专利名称：液晶显示器面板的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器面板的制造方法，特别是涉及一种可避免平坦化材料层与金属层间介层孔对准误差的液晶显示器面板制造方法。
在制作液晶显示器面板上的金属层时，由于金属导线间的间距会造成其上的沉积层表面凹凸不平，不但影响后续沉积层的形成，还会导致其无法有效地形成一明亮的反光面，使液晶显示面板的显示效果不良。因此，在制作金属层时，必需在其上沉积一具有绝缘特性的有机平坦材料层，去除表面的凹凸不平。
图1A～图1E显示了传统上在金属层上形成一有机平坦化材料层的流程，以提高开口率。
首先，如图1A所示，提供一硅基底10，在硅基底10上具有一接触垫层12a及金属层12b(如数据信号线)，其上方分别覆盖有一氧化硅层11，而在氧化硅层11上还覆盖有一氮化硅层13。其中接触垫层12a及金属层12b经由使用一图案对一导电层(如铜或铝)进行蚀刻而限定形成，接触垫层12a用以做为液晶显示面板上连接驱动IC的接触垫(bonding pad)，而金属层12b则做为连通液晶显示面板像素区域中各电路组件的导线。
接着，如图1B所示，沉积一光致抗蚀剂层14，并对光致抗蚀剂层14进行曝光及显影而分别在接触垫层12a及金属层12b上方形成凹槽141a及141b，使其下的氮化硅层13及氧化硅层14曝露。
然后，如图1C所示，以光致抗蚀剂层14为掩模对氮化硅层13及氧化硅层11进行蚀刻而形成凹槽15a及15b，使其下的接触垫层12a及金属层12b曝露，并移除光致抗蚀剂层14。
再者，如图1D所示，沉积一光学型(photo-type)有机平坦化材料层(如JSR公司所生产的PC-452、PC-403型号材料或TOK公司生产的TPARP202MP型号材料)16。
最后，如图1E所示，对该平坦化材料16进行曝光及显影而使接触垫层12a上方的平坦化材料16移除，并在金属层12b上形成一介层孔17。如此，便可通过平坦化材料层16将原本在金属层12b上的绝缘层11表面的凹凸不平消除。
此外，有机平坦化材料16也可以使用非光学型(non-photo type)的平坦化材料层(如Dow化学公司生产的BCB材料)，此时，必需在其上再沉积一光致抗蚀剂层，利用曝光、显影及蚀刻的方式形成介层孔17，此步骤为极普遍的制作工艺技术，为了图标及说明的简洁，不再赘述。
然而，在上述的传统制作工艺中，因介层孔17需要使用两次的曝光步骤才能形成，极易因曝光时所产生的对准误差而造成如图1E所示的介层孔对不准(misalignment)的问题。
本发明的目的在于提供一种液晶显示器面板的制造方法，其介层孔的形成过程中仅使用一次曝光步骤，避免了对不准的问题。
本发明的目的是这样实现的，即提供一种液晶显示器面板的制造方法，包括以下步骤提供一基底，该基底具有一导电层及一位于该导电层上的第一绝缘层，该导电层限定有一接触垫层及一金属层；在该金属层上方的第一绝缘层上形成一具有一第一凹槽的第二绝缘层，该第一凹槽使该第一绝缘层曝露且对准该金属层；在该接触垫上方的第一绝缘层上形成一具有一第二凹槽的掩模层，该第二凹槽使该第一绝缘层曝露且对该接触垫层；以及同时以该第二绝缘层及该掩模层为掩模，对该第一绝缘层进行蚀刻，使该接触垫层及该金属层曝露。
本发明方法的优点在于，其通过先完成平坦化材料层的沉积再形成介层孔而使得金属层上介层孔的形成只经一次曝光步骤即完成，去除了传统制作工艺中介层孔对不准的问题。
下面结合附图，详细说明本发明的实施例，其中图1A～图1E为传统液晶显示面板中形成介层孔和制作工艺步骤示意图；图2A～图2E为本发明第一实施例液晶显示面板的制造方法示意图；图3A～图3E为本发明第二实施例液晶显示面板的制造方法示意图。
请参见图2A～图2E所示，其显示依本发明第一实施例的液晶显示面板的制造方法。首先，如图2A所示，提供一硅基底20，在硅基底20上具有一接触垫层22a及金属层22b，其上方分别覆盖有一氧化硅层21，而在氧化硅层21上还覆盖有一氮化硅层23。其中接触垫层22a及金属层22b经由使用一图案对一导电层(如铜或铝)进行蚀刻而限定形成，接触垫层22a用以做为液晶显示面板上的接触垫(bonding pad)，金属层22b做为连通液晶显示面板中各电路组件的导线。
接着，如图2B所示，沉积一光学型平坦化材料层24，如使用具有高透明度及低k值的有机材料。在此步骤中，本实施例先沉积平坦化材料层24，平坦化基底20表面，以利后续制作工艺地进行。
再来，如图2C所示，对该平坦化有机材料层24进行曝光及显影而使接触垫层22a上方的平坦化有机材料层24移除，并在金属层22b上形成一对准金属层22b的凹槽241，以曝露氧化硅层21。
然后，如图2D所示，沉积一光致抗蚀剂层25，对光致抗蚀剂层25进行曝光及显影而使金属层22b上方的光致抗蚀剂层25移除，并在接触垫层22a上形成一对准接触垫层22a的凹槽251。
