，这样，导致整个的显示面板检测过程成本较高。与此同时，在有机发光层的制程中，也可能引起某种缺陷的发生，这种缺陷难以与阵列基板制程中的产生的缺陷相区分，使得整个检测过程变得复杂，而且不利于阵列测试的可靠性的提高。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种用于检测显示面板的方法，以缓解或减轻上述问题。
[0006]根据本发明的一个实施例，显示面板可包括用于驱动电致发光器件的阵列基板，阵列基板可包括阵列布置的像素电极以及驱动像素电极的像素开关阵列，用于检测显示面板的方法可包括如下步骤:
51、向制作完成的阵列基板施加第一驱动信号，监控所述像素电极上的第一电压；
52、在所述阵列基板的各个像素电极上形成第二电极；
53、向被形成有所述第二电极的阵列基板施加第二驱动信号，监控流过所述第二电极的第二电流；
其中所述像素电极是所述电致发光器件的阴极和阳极中的一个，所述第二电极是所述电致发光器件的阴极和阳极中的另一个。
[0007]对于该实施例提供的检测方法，由于不需要制作有机发光层，所以整个的检测过程的成本得以大大降低。同时，也排除了有机发光层的制作中可能引入的新的缺陷带来的干扰，简化了显示面板的检测过程，降低了检测的复杂性，有助于提高显示面板的检测效率。
[0008]在根据本发明的实施例中，所述阵列基本的制作可包括对所述阵列基板进行测试以确定阵列基板中的缺陷，这种测试在本领域中也可被称作阵列测试(array test),所述方法还可包括:利用所述第一电压和所述第二电流来检验所述测试的测试结果。在实施例中，可以对监控到的第一电压和第二电流进行有效的利用，例如，可将它们进行比较等等，这样可以有效地检验或验证之前阵列测试中的测试结果，以提高阵列测试的可靠性。
[0009]根据本发明的另一实施例，用于检测显示面板的方法还可包括:绘制第一电压等值线，所述第一电压等值线指示所述阵列基板中具有相等的第一电压的像素电极；并且绘制第二电流等值线，所述第二电流等值线指示所述阵列基板中具有相等的第二电流的第二电极。
[0010]进一步地，根据本发明的实施例中的所述利用所述第一电压和所述第二电流来检验所述测试的测试结果的步骤可包括:将所述第一电压等值线和第二电流等值线进行比较。这样，通过将绘制的图线进行比较提供了一种方便、高效的检验或验证阵列测试结果的方式，增加了便利性，进一步地提高了显示面板的检测效率。
[0011]替代性地，根据本发明的另一实施例，所述方法还可包括:借助所述第一电压得到所述像素开关的第一阈值电压，以及借助所述第二电流得到所述像素开关的第二阈值电压。
[0012]进一步地，所述方法还可包括:将所述第一阈值电压和第二阈值电压进行比较。通过将第一阈值电压和第二阈值电压进行比较，同样可以检验或验证阵列测试的结果，提高阵列测试的可靠性。
[0013]根据本发明的又一实施例，所述方法还包括:在形成所述第二电极之后，对所述阵列基板进行封装。
[0014]进一步地，所述对所述阵列基板进行测试以确定阵列基板中的缺陷的步骤可包括:使用短路环将所述像素开关阵列的扫描线引出至所述阵列基板的外围。
[0015]进一步地，所述方法可包括:在开始所述步骤S3之前将所述短路环切除。
[0016]在根据本发明的各实施例提供的方法中，其中的电致发光器件可以是有机发光二极管，所述阵列基板可以是AMOLED阵列基板。
【附图说明】
[0017]下面，参照附图并通过举例的方式来说明根据本发明实施例的检测方法的具体实例。附图是示意性的，并未按比例绘制，且只是为了说明本发明的实施例而并不意图限制本发明的保护范围，其中:
图1示意性地说明AMOLED阵列基板的单个的像素电极及其驱动电路。
[0018]图2是根据本发明的一个实施例的用于检测显示面板的方法的流程图；
图3是根据本发明的实施例的用于驱动AMOLED阵列基板的驱动信号波形的示意图。
【具体实施方式】
