专利名称：液晶面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶面板。
背景技术：
目前，液晶显示器逐渐取代了用于计算器的传统阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器，而且，由于液晶显示器具轻、薄、小等特点，使其非常适合应用于桌上型计算机、膝上型计算机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便携式电话、电视和多种办公自动化与视听设备。液晶面板是液晶显示器的主要部件。
在薄膜晶体管液晶显示器中，显示区的透光度取决于液晶分子偏转的程度，而液晶分子的偏转程度取决于液晶面板的上下电极之间的电压。显示图像时，薄膜晶体管对液晶面板的上下电极形成的液晶电容充电，然后关闭。此液晶电容的电压将保持一段时间，直到下一个电压写入之前，此电压的改变不可使显示图像的亮度超过一个灰阶，否则会造成显示效果不佳。
请参阅图1，是一种现有技术揭露的液晶面板的结构示意图。该液晶面板100包括第一基板110、第二基板120和一夹于该第一基板110与第二基板之间的液晶层(未标示)。该第一基板110包括下偏光片111、第一玻璃基底112、像素电极113和第一配向层114。该下偏光片111、第一玻璃基底112、像素电极113和第一配向层114自下至上依次层叠设置。该第二基板包括第二配向层124、公共电极123、彩色滤光片125、第二玻璃基底122和上偏光片121。该第二配向层124、公共电极123、彩色滤光片125、第二玻璃基底122和上偏光片121自下至上依次层叠设置。该像素电极113与该公共电极123构成一电场，来控制液晶分子的偏转，以显示不同的灰阶。
但是，电极与液晶层之间会通过配向层漏电，此漏电流不可过大，过大则会使该电场改变太大而影响显示效果。
且，在制程中，在该第一基板110的像素电极113和该第二基板120的公共电极123上分别镀上第一配向层114与第二配向层124后，将对该第一配向层114与该第二配向层124实施摩擦(Rubbing)动作，以使注入的液晶规则分布于该第一基板110与该第二基板120之间。此摩擦动作有可能实施不均匀，而且可能损害到配向层，使得局部配向层过薄或破损，从而造成该电极层与液晶层之间的漏电流过大，导致显示效果降低。
发明内容为解决上述像素电极和公共电极漏电流过大的问题，有必要提供一种可减小像素电极和公共电极漏电的液晶显示器。
一种液晶面板包括相对设置的二基板和一夹于该二基板之间的液晶层，其中一基板包括依次层叠设置的一玻璃基底、一电极层、一绝缘层和一配向层，该配向层邻接于该液晶层。
由于上述液晶面板的电极层与配向层之间设有一绝缘层，增大了该电极层与该液晶层之间的电阻，故可减小电极层与液晶层之间的漏电流，且可防止出现因配向层受损或不均而导致的电极层与液晶层之间漏电流过大的问题。
图1是现有技术的液晶面板的结构示意图。
图2是本发明第一实施方式的液晶面板的结构示意图。
图3是本发明第二实施方式的液晶面板的结构示意图。
图4是本发明第三实施方式的液晶面板的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图2，是本发明第一实施方式所揭示的液晶面板200的结构示意图。该液晶面板200包括第一基板210、第二基板220和一夹于该第一基板210与该第二基板220之间的液晶层(未标示)。
该第一基板210包括下偏光片211、第一玻璃基底212、像素电极213、一绝缘层214和一第一配向层215。该下偏光211、该第一玻璃基底212、该像素电极213、该绝缘层214和该第一配向层215自下至上依次层叠设置。该绝缘层214使得该像素电极213与该液晶层之间的电阻增大，故可减小该像素电极213与该液晶层之间的漏电流。若配向层215在制程中受损或不均匀，因该绝缘层214的存在，可有效隔离该像素电极213与该液晶层，故可减小该像素电极213与该液晶层间的漏电流，绝缘层214采用的材料为氧化硅。
该第二基板包括第二配向层224、公共电极223、彩色滤光片225、第二玻璃基底222和上偏光片221。该第二配向层224、公共电极223、彩色滤光片225、第二玻璃基底222和上偏光片221自下至上依次层叠设置。该公共电极223与该像素电极213形成一电场，以控制液晶分子的偏转，以显示不同的灰阶。该第二配向层224与该第一配向层215的作用为对液晶分子进行配向，使液晶分子按一定规则排列。
