专利名称：衰减式相位移光罩的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域的制造技术，具体地说，涉及一种衰减式相位移光 罩的制造方法。
背景技术：
光罩工艺是半导体制造中的一个重要流程。曝光装置发出一定强度的曝光 光束通过光罩在晶圓上进行曝光形成所需要的图形，从而在晶圓上制造出需要 的电路。在半导体制造领域中，光罩主要有二进制强度光罩、衰减式相位移光罩(Attenuated Phase Shift Masks)和交替式光罩交替式相位移光罩。其中衰减 式相位移光罩被广泛应用对晶圓的接触层(contact layer)的曝光步骤中。图1 及图2分别为现有衰减式相位移光罩的俯视示意图和侧视示意图。请参阅图1及图2，衰减式相位移光罩一般包括完全透光的石英玻璃r以及位于石英玻璃上具有一定透光率的移相层2、根据所需要在晶圓接触层曝光形成的图形，在 移相层2'上蚀刻出原始图形3'。曝光装置发射一定强度的曝光光束，其透过该 衰减式光罩对晶圓接触层进行曝光步骤。由于衍射的存在， 一般情况下，实际 图形4'和原始图形3'(理论图形)有一定偏差，如直角的图形会变得圆滑等等， 如图1中所示。光学趋近效应校正(optical Proximity Correction, OPC)是半导体 领域用来提高实际图形与理论图形 一致性的常用方法。随着半导体器件生产工艺从亚微米发展到超深亚微米，晶圆的制作越来越 精密，晶圓接触层上所需曝光图形的特征尺寸也越来越小。这样使得光罩的图 形区周围的移相层上很容易产生亮度环(intensity ring )，这种现象称为吉卜斯现 象(Gibbs phenomena )。在曝光装置透过该光罩对接触层进行曝光及显影步骤后， 接触层对应光罩的亮度环的位置处就会产生不需要的蚀刻图形，即旁瓣图形 (side lobe printing) 5'。而且接触层上的所需图形密度越大，移相层的透光率 越高，亮度环出现的就几率越多，接触层上产生的不期望的旁瓣图形就越多。这些旁瓣图形严重影响了晶圆电i 各的正确性，降低了晶圆的成品率。 因此，需要提供一种新的光罩的制造方法以克服上述缺陷。发明内容本发明解决的技术问题在于提供一种可避免或至少减小晶圆接触层出现旁 瓣图形的光罩的制造方法。为解决上述技术问题，本发明提供了一种衰减式相位移光罩的制造方法，其包括如下步骤a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻 璃上面具有透光率的移相层，移相层上形成有原始图形；b.对光罩基片进行才莫 拟侦测步骤，采用比实际照射该光罩的光束强度高的光束进行照射，在移相层 上出现亮度环的位置做标记图形；c.在移相层上镀不透光薄膜，覆盖所述标记 图形。进一步地，步骤b中还包括将所述标记图形拓展为规则的正多边形。 进一步地，步骤b是以建模的方式输入模拟装置中，在移相层上侦测亮度 环位置做标记图形的，然后自动将标记图形拓展为MJ'j的正多边形。 进一步地，步骤c中的不透光薄膜为铬薄膜。与现有技术相比，本发明通过模拟侦测步骤在光罩可能产生亮度环的位置 做标记图形，在移相层上镀不透光薄膜覆盖所述标记图形的方法，避免了对晶 圓接触层曝光步骤后，在接触层对应亮度环的位置上产生不期望的旁瓣图形的 现象，达到了提高晶圓电路准确性，进而提高晶圓成品率的有益效果。
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的 目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1、 2为现有衰减式相位移光罩的俯视和侧视示意图。 图3为本发明在光罩基片上做标记图形的示意图。 图4为本发明在光罩基片上镀不透光薄膜的示意图。 图5为本发明制造方法的流程图。
