专利名称：Mos器件制备中源漏区的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种MOS器件制备中源区和漏区的制备方法。
背景技术：
现有技术中，M0S晶体管源漏区包括轻掺杂区和重掺杂区两各区域， 常见的源漏注入的方法如下
(1) 先进行轻掺杂注入，形成轻掺杂区。具体在CMOS器件制备中， 分别进行丽0S区的轻掺杂和PM0S区的轻掺杂(见图1和图2)，之后去 掉光刻胶。
(2) 淀积二氧化硅层，刻蚀在多晶硅两侧形成侧墙(见图3和图4)， 以保护靠近多晶硅的轻掺杂区域在接下来的重掺杂中不被注入。
(3) 接下来分别进行丽OS区的源漏重掺杂离子注入和PM0S区的源 漏重惨杂离子注入(见图5和图6)，形成重惨杂源区和漏区。
从以上的制备流程可知，传统CMOS源漏注入中包括4次光刻工艺和 一次侧墙成长工艺，其制被成本相对较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种M0S器件中源漏区的制备方法， 其能降低源漏区注入的制备的成本。
为解决上述技术问题，本发明的MOS器件制备中源漏区的制备方法，包 括如下步骤(1)在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；(3)轻掺 杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区。
本发明的CMOS器件制备中源漏区的制备方法，包括如下步骤(1)在 形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出丽OS区或PMOS区，进行重掺杂离 子注入，形成重掺杂源区和漏区；(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶 硅栅；(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区，最后去除光刻胶；(4) 用光刻胶光刻曝出PMOS区或丽OS区，重复实施步骤(1)至(3),完成源 区和漏区的注入。
本发明利用多晶硅栅极实现一种源漏区的制备。通过先进行源区和漏 区离子注入形成重掺杂注入区，并保留光刻胶，然后通过各向同性刻蚀工 艺将多晶硅栅极两边各刻蚀掉一部分，最后再进行轻掺杂注入和去胶的工 艺。本发明不仅可以节省两次光刻(即N轻掺杂前的光刻和P轻掺杂前的 光刻)，并且不需要重新制备侧墙，节省了工艺步骤，大大节约了制备成 本。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图1为现有工艺中N轻掺杂注入的结构示意图2为现有工艺中P轻掺杂注入的结构示意图3为现有工艺中生长二氧化硅后的结构示意图4为现有工艺形成侧墙后的结构示意图5为现有工艺中N重掺杂注入的结构示意图6为现有工艺中P重掺杂注入的结构示意图；图7为本发明的制备方法流程图8为本发明CMOS器件源漏区注入中腿0S区重掺杂注入示意图9为本发明CMOS器件源漏区注入中NM0S区刻蚀部分多晶硅示意
图10为本发明CMOS器件源漏区注入中NMOS区轻掺杂注入示意图； 图11为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区重掺杂注入示意图； 图12为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区刻蚀部分多晶硅示意
图13为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区轻惨杂注入示意图。
具体实施例方式
本发明的MOS器件制备中源漏区的制备方法，包括(见图7):
(1) 在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和
漏区；
(2) 用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅，在这一步刻蚀掉的尺寸 的控制根据具体器件要求，如器件设计时要求多晶硅(宽X、长Y和高Z)， 而本步中刻蚀需去除的多晶硅上面为500埃，左右前后各500埃，那么在源 漏注入工艺前的多晶硅刻蚀中，将多晶硅栅极的尺寸宽度控制在X+1000埃， 长度控制在Y+1000埃，而高度控制在Z+500埃，而这里刻蚀去掉的尺寸也取 决于具体器件设计中轻掺杂漏区的宽度；
(3) 最后进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂源区和漏区。 本发明的方法应用在CMOS器件制备中的流程为
(1)在形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出丽OS区，进行N十重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区(见图8);
(2) 用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅，尺寸同上面相同(见 图9);
(3) N-轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区(见图10)，最后去 除光刻胶；
(4) 用光刻胶光刻曝出PM0S区，重复实施步骤(1)至(3)(见图 11至图13)，完成整个CMOS器件中源区和漏区的制备。
上述CMOS器件中，PM0S区和丽OS区用局部硅氧化隔离区(L0C0S)或 浅沟槽隔离区(STI)进行隔离。
权利要求
1、一种MOS器件制备中源漏区的制备方法，其特征在于，包括如下步骤(1)在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区。
2、 按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中多晶硅栅极的尺寸为正常器件设计的尺寸加所述步骤(2)中刻蚀所去掉的相应尺寸。
3、 一种CMOS器件制备中源漏区的制备方法，其特征在于，包括如下步骤(1) 在形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出丽OS区或PMOS区，进 行重掺杂离子注入，形成重惨杂源区和漏区；(2) 用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；(3) 轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区，最后去除光刻胶；(4) 用光刻胶光刻曝出PMOS区或丽OS区，重复实施步骤(1)至(3)， 完成整个CMOS器件中源区和漏区的制备。
4、 按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中多 晶硅栅极的尺寸为正常器件设计的尺寸加所述步骤(2)中刻蚀所去掉的相 应尺寸。
全文摘要
本发明公开了一种MOS器件制备中源漏区的制备方法，其先进行源区和漏区离子注入形成重掺杂注入区，并保留光刻胶，然后通过各向同性刻蚀工艺将多晶硅栅极两边各刻蚀掉一部分，最后再进行轻掺杂注入和去胶的工艺。本发明不仅可以节省两次光刻，并且不需要重新制备侧墙，节省了工艺步骤，大大节约了制备成本，可广泛用于具MOS晶体管单元的半导体器件制备中。
文档编号H01L21/336GK101442009SQ20071009424
公开日2009年5月27日 申请日期2007年11月20日 优先权日2007年11月20日
发明者涛 熊, 啸 罗, 瑜 陈, 陈华伦 申请人:上海华虹Nec电子有限公司