显示装置的制作方法

专利名称：显示装置的制作方法
技术领域：
与本发明一致的设备涉及一种显示装置，更具体地说，涉及一种其图像 质量被改善的显示装置。
背景技术：
为了克服LCD显示装置所表现的差视角，有时使用将像素划分为多个域 的垂直取向(VA)模式多域结构。在VA模式中，液晶分子的主轴相对于相 对的基底垂直定向。像素是显示图像的最小单位。VA模式的LCD装置使得 在各个域中的液晶具有预倾斜方向，对于每个域，预倾斜方向不同。
但是，利用具有多域结构的VA模式的LCD装置的开口率低，并且该显 示装置将具有低的发光效率。
LCD装置通常可通过点反相驱动方式(dot reverse driving)或列反相驱 动方式(column reverse driving )来驱动。^旦是，利用点反相驱动方式，难以 以高于120Hz的高速进行驱动，这是因为与以60Hz驱动相比，栅极线导通 时间或;敫活(activation )时间减少 一半。
与点反相驱动方式相比，如果当以120Hz或更高频率驱动时使用列反相 驱动方式，则由于数据线和像素电极之间的重叠部分的改变而导致的数据线 和像素电极之间的电容的改变变得非常敏感。这会在显示的图像中导致串扰 (cross-talk )。

发明内容
因此，本发明的一方面在于解决上述问题并且提供一种开口率和图像特 性都得到改进的显示装置，其中，在该显示装置中使用列反向驱动方式。
本发明的上述和/或其它方面可通过提供一种显示装置来实现，该显示装 置包括第一显示基底、第二显示基底和液晶层。第一显示基底包括多个像 素电极；多条数据线，互相平行地设置并且穿过像素电极的中间部分；多条 栅极线，与数据线交叉；多个驱动薄膜晶体管，分别与栅极线、数据线和像
素电极连接。第二显示基底被设置为与第一显示基底相对并且包括共电极。 液晶层被设置在第一显示基底和第二显示基底之间。其中，沿着数据线的纵 向，数据线中的 一条将数据电压交替地供应到被该条数据线穿过的像素电极 和被相邻的 一条数据线穿过的像素电极。
像素电极可连接到被供应相同极性的数据电压和被供应与相邻数据线的 极性不同极性的数据电压的数据线中的所述一条。
每个驱动薄膜晶体管可仅与所述多条数据线中的一条数据线连接，并且
被布置在与每个像素电极的边缘部分对应的位置，每条数据线可沿着数据线 的纵向交替地与设置在数据线的两侧的驱动薄膜晶体管连接。所述多个驱动 薄膜晶体管可连接到像素电极的 一侧。
每个驱动薄膜晶体管可仅与所述多条数据线中的 一条数据线连接，并且
被布置在与每个像素电极的边缘部分对应的位置。数据线中的所述一条可相 对于该条数据线与设置在相同侧的相邻的驱动薄膜晶体管连接。多个驱动薄 膜晶体管可沿着数据线的纵向交替地与设置在数据线的两侧的像素电极连接。
像素电极可包括第 一像素电极和沿着数据线的纵向与第 一像素电极相邻 的第二像素电极，所述第二像素电极由与该条数据线相邻的数据线供应数据 电压。第一像素电极可包括第一主像素电极和第一副像素电极，第二像素电 极可包括第二主像素电极和第二副像素电极。
所述多条栅极线可包括第 一栅极线和第二栅极线，第 一栅极线可包括 第一主栅极线，将栅极信号供应到与第一主像素电极连接的驱动薄膜晶体管； 第一副栅极线，将栅极信号供应到与第一副像素电极连接的驱动薄膜晶体管。 第二栅极线可包括第二主栅极线，将栅极信号供应到与第二主像素电极连 接的驱动薄膜晶体管；第二副栅极线，将栅极信号供应到与第二副像素电极 连接的驱动薄膜晶体管。
第 一主栅极线和第 一副栅极线可供应相同的栅极信号，第二主栅极线和 第二副栅极线可供应相同的栅极信号。
第一显示基底还可包括存储电极线，与栅极线平行地形成；存储电极 焊盘；充电薄膜晶体管，与第二主栅极线中的一条、第一副像素电极中的一 个以及存储电极焊盘连接。
第一主栅极线和第一副栅极线可供应不同的栅极信号，第二主栅极线和
第二副栅极线可供应不同的栅极信号。
第一主像素电极和第二主像素电极可直接与驱动薄膜晶体管连接，第一 副像素电极和第二副像素电极可通过耦合电容间接地与驱动薄膜晶体管连接。
第一显示基底还可包括设置在像素电极和数据线之间的滤色器。 共电极和像素电极中的至少 一个可包括将设置有像素电极的像素区域划 分为多个域的微裂缝图案。
微裂缝图案可包括至少一个垂直部分，与数据线叠置；至少一个水平
部分，与所述垂直部分交叉；多个倾斜部分，可从所述垂直部分和水平部分
中的至少一个延伸出。
液晶层可包括垂直定向液晶分子和紫外线固化型单体，其中，微裂缝图 案和紫外线固化型单体使液晶分子对于每个域沿着彼此不同的方向预倾斜。
共电极和像素电极中的至少一个可包括切割图案，所述切割图案将像素 电极的像素区域划分为多个域。
切割图案可包括与数据线平行叠置的第 一切割图案和沿着倾斜方向与数 据线交叉的第二切割图案。
所述显示装置还可包括第一定向膜，设置在第一显示基底的像素电极 上；第二定向膜，可设置在第二显示基底的共电极上，第一定向膜和第二定 向膜中的至少 一个将每个像素区域划分为多个域。
所述多个域的边界的一部分可与数据线平行地重叠。


通过下面结合附图对实施例进行的描述，本发明的上述和/或其它方面和 优点将会变得清楚和更加容易理解，其中
图1是根据本发明第一示例性实施例的显示装置的布局图2是沿图1的II - II截取的截面图3是显示图1的显示装置的制造过程的截面图4是根据本发明第二示例性实施例的显示装置的布局图5是沿图4的V-V截取的截面图6是根据本发明第三示例性实施例的显示装置的截面图7是根据本发明第四示例性实施例的显示装置的布局图8是根据本发明第五示例性实施例的显示装置的布局图。
具体实施例方式
在附图中简要地显示了作为示例性实施例的显示面板，所述显示面板采
用通过5个掩模工艺形成的利用非晶硅(a-Si)的薄膜晶体管(TFT)。但是， 本发明不限于示例性实施例，而是可以用多种不同形式实现。
此外，示出了将一个像素划分为多个域的垂直取向(VA)模式的液晶显 示面板。像素是显示图像的最小单位。
