波导路径型可变光衰减器的制作方法

文档序号:2791201阅读:203来源:国知局
专利名称:波导路径型可变光衰减器的制作方法
技术领域
本发明涉及在光通信系统或者光信号处理系统中,适用于光信号强度的调节或者光衰减量的调节的波导路径型可变光衰减器,另外涉及在使用波长分割多路复用(Wavelength Division Multiplexing)(WDM)的波长多路复用通信系统中,适用于放大波长多路复用光信号后进行过分波的各信号光的强度调节的波导路径型可变光衰减器。
背景技术
一般在光通信系统中,不可缺少把信号光的强度调节到适当值的可变光衰减器(Variable Optical Attenuator)(VOA)。
特别是近年来,在高密度波长分割多路复用(Dense Wavelength DivisionMultiplexing)(DWDM)或低密度波长分割多路复用(Coarse WavelengthDivision Multiplexing)(CWDM)等波长多路复用通信系统、或者并列多信道光通信系统中,要求同时调节多个信道的信号光强度。
因此,要求能够对应多信道的并列光通信的小型且易集成(compact andeasy intergration)的可变光衰减器或者可变光衰减器阵列。
导波路径型的可变光衰减器,比之机械型的可变光衰减器,因为具有通过使用光蚀法能够形成任意图案的光波导路径、而且结构的灵活性高易于集成这样的优点,所以提出多种使用热光学效应(thermo-optic effect)或电光学效应(electro-optic effect)的波导路径型的可变光衰减器。
特别,做成马赫蔡恩德(Mach Zender)(MZ)形式的波导路径型可变光衰减器,因为具有消费电力低的优点,使用热光学效应或者使用电光学效应类型的波导路径型可变光衰减器开始被广泛研究。图1、图2表示现有的使用热光学效应的类型的例子。
如图1、图2所示,马赫蔡恩德的结构(structure),通过两路分支输入光的Y分支波导路径、分别传输各分支光的一对平行波导路径臂、和结合各传输光的Y结合波导路径构成。
然后,在一个波导路径臂上形成薄膜加热器,它通过造成热光学效应控制通过该波导路径臂传输的光的相位。因此,通过使给薄膜加热器的通电电力变化,通过两个波导路径臂传输的光之间的相位差变化,能够控制由于相位干涉引起的输出光强度。这样的波导路径型可变光衰减器在特开2003-29219号公报、特开-2003-5139号以及特开2000-221345号公报中被公开。
但是,在做成上述那样的马赫蔡恩德形式的波导路径型可变光衰减器中,在其结构上必须要有Y分支波导路径以及Y结合波导路径、和一对平行波导路径臂。
为确保Y分支波导路径以及Y结合波导路径中Y形分支的均匀性、谋求降低插入损失,要求把Y形分支做成对称性高的分支结构,和把分支角度自身做成尽可能小的角度。
另外,为保证平行波导路径臂相互的对称性,理想的是两波导路径臂互相相同,它要求两波导路径臂的制作允许误差抑制为尽可能小。
为满足这样的要求,最低需要进行高精细的光蚀加工处理的高价的光蚀处理装置,因此,波导路径型可变光衰减器的制造成本升高。
而且,即使使用高精细的光蚀加工处理,要使波导路径型可变光衰减器具有充分满足上述要求的性能仍然困难,在制造的再现性上有问题,对于所要求的性能产品的成品率差。
另外,把Y形分支的分支角度自身做成尽可能小的话,必然使波导路径型可变光衰减器的长度在Y分支波导路径以及Y结合波导路径部分变长。因此,与波导路径型可变光衰减器的小型化要求矛盾。
再有,例如在要求大的衰减量的场合,需要多级串联多个马赫蔡恩德结构,益发使波导路径型可变光衰减器变大。

发明内容
本发明是为解决上述问题而提出的,其目的之一是,提供成本低批量生产性优良、而且适合小型化的波导路径型可变光衰减器。