[0019]本文描述的实施例主要是针对用于检测显示面板的方法，显示面板可包括用于驱动电致发光器件的阵列基板，阵列基板可包括阵列布置的像素电极以及驱动所述像素电极的像素开关阵列。电致发光器件可以是各种适合于用作显示面板的像素单元的发光器件，包括但不限于各种LED器件，例如，有机发光二极管(OLED)等等。在所述电致发光器件是OLED的情形中，阵列基板可以是AMOLED阵列基板。
[0020]为了清楚且方便地说明本发明的原理和思想，在下面的实施例中，以所述阵列基板是AMOLED阵列基板为例来说明本发明提出的用于检测显示面板的方法，当然，本发明提出的方法也可以被应用于包括其它类型的电致发光器件的显示面板。
[0021]在本发明的实施例中，显示面板可包括用于驱动电致发光器件OLED的阵列基板，阵列基板可包括阵列布置的像素电极以及驱动所述像素电极的像素开关阵列。像素电极可以在制作阵列基板的过程期间形成或者在完成阵列基板的基本制备之后而附加地形成。图1示意性地示出了 AMOLED阵列基板中单个的像素电极及其驱动电路。在图1的示例中，驱动电路的示例是包含第一薄膜晶体管(TFT) Tl和第二薄膜晶体管T2的双开关驱动电路，其中Tl与单个的像素电极I电连接，其用作驱动像素电极I的像素开关。当然，像素电极I的驱动电路还可以是本领域技术人员知晓的包括三个、四个或更多个TFT的其它形式的像素驱动电路。
[0022]图2示出了根据本发明的一个实施例的用于检测显示面板的方法的流程图，如图2所示，该方法可包括如下步骤:
51、向制作完成的阵列基板施加第一驱动信号，监控所述像素电极上的第一电压；
52、在所述阵列基板的各个像素电极上形成第二电极；
53、向被形成有第二电极的阵列基板施加第二驱动信号，监控流过所述第二电极的第二电流，其中像素电极是电致发光器件的阴极和阳极中的一个，第二电极是电致发光器件的阴极和阳极中的另一个。
[0023]在该实施例中，在步骤SI中，可以利用常规的信号源向制作完成的阵列基板施加驱动信号，监控像素电极上的第一电压。例如，对于包括如图1所示的像素单元的AMOLED阵列基板，可以在信号源上调整其发出的扫描信号GT和数据信号DT的时序，依次使AMOLED阵列基板的每一行像素单元上电。这样，利用电压检测设备就可以监控到各个像素电极上的第一电压(在本文中，将在该阶段中监控到的像素电极上的电压称为“第一电压”)。当然，也可以只是监控AMOLED阵列基板的部分区域内的像素电极上的第一电压，或者选择性地监控AMOLED阵列基板的某些局部区域内的像素电极上的第一电压。图3示意性地示出了从信号源发出的向阵列基板施加的第一驱动信号的波形。其中Data表示数据信号Data的波形，其可以作为如图1中所示的单个的像素单元的数据信号DT，Gate N表示第N行像素单元的扫描信号，其可以作为如图1中所述的单个的像素单元的扫描信号GT。当然，应当理解，可以将常规的面板测试工艺中使用的任何适当的驱动波形应用于本发明的实施例。
[0024]在步骤S2中，在阵列基板的各个像素电极上形成第二电极，例如，第二电极可以被蒸镀在像素电极上。这样，让第二电极与像素电极形成直接连接。需要说明的是，取决于OLED结构的类型，第二电极可以是电致发光器件OLED的阴极或阳极。例如，第二电极可以是OLED的阴极，此时，像素电极I可以是OLED的阳极。又如，当OLED具有反置型结构时，像素电极I可以是OLED的阴极，此时，第二电极可以为OLED的阳极。因此，在本发明的实施例中，省去了常规的有机发光层的制作，所以在后续的检测过程中，也将省去点亮显示面板的步骤。
[0025]在步骤S3中，在阵列基板上被形成有第二电极的基础上，向阵列基板施加第二驱动信号，并监控流过第二电极的电流(在本文中，将在该阶段中监控到的流过第二电极的电流称为“第二电流”)。同样地，也可以只是监控AMOLED阵列基板的部分区域内的第二电极上的第二电流，或者选择性地监控AMOLED阵列基板的某些局部区域内的第二电极上的第二电流。而且，可以使用本领域技术人员熟知的电压或电流检测设备或监控方法完成对第一电压或第二电流的监控。在实施例中，取决于阵列基本将被应用的设备的类型，步骤S3中所使用的第二驱动信号与步骤SI中所使用的第一驱动信号可具有相同或不同的特性，例如，可以使用具有相同波形的驱动信号，或者使用不同波形的驱动信号。当然