参照图1和图2描述第一示例性实施例。图l根据本发明第一示例性实 施例的显示装置卯l的布局图。图2是沿图1的II-II截取的截面图。
如图1和图2所示，显示装置901包括第一显示基底100、第二显示基 底200和液晶层300。此外，还包括设置在第一显示基底100和液晶层300 之间的第一定向膜310和设置在第二显示基底200和液晶层300之间的第二 定向膜320。这里，液晶层300包括垂直取向(VA)型液晶分子301。
第一显示基底100包括第一基底构件110、形成在第一基底构件110上的 多个像素电极180、多条数据线161、多条栅极线120和多个驱动薄膜晶体管 (TFT) 101。另外，第一显示基底IOO还包括滤色器175。
第二显示基底200包括第二基底构件210和形成在第二基底构件210上 的共电极280。这里，共电极280形成在第二基底构件210的面对像素电极 180的表面上。
像素电极180包括微裂缝图案(micro-slitpattem)P180。微裂缝图案P180 将布置有像素电极180的像素区域划分为多个域。
棍支裂缝图案P180包括至少一个竖向部分P181、与竖向部分P181交叉的 至少 一 个横向部分P18 2以及/人竖向部分P181和 一黄向部分P18 2延伸的多个倾 斜部分P183。虽然在图1表示了一个竖向部分P181和一个横向部分P182， 但是本发明不限于此。因此，微裂缝图案P180可包括多个竖向部分P181和 多个;f黄向部分P182。
每个倾斜部分P183的宽度等于或小于6fim。倾斜部分P183被设置为与 相邻的倾斜部分P183分开的间隔等于或小于6(am。倾斜部分P183的宽度以 及倾斜部分P183之间的间隔越窄越好，更加优选地，分别小于3iim。考虑到 透光率(lighttransmittance )和液晶分子301的响应特性，合适地形成竖向部 分P181、横向部分P182、倾斜部分P183以及倾斜部分P183之间的间隔的宽度。
另夕卜，在图1中，多个倾斜部分P183被形成为彼此具有相等的恒定宽度。 但是，本发明不限于此。因此，多个倾斜部分P183的宽度可以彼此不等。另 外， 一个倾斜部分P183的宽度可以逐渐改变。也就是说，倾斜部分P183随 着其远离竖向部分P181或横向部分P182，其宽度变大或变小。
通过微裂缝图案P180形成的像素电极180通过利用在倾斜部分P183中 产生的边缘场(fringe field )可使液晶层300中的液晶分子301有效地发生预 倾斜。因此，具有微裂缝图案P180的像素电极180将像素区域划分为多个域， 并且同时使液晶层300的液晶分子301在某个域中预倾斜的方向与在其它域 中不同。预倾斜指液晶层300中的液晶分子301相对于垂直定向状态方向倾 斜预定角度。预倾斜方向指这样一种预倾斜方向或倾斜方向，液晶分子301 沿着该方向从定向膜310或320的表面预倾斜。图1中黑色标出的液晶分子 301的头部表示液晶分子301的预倾斜方向。因此，显示装置901可具有改 善的视角。
多条数据线161穿过多个像素电极180的中间部分，并且被布置为互相 平行。多条栅极线120与数据线161交叉。多个驱动薄膜晶体管101的每个 与一条数据线161、 一条4册极线120和一个像素电极180连接。
数据线161a将数据电压交替地供应到该条数据线161a穿过其下方的像 素电极180和相邻的数据线161b穿过其下方的像素电极180。也就是说，参 照图1，数据线161a将数据电压供应到形成在其上的第一行像素电极180, 将数据电压供应到形成在相邻的数据线161b上的第二行像素电极180,并且 将数据电压供应到形成在其上的第三行像素电极180 。
具体地说，驱动薄膜晶体管101被设置在像素电极180的边缘部分的数 据线161之间，并且在数据线161的两个相对侧部， 一条数据线161a交替地 与沿着数据线161的纵向布置的驱动薄膜晶体管101连接。相对于相应的像 素电极180，每个驱动薄膜晶体管101被布置在相同的相对位置。具体地说， 驱动薄膜晶体管101位于其相应的像素电极180的右上角。但是，本发明不 限于此。因此， 一条数据线161a可以与位于数据线161a的一个相邻侧的驱 动薄膜晶体管101连接，并且沿着数据线161的纵向，驱动薄膜晶体管101
可以交替地与位于数据线161的两个相对侧部的像素电极连接。在这种情况 下，沿着数据线161的纵向， 一条数据线161a也可将数据电压交替地供应到 被数据线161a穿过的像素电极180和被相邻数据线161b穿过的像素电极。
像素电极180包括第一像素电极181，由设置在其下方的数据线161 供应数据电压；第二像素电极182,不从设置在其下方的数据线161供应数 据电压。沿着数据线161的纵向，第二像素电极182与第一像素电极181相 邻，并且由与数据线161a相邻的数据线161b供应数据电压。
根据上述构造，连接到数据线161a的像素电极180被施加有相同极性的 数据电压，并且像素电极180可接受极性与相邻的像素电极180的数据电压 的极性不同的数据电压。因此，列反相驱动方式的显示装置卯l可具有可从 点反相驱动方式获得的效果相同的效果。换句话说，虽然每条数据线161的 数据电压反相，但是每个像素电极180的数据电压的极性不仅沿着数据线161 的横向不同，而且沿着数据线161的纵向不同。
因此，由于显示装置901通过列反相驱动方式,皮驱动，所以可以以120Hz 或更高频率来进行驱动，而且没有难度。同时，可有效地抑制通过采用列反 相驱动方式而可能产生的串扰的现象。
另外，由于数据线161被设置在像素电极180的中间部分，所以显示装 置卯l的开口率可被增大。数据线161被设置为基本上与域之间的边界对应。 因此，因为域之间的边界通常形成暗部，所以设置在像素电极180的中间部 分的数据线161对透光率的影响甚微。同时，由于数据线161没有位于像素 电极180的边缘部分，所以像素电极180的尺寸可被扩大。因此，开口率可 被有效地提高。
