专利名称：多域垂直配向型像素结构的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种多域垂直配向型像素结构。
背景技术：
现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体组件与显示装置的进步。就 显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示器 已逐渐成为市场的主流。为了让液晶显示器有更好的显示质量，目前市面上已发展出了各 种广视角的液晶显示器，常见的例如有共平面开关模式(in-plane switching, IPS)液晶 显示器、边缘场开关模式(fringefield switching, FFS)液晶显示器与多域垂直配向式 (multi-domain verticalalignment， MVA)液晶显示器等。 就公知的多域垂直配向式液晶显示器而言，配置于薄膜晶体管数组基板上的配向 凸起物(alignment protrusion)或狭缝(slit)可使液晶分子呈多方向排列，以得到数个 不同的配向领域(domain)。因此，多域垂直配向式液晶显示器能有广视角的效果。尽管如 此，多域垂直配向型液晶显示器的光穿透率(transmittance)仍会随着视角改变而有所不 同。亦即，当使用者正视与侧视显示画面时，多域垂直配向型液晶显示器所显示出的亮度会 有所不同，进而导致显示画面有色偏与色饱和度不足等现象。
发明内容
本发明提供一种多域垂直配向型像素结构，其可有效改善色偏的现象。 本发明提出一种多域垂直配向型像素结构，其包括一基板、多条扫描配线、多条数
据配线与多个像素单元。其中，扫描配线配置于基板上，而数据配线配置基板上方。每一像
素单元包括一第一像素电极、一第二像素电极与一双漏极主动组件。此外，双漏极主动组件
配置于第一像素电极与第二像素电极之间。双漏极主动组件包括一栅极、一图案化源极、一
第一漏极与一第二漏极，其中栅极电性连接至所对应的扫描配线其中之一，图案化源极电
性连接至所对应的数据配线其中之一。上述的栅极、图案化源极、第一漏极构成一第一主动
组件，且第一主动组件的第一漏极电性连接至第一像素电极。另外，上述的栅极、图案化源
极与第二漏极构成一第二主动组件，第二主动组件的第二漏极延伸至基板与第二像素电极之间。 在本发明的一实施例中，上述的第二漏极与第二像素电极电性连接。 在本发明的一实施例中，上述的第二漏极与第二像素电极电容耦合。 在本发明的一实施例中，上述的多域垂直配向型像素结构更包括一第三像素电
极，配置于第一像素电极与第二像素电极之间，且第一像素电极与第三像素电极共同连接
至第一漏极。 在本发明的一实施例中，上述的图案化源极具有一 U形凹口 。 在本发明的一实施例中，上述的图案化源极、第一漏极与第二漏极位于栅极上方， 且第一漏极配置于图案化源极的U形凹口内，且部分的图案化源极对应于第一漏极与第二漏极之间。 在本发明的一实施例中，上述的第一像素电极具有多个狭缝。
在本发明的一实施例中，上述的第二像素电极具有多个狭缝。
在本发明的一实施例中，上述的第三像素电极具有多个狭缝。 在本发明的一实施例中，上述的多域垂直配向型像素结构，更包括一共享配线，配 置于基板上。 本发明的双漏极主动组件是由第一主动组件与第二主动组件所构成，第一主动组 件与第一像素电极电性连接，且第二主动组件的第二漏极延伸至基板与第二像素电极之 间，以与第二像素电极电性连接或电容耦合。因此，本发明的第一像素电极与第二像素电极 在充电后可以具有不同的电压。这可使对应至第一像素电极与第二像素电极的液晶分别受 不同的电压驱动，进而能使液晶能划分出更多方向的领域。如此一来，本发明的多域垂直配 向型像素结构可以有效改善色偏的现象。
图1是本发明第一实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图； 图2是本发明第二实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图； 图3是本发明第三实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图； 图4是本发明第四实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图； 图5是本发明第四实施例的另一多域垂直配向型像素结构的上视图； 图6是本发明第五实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图； 图7是本发明第五实施例的另一多域垂直配向型像素结构的上视图。 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附
图式，作详细说明如下。
具体实施方式