为实现上述目的,根据本发明的一个特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,它装备具有入射端以及出射端的多模干涉(Multimode Interference)光波导路径、在所述多模干涉光波导路径的光轴左右任何一侧的规定位置配置的薄膜加热器。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,其中,所述薄膜加热器,被配置在包含在所述多模干涉光波导路径中显现的域群中的光轴左右任何一侧的至少一部分域的规定位置。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,它装备多模干涉光波导路径、连接所述多模干涉光波导路径的中心光轴的输入光波导路径以及输出光波导路径、在包含在所述多模干涉光波导路径中显现的域群中所述中心光轴左右任何一侧的至少一部分域的规定位置配置的薄膜加热器。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,其中,所述输入光波导路径以及所述输出光波导路径分别直接被连接到所述多模干涉光波导路径的入射端以及出射端。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,其中,所述输入光波导路径以及所述输出光波导路径,分别通过朝向多模干涉光波导路径宽度展宽的输入锥形波导路径和输出锥形波导路径被连接到所述多模干涉光波导路径。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,其中,所述薄膜加热器的宽度,形成为和所述输入光波导路径以及所述输出光波导路径的宽度基本上相同的程度。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,其中,构成所述光波导路径的内核以及包敷,由从环氧树脂、丙烯树脂、硅树脂、氟化聚酰亚胺树脂、聚硅烷、聚硅氧烷树脂以及石英玻璃中选择的任何一种或者两种或两种以上组合形成。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,其中,所述薄膜加热器,是使用由从铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、白金(Pt)中选择的任一种或者两种或两种以上组合形成的导电性薄膜材料形成的加热薄膜加热器。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器,其中,所述薄膜加热器,使用所述导电性薄膜材料通过溅射、蒸镀或者电镀等成膜,并通过光蚀处理形成。
根据本发明的另一特征,提供一种波导路径型可变光衰减器阵列,其中,在基板上并列设置多个波导路径型可变光衰减器,所述波导路径型可变光衰减器,装备多模干涉光波导路径、连接所述多模干涉光波导路径的中心光轴的输入光波导路径以及输出光波导路径、在包含在所述多模干涉光波导路径中显现的域群中所述中心光轴左右任何一侧处的至少一部分域的规定位置配置的薄膜加热器。


通过参照附图阅读本发明的优选实施例的说明,能够更加明了本发明的上述以及其他的目的以及结构。附图中图1是表示现有的波导路径型可变光衰减器的一例的概略平面图;图2是表示现有的波导路径型可变光衰减器的另一例的概略平面图;图3是表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的第一实施形态的概略平面图;图4是沿图3的IV-IV线截取的多模干涉(MMI)光波导路径的截面图;图5是沿图3的V-V线截取的输入光波导路径以及输出光波导路径的截面图;图6是表示多模干涉(MMI)光波导路径的域图案的一例的概略平面图;图7A是表示薄膜加热器的配置位置的一例的概略平面图;图7B是表示薄膜加热器的配置位置的另一例的概略平面图;图8是表示由薄膜加热器的加热温度引起的输出光衰减量的变化特性的曲线;图9是表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的波长特性的曲线;图10A是表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的第二实施形态的概略平面图;图10B是表示薄膜加热器的配置位置的一例的概略平面图;图11A是表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的第三实施形态的概略平面图;图11B是表示薄膜加热器的配置位置的一例的概略平面图;图12是表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的第四实施形态的概略平面图;图13是沿图12的XIII-XIII线截取的输入锥形光波导路径以及输出锥形光波导路径的截面图。