另外，由于数据线161.被布置于像素电极180的中间部分，所以即使存 在取向(alignment)误差，数据线161也与像素电极180重叠恒定大小的面 积。相反，如果数据线161位于像素电极180的边缘部分，则像素电极180 与数据线161重叠的面积根据取向误差而改变，这也是产品图像质量差的原 因。因此，如果数据线161位于像素电极180的中间部分，则显示装置901 的图像质量可被提高。
第一像素电极181包括第一主像素电极1811和第一副像素电极1812, 第二像素电极182包括第二主像素电极1821和第二副像素电极1822。
另外，多条栅极线120包括第一栅极线121和第二栅极线122。第一栅
极线121包括第一主栅极线1211,将栅极信号提供到连接到第一主像素电 极1811的驱动薄膜晶体管101;第一副栅极线1212，将栅极信号提供到连接 到第一副像素电极1812的驱动薄膜晶体管101。第二栅极线122包括第二 主栅极线1221，将栅极信号提供到连接到第二主像素电极1821的驱动薄膜 晶体管101;第二副栅极线1222,将栅极信号供应到连接到第二副像素电极 1822的驱动薄膜晶体管101。
第一主栅极线1211和第一副栅极线1212供应彼此相同的栅极信号。也 就是说，第一主栅极线1211和第一副栅极线1212基本上是相同的栅极线。 第二主栅极线1221和第二副栅极线1222供应彼此基本相同的栅极信号。也 就是说，第二主栅极线1221和第二副栅极线1222基本上是相同的栅极线。
另外，第一显示基底100还包括存储电极线126,与栅极线120平行 地形成；存储电极焊盘(pad) 186，形成在存储电极线126上；充电薄膜晶 体管105,连接到第二主栅极线1221、第一副像素电极1812和存储电极焊盘 186。这里，存储电极线126和存储电极焊盘186形成电容器106。
根据上述构造，虽然第一主像素电极1811和第一副像素电极1812分别 被从同一数据线161a供应相同的数据电压，但是第一主像素电极1811和第 一副像素电极1812的最终数据电压彼此不同。也就是说，第一主像素电极 1811具有相对高的数据电压，而第一副像素电极1812具有相对低的数据电 压。因此，通过第一主像素电极1811透射的光与通过第一副像素电极1812 透射的光的亮度彼此不同。
这种操作还被应用到第二像素电极182。也就是说，虽然第二主像素电 极1821和第二副像素电极1822分别被从同一数据线161b供应相同的数据电 压，但是第二主像素电极1821和第二副像素电极1822的最终数据电压彼此 不同。
因此，通过微裂缝图案P180被划分为多个域的像素区域通过由彼此不同 的数据电压驱动的第一主像素电极1811、第一副像素电极1812、第二主像素 电极1821和第二副像素电极1822被进一步细分。然后，显示装置901具有 进一步改善的视角。
以下，将更加具体地解释虽然第一主像素电极1811和第一副像素电极 1812分别被从同一数据线161a供应相同的数据电压，但是第一主像素电极 1811和第一副像素电极1812的最终数据电压彼此不同的原理。由于第二主
像素电极1821和第二副像素电极1822的情况与第一主像素电极1811和第一 副像素电极1812的情况相同，所以将仅解释第一主像素电极1811和第一副 像素电极1812的情况。
如果第一栅极线121 (更加具体地说，第一主栅极线1211和第一副栅极 线1212)被供应4册极信号，则分别连接到第一主4册极线1211和第一副栅极 线1212的驱动薄膜晶体管101被激活。因此，通过同一数据线161a提供的 相同的数据电压通过对应的驱动薄膜晶体管101被供应到第一主像素电极 1811和第一副像素电极1812。与此同时，第一主像素电极1811和第一副像 素电极1812具有相同的数据电压和相同的透光率，因此显示出基本相同的亮 度。
然后，如果第二才册极线122 (更加具体地说，第二主4册极线1221和第二 副栅极线1222)被供应栅极信号，则分别连接到第二主栅极线1221和第二 副栅极线1222的驱动薄膜晶体管101和充电薄膜晶体管105被激活。充电薄 膜晶体管105连接到第 一副像素电极1812和电容器106的存储电极焊盘186。 因此，第一副像素电极1812的数据电压通过充电薄膜晶体管105流动到电容 器106。因此，第一副像素电极1812的最终数据电压低于第一主像素电极1811 的最终数据电压。
根据这个原理，虽然第一主像素电极1811和第一副像素电极1812分别 被从数据线161a供应相同的数据电压，但是它们将具有彼此不同的最终数据 电压。
参照图2,将更具体地描述显示装置901的结构。图2显示了驱动薄膜 晶体管101和第一主像素电极1811。
以下，薄膜晶体管101指实际上的驱动薄膜晶体管，像素电极指第一主 像素电极。另外，对薄膜晶体管101的结构的描述可同等地应用到充电薄膜 晶体管106,并且关于像素电极180的描述可被应用到第一主像素电极以及 其它像素电极。
首先，描述第一显示基底100的结构。
第一基底构件110由包括玻璃、石英、陶瓷、塑料等材料透明地形成。 多条栅极线120、从栅极线120分支的多个栅极电极124以及存储电极 线126形成在第一基底构件110上。
栅极布线120、 124和126由像A1、 Ag、 Cr、 Ti、 Ta、 Mo等的金属或这
些金属的合金形成。虽然在图2中，栅极布线120、 124和126被显示为单层， 但是栅极布线120、 124和126可被形成为包括具有优秀的物理和化学特性的 金属层(Cr、 Mo、 Ti、 Ta或这些金属的合金)和具有小比电阻的金属层(Al 系和Ag系金属)的多层。此外，栅极布线120、 124和126可由各种金属或 导体形成，并且最好是在普通蚀刻条件下被图案化。