第一实施例 图1是本发明第一实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图。请参考图l，本发 明的多域垂直配向型像素结构(multi-domain vertical alignment pixelst潔ture) 100 包括一基板110、多条扫描配线112、多条数据配线114与多个像素单元120。为了图示的简 明，图1仅绘示出一个像素单元120，以供说明。本发明的扫描配线112与数据配线114皆 配置于基板110上，而像素单元120主要包括一第一像素电极122、一第二像素电极124与 一双漏极主动组件126。 由图1可知，本发明的第一像素电极122与第二像素电极124具有多个狭缝S， 因而可将对应第一像素电极122与第二像素电极124的液晶(未绘示)划分出多个领域 (domain)。当然，所属技术领域中具有通常知识者应知第一像素电极122与第二像素电极 124也可以藉由多个配向凸起物(alignmentprotrusion)来达成划分领域的目的，在此并 不加以局限。值得注意的是，双漏极主动组件126配置于第一像素电极122与第二像素电 极124之间。双漏极主动组件126的配置位置，可以视实际需要而随第一像素电极122与 第二像素电极124的面积比例而作适当调整。
具体而言，本发明的双漏极主动组件126主要包括一栅极126a、一图案化源极 126b、一第一漏极126c、一第二漏极126d以及一半导体层126e。其中，栅极126a配置于基 板110上。 一般而言，栅极126a会受一闸绝缘层(未绘示)覆盖。此外，半导体层126e配 置于栅极126a上方的闸绝缘层上，而图案化源极126b、第一漏极126c、第二漏极126d则分 别配置于半导体层126e上。 实务上，栅极126a电性连接至所对应的扫描配线112其中之一，图案化源极126b 电性连接至所对应的数据配线114其中之一。栅极126a可以是扫描配线112的一部分，而 图案化源极126b可以是藉由数据配线114向外延伸而成。特别的是，上述的栅极126a、图 案化源极126b与第一漏极126c可构成一第一主动组件Tl，而栅极126a、图案化源极126b 与第二漏极126d可构成一第二主动组件T2。由图1可知，第一主动组件T1的第一漏极 126c可以藉由接触窗开口 Cl而电性连接至第一像素电极122，而第二主动组件T2的第二 漏极126d延伸至基板110与第二像素电极124之间。 这里要说明的是，图1所示的第二漏极126d可以藉由接触窗开口 C2，而与第二像 素电极124电性连接。当然，第二主动组件T2的第二漏极126d可以藉由延伸至基板110与 第二像素电极124之间，而与第二像素电极124电容耦合，在此并不加以局限。具体而言， 本发明的第一像素电极122与第二像素电极124分别透过第一主动组件Tl与第二主动组 件T2充电后，可以具有不同的电压。这可使对应至第一像素电极122与第二像素电极124 的液晶分别受到不同电压的驱动，以使分别对应第一像素电极122与第二像素电极124的 液晶能具有相异程度的倾倒状态。换言之，液晶能划分出更多方向的领域。
举例来说，如图1所示的第一像素电极122可以将液晶划分出四种领域，而第二像 素电极124同样也可将液晶划分出四种领域。由于第一像素电极122与第二像素电极124 具有不同的电压，因此第一像素电极122所划分出四种领域内的液晶倾倒程度会与第二像 素电极124所划分出四种领域内的液晶倾倒程度不同。换言之，本发明的多域垂直配向型 像素结构100可以划分出8种领域。如此一来，本发明的多域垂直配向型像素结构100可 以有效改善色偏的现象，进而提升显示画面的质量。 特别的是，本发明的图案化源极126b具有一 U形凹口 A，且第一漏极126c配置于 图案化源极126b的U形凹口 A内，第二漏极126d配置于图案化源极126b的U形凹口 A外。 由于第一漏极126c与第二漏极126d共同对应至图案化源极126b的相同部分(图案化源 极126b的短边)，因此可有效减小栅极_源极寄生电容(gate-source capacitor, Cgs)与 栅极_漏极寄生电容(gate-d:rainc即Eicitor， Cgd)。 本发明的多域垂直配向型像素结构IOO更可以包括一第三像素电极128，其可具 有多个狭缝S。如图1所示，本发明的第三像素电极128配置于第一像素电极122与第二 像素电极124之间。此外，第三像素电极128可以藉由接触窗开口 C3，而与第一主动组件 Tl的第一漏极126c电性连接。其中，第一像素电极122、第二像素电极124与第三像素电 极128的面积大小，可以视实际需要而作适当调整，在此并不加以局限。 一般而言，本发明 的多域垂直配向型像素结构100更可以包括一共享配线(common line) 123，其配置于基板 110上。实务上，共享配线123会与一参考电压源电性连接。
第二实施例 图2是本发明第二实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图。请参考图2，本发明的多域垂直配向型像素结构200与第一实施例的多域垂直配向型像素结构IOO类似，两 者主要不同之处在于第二漏极126d与图案化源极126b的相对位置。详细地说，本实施例 的第一漏极126c与第二漏极126d共同对应至图案化源极126b的长边。
第三实施例 图3是本发明第三实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图。请参考图3，本发 明的多域垂直配向型像素结构300与第二实施例的多域垂直配向型像素结构200类似，两 者主要不同之处在于本实施例的图案化源极126b的图案设计。详细地说，本实施例的第 一漏极126c与第二漏极126d共同对应图案化源极126b的长边。
