专利名称：光子源的制作方法
技术领域：
本发明广泛涉及光子源并且特别地且并不排他地涉及适合量子密钥分布的光子源。
背景技术：
对于许多应用，诸如量子密钥分布而言，需要光子源提供单光子或者纠缠的多光子。例如金刚石的色心可以用于单光子发射。这种色心典型地包括至少一个光学激活杂质原子，诸如氮原子，其位置临近于金刚石矩阵的空穴。这种氮-空穴(N-V)中心受到光学或电子激励源激发并且典型地布置成发射波长位于637nm附近的单光子。然而，单光子被各向同性地发射，这使得难以收集和引导发射出的光子。通常精确对准单色心的物镜被用于收集发射出的光子，但是在光学界面上发生的光学损失较为显著，而且这种收集技术一般比较麻烦而且不结实。另外，光学透镜难于利用集成技术结合，也使得装置的冷却和加热更加困难。
为了实施需要单光子的量子密钥分布以及其他应用，需要单光子发生方面的技术进步。
发明内容
本发明在其第一方面提供一种光子源，包括光学波导，和包括至少一种色心的材料，该或者每个色心为发射光子而布置，所述材料已经生长，使得该材料被结合在所述光学波导上，并且在使用中至少一些从该或者每个色心发射出来的光子在所述光学波导内受到引导。
本发明在其第二方面提供一种光子源，包括光学波导，其包含具有至少一种色心的材料，该或者每个色心为发射光子而布置，该材料被包含在内，使得在使用中至少一些从该或者每个色心发射出来的光子在所述光学波导内受到引导。
由于该材料结合在波导上和/或该材料包含在光学波导内，所以该或者每个色心耦合在波导上。因此，根据本发明的第一和第二方面的实施例的光子源具有的优势在于，不需要另外的光学组件来将发射出的单光子向波导导引。
该光子源相对结实并且较小，可以整体成形并且典型地相对容易冷却和加热。另外，该或者每个色心与波导的密切关联对于光子源的效率是有利的，因为色心通常是各向同性光子的发射器。该或者每个色心与波导的耦合也可以改善光子源的稳定性和耐久性。
本说明书全文中，术语“色心”是从其内可以发射光子的任何光学激活的原子、分子或空穴中心，包括为经由发射单光子或多光子从激发态衰减而布置的原子、分子或空穴中心。例如，色心可以布置成发射波长在可见光范围内和/或外的单光子或多光子。
在本发明的第一和第二方面的一个实施例中，该或者每个色心布置成发射单光子。
术语“发射单光子”用于一次仅发射一个光子的发射。例如，如果该或者每个色心布置成发射单光子，该或者每个色心可以在使用中发射一列单光子或者单个(单独)光子脉冲。
在本发明的第一和第二方面的特别实施例中，该光子源是单光子源，因此是不会同时发射两个或多个光子的光子源。例如，该光子源可以包括一个色心来发射单光子。该光子源可以包括多于一个的色心，但是在这种情况下，该光子源典型地布置成在给定时间内仅有一个色心被激发并且发射光子。
在本发明的第一和第二方面的其他特别实施例中，该光子源布置成发射纠缠的光子。在这种情况下，该光子源典型地包括至少两个色心，其布置成一起发射至少两个纠缠光子。该光子源典型地包括至少一对色心，其布置成发射一对纠缠光子。在本实施例的变形中，该光子源可以包括一个或多个色心，每个色心本身布置成发射纠缠光子。
在本发明的第一和第二方面，该材料典型的具有金刚石的结构，并且典型的是金刚石材料诸如合成金刚石单或多晶材料。
在本发明的第一和第二方面，波导典型地具有芯部区域，并且该材料典型地在波导的芯部区域的一部分上生长。
在根据本发明的第一或者第二方面的光子源中，该材料可以间接结合在波导上。例如，可以在该材料和光学波导之间设置一层其他材料。然而，该材料典型地是直接结合在波导上的。
在根据本发明的第二方面的光子源中，该材料可以嵌入在光学波导内。该材料也可以是波导的一部分。例如，该材料可以包括芯部部分或者整个芯部可以由该材料构成。在一个特别的实施例中，波导包括由该材料诸如金刚石构成的芯部，并且该或者每个色心形成在波导的芯部。例如，金刚石芯部可以首先形成，然后该或者每个色心可以产生在该金刚石芯部内(例如，通过植入)。
