一种纳米晶增强图形化发光复合膜的制备方法

专利名称：一种纳米晶增强图形化发光复合膜的制备方法
技术领域：
本发明属于光电子信息技术领域，具体涉及光学基片上纳米晶增强图形化发光玻璃薄膜 材料及其制备技术。
背景技术：
发光玻璃薄膜材料是通过在结构稳定、光学性能优良的光学玻璃薄膜基体中引入稀土、 半导体、金属离子及其纳米晶体等各类发光物质，从而获得各种独特的发光性能。相比于一 些有机发光材料，发光玻璃薄膜材料具有化学及热稳定性好、使用寿命长等特点，在信息显 示、存储、传输、处理等领域得到大量应用。发光玻璃薄膜材料要求玻璃基质应具有结构稳 定性好、易于发光物质引入、光学透过窗口符合要求等特点，目前常见的玻璃薄膜基质材料 包括硅酸盐、硼酸盐、磷酸盐、碲酸盐等，其中碲酸盐系统玻璃材料具有红外透过性能优良、 声子能较低等优点，具有广泛的应用前景。在发光玻璃薄膜材料中，起发光作用的主要是一 些具有光致发光、电致发光、阴极射线发光等效应的稀土、半导体、金属离子及其纳米晶体 等发光物质。目前常见的稀土发光物质包括钇、镨、钕、钷、钐、铕、轧、铽、镝、钬、铒、 钬、铥、镱、镥、铈等离子或其纳米晶体。半导体材料也是一类常见的发光物质，其种类包 括砷化镓、磷化镓、磷化铟、硫化镉、硒化镉、硫硒化镉、碲化镉、氯化银、氧化锌等物质。 此外，金、银、铜、钛、铬、钒、锰、钼等过渡金属离子及其纳米晶体在玻璃基体中也存在 独特的发光性能。常见的玻璃薄膜制备方法包括溶胶-凝胶法、喷雾热解法、物理溅射法、化 学气相沉积法、脉冲激光沉积法等。目前，提高发光玻璃薄膜材料的荧光发光效率以及对不 同种类发光材料进行功能化集成设计已经成为新型发光材料及发光器件研究与开发中的一项 重要任务。
利用表面等离子体共振增强效应可以有效提高发光材料的荧光效率。在发光物质周围引 入一些银、金、铜等金属纳米晶体，当金属纳米晶体与荧光物质之间距离很近时，金属纳米 晶粒内部的自由电子在一定频率的外界电磁场作用下规则运动而产生的表面等离子共振可极 大增强纳米晶粒周围的电磁场；这种表面局域电磁场增强使靠近晶粒表面的发光物质活化、 激发效率提高，从而大大增强荧光发射强度。DE102004037882即报道了利用含金属纳米晶膜 层的玻璃基片进行DNA分子的荧光增强分析。不过，只有当存在于玻璃薄膜内的金属纳米 晶表面等离子共振吸收峰位与周围发光物质的激发光波长相匹配的时候，才能产生强烈的荧 光增强效应。
具有实用功能的发光器件开发，往往需要将不同种类的发光材料进行功能化集成设计。 微纳图形的制备是縮小光信息器件尺寸、提高器件性能的重要步骤。目前现有的图形化信息 器件制备技术主要包括光刻、离子束刻蚀、纳米压印等方法。CN1035102、 CN1593936、 KR20040106999、 JP2006038999、 US2008138460等专利文件分别报道了采用激光划线技术、 激光图案压印、热压印技术、紫外蚀刻等技术在各种基片上制备薄膜图形和纳米图形。这些
制备技术一般仅用于各种微纳几何图形的制备，而较难实现荧光图形的输出。中国发明专利 CN101261443A报道了一种玻璃或单晶基片中纳米晶图形电场诱导热转印的制备技术，利用 这种技术可以将银、金、铜等金属纳米晶体按需图形化引入玻璃基体中以形成金属纳米晶体 图形。如果将这种金属纳米晶体图形制备技术与金属纳米晶荧光增强效应结合起来，在含有 发光物质的玻璃薄膜中引入银、金、铜等金属纳米晶体图形，利用图形化分布金属纳米晶体 对周围发光物质进行荧光增强，进而开发一种金属纳米晶增强的发光玻璃复合薄膜制备技术， 可以简化光信息器件的制备工艺，同时获得优异的荧光图形输出功能，对于推动纳米材料及 纳米光信息器件的制造及实际应用具有重要意义。

发明内容