具体实施例方式
参照

本发明的实施形态。
图3表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的第一实施形态,该波导路径型可变光衰减器1使用多模干涉(Multimode Interference)(MMI)光波导路径的热光学效应。因此,波导路径型可变光衰减器1,在包含在多模干涉光波导路径(以下称MMI光波导路径)10的左右任何一侧的一部分域的规定位置,装备薄膜加热器40。
一般,MMI光波导路径,具有再现位于入射端的域的自收敛效应。其动作原理,系采用自成像效应和重叠成像效应的所具有的特征。因此,在根据MMI光波导路径的宽度的值决定的特定的距离中,可以得到一个到多个收敛的域。
亦即如图6所示,MMI光波导路径10,在从入射端到出射端的长度方向的每一规定距离内,收敛的域F在宽度方向上分散显现。
在图6所示的MMI光波导路径10的场合,例如在从入射端到出射端的距离L的1/2的距离(1/2)L的位置,显现左右两个域Fa1、Fa2。
另外,在从入射端距离(1/3)L的位置,显现左右三个域Fb1、Fb2、Fb3。
另一方面,在从入射端距离(2/3)L的位置,显现左右三个域Fc1、Fc2、Fc3。
另外,在从入射端距离(1/4)L的位置,显现左右四个域Fd1、Fd2、Fd3、Fd4。
另一方面,在从入射端距离(3/4)L的位置,显现左右四个域Fe1、Fe2、Fe3、Fe4。
以下同样,对应离开入射端的规定的距离,显现在左右(宽度方向)上分散的多个域F。这些域群,通过使用适宜的光波导路径分析软件,可以容易地在画面上显示。
这样的MMI光波导路径10,如图4所示,通过在硅(Si)基板11上顺序形成下部涂敷层12、核心层13、上部涂敷层14得到。
亦即,在硅基板11上,例如通过旋转涂敷涂布涂敷用的感光性聚合物材料(Photopolymer),并显影、烘焙(ベイク),这样形成下部涂敷层12。
接着,在下部涂敷层12上,例如通过旋转涂敷涂布比涂敷用的感光性聚合物材料折射率大的核心用的感光性聚合物材料,使用形成核心图案的光掩模曝光后,显影、烘焙,这样形成核心部13。
接着,在下部涂敷层12以及核心部13上,例如通过旋转涂敷涂布涂敷用的感光性聚合物材料,并显影、烘焙,这样形成上部涂敷层14。
构成MMI光波导路径10的核心用的感光性聚合物材料以及涂敷用的感光性聚合物材料,可以使用由从环氧树脂、丙烯树脂、硅树脂、氟化聚酰亚胺树脂、聚硅烷、聚硅氧烷树脂中选择的任何一种或者两种或两种以上的组合。
另外,在MMI光波导路径10的前后,连接有比MMI光波导路径10的宽度窄的、在MMI光波导路径10的中心光轴上连接的输入光波导路径20以及输出光波导路径30。
如图5所示,输入光波导路径20以及输出光波导路径30,除在核心部的宽度不同外,和MMI光波导路径10同样形成。
亦即在硅基板11、31上,例如通过旋转涂敷涂布涂敷用的感光性聚合物材料,并显影、烘焙,这样形成下部涂敷层22、32。
接着,在下部涂敷层22、32上,例如通过旋转涂敷涂布比涂敷用的感光性聚合物材料折射率大的核心用的感光性聚合物材料,使用形成核心图案的光掩模曝光后,显影、烘焙,这样形成核心部23、33。
接着,在下部涂敷层22、32以及核心部23、33上,例如通过旋转涂敷涂布涂敷用的感光性聚合物材料,并显影、烘焙,这样形成上部涂敷层24、34。
构成输入光波导路径20以及输出光波导路径30的核心用的以及涂敷用的感光性聚合物材料,和MMI光波导路径10相同,可以使用由从环氧树脂、丙烯树脂、硅树脂、氟化聚酰亚胺树脂、聚硅烷、聚硅氧烷树脂中选择的任何一种或者两种或两种以上的组合。
然后,该波导路径型可变光衰减器,例如在位于MMI光波导路径10的左右任何一侧(在图3中上侧或下侧)的域群中包含一部分域的规定位置,通过溅射对薄膜加热器40进行成膜,通过图案加工形成。
具体说,在不包含位于MMI光波导路径10的中心光轴CB上的域(例如图6的Fb2、Fc2等)、而包含从位于在MMI光波导路径10的中心光轴CB左右任何一侧附近(在图3中上方附近或者下方附近)的域群中选择的一部分的域的规定位置,形成薄膜加热器40。
亦即,薄膜加热器40的形成位置,MMI光波导路径10的域图案例如是如图6所示的场合,作为一例,如图7A所示,可以在覆盖位于MMI光波导路径10的左侧(在图3、7A中上侧)的域Fa1以及Fb1、Fc1的区域内设定。