至少波导的长度的一部分可以由金刚石构成，并且在一个特别的实施例中，整个波导由金刚石构成。
在根据本发明的第一或者第二方面的光子源中，该或者每个色心典型地包括在金刚石材料中的杂质或者多个杂质。例如，该或者每个杂质可以是临近空穴的氮原子，这样氮-空穴(N-V)色心就形成了。该或者每个杂质也可以为与镍有关的色心，通常称作“NE8”色心。例如，这样的色心对可以布置成发射纠缠光子对。
在本发明的第一和第二方面，波导可以设置成引导光子的任何形式。例如，波导可以为光纤。可替代的，波导可以为平面波导。在任何一种情况下，波导可以包括芯部区域，该区域典型地被芯部包围区域所包围，该芯部包围区域的折射率低于芯部区域。
可替代的或附加的，波导可以包括许多光约束元件，诸如中空管部。光约束元件可以关于芯部区域布置，使得光可以在芯部区域内受到引导。芯部区域可以为实心的，并且光约束元件可以具有其折射率低于芯部区域的芯部包围区域的平均折射率。
光约束元件也可以布置成使得光子晶体波导在芯部包围区域形成光子带隙。在这种情况下，芯部区域可以是中空的，或者可以包括局部破坏光子带隙的缺陷或杂质，由此使得光子在芯部区域受到引导。
在本发明的第一和第二方面的特别实施例中，该材料定位在波导内的腔内，典型地位于波导的芯部区域或其附近。该腔典型地是光学腔，并且可以局部中空，或者可以至少局部充满与芯部区域折射率不同的材料。在这种情况下，该或者每个色心发射的光子可以较少各向同性，并且光子可以优选地发射入增强腔模式。因此，该光学腔可以提高光子源的效率。
本发明在其第三方面提供一种制造该光子源的方法，包括提供光学波导，和这样地在光学波导上或者与其相关联生长材料，使得至少一个色心形成在该材料上。
该材料典型这样地生长，使得该材料与光学波导连接，并且在使用中使得从该或者每个色心发射出的光子中的至少一些光子在光学波导内受到引导。该材料典型地生长，使得该材料介质直接结合在波导上。可替代地，该材料可以如此生长，使得该材料间接地结合在光学波导上，并且一层定位在光学波导和该材料之间。
光子源典型地为单光子源或者可以可替代地为纠缠光子对诸如纠缠光子对的源。
光学波导可以为任何形式的光学波导，包括任何形式的平面波导和光纤。例如，光学波导可以包括芯部区域，后者被芯部包围区域所包围，该芯部包围区域的折射率低于芯部区域。
可替代的或者附加的，光学波导可以包括许多光约束元件，诸如中空管部。光约束元件可以围绕芯部区域布置。光约束元件也可以布置成使得光子晶体波导形成具有在芯部包围区域内的光子带隙。
该方法可以包括附加的步骤，即在光学波导内形成至少一个凹部。例如，波导可以被伸长并且具有芯部以及芯部包围区域，并且至少一个凹部可以形成在波导的端面上的芯部区域内。典型地用优选的蚀刻芯部区域材料的蚀刻工艺在芯部区域蚀刻形成该或者每个凹部。
该材料可以包括具有该或者每个色心的金刚石晶体。生长该材料的步骤典型地涉及化学气相沉积(CVD)。生长步骤也可以包括在该或者每个凹部生长该材料，例如在与该或者每个凹部相关联的边缘上生长。本发明已经发现，依据生长条件，可以在与该或者每个凹部相关联的边缘有利地生长该材料。该或者每个边缘典型地位于芯部区域或其附近，因此该或者每个凹部具有的优势在于金刚石晶体在芯部区域或其附近优势地生长。
如果材料在波导的端面上生长，该方法可以包括将该端面与其他波导的端面接合(熔合或其他方式)的步骤。在特别的实施例中，该材料在端面上生长在该或者每个凹部内，并且该方法包括将该端面与其他波导的端面熔合的步骤，使得该或者每个凹部被闭合形成腔，该腔内嵌有具有该或者每个色心的材料。在这种情况下，该材料典型地包括一个色心。
在色心形成后，该色心可以用适当的激励源诸如适当的激光辐射或电子而激活。该方法也可以包括分析步骤，如果仅有一个色心存在于该光子源，通过分析从该或者每个色心发射的光子来实施。
