X射线双频全息干涉仪的制作方法

文档序号:2772996阅读:421来源:国知局
专利名称:X射线双频全息干涉仪的制作方法
技术领域
本实用新型涉及X射线干涉仪,特别是一种X射线双频全息干涉仪,主要用于各种球面反射镜、激光等离子体的高精密检测。
背景技术
如我们所知道的,任何一个成像系统,它的分辨率和波长成反比,为了获得高的分辨率,总是寻求短的波长,于是发明了电子显微镜,尽管电子的德布罗意波长很短,但它穿透样品的能力很差。为了克服这种不足,人们采用X射线作为照明源。
近年来,由于同步辐射、激光等离子体X射线以及微光学元件等的快速发展,X射线全息术以及X射线干涉技术也取得了许多长足的进步。目前使用的X射线干涉仪有两种类型,一种是由三块近完美的晶体平行放置,形成一个干涉仪,如图1所示,它由七部分组成同步辐射源1,硅单晶片2,3,4,待测样品5,相移器6和探测器7。同步辐射源1出射的X射线,经第一块硅单晶片2后,产生±一级衍射,其中负一级衍射经相移器6以后,进入到第二块单晶片3,再产生衍射,由单晶片3产生的负一级衍射经过待测样品5,与硅单晶片3产生的正一级衍射,进入到硅单晶片4上,再一次产生衍射形成干涉条纹。
Momose小组采用这种干涉仪进行了相衬层析方面的工作(参见在先技术A.Momose etal.,Hitachi Review,1999,Vol.48,No.3,2314-2317)。将物样旋转,并在不同方向上获得其干涉图样,利用Tsukuba Photon Factory的同步辐射光源对人体的乳房、肝以及肾的癌变组织进行成像,他们在密度变化上得到了10-9g/cm3量级的分辨率。由于其灵敏度十分高,X射线干涉仪要求具有高度的完美的晶体准直度和机械稳定性。在一块单晶上制作成这种干涉仪可以获得极佳的实验效果,但晶体的尺寸有限也限制了分析物样的大小。
最近Marchall Joy等人在马歇尔空间飞行中心建立了一台掠入射X射线干涉仪,如图2所示,它是一个改进型的阳氏双缝干涉仪,由九部分组成X射线源1、狭缝8、滤光器9、双狭缝10和4个平面反射镜11、12、13、14、一个探测器7(CCD),其工作原理完全类似于双缝干涉仪。这种干涉仪显然结构庞大,在天文物理上有着广阔的应用范围,但在实验室检测是无能为力的。

发明内容
本实用新型要解决的技术问题在于针对上述在先技术中的缺点,提供一种双频X射线全息干涉仪,即用两个波长进行两次曝光的全息干涉仪。
本实用新型的基本原理如下设物光波O1的振幅为1,其在全息干板H上的位相分布为 参考光波R为波长λ1的平面波,与全息干板法向夹角为θ1,于是,在全息干板上的振幅分布U(x,y)=exp[i2πλ1φ(x,y)]+exp[i2πλ1xsinθ1]---(1)]]>强度分布则为I(x,y)=U(x,y)·U*(x,y)]]>=2+exp{i2πλ1[φ(x,y)-xsinθ1]}+exp{-i2πλ1[φ(x,y)-xsinθ1]}---(2)]]>假设曝光、显影符合线性条件,则经过处理后的全息图透过率函数与式(2)成正比,而用另一种工作波长λ2的第二次曝光所得到的强度分布与式(2)相似,只是式中的λ1和θ1应分别用λ2和θ2代替。两次曝光可以同时进行,也可以依次进行。这样,最后在全息干板上得到的强度分布为
I(x,y)=2+exp{i2πλ1[φ(x,y)-xsinθ1]}+exp{-i2πλ1[φ(x,y)-xsinθ1]}]]>+{2+exp[i2πλ2(φ(x,y)-xsinθ2)]+exp[-i2πλ2(φ(x,y))-xsinθ2]}]]>=4+exp[i2πλ1(φ(x,y)-xsinθ1)]+exp[-i2πλ1(φ(x,y)-xsinθ1)]]]>+exp[i2πλ2(φ(x,y)-xsinθ2)]+exp[-i2πλ2(φ(x,y)-xsinθ2)]---(3)]]>在双曝光法中,仍然假设曝光、显影符合线性记录条件,则经过处理后的全息图透过率函数与式(3)成正比。假如全息图用一平面波照明,并且如果θ1和θ2选择合适,使空间滤波器能够只让式(3)中的第二项和第四项通过。这两项叠加的结果,由简单的运算得到其强度分布(略去不重要的常量因子)为I(x,y)=1+cos2π{φ(x,y)(1λ1-1λ2)+x(sinθ2λ2-sinθ1λ1)}---(4)]]>假如全息图用波长为λ3的两个平面波照明,一个照明波的入射角为θ3,另一个为θ4,则根据式(3),通过全息图后的振幅分布中有下列两项exp{i2π[1λ1φ(x,y)+x(sinθ3λ3-sinθ1λ1)]}---(5)]]>exp{i2π[1λ2φ(x,y)+x(sinθ4λ4-sinθ2λ2)]}---(6)]]>若θ1,θ2,θ3和θ4选择得合适,就可以用空间滤波器把由式(5)和式(6)表示的两个振幅分布项和其它项分离开。经过滤波器后的这两项分量叠加后得到的强度分布,根据相似的计算,有I(x,y)=1+cos2π[φ(x,y)(1λ1-1λ2)+x(sinθ2λ2-sinθ1λ1+sinθ3-sinθ4λ3)]---(7)]]>总之,结果都可视为等效波长λeq相干的结果,其中λeq=|λ1·λ2λ2-λ1|.]]>
若是采用共轭波重构时,上述等效波长应为λeq=λ1λ2λ1+λ2]]>当λ1≈λ2时,等效波长比原波长小一倍,所以灵敏度能提高近一倍。
本实用新型的技术解决方案是一种X射线双频全息干涉仪,其特征在于它包括X射线源、微波带片、小孔光阑、探测器和计算机,所说的微波带片是一块直径为1mm,波带数大于500的能对X射线进行聚焦的微光学元件;所说的小孔光阑置于由微波带片产生一级X射线衍射的焦点处;所说的探测器是一个能接受软X射线的电荷耦合器;所说的计算机用来实施重构X射线全息图。
所说的X射线源是一台同步辐射源。
所说的小孔光阑是一块直径为10μm的小孔。
根据所述的X射线双频全息干涉仪进行测试的方法,包括下列步骤①将待测样品和小孔光阑并列放置;②通过同步辐射源选择第一次曝光波长进行曝光当硬X射线进入到微波带片以后,被微波带片衍射所产生的一级焦点位于小孔光阑内,除了部分零级波透过微波带片以外,其它波长的X射线被小孔光阑阻挡,而透过微波带片的零级X射线照明待测样品以后,被样品衍射成为物波,而通过小孔光阑的一级衍射波成为参考波。参考波和物波相遇在探测器上形成全息图;③通过同步辐射源选择第二次曝光波长进行曝光;④计算机对两次曝光所获得的两张全息图进行重构,就可以获得待测样品的位相信息。
本实用新型的X射线双频全息干涉仪与在先技术相比,它可以测量样品的位相信息,灵敏度可以调整,是其它任何一种全息干涉仪所不能比拟的,最高灵敏度可比一般同波长的干涉仪高两倍,在特殊情况,它的灵敏度可以大大降低,根据实际需要决定灵敏度。