在这一场合,即使在覆盖位于MMI光波导路径10的右侧(在图3、7A中下侧)的域Fa2以及Fb3、Fc3的区域内设定也相同。
另外,作为另外的例子,如图7B所示,除位于MMI光波导路径10的左侧(在图3、7A中上侧)的域Fa1以及Fb1、Fc1之外,还可以在覆盖其前后的域Fd1、Fe1的区域内设定。
在这一场合,除位于MMI光波导路径10的右侧(在图3、7A中下侧)的域Fa2以及Fb3、Fc3之外,还在覆盖其前后的域Fd4、Fe4的区域内设定也是相同的。
薄膜加热器40,可以构成为这样的加热薄膜加热器,即使用由从铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、白金(Pt)中选择的任何一种或者两种或两种以上组合形成的导电性薄膜材料,通过溅射、蒸镀或者电镀等成膜,通过光蚀处理形成图案。
然后,薄膜加热器40的宽度,例如被形成为和输入光波导路径20以及输出光波导路径30的宽度大体相同的程度。另外,在薄膜加热器40的前后两端,形成电极41、42。
上述这样的波导路径型可变光衰减器1,如在薄膜加热器40的两电极41、42之间流过电流,则薄膜加热器40发热,该薄膜加热器40的发热传导到MMI光波导路径10对应的部分。
亦即,例如,薄膜加热器40,例如如图7A所示,在覆盖位于MMI光波导路径10的左侧(图3,图7A中上侧)的域Fa1以及Fb1、Fc1的区域内形成的场合,该区域(相当于一侧的波导路径干涉臂)及其周围的折射率,对于包含位于反对侧的域Fa2以及Fb3、Fc3的区域(相当于另一侧的波导路径干涉臂)的折射率变化。
通过该折射率的变化,通过域Fa1以及Fb1、Fc1的区域(一侧的波导路径干涉臂)传输的光的光路长度,对于通过域Fa2以及Fb3、Fc3的区域(另一侧的波导路径干涉臂)传输的光的光路长度变化。
然后,通过光路长度的变化,通过域Fa1以及Fb1、Fc1的区域(一侧的波导路径干涉臂)传输的光的相位,对于通过域Fa2以及Fb3、Fc3的区域(另一侧的波导路径干涉臂)传输的光的相位变化。
通过该相位变化,域Fa1以及Fb1、Fc1的区域(一侧的波导路径干涉臂)的传输光和域Fa2以及Fb3、Fc3的区域(另一侧的波导路径干涉臂)的传输光,在输出光波导路径30侧引起相位干涉,在输出光波导路径30中传输光衰减。
因此,通过使薄膜加热器40的通电电力变化,控制折射率的变化量、光路长度的变化量、相位的变化量,其结果,可以控制输出光波导路径30中传输光的衰减量。
按如下方法试做上述波导路径型可变光衰减器1。
首先,在硅(Si)基板11上,作为波导路径材料使用感光性聚硅氧烷树脂,通过旋转涂敷、烘焙、图案加工,形成下部涂敷层12、核心部13、上部涂敷层14,制作成MMI光波导路径10。此时,也一并制作出输入光波导路径20以及输出光波导路径30。
在得到的MMI光波导路径10的规定位置,通过薄膜溅射、图案加工,形成了薄膜加热器40。
感光性聚硅氧烷树脂的热光学(TO)系数是-1.3×10-4/℃。另外,波导路径核心(核心部13)的折射率nc做成1.446,核心(核心部13)和涂敷(下部涂敷层12以及上部涂敷层14)的折射率差Δn做成0.004。MMI光波导路径10的宽度W做成56μm,MMI光波导路径10的长度L做成3.6mm。输入光波导路径20以及输出光波导路径30的核心部23、33的截面尺寸做成7×7μm。
在离开MMI光波导路径10的中心光轴19μm的位置形成薄膜加热器40,薄膜加热器40的宽度做成7μm、薄膜加热器40的长度做成800μm。
使用该波导路径型可变光衰减器1进行模拟分析,如图8所示,在由薄膜加热器40引起的加热温度差(加热温度和周围温度的差)为18℃时,得到了最大衰减量39dB。
得到此时由薄膜加热器40引起的消费电力的计算值为2.7mW、插入损失为0.31dB、偏振波依赖损失(Polarization Dependent Loss)(PDL)也非常小的结果。如图9所示,对于各光衰减量的波长特性也良好。
进而,通过把该波导路径型可变光衰减器1以信道间隔250μm并列配置多个而构成的波导路径型可变光衰减器阵列,信道之间的串扰小,可以实现小于等于-70dB。