具体实施方式
请参阅图3至图5,本发明提供了一种衰减式相位移光罩的制造方法，该方 法包括如下步骤提供光罩基片，该光罩基片包括完全透光(100%透光率)的石英玻璃1以及 位于石英玻璃上面的具有一定透光率的移相层2，在本实施方式中，移相层采用 的是透光率为6%的薄膜，在移相层上蚀刻出所需要图形3 (原始图形)；提供模拟侦测装置中，对光罩基片进行模拟侦测步骤，采用比实际照射该 光罩基片的光束强度高的光束对光罩基片进行照射，在移相层上出现亮度环的 位置做标记图形5;在光罩基片上镀一层覆盖所述标记图形5的不透光薄膜，使曝光装置发出 的光束无法透过亮度环5位置处的移相层2。在模拟侦测步骤中提到的实际照射光束是指实际使用由本发明制造的光罩 的曝光装置所发射的曝光光束，也就是说，模拟步骤中采用的光束强度比曝光 装置发射的光束强度高。采用高强度光束模拟照射就可以使本来可能出现亮度 环的位置被正确的标示出来。在模拟装置中标出的亮度环位置的图形 一般是不规则的形状。为了便于的 制造，需要将该不规则形状的图形拓展成规则的正多边形6。另外，对光罩基片 进行模拟侦测步骤是采用建模的方式输入模拟装置中，调整模拟光束的强度自 动对光罩基片进行模拟侦测，找出亮度环位置，做出标记图形，然后自动将不 规则的标记图形拓展成少见则标记图形即正多边形6 。在镀不透光薄膜的步骤中，本实施方式中该不透光薄膜是铬(Cr)薄膜8。 该步骤中对整个基片镀该不透光铬薄膜，根据模拟侦测步骤地正多边形6进行 进行蚀刻步骤，将覆盖规则标记图形外的不透光铬薄膜蚀刻掉。曝光装置使用采用本发明的制造方法制作的衰减式相位移光罩对晶圆的接 触层进行曝光步骤后，由于不透光薄膜覆盖可能发生亮度环的位置，曝光光束 不能照射 到接触层，从而避免了在接触层上对应亮度环产生不期望的旁瓣图形 的现象，提高了晶圆电路的正确性，从而提高了晶圆的成品率。
权利要求
1. 一种衰减式相位移光罩的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻璃上面具有透光率的移相层，移相层上形成原始图形；b.对光罩基片进行模拟侦测步骤，采用比实际照射该光罩基片的光束强度高的光束进行照射，在移相层上出现亮度环的位置做标记图形；c.在移相层上镀不透光薄膜，覆盖所述标记图形。
2、 如权利要求1所述的制造方法，其特征在于步骤b中还包括将所述标记图 形拓展为规则的正多边形。
3、 如权利要求2所述的制造方法，其特征在于步骤b是以建模的方式输入模 拟装置中，对移相层侦测亮度环位置做标记图形的，然后自动将标记图形拓展 为规则的正多边形。
4、 如权利要求l所述的制造方法，其特征在于步骤c中的不透光薄膜为铬薄膜。
全文摘要
本发明提供了一种衰减式相位移光罩的制造方法，涉及半导体制造领域。该制造方法包括如下步骤a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻璃上面具有透光率的移相层，移相层上形成有原始图形；b.对光罩基片进行模拟侦测步骤，采用比实际照射该光罩基片的光束强度高的光束进行照射，在移相层上出现亮度环的位置做标记图形；c.在移相层上镀不透光薄膜，覆盖所述标记图形。与现有技术相比，本发明通过模拟侦测，在光罩可能产生亮度环的位置为做标记图形，在移相层上镀不透光薄膜覆盖标记图形的方法，避免了对晶圆接触层的曝光步骤后，接触层对应亮度环位置处产生不期望的旁瓣图形的现象，提高了晶圆电路准确性，进而提高晶圆成品率。
文档编号G03F1/00GK101281359SQ20071003920
公开日2008年10月8日 申请日期2007年4月6日 优先权日2007年4月6日
发明者青 杨 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司