图1在先技术中的平板晶体干涉仪。
图2在先技术中所使用的掠入射阳氏双缝干涉仪。
图3本实用新型的双频X射线全息干涉仪示意图。
具体实施方式
图3是本实用新型的双频X射线全息干涉仪实施例示意图,由五部分组成X射线源1、微波带片15、小孔光阑16、探测器7和计算机18。
所说的X射线源1是一台同步辐射源。
所说的微波带片15是一块直径为1mm,波带数大于500的能对X射线进行聚焦的微光学元件。
所说的小孔光阑16,是一块直径为10μm的小孔,它置于由波带片15产生一级X射线衍射的焦点处。
所说的探测器7,是一个能接受软X射线电荷耦合器及CCD。
所说的计算机18是一台能用来实施重构X射线全息图的计算机。
测试时,将待测样品17,可能含生物样品,与小孔光阑16并列放置。
我们知道同步辐射源是一台宽频源输出,从远红外直到硬X射线。在X射线波段调整两块硅单晶片的角度就可以选择曝光波长,在第一次曝光时,选择一个波长为1.51,第二次曝光时,选择1.50进行再次曝光。
当硬X射线1进入到微波带片15以后,被微波带片15所衍射产生的一级焦点位于小孔光阑16内,除了部分零级波透过微波带片15以外,其它波长的X射线被小孔光阑16阻挡,而透过微波带片15的零级X射线照明待测样品17以后,被样品17衍射成为物波,而通过小孔光阑16的一级衍射波成为参考波。参考波和物波相遇在探测器上,形成全息图。选择第二次曝光波长,同样又可形成另一全息图;计算机将两次曝光获得的两张全息图进行重构,就可以获得待测样品的位相信息。
权利要求1.一种X射线双频全息干涉仪,其特征在于它包括X射线源(1)、微波带片(15)、小孔光阑(16)、探测器(7)和计算机(18),所说的微波带片(15)是一块直径为1mm,波带数大于500的能对X射线进行聚焦的微光学元件;所说的小孔光阑(16)置于由波带片(15)产生一级X射线衍射的焦点处;所说的探测器(7)是一个能接受软X射线的电荷耦合器;所说的计算机(18)用来实施重构X射线全息图。
2.根据权利要求1所述的X射线双频全息干涉仪,其特征在于所说的X射线源(1)是一台同步辐射源。
3.根据权利要求1所述的X射线双频全息干涉仪,其特征在于所说的小孔光阑(16)是一块直径为10μm的小孔。
专利摘要一种X射线双频全息干涉仪,其特征在于它包括X射线源、微波带片、小孔光阑、探测器和计算机,所说的微波带片是一块直径为1mm,波带数大于500的能对X射线进行聚焦的微光学元件;所说的小孔光阑,置于由微波带片产生一级X射线衍射的焦点处;所说的探测器是一个能接受软X射线的电荷耦合器;所说的计算机用来实施重构X射线全息图。本实用新型的灵敏度可以调整,最高可为同波长普通干涉仪的两倍。
文档编号G03H1/04GK2674400SQ20032010782
公开日2005年1月26日 申请日期2003年11月7日 优先权日2003年11月7日
发明者陈建文, 高鸿奕, 谢红兰, 李儒新, 徐至展 申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
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