由SiNx等形成的栅极绝缘层130形成在栅极布线121和124上。 数据布线形成在栅极绝缘层130上，并包括多条数据线161，与栅极 线120交叉；多个源电极165，从数据线161分支；多个漏电极166，与源电 极165分离地布置。
像栅极布线120、 124和126 —样，数据布线161、 165和166由导电材 料(像Cr、 Mo、 Al等或这些金属的合金)形成，并且可被形成为单层或多 层。
和漏电极166之间的区域上。具体地说，半导体层140的至少一部分与栅极 电极124、源电极165和漏电极166叠置。然后，薄膜晶体管101的三个电 极由栅极电极124、源电极165和漏电极166构造。薄膜晶体管101的沟道 区域形成在源电极165和漏电极166之间的半导体层140之处。
另外，欧姆接触构件155和156形成在半导体层140和源电极165之间， 并且在半导体层140和漏电极166之间，以减小接触阻抗。欧姆接触构件155 和156由高度掺杂有n型杂质的非晶硅、硅化物等制成。
低介电绝缘体(像a-Si:C:O、 a-Si:O:F等)或无机绝缘体(像氮化硅、氧 化硅等)的钝化层170通过等离子体增强化学气相淀积(PECVD)形成在数 据布线161、 165和166上。
具有三原色的滤色器175按照连续的次序分别设置在钝化层170上。这 里，滤色器175的颜色不限于三原色，而是可由多于一种颜色的多种颜色构 造。滤色器175将颜色分配给在显示装置901中传播的光。
此外，虽然滤色器175形成在钝化层170上，但是本发明不限于此。因 此，滤色器175可形成在钝化层170和数据布线161、 165和166之间。滤色 器175还可形成在第二显示基底200中而非第一显示基底100中。
多个像素电极180形成在滤色器175上。像素电极180由像氧化铟锡 (ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料制成。
另外，暴露出漏电极166的一部分的多个接触孔171形成在钝化层170 和滤色器175中。像素电极180和漏电极166通过接触孔171电连接。另夕卜， 如图1和图2所示，钝化层170和/或滤色器175还形成有接触孔172和接触 孔173,接触孑L 172用于分别将充电薄膜晶体管105的源电极与第一副像素 电极1812连接以及与第二副像素电极1822连接，接触孔173用于将充电薄 膜晶体管105的漏电极与电容器106的存储电极焊盘186连接。
像素电极180包括微裂缝图案P180。虽然微裂缝图案P180形成在像素 电极180中，但是本发明不限于此。因此，微裂缝图案P180可形成在第二显 示基底200的共电极280上。但是，在像素电极180中形成微裂缝图案P180 有利于制造工艺的简化。
另外，具有低介电常数并且厚于l(im的绝缘体被设置在像素电极180和 数据布线161、 165和166之间。绝缘体可包括滤色器175、钝化层170等等。
接着，将描述第二显示基底200的结构。
像第一基底构件100—样，第二基底构件210由包括玻璃、石英、陶瓷、 塑料等材料透明地形成。
与像素电极180 —起形成电场的共电极280形成在第二基底构件210上。 共电极280也由像ITO或IZO的透明材料形成。共电极280的形成可不用经 过形成任何图案的步骤。因此，可简化显示装置901的整个制造过程。
另外，虽然没有示出，但是第二显示基底200还可包括光阻挡构件。
另外，第一显示基底100和第二显示基底200不限于上面描述的结构。 因此，第一显示基底100和第二显示基底200可以是除了图1和图2所示的 结构之外的公知的各种结构。
第一定向膜310设置在像素电极180上，而第二定向膜320设置在共电 极280上。具体地说，液晶层300被设置在第一定向膜310和第二定向膜320 之间。液晶层300中的液晶分子301通过第一定向膜310和第二定向膜320 被垂直定向。
液晶层300包括多个垂直定向型液晶分子301和紫外线(UV)固化型单 体(monomer) 305。 UV固化型单体305和微裂缝图案P180形式的像素电极 180使垂直定向液晶分子301沿着一定方向预倾斜，对于每个域，所述方向 彼此不同。此时，垂直定向液晶分子被预倾斜0.1度和3度之间的范围内的角度。微裂缝图案P180和UV固化型单体305的所有或任何一种可用作使液晶 层300中的液晶分子301预倾斜的方法。
将参照图3更加具体地解释利用UV固化型单体305 (图2中所示)使垂 直定向液晶分子301预倾斜的方法。包括固化前的中间态(intermediate ) UV 固化型单体304以及垂直定向液晶分子301的液晶层300设置在第一显示基 底100和第二显示基底200之间。然后，在通过在第一显示基底100和第二 显示基底200之间建立电场使得液晶分子301躺倒之后，将UV辐射到液晶 层300。被辐射的中间态UV固化型单体304被固化，并且UV固化型单体 305使液晶分子301预倾斜，如图2所示。
根据这种构造，根据第一示例性实施例的显示装置卯l的图像质量可被提高。
将参照图4和图5描述本发明的第二示例性实施例。
图4是根据本发明第二示例性实施例的显示装置902的布局图。图5是 沿图4的V-V截取的截面图。
如图4和图5所示，显示装置902包括第一显示基底100、第二显示基 底200和液晶层300。此外，还包括设置在第一显示基底100和液晶层300 之间的第一定向膜310以及设置在第二显示基底200和液晶层300之间的第 二定向膜320。
第一显示基底100包括第一基底构件110、形成在第一基底构件110上的 多个像素电极190、多条数据线161、多条栅极线120和多个驱动薄膜晶体管 (TFT) 101。