该像素电极213和该公共电极223所采用的材料为铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)。
由于该液晶面板200的像素电极213与配向层215之间设有一绝缘层214，增大了液晶层与像素电极的间的电阻，故可有效减小像素电极213的漏电。
该液晶面板200的制造步骤如下提供一第一基板210；提供一第二基板220；在两基板210和220之间注入液晶。
该第一基板210制造方法包括如下步骤在该第一玻璃基底212上形成像素电极213；采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)法在该像素电极213上沉积一层绝缘层214，该绝缘层214为氧化硅；在该绝缘层214上形成第一配向层215；摩擦该配向层215；在该第一玻璃基底212上贴附下偏光片211。
形成该绝缘层214采用的化学气相沉积法可为等离子辅助化学气相沉积(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition，PECVD)、高密度等离子化学气相沉积(High Density PlasmaChemical Vapor Deposition，HDPCVD)、电子回旋共振化学气相沉积(Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition，ECRCVD)和感应式耦合等离子辅助化学气相沉积(InductivelyCoupled Plasma Chemical Vapor Deposition，ICPCVD)的一种，沉积厚度在10nm至500nm之间。
该绝缘层214的形成方法并不限于上述化学气相沉积，还可为溅镀(Sputtering)沉积或旋涂法(Spin-on)等。该绝缘层214的材料并不限于氧化硅，还可为氮化硅、含氧氮化硅、含氢氮化硅、含碳氧化硅、含碳氮化硅、含氟氧化硅、含氟氮化硅、钽金属氧化物、钽金属氮化物、钽金属氮氧化物、锆金属氧化物、锆金属氮化物、锆金属氮氧化物、铪金属氧化物、铪金属氮化物、铪金属氮氧化物、钛金属氧化物、钛金属氮化物、钛金属氮氧化物、镍金属氧化物、镍金属氮化物、镍金属氮氧化物、钴金属氧化物、钴金属氮化物、钴金属氮氧化物、铝金属氧化物、铝金属氮化物或铝金属氮氧化物，该绝缘层还可为氨氧氮化物(Hydrogen Silsesquioxane，HSQ)薄膜、硅氧碳氢化合物(Methylsilsesquioxane，MSQ)薄膜、多孔聚硅氨烷(Porous-polysilazane，PPSZ)薄膜、苯丙环丁稀(Benzocyclobutene，BCB)薄膜、氟化亚芳香醚(Fluorinated Arylene Ether，FLARE)薄膜、芳香族碳氢化合物(Silk)薄膜、黑钻石(Black Diomand)薄膜、有机硅烷高分子(Hybrid Organic Siloxane Polymer，HOSP)薄膜、聚亚芳香醚(Polyarylene Ether，PAE)薄膜、类金刚石(Diamond-like Carbon，DLC)薄膜等。
请参阅图3，是本发明第二实施方式的液晶面板300的结构示意图。该液晶面板300包括第一基板310、第二基板320和夹于该第一基板310与该第二基板320之间的液晶层(未标示)。
该第一基板310包括下偏光片311、第一玻璃基底312、像素电极313和一第一配向层315。该下偏光311、该第一玻璃基底312、该像素电极313和该第一配向层315自下至上依次层叠设置。该第二基板320包括第二配向层324、一绝缘层326、公共电极323、彩色滤光片325、第二玻璃基底322和上偏光片321。该第二配向层324、绝缘层326、公共电极323、彩色滤光片325、第二玻璃基底322和上偏光片321自下至上依次层叠设置。
该像素电极313和该公共电极323所采用的材料为铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。
由于该液晶面板300的公共电极323与第二配向层324之间设有一绝缘层326，使得该公共电极323与该液晶层之间的电阻增大，故可减小公共电极323的漏电。
该液晶面板300的制造步骤如下提供一第一基板310；提供一第二基板320；在两基板310和320之间注入液晶。