本发明在其第四方面提供一种制造包括光学波导的光子源的方法，该方法包括步骤制造包含材料的光学波导，该材料内形成发射光子的至少一个色心，和以这样一种方式在该材料内形成该或者每个色心，使得在使用中发射出的光子中的至少一些光子在光学波导内受到引导。
该材料可以嵌入光学波导的其他部分内。
光学波导可以具有芯部，并且该材料形成该芯部的一部分。该芯部也可以由该材料构成。
本发明在其第五方面提供一种根据上述限定的方法制造的光子源。
本发明在其第六方面提供一种量子密钥分布系统，该系统包括根据本发明的第一方面的光子源。
因为该材料结合在和/或包含在该波导内，并且该或者每个色心耦合在该波导上，所以包括上述限定的光子源的该量子密钥分布系统可以具有改善的实用性和效率。
本发明通过以下本发明的特别实施例的说明将得到更全面的理解。本说明参照附图提供。
图1(a)和(b)示出了根据本发明的实施例的光子源的示意性剖视图；图2(a)和(b)示出了根据本发明的另一个实施例的光子源的扫描电子显微照片；图3示出了根据本发明的另外的实施例的光子源的制造过程的视图；图4示出了根据本发明的另外一种实施例的光子源处于制造过程中的示意图；具体实施方式
首先参照图1(a)，说明根据本发明的特别实施例的光子源10。光子源10包括光学波导12，其具有芯部14和覆层16。在这个实施例中，覆层16包括一种折射率小于芯部14的材料。金刚石晶体18嵌入在芯部14内。金刚石晶体18包括色心，后者在使用中发射单光子。在这个实施例中，色心包括位于金刚石晶体的晶格内的空穴和相邻的取代了另一个碳原子的氮原子，由此形成氮-空穴(NV)中心。例如波长为514nm或532nm的激光辐射用于激发该色心，则激发态的衰减导致发射单光子。
应当理解的是，可替代地，该光子源10可以包括任何其他适合的色心。在这个实施例的变形中，色心也可以布置成发射纠缠光子。另外，该光子源10可以包括布置成发射纠缠光子的多个色心。
在这个实施例中，金刚石晶体嵌入在波导12的芯部14内。图1(b)示出了这个实施例的变形。所示的光子源20包括在端面22上生长的晶体18。在两种示例中，色心与波导耦合，不需要另外的光学组件将发射出的单光子导向进入波导。另外，色心与波导之间的密切关联可以导致较大比例的光子在波导内受到引导，因此提高了光子源的效率。
在这个实施例中，芯部14由掺杂了锗的硅构成，覆层16由硅构成。应当理解的是，波导12在这个实施例中可以变化，呈现任何适当的形式。光纤和平面波导两者都可以使用。例如，在可替代的实施例中，波导可以包括许多光约束元件，诸如中空的并且围绕芯部区域布置的管部。这些光约束元件也可以如此布置，使得光子晶体波导在芯部-外围区域形成有光子带隙。
图2(a)示出扫描电子显微镜显微照片。该显微照片示出了光纤30的端面，带有色心的金刚石晶体在该端面上生长。图2(b)用更大的放大倍数示出了位于纤维端面上的金刚石晶体31的扫描电子显微照片。图2(b)中可见的同心环是由围绕芯部区域的掺杂的下陷覆层区域的蚀刻造成的。图2(b)中心的单晶体位于芯部区域。
图3图示了根据本发明的实施例的光子源的制造过程。在该制造过程中，金刚石晶体具有在光学波导(光纤或者平面波导)的端面上生长的色心。带有金刚石晶体的端面然后与裸波导的端面熔和，这样将带有各个色心的各个金刚石晶体嵌入各个熔合的纤维芯部。514nm或532nm的泵浦激光源耦合进入该纤维，辐射激发(N-V)色心，导致从该色心发射波长处于637nm附近的光子。
可以以与传播方向成90度利用泵浦源入射该色心的附近而实现激发。这样具有附加的优势，即防止了泵浦波长沿该波导传输下去。如果泵浦波长需要从波导内去除，可以在该装置内或该装置外采用布雷格光栅。
应当理解的是，在可替代的实施例中，色心可以电激发。例如，电极可以施加在波导的两个相对侧部，交变电压可以施加在电极上，电压具有选定的频率，使得色心可以被激发。光子源也可以具有输出，该输出是电子控制的栅极。