第二显示基底200包括第二基底构件210、形成在第二基底构件210上 的光阻挡构件220、滤色器230、保护层(overcoat layer) 240和形成在第二 基底构件210上的共电极290。这里，光阻挡构件220、滤色器230和共电极 290形成在第二基底构件210的面对像素电极190的表面上。
像素电极l卯和共电极290包括切割图案(cut pattern ) P190和P2卯。 切割图案P190和P290将由像素电极190设置的像素区域划分为多个域，并 且对每个域，使液晶分子301按照预定方向预倾斜。通常，液晶分子301的 预倾斜方向是与切割图案P190和P290的纵向交叉的方向。
另夕卜，虽然在图4中像素电极190和共电极2卯全都形成有切割图案P190
和P290，但是本发明不限于此。因此，像素电极l卯和共电极290中的任何 一个可形成有切割图案P190或P290。另外，像素电极l卯和共电极290可 包括突起(未示出)而不是切割图案P190和P290。突起的作用与切割图案 P190和P290的作用相同。另外，显示装置902可包括切割图案P190、 P290
以及突起。
切割图案Pl卯和P290包括第一切割图案P191和P291以及沿着倾斜的 方向从第一切割图案P191和P291延伸出的第二切割图案P192和P292。另 外，共电极290还可包括与像素电极190的边缘部分对应的第三切割图案 P293。第三切割图案P293可被省略。
根据以上描述的结构，显示装置902可具有改善的视角。
多条数据线161穿过多个像素电极190的中间部分，并且被布置为互相 平行。多条栅极线120与数据线161交叉。多个驱动薄膜晶体管101的每个 与一条数据线161、 一条栅极线和一个像素电极l卯连接。
数据线161a将数据电压交替地供应到该条数据线161a穿过其下方的像 素电极190和相邻的lt据线161b穿过其下方的^象素电极190。也就是说，参 照图4，数据线161a将数据电压供应到形成在其上的第一行像素电极190, 将数据电压供应到形成在相邻的数据线161b上的第二行像素电极190，并且 将数据电压供应到形成在其上的第三行像素电极190 。
像素电极l卯包括第一像素电极191,被从设置在其下方的数据线161 供应数据电压；第二像素电极192,不从设置在其下方的数据线161供应数 据电压。沿着数据线161的纵向，第二像素电极192与第一像素电极191相 邻，并且被从与数据线16]a相邻的数据线161b供应数据电压。
根据以上描述的结构，连接到数据线161a的像素电极l卯被供应有相同 极性的数据电压，并且像素电极190可接受极性与相邻的像素电极190的数 据电压的极性不同的数据电压。因此，列反相驱动方式的显示装置902可具 有可从点反相驱动方式获得的效果相同的效果。换句话说，虽然每条数据线 161的数据电压反相，但是每个像素电极l卯的数据电压的极性不仅沿着数 据线161的横向不同，而且沿着数据线161的纵向不同。
因此，由于显示装置902通过列反相驱动方式被驱动，所以以120Hz或 更高频率来进行驱动是可以的，并且没有难度。同时，可有效地抑制通过采 用列反相驱动方式而可能产生的串扰的现象。
另外，由于数据线161被设置在像素电极190的中间部分，所以显示装 置902的开口率可被增大。数据线161被设置为基本上与域之间的边界对应。 因此，因为域之间的边界通常形成暗部，所以设置在像素电极190的中间部 分的数据线161对透光率的影响甚微。同时，由于数据线161没有位于像素 电极190的边缘部分，所以像素电极190的尺寸可^皮扩大。因此，开口率可 被有效地提高。
第一像素电极191包括第一主像素电极1911和第一副像素电极1912, 第二像素电极192包括第二主像素电极1921和第二副像素电极1922。
另外，多条栅极线120包括第一栅极线121和第二4册极线122。第一栅 极线121包括第一主栅极线1211,将栅极信号供应到连接到第一主像素电 极1911的驱动薄膜晶体管101;第一副栅极线1212，将栅极信号供应到连接 到第一副像素电极1912的驱动薄膜晶体管101。第二栅极线122包括第二 主栅极线1221，将栅极信号供应到连接到第二主像素电极1921的驱动薄膜 晶体管101;第二副栅极线1222,将栅极信号供应到连接到第二副像素电极 1922的驱动薄膜晶体管101。
第一主4册极线1211和第一副栅极线1212供应4皮此相同的栅极信号。也 就是说，第一主栅极线1211和第一副栅极线1212基本上是相同的栅极线。 第二主栅极线1221和第二副栅极线1222供应彼此基本相同的栅极信号。也 就是说，第二主栅极线1221和第二副栅极线1222基本上是相同的栅极线。
另外，第一显示基底100还包括存储电极线126,与栅极线120平行 地形成；存储电极焊盘186,形成在存储电极线126上；充电薄膜晶体管105， 连接到第二主栅极线1221、第一副像素电极1912和存储电极焊盘186。这里， 存储电极线126和存储电极焊盘186形成电容器106。
根据上述构造，虽然第一主像素电极1911和第一副像素电极1912分别 被从同一数据线161a供应相同的数据电压，但是第一主像素电极1911和第 一副像素电极1912的最终数据电压彼此不同。也就是说，第一主像素电极 1911具有相对高的数据电压，而第一副像素电极1912具有相对低的数据电 压。因此，通过第一主像素电极1911透射的光与通过第一副像素电极1912 透射的光的亮度彼此不同。
这种操作还被应用到第二像素电极192。也就是说，虽然第二主像素电 极1921和第二副像素电极1922分别被从同一数据线161b供应相同的数据电
压，但是第二主像素电极1921和第二副像素电极1922的最终数据电压彼此 不同。
因此，通过切割图案P190和P290被划分为多个域的像素区域通过由彼 此不同的数据电压驱动的第一主像素电极1911、第一副像素电极1912、第二 主像素电极1921和第二副像素电极1922被进一步细分。然后，显示装置902 具有进一步改善的视角。