该第二基板320制造方法包括如下步骤在该第二玻璃基底322上形成彩色滤光片325；在该彩色滤光片325上形成公共电极323；采用化学气相沉积法在该公共电极323上沉积一层绝缘层326，该绝缘层326为氧化硅；在该绝缘层326上形成第二配向层324；摩擦该配向层324；在该第二玻璃基底322上贴附上偏光片321。
该绝缘层324的形成方法和所采用材料与本发明第一实施方式相同。
请参阅图4，是本发明第三实施方式的液晶面板400的结构示意图。该液晶面板400包括第一基板410、第二基板420和夹于该第一基板410与该第二基板420之间的液晶层(未标示)。
该第一基板410包括下偏光片411、玻璃基底412、像素电极413、一第一绝缘层414和一第一配向层415。该下偏光411、该玻璃基底412、该像素电极413、该第一绝缘层414和该第一配向层415自下至上依次层叠设置。该第二基板420包括第二配向层424、一第二绝缘层426、公共电极423、彩色滤光片425、第二玻璃基底422和上偏光片421。该第二配向层424、第二绝缘层426、公共电极423、彩色滤光片425、第二玻璃基底422和上偏光片421自下至上依次层叠设置。
该像素电极413和该公共电极423所采用的材料为铟锡氧化物。
由于该液晶面板400的第一基板410的像素电极413与第一配向层414之间设有第一绝缘层414，第二基板420的公共电极423与第二配向层424之间设有第二绝缘层426，故可减小该像素电极413和该公共电极423分别与配向层414和424之间的漏电流。
该液晶面板400的制造步骤如下提供一第一基板410；提供一第二基板420；在两基板410和420之间注入液晶。该第一基板410的制造方法与本发明第一实施方式的第一基板210的制造方法相同，该第二基板420的制造方法与本发明第二实施方式的第二基板320的制造方法相同，该第一绝缘层414和该第二绝缘层426的形成方法和采用材料与本发明第一实施方式相同。
权利要求
1.一种液晶面板，其包括相对设置的二基板和一夹于该二基板之间的液晶层，其中一基板包括依次层叠设置的一玻璃基底、一电极层和一配向层，该配向层邻接于该液晶层，其特征在于还包括一设置在该电极层与该配向层之间的绝缘层。
2.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于该电极层为相同电极。
3.如权利要求2所述的液晶面板，其特征在于该电极层为像素电极。
4.如权利要求2所述的液晶面板，其特征在于该电极层为公共电极。
5.如权利要求4所述的液晶面板，其特征在于另一基板包括依次层叠设置的一玻璃基底、一像素电极、一绝缘层和一配向层，该配向层邻接于该液晶层设置。
6.如权利要求2所述的液晶面板，其特征在于该电极层为铟锡氧化物电极。
7.如权利要求2所述的液晶面板，其特征在于该电极层为铟锌氧化物电极。
8.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于该绝缘层可为下列材料的一种氧化硅、氮化硅、含氧氮化硅、含氢氮化硅、含碳氧化硅、含碳氮化硅、含氟氧化硅、含氟氮化硅、钽金属氧化物、钽金属氮化物、钽金属氮氧化物、锆金属氧化物、锆金属氮化物、锆金属氮氧化物、铪金属氧化物、铪金属氮化物、铪金属氮氧化物、钛金属氧化物、钛金属氮化物、钛金属氮氧化物、镍金属氧化物、镍金属氮化物、镍金属氮氧化物、钴金属氧化物、钴金属氮化物、钴金属氮氧化物、铝金属氧化物、铝金属氮化物、铝金属氮氧化物、氨氧氮化物、硅氧碳氢化合物、多孔聚硅氨烷、苯丙环丁稀、氟化聚芳香酯醚、芳香族碳氢化合物、黑钻石、有机硅烷高分子、聚亚芳香醚、类金刚石。
9.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于该绝缘层的厚度在10nm至500nm之间。
全文摘要
本发明涉及一种液晶面板，其包括相对设置的二基板和一夹于该二基板之间的液晶层，其中一基板包括依次层叠设置的一玻璃基底、一电极层、一绝缘层和一配向层，该配向层邻接于该液晶层。本发明的液晶面板可减小该电极层的漏电。
文档编号G02F1/1333GK1936679SQ20051003746
公开日2007年3月28日 申请日期2005年9月21日 优先权日2005年9月21日
发明者颜硕廷 申请人:群康科技(深圳)有限公司, 群创光电股份有限公司