图10A表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的第二实施形态,该波导路径型可变光衰减器2,薄膜加热器40的平面形状和图3所示的波导路径型可变光衰减器1不同。
亦即,在图3所示的波导路径型可变光衰减器1的场合,薄膜加热器40的平面形状形成为矩形形状。
与此相对,该波导路径型可变光衰减器2的薄膜加热器40的平面形状,如图10A所示,形成为圆弧状或者弯曲状。
具体说,如图10B所示,在圆弧状或者弯曲状覆盖位于MMI光波导路径10的左侧(在图10A、10B中上侧)的域Fa1、Fb1、Fc1、Fd1以及Fe1的区域内,形成薄膜加热器40。
在这种场合,在圆弧状或者弯曲状覆盖位于MMI光波导路径10的右侧(在图10A、10B中下侧)的域Fa2、Fb3、Fc3、Fd4以及Fe4的区域内,形成薄膜加热器40也同样。
该波导路径型可变光衰减器2,也表示出和图3所示的波导路径型可变光衰减器1实质上同样的由加热温度引起的输出光衰减量的变化特性。
图11A表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的第三实施形态,该波导路径型可变光衰减器3,薄膜加热器40的平面形状和图3所示的波导路径型可变光衰减器1以及图10A所示的波导路径型可变光衰减器2不同,如图11A所示,形成阶梯状。
具体说,如图11B所示,在阶梯状覆盖位于MMI光波导路径10的左侧(在图11A、11B中上侧)的域Fa1、Fb1、Fc1、Fd1以及Fe1的区域内,形成薄膜加热器40。
在这种场合,在阶梯状覆盖位于MMI光波导路径10的右侧(在图11A、11B中下侧)的域Fa2、Fb3、Fc3、Fd4以及Fe4的区域内,形成薄膜加热器40也同样。
该波导路径型可变光衰减器3,也表示出和图3所示的波导路径型可变光衰减器1以及图10A所示的波导路径型可变光衰减器2实质上同样的由加热温度引起的输出光衰减量的变化特性。
图12表示根据本发明的波导路径型可变光衰减器的第四实施形态,该波导路径型可变光衰减器4,输入光波导路径20,不是直接连接在MMI光波导路径10上,而是通过朝向MMI光波导路径10宽度展宽的输入锥形波导路径50,连接到MMI光波导路径10。
另外,输出光波导路径30,也不是直接连接在MMI光波导路径10上,而是通过朝向通过MMI光波导路径10宽度展宽的输出锥形波导路径60,连接到MMI光波导路径10。
如图13所示,输入锥形波导路径50以及输出锥形波导路径60,除核心部的宽度连续变化以外,和MMI光波导路径10、输入光波导路径20以及输出光波导路径30同样形成。
亦即在硅基板51、61上,例如通过旋转涂敷涂布涂敷用的感光性聚合物材料,通过显影、烘焙,形成下部涂敷层52、62。
接着,在下部涂敷层52、62上,例如通过旋转涂敷涂布比涂敷用的感光性聚合物材料折射率大的核心用的感光性聚合物材料,使用形成核心图案的光掩模曝光后,通过显影、烘焙,形成核心部53、63。
接着,在下部涂敷层52、62以及核心部53、63上,例如通过旋转涂敷涂布涂敷用的感光性聚合物材料,通过显影、烘焙,形成上部涂敷层54、64。
构成输入锥形波导路径50以及输出锥形波导路径60的核心用的以及涂敷用的感光性聚合物材料,和MMI光波导路径10、输入光波导路径20以及输出光波导路径30相同,可以使用由从环氧树脂、丙烯树脂、硅树脂、氟化聚酰亚胺树脂、聚硅烷、聚硅氧烷树脂中选择的任何一种或者两种以上的组合。
除此以外,该波导路径型可变光衰减器4,因为和图3所示的波导路径型可变光衰减器1相同,所以给对应的部分赋予相同的符号表示,故此,省略重复的说明。
一般,在MMI光波导路径10的宽度W变化的场合,与其对应的域的特定距离变化,产生出射光的过剩损失。
因此,上述的波导路径型可变光衰减器4,输入光波导路径20以及输出光波导路径30,分别通过朝向MMI光波导路径10宽度展宽的输入锥形波导路径50以及输出锥形波导路径60,连接到MMI光波导路径10。
由此,波导路径型可变光衰减器4,在MMI光波导路径10的入射端把放射角做小,来提高对于伴随MMI光波导路径10的宽度变化的出射域的位置变动的容差,能够实现MMI光波导路径10的插入损失的降低或者波导路径制作的成品率的提高。
另外,在波导路径型可变光衰减器4中,可以把薄膜加热器40的平面形状如图10所示形成圆弧状或者弯曲状,另外,也可以如图11所示形成阶梯状。