根据这种构造，根据第二示例性实施例的显示装置902的图像质量可被 提兩。
将参照图6描述本发明的第三示例性实施例。图6是根据本发明第三示 例性实施例的显示装置903的截面图。
如图6所示，显示装置903包括第一显示基底100、第二显示基底200 和液晶层300。此外，还包括设置在第一显示基底100和液晶层300之间的 第一定向膜310和设置在第二显示基底200和液晶层300之间的第二定向膜 320。这里，在像素电极180和共电极280之间没有施加电压的情况下，液晶 层300的液晶分子301通过第一定向膜310和第二定向膜320被垂直取向。
第一定向膜310和第二定向膜320中的至少一个利用倾斜暴露斜光方法 (inclined exposing slant light method )等4吏垂直定向在定向月莫表面的液晶分子 301预倾斜。也就是说，第一定向膜310和第二定向膜320中的至少一个具 有预倾斜311或预倾斜321，并且垂直定向液晶分子301倾斜，以沿着预倾 斜方向预倾斜。因此，液晶分子301沿着接近于垂直方向的预倾斜方向在定 向膜310和320上倾斜。图6显示了第一定向膜310和第二定向膜320两者 都具有预倾斜311和321。
第一定向膜310和第二定向膜320中的至少一个将设置有像素电极180 的像素区域划分为多个域。对于每个域，第一定向膜310和第二定向膜320 中的至少一个使液晶分子301沿着彼此不同的方向预倾斜。
另外，虽然没有在图6中示出，但是像素电极180和共电极280中的至 少一个可包括微裂缝图案或切割图案。在这种情况下，所述微裂缝图案或切 割图案可与第一定向膜310和第二定向膜320 —起使液晶分子301更加有效 地预倾斜。因此，显示装置卯3可使液晶分子301更加有效地预倾斜。
除了第一定向膜310和第二定向膜320之外，其它的构造与图1或图4
所示的相同。
根据这种构造，根据第三示例性实施例的显示装置903的图像质量可被提尚。
将参照图7描述本发明的第四示例性实施例。图7是根据本发明第四示 例性实施例的显示装置904的布局图。
如图7所示，像素电极190和共电极290包括切割图案P190和P290。 切割图案P190和P290将通过像素电极190设置的像素区域划分为多个域， 并且对于每个域，使液晶分子301沿着预定方向预倾斜。通常，液晶分子301 的预倾斜方向是与切割图案P190和P290的纵向交叉的方向。但是，本发明 不限于此，并且仅像素电极190或共电极290中的一个可形成有切割图案P190 或P290。另夕卜，^象素电极190和共电极290可包括突起(未示出)而不是切 割图案P190和P290。突起的作用与切割图案P190和P2卯的作用相同。另 外，显示装置904可包括切割图案Pl卯、P290以及突起。
切割图案Pl卯和P290包括第一切割图案P191和P291以及沿着倾斜的 方向从第一切割图案P191和P291延伸出的第二切割图案P192和P292。另 外，共电极290还可包括与像素电极190的边缘部分对应的第三切割图案 P293 。第三切割图案P293可被省略。
根据以上描述的结构，显示装置904可具有改善的视角。
数据线161a将数据电压交替地供应到该条数据线161a穿过其下方的像 素电极190和相邻的数据线161b穿过其下方的像素电极190。也就是说，数 据线161a将数据电压供应到形成在其上的第一行像素电极190,将数据电压 供应到形成在相邻的数据线161b上的第二行像素电极190,并且将数据电压 供应到形成在其上的第三行像素电极190。
像素电极l.卯包括第一像素电极191，被从设置在其下方的数据线161 供应数据电压；第二像素电极192,不从设置在其下方的数据线161供应数 据电压。沿着数据线161的纵向，第二像素电极192与第一像素电极191相 邻，并且被从与数据线161a相邻的lt据线161b供应lt据电压。
根据以上描述的结构，连接到数据线161a的像素电极190被供应有相同 极性的数据电压，并且像素电极190可接受极性与相邻的像素电极190的数 据电压的极性不同的数据电压。因此，列反相驱动方式的显示装置904可具
有可从点反相驱动方式获得的效果相同的效果。换句话说，虽然每条数据线
161的数据电压反相，但是每个像素电极190的数据电压的极性不仅沿着数 据线161的横向不同，而且沿着数据线161的纵向不同。
另外，由于数据线161被设置在像素电极190的中间部分，所以显示装 置904的开口率可被增大。数据线161被设置为基本上与域之间的边界对应。 因此，因为域之间的边界通常形成暗部，所以设置在像素电极190的中间部 分的数据线161对透光率的影响甚微。同时，由于数据线161没有位于像素 电极190的边缘部分，所以像素电极190的尺寸可被扩大。因此，开口率可 被有效地提高。
第一像素电极191包括第一主像素电极1911和第一副像素电极1912, 第二像素电极192包括第二主像素电极1921和第二副^象素电极1922。
另外，多条栅极线120包括第一栅极线121和第二栅极线122。第一栅 极线121包括第一主栅极线1211,将栅极信号供应到连接到第一主像素电 极1911的驱动薄膜晶体管101;第一副栅极线1212,将栅极信号供应到连接 到第一副像素电极1912的驱动薄膜晶体管101。第二栅极线122包括第二 主栅极线1221,将栅极信号供应到连接到第二主像素电极1921的驱动薄膜 晶体管101;第二副栅极线1222,将栅极信号供应到连接到第二副像素电极 1922的驱动薄膜晶体管101。
第一主栅极线1211和第一副栅极线1212供应彼此不同的栅极信号。另 外，第二主栅极线1221和第二副栅极线1222供应4皮此不同的栅极信号。因此，第一主像素电极1911和第一副像素电极1912的数据电压彼此不同，并 且第二主像素电极1921和第二副像素电极1922的数据电压彼此不同。