最后，如图2E所示，同时以平坦化材料层24及光致抗蚀剂层25为掩模对氧化层21及氮化层23进行蚀刻，而在接触垫层22a上形成一曝露接触垫层22a的凹槽26a，以及在金属层22b上形成一对准且曝露金属层22b的介层孔26b，并移除光致抗蚀剂层25。
图3A～图3E显示依本发明一第二实施例的液晶显示面板的制造方法。图3A～图3E中与图2A～图2E中相同的组件使用相同的符号来表示。
首先，如图3A所示，提供一硅基底20，在硅基底20上具有一接触垫层22a及金属层22b，其上方分别覆盖有一氧化硅层21，而在氧化硅层21上还覆盖有一氮化硅层23。其中接触垫层22a及金属层22b经由使用一图案对一导电层(如铜或铝)进行蚀刻而限定形成，接触垫层22a用以做为液晶显示面板上的接触垫(bonding pad)，金属层22b做为连通液晶显示面中各电路组件的导线。
接着，如图3B所示，依序沉积一非光学型有机平坦化材料层31及一光致抗蚀剂层32。经由曝光及显影的步骤，将接触垫层22a上方的光致抗蚀剂层32去除并在金属层22b上方形成一曝露平坦化材料层31且对准金属层22b的凹槽321。在此步骤中，本实施例先沉积平坦化材料层31，使介层孔的形成过程中，可以仅对平坦化材料层31及其下的沉积层使用一次的曝光步骤，以消除传统制作工艺中因两次曝光步骤所造成的对不准问题。
然后，如图3C所示，以光致抗蚀剂层32为掩模对平坦化材料层31进行蚀刻而使接触垫层22a上方的平坦化材料层31移除，并在金属层22b上形成一对准金属层22b的凹槽311。
再来，如图3D所示，再沉积一光致抗蚀剂层25，对光致抗蚀剂层25进行曝光及显影而使金属层22b上方的光致抗蚀剂层25移除，并在接触垫层22a上形成一对准接触垫层22a的凹槽251。
最后，如图3E所示，同时以平坦化材料层31及光致抗蚀剂层25为掩模对氧化层21及氮化层23进行蚀刻，在接触垫层22a上形成一曝露接触垫层22a的凹槽26a，以及在金属层22b上形成一对准且曝露金属层22b的介层孔26b，并移除光致抗蚀剂层25。
综合上述，本发明通过先沉积平坦化材料层后再形成介层孔而使介层孔的形成过程中仅使用一次曝光步骤，避免了在传统制作工艺中需使用两次曝光步骤而造成介层孔对不准的问题。
虽然以上结合一较佳实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种液晶显示器面板的制造方法，包括以下步骤提供一基底，该基底具有一导电层及一位于该导电层上的第一绝缘层，该导电层限定有一接触垫层及一金属层；在该金属层上方的第一绝缘层上形成一具有一第一凹槽的第二绝缘层，该第一凹槽使该第一绝缘层曝露且对准该金属层；在该接触垫上方的第一绝缘层上形成一具有一第二凹槽的掩模层，该第二凹槽使该第一绝缘层曝露且对该接触垫层；以及同时以该第二绝缘层及该掩模层为掩模，对该第一绝缘层进行蚀刻，使该接触垫层及该金属层曝露。
2.如权利要求1所述的方法，其中还包括沉积该第二绝缘层；以及移除该接触垫上方的第二绝缘层并在该金属层上方的第二绝缘层形成该第一凹槽。
3.如权利要求1所述的方法，其中还包括沉积该掩模层；以及移除该金属层上方的掩模层并在该接触垫上方的掩模层形成该第二凹槽。
4.如权利要求1所述的方法，其中该第二绝缘层一光学型有机平坦化材料层。
5.如权利要求1所述的方法，其中还包括对该第二绝缘层进行曝光并显影而形成该第一凹槽。
6.如权利要求1所述的方法，其中该第二绝缘层为一非光学型有机平坦化材料层。
7.如权利要求6所述的方法，其中还包括在该第二绝缘层上形成的一第一光致抗蚀剂层；以及对该光致抗蚀剂层进行曝光及显影，并以显影后的光致抗蚀剂层为掩模，对该第二绝缘层进行蚀刻而形成该第一凹槽。
8.如权利要求1所述的方法，其中在该接触垫上方的第一绝缘层包括一氧化硅层及氮化硅层。
9.如权利要求8所述的方法，其中在该金属层上方的第一绝缘层为一氧化硅层。
10.如权利要求1所述的方法，其中该基底为一硅基底。
11.如权利要求1所述的方法，其中该掩模层为一第二光致抗蚀剂层。
12.如权利要求11所述的方法，其中还包括对该第二光致抗蚀剂层进行曝光及显影而成该第二凹槽。
13.如权利要求1所述的方法，其中该第一凹槽为一介层孔。
14.如权利要求1所述的方法，其中该金属层为一铜层。
15.如权利要求1所述的方法，其中该金属层为一铝层。
全文摘要
一种液晶显示器面板的制造方法，包括提供基底，基底有导电层及位于导电层上的第一绝缘层，导电层限定有接触垫层及金属层。在金属层上方的第一绝缘层上形成具有第一凹槽的第二绝缘层，第一凹槽使第一绝缘层暴露且对准金属层。在接触垫层上方的第一绝缘层上形成具有第二凹槽的掩模层，第二凹槽使第一绝缘层暴露且对准接触垫层。同时以第二绝缘层及掩模层为掩模对第一绝缘层进行蚀刻，使接触垫层及金属层曝露。
文档编号G02F1/13GK1391127SQ0112148
公开日2003年1月15日 申请日期2001年6月12日 优先权日2001年6月12日
发明者薛英家, 王裕芳 申请人:瀚宇彩晶股份有限公司