第四实施例 图4是本发明第四实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图。请参考图4，本发 明的多域垂直配向型像素结构400与第一实施例的多域垂直配向型像素结构IOO类似，两 者主要不同之处在于本实施例的图案化源极126b的图案设计类似S字形。详细地说，本 实施例的第一漏极126c与第二漏极126d共同对应S字形的图案化源极126b的短边。图 5是本发明第四实施例的另一多域垂直配向型像素结构的上视图。本实施例的图案化源极 126b、第一漏极126c与第二漏极126d的设计也可以如图5所示。
第五实施例 图6是本发明第五实施例的多域垂直配向型像素结构的上视图。请参考图6，本发 明的多域垂直配向型像素结构600与第一实施例的多域垂直配向型像素结构IOO类似，两 者主要不同之处在于本实施例的图案化源极126b的图案设计类似E字形。详细地说，本 实施例的第一漏极126c与第二漏极126d共同对应E字形的图案化源极126b的长边。图 7是本发明第五实施例的另一多域垂直配向型像素结构的上视图。本实施例的图案化源极 126b、第一漏极126c与第二漏极126d的设计也可以如图7所示。 综上所述，本发明的双漏极主动组件是由第一主动组件与第二主动组件所构成，
且第一主动组件与第一像素电极电性连接。第二主动组件的第二漏极延伸至基板与第二像
素电极之间，以与第二像素电极电性连接或电容耦合。因此，本发明的第一像素电极与第二
像素电极充电后可以具有不同的电压。这可使对应至第一像素电极与第二像素电极的液晶
分别受不同的电压驱动，进而造成液晶能划分出更多方向的领域。如此一来，本发明的多域
垂直配向型像素结构可有效改善显示画面有色偏的现象。此外，本发明的双漏极主动组件
可以设计成不同的形状，以有效降低栅极_源极寄生电容与栅极_漏极寄生电容。 虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术
领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此
本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
一种多域垂直配向型像素结构，其特征在于，包括一基板；多条扫描配线；多条数据配线，与该些扫描配线交叉配置于该基板上；多个像素单元，配置于该基板上，每一像素单元包括一第一像素电极；一第二像素电极；以及一双漏极主动组件，配置于该第一像素电极与该第二像素电极之间，该双漏极主动组件包括一栅极、一图案化源极、一第一漏极与一第二漏极，其中该栅极电性连接至所对应的该些扫描配线其中之一，该图案化源极电性连接至所对应的该些数据配线其中之一，而该栅极、该图案化源极、该第一漏极构成一第一主动组件，且该第一主动组件的第一漏极电性连接至该第一像素电极，而该栅极、该图案化源极与该第二漏极构成一第二主动组件，该第二主动组件的第二漏极延伸至该基板与该第二像素电极之间。
2. 如权利要求1所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，该第二漏极与该第二 像素电极电性连接。
3. 如权利要求1所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，该第二漏极与该第二 像素电极电容耦合。
4. 如权利要求1所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，更包括一第三像素电 极，配置于该第一像素电极与该第二像素电极之间，且该第一像素电极与该第三像素电极 共同连接至该第一漏极。
5. 如权利要求1所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，该图案化源极具有一U 形凹口。
6. 如权利要求5所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，该图案化源极、该第一 漏极与该第二漏极位于该栅极上方，且该第一漏极配置于该图案化源极的U形凹口内，且 部分该图案化源极对应于该第一漏极与该第二漏极之间。
7. 如权利要求1所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，该第一像素电极具有 多个狭缝。
8. 如权利要求1所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，该第二像素电极具有 多个狭缝。
9. 如权利要求4所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，该第三像素电极具有 多个狭缝。
10. 如权利要求1所述的多域垂直配向型像素结构，其特征在于，更包括一共享配线， 配置于该基板上。
全文摘要
一种多域垂直配向型像素结构包括一基板、多条扫描配线、多条数据配线与多个像素单元。其中，扫描配线与数据配线配置于基板上。每一像素单元包括一第一像素电极、一第二像素电极与一双漏极主动组件。此外，双漏极主动组件配置于第一像素电极与第二像素电极之间。双漏极主动组件包括一栅极、一图案化源极、一第一漏极与一第二漏极。其中，栅极电性连接至扫描配线，图案化源极电性连接至数据配线。上述的第一漏极电性连接至第一像素电极。另外，上述的第二漏极延伸至基板与第二像素电极之间。
文档编号G02F1/13GK101726937SQ20081020109
公开日2010年6月9日 申请日期2008年10月13日 优先权日2008年10月13日
发明者张月泙, 戴孟杰, 柳智忠, 王明宗 申请人:华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司