根据上述构造，通过第一主像素电极1911透射的光与通过第一副像素电 极1912透射的光的亮度不同。另外，通过第二主像素电极1921透射的光与 通过第二副像素电极1922透射的光的亮度不同。
此外，通过切割图案P190和P290 ^皮划分为多个域的像素区域通过由彼 此不同的数据电压驱动的第一主像素电极1911、第一副像素电极1912、第二 主像素电极1921和第二副像素电极1922被进一步细分。然后，显示装置904 具有进一步改善的视角。
根据这种构造，根据第四示例性实施例的显示装置904的图像质量可被 提高。
将参照图8描述本发明的第五示例性实施例。图8是根据本发明第五示 例性实施例的显示装置905的布局图。
如图8所示，像素电极180包括微裂缝图案P180。 ^敛裂缝图案P180将 由像素电极180组成的像素区域划分为多个域。
微裂缝图案P180包括至少一个竖向部分P181、与竖向部分P181交叉的 至少 一 个横向部分P18 2以及从竖向部分P181和4黄向部分P18 2延伸的多个倾 斜部分P183。虽然在图8中表示了一个竖向部分P181和一个沖黄向部分P182, 但是本发明不限于此。因此，微裂缝图案P180可包括多个竖向部分P181和 多个横向部分P182。
如上所述，通过微裂缝图案P180形成的像素电极180通过利用在倾斜部 分P183中产生的边缘场可使液晶层300中的液晶分子301有效地发生预倾 斜。因此，具有微裂缝图案P180的像素电极180将像素区域划分为多个域， 并且同时使液晶层300的液晶分子301在某个域中预倾斜的方向与在其它域 中不同。
因此，显示装置905可具有改善的视角。
多条数据线161穿过多个像素电极180的中间部分，并且被布置为互相 平行。多条栅极线120与数据线161交叉。多个驱动薄膜晶体管101的每个 与一条数据线161、 一条栅极线120和一个像素电极180连接。
数据线161a将数据电压交替地供应到该条数据线161a穿过其下方的像 素电极180和相邻的数据线161b穿过其下方的像素电极180。也就是说，数 据线161a将数据电压供应到形成在其上的第一行像素电极180,将数据电压 供应到形成在相邻的数据线161b上的第二行像素电极180，并且将数据电压 供应到形成在其上的第三行像素电极180。
像素电极180包括第一像素电极181,由设置在其下方的数据线161 供应数据电压；第二像素电极182，不从设置在其下方的数据线161供应数 据电压。沿着数据线161的纵向，第二像素电极182与第一像素电极181相 邻，并且由与^:据线161a相邻的^:据线161b供应凄t据电压。
根据上述构造，连接到数据线161a的像素电极180被供应有相同极性的 数据电压，并且像素电极180可接受极性与相邻的像素电极180的数据电压 的极性不同的数据电压。因此，列反相驱动方式的显示装置905可具有可从
点反相驱动方式获得的效果相同的效果。换句话说，虽然每条数据线161的
数据电压反相，但是每个像素电极180的数据电压的极性不仅沿着数据线161 的横向不同，而且沿着数据线161的纵向不同。
另外，由于数据线161被设置在像素电极180的中间部分，所以显示装 置卯5的开口率可被增大。数据线161被设置为基本上与域之间的边界对应。 因此，因为域之间的边界通常形成暗部，所以设置在像素电极180的中间部 分的数据线161对透光率的影响甚微。同时，由于数据线161没有位于像素 电极180的边缘部分，所以像素电极180的尺寸可被扩大。因此，开口率可 被有效地提高。
第一像素电极181包括第一主像素电极1811和第一副像素电极1812， 第二像素电极182包括第二主像素电极1821和第二副^象素电才及1822。
另外，多条栅极线120包括第一栅极线121和第二4册极线122。与第一 栅极线121连接的驱动薄膜晶体管101通过接触孔171直接连接到第一主像 素电极1811，并且通过耦合电容Ccp间接连接到第一副像素电极1812。因此， 第一主像素电极1811和第一副像素电极1812被供应彼此不同的数据电压。 即，第一主像素电极1811被通过驱动薄膜晶体管101的漏电极166被直接供 应数据电压，而第一副像素电极1812不通过驱动薄膜晶体管101的漏电极 166直接供应数据电压，而是通过形成在第一副像素电极1812和漏电极166 的延伸部分169之间的绝缘体上的耦合电容Ccp供应数据电压。因此，由于 第一副像素电极1812被供应的数据电压小于第一主像素电极1811被供应的 数据电压，所以通过第一主像素电极1811透射的光与通过第一副像素电极 1812透射的光的亮度不同。此时，供应到第一副像素电极1812的数据电压 为施加到第一主像素电极1811上的数据电压的50%至90%。
与第二栅极线122连接的驱动薄膜晶体管101通过接触孔直接连接到第 二主像素电极1821 ，并且通过耦合电容Ccp间接连接到第二副像素电极1822。 因此，与第一主像素电极1811和第一副像素电极1812—样，第二主像素电 极1821和第二副像素电极1822被供应不同的数据电压。
根据上述构造，通过微裂缝图案P180被划分为多个域的像素区域通过由 彼此不同的数据电压驱动的第一主像素电极1811、第一副像素电极1812、第 二主像素电极1821和第二副像素电极1822被进一步细分。然后，显示装置 905具有进一步改善的视角。
根据这种构造，根据第五示例性实施例的显示装置卯5的图像质量可被 提尚。
根据本发明，显示装置的图像质量可被提高。具体地说，即使显示装置 通过列反向方式被驱动，显示装置也具有当显示装置通过点反向方式驱动时 可获得的效果相同的效果。也就是说，虽然多个数据电压的极性在每条数据 线都反相，但是每个像素电极的极性不仅沿着数据线的横向与相邻的像素电 极不同而且沿着数据线的纵向与相邻的像素电极不同。因此，由于显示装置 通过列反向方式被驱动，所以以120Hz或更高频率来驱动是容易的。同时， 可有效地抑制通过采用列反相方式而可能产生的串扰的现象。