如上所述,波导路径型可变光衰减器1~4,任何一个都用MMI光波导路径10、薄膜加热器40、与其连接的输入光波导路径20以及输出光波导路径30构成。因为MMI光波导路径10结构极简单,原理上损失极小,与其他波导路径比较,对于制造误差的容差高,所以最适合制作大规模光集成电路。
亦即,根据波导路径型可变光衰减器1~4,因为不需要在现有的MZ干涉系统波导路径中制造再现性存在问题的Y分支波导路径以及Y结合波导路径,所以结构非常简单、小型,另外,因为不需要处理高精细的光蚀加工的高价的光蚀处理装置,所以有助于降低制造成本,提高成品率。
再有,根据波导路径型可变光衰减器1~4,因为结构非常简单、小型,另外不需要高精细的光蚀加工,所以低成本批量生产方面具有优势。另外,因为结构小型,消费电力低,且信道间的串扰低,所以最适合多信道的波导路径型可变光衰减器阵列的结构。
此外,在上述实施形态中,作为光波导路径的形成材料,使用了感光性的聚合物数值材料(photopolymer(e.g.UV curable polyner)),但是除这些聚合物树脂(polymer resin)以外,也可以使用石英玻璃或半导体等能够构成光波导路径的材料。
以上说明了本发明理想的实施形态,但是该说明是例示性的,显而易见,在不离开所附本发明的权利要求的范围或者精神的情况下,能够进行各种变更。
权利要求
1.一种波导路径型可变光衰减器,其特征在于,装备具有入射端以及出射端的多模干涉(Multimode Interference)光波导路径,和在所述多模干涉光波导路径的光轴左右任何一侧的规定位置配置的薄膜加热器。
2.根据权利要求1所述的波导路径型可变光衰减器,其特征在于,所述薄膜加热器,被配置在包含在所述多模干涉光波导路径中显现的域群中在所述中心光轴左右任何一侧的至少一部分域的规定位置。
3.一种波导路径型可变光衰减器,其特征在于,装备多模干涉光波导路径,连接所述多模干涉光波导路径的中心光轴的输入光波导路径以及输出光波导路径,和在包含在所述多模干涉光波导路径中显现的域群中在所述中心光轴左右任何一侧的至少一部分域的规定位置、配置的薄膜加热器。
4.根据权利要求3所述的波导路径型可变光衰减器,其特征在于,所述输入光波导路径以及所述输出光波导路径,分别被直接连接到所述多模干涉光波导路径的入射端以及出射端。
5.根据权利要求3所述的波导路径型可变光衰减器,其特征在于,所述输入光波导路径以及所述输出光波导路径,分别通过朝向多模干涉光波导路径宽度展宽的输入锥形波导路径和输出锥形波导路径,被连接到所述多模干涉光波导路径。
6.根据权利要求3所述的波导路径型可变光衰减器,其特征在于,所述薄膜加热器的宽度,形成为和所述输入光波导路径以及所述输出光波导路径的宽度几乎相同的程度。
7.根据权利要求3所述的波导路径型可变光衰减器,其特征在于,构成所述光波导路径的内核以及包敷,由从环氧树脂、丙烯树脂、硅树脂、氟化聚酰亚胺树脂、聚硅烷、聚硅氧烷树脂以及石英玻璃中选择的任何一种或者两种或两种以上组合形成。
8.根据权利要求3所述的波导路径型可变光衰减器,其特征在于,所述薄膜加热器,是使用由从铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、白金(Pt)中选择的任一种或者两种或两种以上组合形成的导电性薄膜材料形成的加热薄膜加热器。
9.根据权利要求8所述的波导路径型可变光衰减器,其特征在于,所述薄膜加热器,使用所述导电性薄膜材料通过溅射、蒸镀或者电镀等成膜,并通过光蚀处理形成。
10.一种波导路径型可变光衰减器阵列,其特征在于,在基板上并列装备多个权利要求3所述的波导路径型可变光衰减器。
全文摘要
提供低成本批量生产方面优良而且适合小型化的波导路径型可变光衰减器。波导路径型可变光衰减器装备具有入射端以及出射端的多模干涉光波导路径;在所述多模干涉光波导路径的光轴左右任何一侧的规定位置配置的薄膜加热器。所述薄膜加热器,被配置在包含在所述多模干涉光波导路径中显现的域群中的光轴左右任何一侧的至少一部分域的规定位置。
文档编号G02F1/01GK1831620SQ20061005819
公开日2006年9月13日 申请日期2006年3月10日 优先权日2005年3月11日
发明者吴玉英, 江晓清 申请人:株式会社精工技研
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