如果波导是光纤，起初该光纤被剥开并且劈开，形成高质量的端面。劈开纤维束组装并固紧在钽(或者其他适合的非反应材料)管内，并且可以用包含乙醇悬浮体的金刚石粉末超声刻划。这些过程作用为产生金刚石核位置或种子，它们促使金刚石生长(步骤33(a)和(b))。纤维(或平面波导)然后被清洁并且安装在样品保持架上，以使金刚石在化学气相沉积(CVD)反应器中生长。(CVD反应器未示出)在这个实施例中，1.5kW的微波CVD反应器(由AsTex制造)用来在纤维端面上长成金刚石晶胞(步骤34)。
在样品加载在反应器室内以后，该室排空形成真空压力(例如10-3Torr，如果需要的话可以更低)。该样本利用感应加热器来加热。在这个实施例中，该室充满氢、甲醇和氮气，比例为例如99％的氢、0.7％的甲醇和0.3％的氮。该室压力升高(例如30Torr)，然后气体以这种恒定的比例和压力流动。微波导入反应器室内，并且激发气体形成等离子体。然后金刚石在定位于等离子体下方或者略微处于等离子体内的基座上生长。
金刚石晶体在波导端面上生长以后，金刚石晶体通过将各个端面与裸波导的端面拼接从而形成基本上无缝的光学波导芯线，带有嵌入该波导芯部的金刚石晶体(步骤36)。波导拼接也可以利用折射率匹配的粘合剂或指拼接装置实现。
形成的光子源在脉冲激光源上操作，诸如脉冲532nm激光(步骤38，激光未示出)。在该纤维的输出部，泵浦频率经过减光器或者光栅过滤。激光脉冲，一旦沿着该纤维传播，由于金刚石位于该纤维的芯部，所以不再需要进一步相对于该金刚石对准。这种入射空间过滤确保仅激发位于芯部的色心。为了确认单光子发射，可以如A.Beveratos，at al，Phys.Rev.Lett.89，187901(2002)和R.Brouri et al Opt.Lett.25，1294(2000)所论述的那样实施抗聚束实验。
对于如图1所示和如上所述的实施例，应当理解的是，在可替代的实施例中，光子源可以如此制造，即，使得其布置成发射纠缠光子。
图4示出了根据本发明的另一种实施例的处于制造过程中的光子源。图4示出光学波导40(光纤或者平面波导)，该波导具有芯部42和覆层44。凹部46从端面48处蚀刻进入芯部42。例如，该凹部可以以湿式蚀刻工艺蚀刻。在这种实施例中，采用蚀刻工艺优选地蚀刻芯部材料，从而形成芯部42内的凹部46。在这个示例中，芯部42由掺杂了锗的硅构成，覆层44由硅构成。48％的氟化氢酸溶液用于优选地从端面48蚀刻芯部。由于已知芯部和覆层材料的蚀刻相对速度，所以可以控制凹部46的深度。
然后金刚石晶体49在凹部46生长。发明人已经观察到在CVD生长过程中金刚石材料的核主要出现在边缘，诸如凹部46的边缘。因此，芯部内的凹部具有的优势在于，当端面48暴露在化学气相沉积的化学蒸汽中时，金刚石晶体在芯部46的位置或者其附近生长。然后端面48熔合到另一个光纤52的端面50上，使得该凹部形成封闭的腔，金刚石晶体49位于其中。可以通过在包围该金刚石晶体的腔的每个端部增加反射镜的方式形成有效的光学腔。例如，该反射镜可以包括位于该腔的任何一个端部的布雷格光栅。
如上所指出，色心发射的光子典型地是各向同性的。然而，当色心嵌入波导内时，周围的介质不是各向同性的。如果光学信号沿着光纤的芯部传播在横过该纤维的传播上是有利的，则从该色心发射出的光子的传播也是这样。这意味着，在波导的方向上自发传播更强(这种增强是由于珀塞尔效应)。在这个实施例中，在芯部方向上的自发光子发射由于色心位于由凹部46和反射镜形成的光学腔内而进一步增强。在这个实施例中，光学腔被延长并且主要为中空的，因此增加了沿着芯部的“空白空间”的有效强度，因此增加了沿芯部方向的自发发射。这种腔增强对于传输有限的脉冲或者相干光子脉冲而言是特别具有优势的。
在本发明的一个特别实施例中，如上所述的任何光子源都形成量子密钥分布系统的一部分。关于量子密钥分布系统的操作的一般细节，可以参考A.Beveratos，at al，Phys.Rev.Lett.89，187901(2002)。