表面增强荧光效应是一种分布于银、金、铜等纳米晶粒附近荧光物质的荧光发射强度大 大提高的现象。纳米晶增强图形化发光技术的实现，首先要求银、金、铜等金属纳米晶体能 按需在含发光物质光学玻璃薄膜基体内实现图形化分布；同时只有当引入金属纳米晶体的表 面等离子共振吸收峰位与周围发光物质的激发光波长相匹配时，才能在所需局域对发光物质 产生明显的荧光增强，进而产生图形化发光。为此，本发明的目的在于提出一种基于纳米晶 图形化热转印技术的图形化发光玻璃复合膜制备技术，利用直流电场诱导热转印技术向含发 光物质玻璃薄膜内转印金属纳米晶体图形，同时通过玻璃薄膜基质的组成设计调节金属纳米 晶体的表面等离子共振吸收峰位并使之与相应发光物质的激发光波长相匹配，进而实现纳米 晶增强的荧光图形输出；通过具有多种发射波长的图形化发光玻璃膜的叠层设计，实现多种 荧光图形的同时输出。
其具体的方法是，首先在可耐30(TC及以上温度的玻璃、单晶、聚合物光学基片上利用 溶胶-凝胶法制备含所需各种发光物质的玻璃薄膜，也可采用喷雾热解法、物理溅射法、化学 气相沉积法、脉冲激光沉积法等方法合成含所需发光物质的玻璃薄膜；而后利用丝网印刷、 曝光成像、喷墨打印或刻蚀等图形制备技术在己涂覆的含发光物质玻璃薄膜上再制备一层含 银、金、铜的其中之一或几种金属物质图形膜层；再利用直流电场诱导热转印技术，以含金 属物质图形膜层为阳极，利用金属电极施加直流电场，同时置于热处理装置中在一定温度下 热处理，在直流电场的引导下含金属物质图形膜层中的金属离子即定向扩散进入含发光物质 玻璃薄膜；这些金属离子在后续热处理过程中成核长大，形成所需图形化分布的银、金、铜 等金属纳米晶体；通过含发光物质玻璃薄膜基体的化学组成设计使金属纳米晶体的表面等离 子共振吸收峰位置与周围发光物质所需激发光波长相匹配，从而实现纳米晶增强的荧光图形 输出。为了实现多种形状、多种颜色的荧光图形同时输出，可以在光学基片上多次交替涂覆 不同组成与图形的含发光物质玻璃膜及含金属物质图形膜层，由不同玻璃膜层发射不同荧光 图形。
在本发明中，含发光物质的玻璃薄膜首先必须保持足够的结构稳定性，在发光物质或荧 光增强用金属纳米晶体引入过程中能够保持玻璃薄膜基体的稳定。其次，玻璃薄膜基体还必 须保持较低的声子能，使掺入的发光物质拥有优良的荧光效率。为此，玻璃薄膜以碲、硅、 钛、锆或铝的乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐、乙二醇盐、丙二醇盐、氯化物、硝酸盐、硫酸盐的 其中一种或多种为原料，采用溶胶-凝胶法制备。根据玻璃薄膜的结构与析晶稳定性特点，可 分别采用脱水、脱醇、脱醚、脱卤代垸等溶胶-凝胶聚合方式合成氧化物或氧卤系统凝胶薄膜， 再通过热处理手段获得结构稳定的氧化物或氧卤玻璃薄膜；也可采用喷雾热解法、物理溅射
法、化学气相沉积法、脉冲激光沉积法等方法对上述原料进行热分解、沉积形成非晶态薄膜。 为了获得优异的荧光增强效应，通过电场诱导热转印引入的银、金、铜等纳米晶体的表面等 离子共振吸收峰位置应当与玻璃薄膜中发光物质的激发光波长相匹配。因此在玻璃薄膜合成 过程中，以具有低声子能的碲氧结构单元为玻璃网络结构主体或之一，并引入硅氧、钛氧、 锆氧、铝氧的其中之一或几种网络结构单元，同时添加锂、钠、钾、银、铜、金、镁、钙、 锶、钡、锌、锰、铅、铁、钴、镍、铌、钒、钨、硼的卤化物、草酸盐、醋酸盐、硝酸盐、 硫酸盐的其中之一或几种，通过玻璃网络与配位场结构调整调节金属纳米晶体在玻璃薄膜中 的等离子共振吸收峰位置，使其在400-800nm范围内与各种荧光物质的激发光波长相匹配。
