专利名称：辐射源、光刻设备和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备和一种用于产生极紫外辐射的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在该例子中，可以将可选地称为掩模或 掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转 移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。通常， 图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通 常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括步进 机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分； 以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时 平行或反向平行于该方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图 案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估 计
权利要求
1.一种光刻设备，包括辐射源，被配置成产生极紫外辐射，所述辐射源包括腔，在所述腔中产生等离子体；收集器反射镜，被配置以反射由所述等离子体发射的辐射；和碎片减缓系统，包括气体供给系统，被配置以朝向所述等离子体供给第一气流，所述第一气流被选择以热 能化由所述等离子体产生的碎片；和多个气体岐管，被布置在靠近所述收集器反射镜的位置处，所述气体岐管被配置成将 第二气流供给到所述腔内，所述第二气流被朝向所述等离子体引导，以防止热能化的碎片 沉积到所述收集器反射镜上。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述碎片被通过使用所述佩克莱特效应来抑制。
3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述辐射源是激光产生等离子体源或放电产 生等离子体源。
4.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述腔包含氢气。
5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述氢气的压强是约lOOPa。
6.根据权利要求1所述的光刻设备，其中在所述第二气流中的气体是氢气。
7.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述气体岐管包括多个气体出口。
8.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述第一气流中的气体是氩气。
9.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述第一气流中的气体具有小于所述第二气 流中的气体的压强的压强。
10.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述第一气流形成围绕所述等离子体的气 体帘幕。
11.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述第一气流是超音速的。
12.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述气体供给系统包括被布置于靠近所述 收集器反射镜处的一个或更多的出口。
13.一种辐射源，被配置成产生极紫外辐射，所述辐射源包括腔，在所述腔中产生等离子体；收集器反射镜，被配置以反射由所述等离子体发射的辐射；和碎片减缓系统，包括气体供给系统，被配置以朝向所述等离子体供给第一气流，所述第一气流被选择以将 由所述等离子体产生的碎片热能化；和多个气体岐管，被布置在靠近所述收集器反射镜的位置处，所述气体岐管被配置成将 第二气流供给到所述腔内，所述第二气流被朝向所述等离子体引导，以防止被热能化的碎 片沉积到所述收集器反射镜上。
14.一种防止由等离子体产生的碎片沉积到光刻设备中的等离子体辐射源的收集器反 射镜上的方法，所述方法包括以下步骤朝向所述等离子体供给第一气流，所述第一气流被配置成将由所述等离子体产生的碎 片热能化；和朝向所述等离子体供给第二气流，以防止由所述等离子体产生的被热能化的碎片沉积 到所述收集器反射镜上，所述第二气流被用靠近所述收集器反射镜布置的多个气体岐管供
15. 一种器件制造方法，包括以下步骤 产生发射极紫外辐射的等离子体； 用收集器反射镜收集所述极紫外辐射； 将所述极紫外辐射转换成辐射束； 对所述辐射束进行图案化； 将所述辐射束投影到衬底的目标部分上；和防止由所述等离子体产生的碎片沉积到所述收集器反射镜上，所述防止步骤包括 朝向所述等离子体供给第一气流，所述第一气流被配置成将由所述等离子体产生的碎 片热能化；和朝向所述等离子体供给第二气流，以防止由所述等离子体产生的被热能化的碎片沉积 到所述收集器反射镜上，所述第二气流被用靠近所述收集器反射镜布置的多个气体岐管供
全文摘要
一种光刻设备(1)，包括辐射源(SO)，被配置成产生极紫外辐射，所述辐射源(SO)包括腔(210)，在所述腔中产生等离子体(225)；收集器反射镜(270)，被配置以反射由所述等离子体(225)发射的辐射；和碎片减缓系统(230)，所述碎片减缓系统(230)包括气体供给系统(235)，被配置以朝向所述等离子体供给第一气流(240)，所述第一气流(240)被选择以将由所述等离子体(225)产生的碎片热能化；和多个气体岐管(247)，被布置在靠近所述收集器反射镜(270)的位置处，所述气体岐管被配置成将第二气流(250)供给到所述腔(210)内，所述第二气流(250)被朝向所述等离子体(225)引导，以防止被热能化的碎片沉积到所述收集器反射镜(270)上。
文档编号H05G2/00GK102119365SQ200980131196
公开日2011年7月6日 申请日期2009年7月30日 优先权日2008年8月14日
发明者E·R·鲁普斯特拉, J·H·J·莫尔斯, V·Y·巴尼内 申请人:Asml荷兰有限公司