虽然已经参照特别的示例说明了本发明，本领域的技术人员应当理解的是，本发明可以以许多其他形式实施。例如，色心可以不包括氮-空穴，而是可以包括例如镍和氮原子。对于色心的其他示例，可以参考“OpticalProperties of Diamond”，A Data Handbook，Zaitsev，A.M.2001，XVII，ISBN3-540-66582-X Springer。
另外，具有色心的材料不必为金刚石，并且不必沉积在波导的一部分上。如果金刚石晶体存在，则晶体可以以纳米晶体、微晶体、单晶体、多晶体的形式提供。例如，该材料可以沉积在形成在波导上的层上，或者可以形成在其他地方，机械耦合在波导上并且嵌入波导内。
可替代地，该波导也可以包括由诸如金刚石的材料形成的芯部，其中形成该或者每个色心。另外，整个波导可以用金刚石形成。
另外，应当理解的是，具有该或者每个色心的材料也可以机械地嵌入该波导内。例如，可以在波导上蚀刻孔，该材料可以插入该孔中，然后闭合该孔。
也应当理解的是，该光子源可以用于任何需要这种光子源的应用场合。这不仅包括量子密钥分布，也包括包含量子光学在内的其他光学领域的应用场合以及研究领域的应用场合。
另外，应当理解的是，对于现有技术出版物的引用并不包括承认这些出版物在澳大利亚或任何其他国家构成本领域的公知知识。
权利要求
1.一种光子源，包括光学波导，和包括至少一种色心的材料，该或者每个色心为发射光子而布置，所述材料已经生长，使得该材料被结合在所述光学波导上，并且在使用中至少一些从该或者每个色心发射出来的光子在所述光学波导内受到引导。
2.一种光子源，包括光学波导，其包含具有至少一种色心的材料，该或者每个色心为发射光子而布置，该材料被包含在内，使得在使用中至少一些从该或者每个色心发射出来的光子在所述光学波导内受到引导。
3.如权利要求1或2所述的光子源，其中该或者每个色心布置成发射单光子。
4.如上述权利要求中任一项所述的光子源，其中，所述光子源是单光子源。
5.如权利要求1-3中任一项所述的光子源，其中，所述光子源布置成发射纠缠光子。
6.如权利要求5所述的光子源，包括至少两个色心，它们布置成一起发射至少两个纠缠光子。
7.如前述权利要求任一项所述的光子源，其中所述材料具有金刚石结构。
8.如前述权利要求任一项所述的光子源，其中所述材料是金刚石材料。
9.如前述权利要求任一项所述的光子源，其中所述材料在所述波导的芯部区域的一部分上生长。
10.如前述权利要求任一项所述的光子源，其中所述材料是金刚石晶体，并且该或者每个色心包括氮相关的色心。
11.如权利要求1-9任一项所述的光子源，其中所述材料是金刚石晶体，并且该或者每个色心包括镍相关的色心。
12.如前述权利要求任一项所述的光子源，其中所述波导是光纤。
13.如权利要求1-11任一项所述的光子源，其中所述波导是平面波导。
14.如权利要求12或13所述的光子源，包括芯部区域，该芯部区域被折射率小于所述芯部区域的芯部包围区域所包围。
15.如权利要求12或13所述的光子源，包括许多光约束元件，围绕所述芯部区域布置，使得光在所述芯部区域内受到引导。
16.如权利要求15所述的光子源，其中所述芯部区域是实心的，并且所述光约束元件导致芯部包围区域的平均折射率低于所述芯部区域的折射率。
17.如权利要求15所述的光子源，其中光约束元件布置成使得光子晶体波导在芯部包围区域形成有光子带隙。
18.如前述权利要求任一项所述的光子源，其中所述材料定位在位于所述波导内的腔中。
19.如权利要求18所述的光子源，其中所述腔定位在所述波导的芯部区域内。
20.如权利要求18或19所述的光子源，其中所述腔是光学腔。
21.如权利要求2或者权利要求3-20中当从属于权利要求2时的任一项所述的光子源，其中所述材料嵌入所述光学波导内。