在本发明中，含发光物质玻璃薄膜为含有钪、钇、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、 钬、铒、钬、铥、镱、镥、铈等稀土离子或其纳米晶体、砷化镓、磷化镓、磷化铟、硫化镉、 硒化镉、硫硒化镉、碲化镉、氯化银、氧化锌等半导体化合物、钛、铬、钒、锰、钼等过渡 金属离子或其纳米晶体的氧化物玻璃或氧卤玻璃薄膜。稀土、半导体、金属等发光离子或其 纳米晶体物质可以在玻璃薄膜合成过程中以离子、晶粒形式单独或组合引入，可以再通过热 处理手段形成纳米发光晶体。
在本发明中，含金属物质图形膜层的作用在于为图形化金属纳米晶体转印提供所需金属 离子。其以硅、钛、锆的乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐、丙二醇盐为原料，引入镁、钙、锶、钡、 锰、铅、铌、钒、钨或硼的卤化物、草酸盐、醋酸盐、硝酸盐、硫酸盐、乙醇盐、丙醇盐、 丁醇盐的其中一种或多种，同时引入银、金、铜的单质、卤化物、草酸盐、碳酸盐、硝酸盐、
硫酸盐的其中一种或多种，采用脱水、脱醇聚合方式制成溶胶；也可直接釆用银、金、铜的 金属浆料、卤化银照相乳剂等为原料，采用丝网印刷、曝光成像、喷墨打印、刻蚀等方法在 含发光物质玻璃薄膜上制备一层含银、金、铜等金属物质的图形膜层。
在本发明中，采用直流电场诱导纳米晶体图形转印的方法，以含金属物质图形膜层表面 为阳极，对含金属物质图形膜层和含发光物质玻璃薄膜施加直流电场，引导含金属物质图形 膜层中的金属离子沿电力线定向扩散进入含发光物质玻璃薄膜，在玻璃薄膜中形成金属离子 图形。在后续热处理过程中，这些图形化分布的金属离子成核、生长成所需金属纳米晶体图 形，并对周围荧光物质进行局域荧光增强，进而实现荧光图形的输出。在电场诱导热转印后， 所遗留的图形膜层可以掩膜的形式防止各层含发光物质玻璃薄膜之间的相互干扰；也可事先 引入一些滤光物质，以滤光膜的形式控制薄膜的发光特性。
在本发明中可以先在光学基片上交替重复制备含不同发光物质玻璃薄膜和含金属物质图 形膜层，形成多层交叠分布结构，再通过直流电场诱导纳米晶体图形转印的方法，形成具有 不同发射波长的多层发光图形膜层。也可以先在光学基片上依次制备一层含发光物质玻璃薄 膜和含金属物质图形膜层，并利用直流电场诱导纳米晶体图形转印的方法形成一层具有单一 发射波长的发光图形膜层后，再改变发光物质或玻璃薄膜种类，并重复上述步骤，形成具有 不同发射波长的多层发光图形膜层。
在金属纳米晶体图形转印过程中，含金属物质图形膜层中金属物质存在形式与含量、含 发光物质玻璃薄膜组成与结构、热处理温度、直流电场强度和处理时间都会对金属离子的扩 散、金属纳米晶体的析出产生影响。选择合适的纳米晶图形转印条件十分必要，过低的热处 理温度和电场强度将不利于金属离子的扩散，过高的热处理温度或过长处理时间将会使纳米 晶体过分长大和纳米晶体图形模糊化，而过高的电场强度也会导致玻璃薄膜的破坏。根据转 印金属纳米晶体的尺寸、含量等方面要求，电场诱导热转印时的电场强度为10-1000V/mm，
热处理温度为100-600°C，处理时间为l-1000min，而后续热处理工艺所选的热处理温度为 250-600°C，处理时间为5-1000min。
本发明所提出的纳米晶图形增强图形化发光复合膜材料及制备技术，集纳米光信息材料 制备与器件制造于一体，可用于光信息显示、信息记录、信息调制等纳米信息器件的制造领 域。


图1为直流电场诱导热转印时的复合膜结构示意图。
图2为经直流电场诱导热转印及后续热处理后的复合膜结构示意图。
具体实施例方式
如附图1所示，其中，1为第二层含金属物质图形膜层，2为第二层含发光物质玻璃薄膜， 3为第一层含金属物质图形膜层，4为第一层含发光物质玻璃薄膜，5为玻璃、单晶或聚合物 光学基片，6为直流电场。