另外，通过将数据线设置在像素电极的中间部分可增大显示装置的开口
另外，由于数据线被布置于像素电极的中间部分，所以即使存在取向误 差，数据线也与像素电极重叠恒定大小的面积。因此，显示装置的图像质量 可被提高。
另外，通过将一个像素电极区域用多种方法划分为多个域，使液晶分子 预倾斜，从而可有效地改善显示装置的视角。
另外，通过精确控制施加到像素电极的数据电压来细分划分的域，进一 步改善显示装置的视角。
虽然已经显示并描述了本发明的一些示例性实施例，但是本领域技术人 员应该理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可对这些示例性实施 例进行改变，本发明的范围由权利要求限定。
权利要求
1、一种显示装置，包括第一显示基底，包括多个像素电极；多条数据线，互相平行地设置并且穿过像素电极的中间部分；多条栅极线，与数据线交叉；多个驱动薄膜晶体管，分别与栅极线、数据线和像素电极连接；第二显示基底，被设置为与第一显示基底相对并且包括共电极；液晶层，被设置在第一显示基底和第二显示基底之间，其中，沿着数据线的纵向，数据线中的一条将数据电压交替地供应到被该条数据线穿过的像素电极和被相邻的一条数据线穿过的像素电极。
2、 如权利要求1所述的显示装置，其中，连接到数据线中的所述一条的 像素电极被供应相同极性的数据电压，并且被供应与相邻的数据线的数据电 压的极性不同的数据电压。
3、 如权利要求2所述的显示装置，其中，每个驱动薄膜晶体管仅与所述 多条数据线中的 一条数据线连接，并且被布置在与每个像素电极的边缘部分 对应的位置，数据线中的所述一条沿着数据线的纵向交替地与设置在所述数据线的两 侧的驱动薄膜晶体管连接，所述多个驱动薄膜晶体管与相同侧的像素电极连接。
4、 如权利要求2所述的显示装置，其中，每个驱动薄膜晶体管仅与所述 多条数据线中的一条数据线连接，并且被布置在与每个像素电极的边缘部分 对应的位置，数据线中的所述一条与设置在相同侧的相邻的驱动薄膜晶体管连接； 所述多个驱动薄膜晶体管沿着数据线的纵向交替地与设置在数据线的两 侧的像素电极连接。
5、 如权利要求2所述的显示装置，其中，像素电极包括第一像素电极和 沿着数据线的纵向与第一像素电极相邻的第二像素电极，所述第二像素电极 由与数据线中的所述一条相邻的数据线供应数据电压，第 一像素电极包括第 一 主像素电极和第 一 副像素电极， 第二像素电极包括第二主像素电极和第二副像素电极。
6、 如权利要求5所述的显示装置，其中，所述多条栅极线包括第一栅极 线和第二栅极线，第一栅极线包括第一主栅极线，将栅极信号供应到与第一主像素电极 连接的驱动薄膜晶体管；第一副栅极线，将栅极信号供应到与第一副像素电 极连接的驱动薄膜晶体管；第二栅极线包括第二主栅极线，将栅极信号供应到与第二主像素电极 连接的驱动薄膜晶体管；第二副栅极线，将栅极信号供应到与第二副像素电 极连接的驱动薄膜晶体管。
7、 如权利要求6所述的显示装置，其中，第一主栅极线和第一副栅极线 供应相同的栅极信号，第二主栅极线和第二副初W及线供应相同的栅极信号。
8、 如权利要求7所述的显示装置，其中，第一显示基底还包括 存储电极线，与栅极线平行地形成；存储电极焊盘；充电薄膜晶体管，与第二主栅极线中的一条、第一副像素电极中的一个 以及存储电极焊盘连接。
9、 如权利要求6所述的显示装置，其中，第一主栅极线和第一副栅极线 供应不同的栅极信号，第二主栅极线和第二副栅极线供应不同的4册极信号。
10、 如权利要求5所述的显示装置，其中，第一主像素电极和第二主像 素电极直接与驱动薄膜晶体管连接，第 一 副像素电极和第二副像素电极通过耦合电容间接地与驱动薄膜晶体 管连接。
11、 如权利要求5所述的显示装置，其中，第一显示基底还包括设置在 像素电极和数据线之间的滤色器。
12、 如权利要求5所述的显示装置，其中，共电极和像素电极中的至少 一个包括将设置有像素电极的像素区域划分为多个域的微裂缝图案。
13、 如权利要求12所述的显示装置，其中，微裂缝图案包括 至少一个垂直部分，与数据线叠置；至少一个水平部分，与所述垂直部分交叉；多个倾斜部分，从所述垂直部分和水平部分中的至少一个延伸出。
14、 如权利要求13所述的显示装置，其中，液晶层包括垂直定向液晶分 子和紫外线固化型单体，其中，微裂缝图案和紫外线固化型单体使液晶分子 对于每个域沿着彼此不同的方向预倾斜。
15、 如权利要求5所述的显示装置，其中，共电极和像素电极中的至少 一个包括切割图案，所述切割图案将像素电极的像素区域划分为多个域。
16、 如权利要求15所述的显示装置，其中，切割图案包括与数据线平行 叠置的第 一切割图案和沿着倾斜方向与数据线交叉的第二切割图案。
17、 如权利要求5所述的显示装置，还包括 第一定向膜，设置在第一显示基底的像素电极上；第二定向膜，设置在第二显示基底的共电极上，第一定向膜和第二定向 膜中的至少一个将每个像素区域划分为多个域。
18、 如权利要求17所述的显示装置，其中，所述多个域的边界的一部分 与数据线平行地重叠。
全文摘要
本发明公开了一种显示装置，该显示装置包括第一显示基底、第二显示基底和液晶层。第一显示基底具有多个像素电极；多条数据线，互相平行地设置并且穿过像素电极的中间部分；多条栅极线，与数据线交叉；多个驱动薄膜晶体管，与栅极线、数据线和像素电极连接。第二显示基底被设置为与第一显示基底相对并且包括共电极。液晶层被设置在第一显示基底和第二显示基底之间。其中，沿着数据线的纵向，数据线中的一条将数据电压交替地供应到被该条数据线穿过的像素电极和被相邻的一条数据线穿过的像素电极。
文档编号G02F1/1362GK101359141SQ200810131868
公开日2009年2月4日 申请日期2008年7月1日 优先权日2007年8月1日
发明者金东奎 申请人:三星电子株式会社