22.如权利要求2或者权利要求3-20中当从属于权利要求2时的任一项所述的光子源，其中所述材料形成所述波导的一部分。
23.如权利要求2或者权利要求3-22中当从属于权利要求2时的任一项所述的光子源，其中所述波导具有金刚石芯部，所述金刚石芯部包括该或者每个色心。
24.如权利要求2或者权利要求3-23中当从属于权利要求2的任一项所述的光子源，其中所述波导长度的至少一部分由金刚石构成。
25.如权利要求24所述的光子源，其中所述整个波导由金刚石构成。
26.如前述权利要求任一项所述的光子源，其布置成光学激发该或者每个色心。
27.如前述权利要求任一项所述的光子源，其布置成电激发该或者每个色心。
28.一种制造光子源的方法，包括提供光学波导，和以这样一种方式在光学波导附近或者与其相关联生长材料，使得至少一个色心形成在所述材料上。
29.如权利要求28所述的方法，其中所述材料以这样一种方式生长，使得该材料被结合到所述光学波导上，并且在使用中至少一些从该或者每个色心发射出的单个光子在光学波导内受到引导。
30.如权利要求28或29所述的方法，其中所述材料直接生长在所述波导的一部分上，使得可以实施所述光学波导与所述材料的直接结合。
31.如权利要求28-30中任一项所述的方法，包括在所述光学波导内形成至少一个凹部的附加步骤。
32.如权利要求31所述的方法，其中所述波导包括芯部和芯部包围区域，且所述至少一个凹部形成在所述波导的端面上的所述芯部区域内。
33.如权利要求31或32所述的方法，其中利用蚀刻工艺在所述芯部区域内蚀刻所述凹部而形成所述凹部，该蚀刻工艺优先蚀刻所述芯部区域材料。
34.如权利要求28-33中任一项所述的方法，其中所述材料包括具有该或者每个色心的金刚石晶体。
35.如权利要求28-34中任一项所述的方法，其中所述材料的生长步骤涉及化学气相沉积(CVD)。
36.如权利要求31或者权利要求32-35中的当从属于权利要求31时的任一项所述的方法，其中所述材料的生长步骤包括在与该或者每个凹部相关联的边缘生长所述材料。
37.如权利要求31或者权利要求32-35中的当从属于权利要求31时的任一项所述的方法，其中所述材料的生长步骤包括在该或者每个凹部生长所述材料。
38.如权利要求37所述的方法，其中所述材料在所述波导的端面上生长，并且所述方法包括将所述端面与另一个波导的端面接合的步骤。
39.如权利要求37所述的方法，其中所述材料在端面上生长在该或者每个凹部内，并且所述方法包括将所述端面与其他波导的端面接合的步骤，使得该或者每个凹部被闭合形成腔，所述腔内包含具有该或者每个色心的材料。
40.一种制造包括光学波导的光子源的方法，该方法包括步骤制造包含材料的光学波导，所述材料内形成发射光子的至少一个色心，和以这样一种方式在所述材料内形成该或者每个色心，使得在使用中至少一些发射出的光子在所述光学波导内受到引导。
41.如权利要求40所述的方法，其中所述光学波导具有芯部，并且所述材料形成所述芯部的一部分。
42.如权利要求40所述的方法，其中所述光学波导具有由所述材料构成的芯部。
43.一种利用如权利要求28到42中任一项所述的方法制造的光子源。
44.一种量子密钥分布系统，其包括如权利要求1到27中任一项所述的光子源。
全文摘要
本发明提供一种光子源，该光子源包括光学波导和具有至少一个色心的材料。该或者每个色心布置成发射光子，并且所述材料如此生长，使得所述材料连接在所述光学波导上，并且在使用中至少一些从该或者每个色心发射的光子在所述光学波导内受到引导。本发明还提供了一种具有光学波导的光子源，该光学波导包含具有至少一个色心的材料。
文档编号G02F1/365GK1969227SQ200580013959
公开日2007年5月23日 申请日期2005年3月2日 优先权日2004年3月2日
发明者沙恩·T·亨廷顿, 史蒂文·普拉沃, 安德鲁·D·格林特里, 詹姆斯·拉鲍 申请人:墨尔本大学