首先利用溶胶-凝胶法、喷雾热解法、物理溅射法、化学气相沉积法、脉冲激光沉积法等 方法在玻璃、单晶或聚合物光学基片5上涂覆一层含发光物质玻璃薄膜4，再利用丝网印刷、 曝光成像、喷墨打印或刻蚀等方法在该薄膜上制备一层含金属物质图形膜层3;如需制备多 种荧光图形叠层结构复合膜，可在图形膜层3上再依次涂覆第二层含发光物质玻璃薄膜2、 第二层含金属物质图形膜层1，或更多含发光物质玻璃薄膜与含金属物质图形膜层。然后以 最外层含金属物质图形膜层为阳极，光学基片未涂膜一侧表面为阴极施加直流电场6并同时 加热，引导含金属物质图形膜层中的金属离子沿电力线定向扩散进入含发光物质玻璃薄膜， 再通过后续热处理在各层含发光物质玻璃薄膜中形成图形化分布的金属纳米晶体，用于对周 围发光物质进行图形化荧光增强，而遗留的原含金属物质图形膜层则可以掩膜或滤光膜的形 式存在。
经直流电场诱导热扩散及后续热处理后的复合膜结构如附图2所示，其中，1为第二层 掩膜或滤光膜，2为第二层纳米晶增强图形化发光玻璃薄膜，3为第一层掩膜或滤光膜，4为 第一层纳米晶增强图形化发光玻璃薄膜，5为玻璃、单晶或聚合物光学基片。利用外置光源 照射纳米晶增强图形化发光玻璃薄膜，由于不同层玻璃薄膜中的金属纳米晶图形及其等离子 共振吸收峰位置、发光物质种类各不相同，因而在不同波长段金属纳米晶增强激发出各不相 同的荧光图形。
实施例1
以1， 2-丙二醇为溶剂，先后加入0.8M1， 2-丙二醇碲、0.2M草酸铌、0.2M氯化钡、0.01M 硝酸铕，在60'C陈化形成溶胶，利用匀胶机涂覆在硅单晶基片上，加热至13(TC聚合形成碲 酸盐凝胶薄膜，对薄膜进行40(TC热处理获得含铕碲酸盐系统玻璃薄膜。以无水乙醇为溶剂， 先后加入1M正硅酸乙酯、0.05M氯金酸，并加入3M水进行水解、聚合形成溶胶，利用喷 墨打印法在含铕碲酸盐系统玻璃薄膜表面形成图形膜层，通过陈化和250'C热处理形成含金 图形膜层。以含金图形膜层为阳极，硅单晶基片未镀膜侧表面为阴极，施加强度为400V/mm 的直流电场，并置于温度为300'C的热处理炉中处理40min后，撤去电场再在35(TC下处理120min。含金图形膜层中的金离子即定向扩散进入含铕碲酸盐系统玻璃薄膜，形成颗粒尺寸 在15-25nm的金纳米晶体，并在波长532nm附近呈现出明显的表面等离子共振吸收，进而在 该波长附近对稀土离子铕进行局域荧光增强而形成荧光图形。残留的原含金图形膜层即以光 学掩膜的形式存在。
实施例2
以无水乙醇为溶剂，先后加入0.8M正硅酸乙酯、0.2M氯化碲、0.2M乙醇钠、O.OIM硝 酸钐，并加入3M水在6(TC下进行水解、聚合形成溶胶，利用匀胶机将制得的溶胶涂覆在光 学玻璃基片上并陈化形成凝胶薄膜，对凝胶薄膜进行450'C热处理获得含钐硅碲酸盐系统玻 璃薄膜。将卤化银照相乳剂涂覆在含钐硅碲酸盐系统玻璃薄膜上，采用曝光法形成金属银图 形膜层，并洗去未成像部分。以金属银图形膜层为阳极，光学玻璃基片未镀膜侧表面为阴极， 施加强度为200V/mm的直流电场，并置于温度为30(TC的热处理炉中处理60min后，撤去电 场再在450'C下处理120min。金属银图形膜层中的银离子即定向扩散进入含钐硅碲酸盐玻璃 薄膜，形成颗粒尺寸在5-15nm的银纳米晶体，并在波长404nm附近呈现出明显的表面等离 子共振吸收，进而在该波长附近对稀土离子钐进行局域荧光增强而形成荧光图形。
实施例3
以无水乙醇为溶剂，先后加入0.7M正硅酸乙酯、0.2M钛酸丁酯、O.IM异丙醇锆、0.2M 硝酸钾、O.OIM硝酸铒，并加入3M水在60'C下进行水解、聚合形成溶胶，利用匀胶机将制 得的溶胶涂覆在光学玻璃基片上并陈化形成凝胶薄膜，对凝胶薄膜进行500'C热处理获得第 一层含铒硅钛锆系统玻璃薄膜。以无水乙醇为溶剂，先后加入1M正硅酸乙酯、0.05M硝酸 银，并加入3M水进行水解、聚合形成溶胶，利用丝网印刷法将溶胶涂覆在含铒硅钛锆系统 玻璃薄膜表面并陈化形成含银凝胶薄膜图形，通过25(TC热处理形成第一层含银图形膜层。 以1， 2-丙二醇为溶剂，先后加入0.6M1， 2-丙二醇碲、0.2M草酸铌、0.2M氯化钡、0.01M 硝酸镨，在60'C陈化形成溶胶，利用匀胶机涂覆在第一层含银图形膜层上，加热至130'C聚 合形成碲酸盐凝胶薄膜，对薄膜进行45(TC热处理获得第二层含镨碲酸盐系统玻璃薄膜。利 用同样方法在第二层含发光物质玻璃薄膜上制备第二层含银图形膜层，并以其为阳极，光学 玻璃基片未镀膜侧表面为阴极，施加强度为450V/mm的直流电场，并置于温度为30(TC的热 处理炉中处理50min后，撤去电场再在40(TC下处理120min。含银图形膜层中的银离子即定 向扩散进入含发光物质玻璃薄膜中并形成银纳米晶体，分别在488nm和443nm附近呈现出明 显的表面等离子共振吸收，进而分别对稀土离子铒、镨进行局域荧光增强而形成荧光图形。
上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和应用本发明。熟悉 本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应 用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于这里的实施例，本领域技 术人员根据本发明的揭示，对于本发明做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种纳米晶增强图形化发光复合膜制备方法，其步骤包括(a)在光学基片上制备含稀土或半导体或金属发光物质玻璃薄膜；(b)在(a)步骤获得的含发光物质玻璃薄膜上制备含银、金或铜金属物质图形膜层；(c)采用直流电场诱导热转印技术引导含金属物质图形膜层中金属离子定向扩散进入玻璃薄膜，并通过后续热处理在含发光物质玻璃薄膜中形成图形化分布的银、金或铜金属纳米晶体。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述光学基片是可耐30(TC及以上温度的玻璃 或单晶或聚合物光学基片。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述银、金或铜金属纳米晶体在含发光物质玻 璃薄膜中的表面等离子共振吸收峰位与发光物质的荧光激发波长相一致，利用图形化分布 银、金、铜纳米晶体进而对发光物质的荧光效率进行增强，实现纳米晶增强发光图形的输 出。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的步骤(a)中的含发光物质玻璃薄膜基 质以碲、硅、钛、锆或铝的乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐、乙二醇盐、丙二醇盐、氯化物、硝 酸盐、硫酸盐的其中一种或多种为原料，其中碲化合物的摩尔百分含量小于或等于90%， 硅化合物、钛化合物、锆化合物或铝化合物的摩尔百分含量小于或等于80%，这些化合物 总的摩尔百分含量大于或等于60%;同时引入锂、钠、钾、银、铜、金、镁、钙、锶、钡、 锌、锰、铅、铁、钴、镍、铌、钒、钨或硼的卤化物、草酸盐、醋酸盐、硝酸盐、硫酸盐、 乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐的其中一种或多种，其摩尔百分含量为小于或等于40%。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于在光学基片上以溶胶-凝胶法制备氧化物或氧 卤凝胶及玻璃薄膜，并调节银、金或铜纳米晶体在玻璃薄膜中的表面等离子共振吸收峰位 在400-800nm范围内连续可调。
6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于合成所述玻璃薄膜的方法还包括喷雾热解法、 物理溅射法、化学气相沉积法或脉冲激光沉积法。
7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述玻璃薄膜的厚度为100-10000nm。
8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的步骤(b)中的含金属物质图形膜层以 硅、钛或锆的乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐、乙二醇盐、丙二醇盐的其中一种或多种为原料，其总的摩尔百分含量为大于或等于60%;引入镁、钙、锶、钡、锰、铅、铌、钒、鸦或硼的卤化物、草酸盐、醋酸盐、硝酸盐、硫酸盐、乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐的其中一种或多禾中，其总的摩尔百分含量为小于或等于40%;同时引入银、金或铜的单质、囟化物、草酸盐、碳酸盐、硝酸盐、硫酸盐的其中一种或多种，其摩尔百分含量为小于或等于10%;制备出溶胶并涂覆在含发光物质玻璃薄膜上形成图形凝胶及玻璃膜层，在电场诱导热转印后 以掩膜、滤光膜等形式存在。
9. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的步骤(b)中选用银、金或铜的金属浆 料、卣化银照相乳剂作为图形膜层原料。
10. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的步骤(C)是在直流电场诱导下， 以含银、金或铜金属物质图形膜层表面为阳极，玻璃、单晶或聚合物光学基片的未涂膜侧 表面为阴极，对含金属物质图形膜层与含发光物质玻璃薄膜热处理的同时施加直流电场， 引导图形膜层中的金属离子定向扩散进入含发光物质玻璃薄膜，其电场强度为10-1000V/mm，热处理温度为100-600°C,处理时间为l-1000min;其后续热处理温度为 250-600°C，处理时间5-1000min，在空气或还原气氛下诱导扩散进入含发光物质玻璃薄膜 中的金属离子聚集形成银、金或铜纳米晶体。
11. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过一次进行(a)和(b)步骤得到单层 含发光物质玻璃薄膜和含金属物质图形膜层，或者通过交替重复(a)和(b)步骤得到多 层交叠分布的含发光物质玻璃薄膜和含金属物质图形膜层，再通过(c)步骤的直流电场 诱导热转印技术使各个含金属物质图形膜层中的金属离子定向扩散进入含发光物质玻璃 薄膜，经后续热处理形成具有单一发射波长的发光图形层、或者具有不同发射波长的多层 发光图形。
12. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过交替重复(a)、 (b)和(c)步骤制 备具有不同发射波长的多层发光图形。
全文摘要
本发明属于光电子信息技术领域，具体涉及一种纳米晶表面增强图形化发光复合玻璃膜的制备技术，通过在玻璃、单晶或聚合物光学基片表面依次制备含发光物质玻璃薄膜和含银、金或铜金属物质图形膜层，利用直流电场诱导热转印技术使图形膜层中金属离子定向扩散进入含发光物质玻璃薄膜并形成图形化分布的银、金或铜金属纳米晶体，利用金属纳米晶体的表面等离子荧光增强效应提高发光物质的荧光效率，进而实现玻璃薄膜的图形化发光。采用该技术制备的纳米晶增强图形化发光膜可应用于光信息记录、显示及处理等领域。
文档编号G02B1/10GK101373222SQ20081020067
公开日2009年2月25日 申请日期2008年9月27日 优先权日2008年9月27日
发明者健 林, 魏恒勇 申请人:同济大学