专利名称：在电子和电气设备中使用的有机材料的正交工艺的制作方法
技术领域：
已经公开了用于为有 机结构形成图案(patterning)的正交工艺，其利用氟化溶 剂或超临界CO2作为有机材料的溶剂。该公开的工艺还利用与氟化溶剂结合的氟化光致抗 蚀剂。氟化光致抗蚀剂可以是间苯二酚杯芳烃、全氟癸基甲基丙烯酸酯和2-硝基苄基甲基 丙烯酸酯的共聚物、其衍生物或其他的具有足够的氟含量的聚合物光致抗蚀剂或分子玻璃 光致抗蚀剂。氟化的光致抗蚀剂和氟化溶剂用于制造在电子(半导体)和电气设备中使用 的各种有机结构的图案。例如，这里公开的材料和技术可用于为酸性聚(3，4_乙烯二氧噻 吩)聚(苯乙烯磺酸盐)(PED0T:PSS)形成图案，这是一种广泛应用的有机材料，其不存在 其他直接的光刻成像方法。相关技术描述有机材料的应用在电子和电气设备制造中正变得日益广泛，这是因为有机材料可 以与传统无机材料互补，从而提供轻量、廉价和可机械弯曲的设备。使用有机材料的优点在 于这类有机材料的低温、高产量的制造工艺。已经展示了利用旋涂、喷墨印刷和其他湿式 印刷技术来制造各种有机电子和电气设备，例如有机发光二极管(OLED)、有机薄膜晶体管 (OTFT)、有机太阳能电池、电极和传感器。同传统的无机设备相似，有机材料制备的设备需要活性功能材料，以适应微成像 (micro-patterned)和多层的设备部件。传统的无机材料典型地使用已知的光刻成像技术 来制造，该技术提供了高分辨率和高产量。然而，有机半导体和其他有机电子或有机电气结 构无法利用已知的光刻成像来制造，这是因为有机材料和特定成像剂、特别是在成像处理 中使用的溶剂之间的化学不兼容性。传统有机溶剂的使用在光致抗蚀剂沉积和移除过程中 恶化了有机材料的性能。而且，有机材料的性能在使用传统水性碱溶液的图案显影步骤中 进一步恶化。为了克服这些问题，人们使用了各种策略。一种策略是调整光刻条件以适应有机 材料。这些努力包括在活性材料和感光耐蚀膜之间应用防护涂层。其他的策略包括尝试找 至IJ 一种“正交溶剂”，或找到一种不会破坏有机层的处理溶剂。还使用了替代的制造方法，包 括喷墨印刷、阴罩沉积、通过阴罩的气相沉积，软硬压印光刻以及光刻法。喷墨印刷具有连 续的卷对卷处理能力，是聚合材料的成像技术的选择，但是喷墨印刷的分辨率被限制到大 约10-20 μ m。阴罩沉积是小分子成像的主要技术，但是也具有明显的分辨率限制，典型地最 多为25-30 μ m,虽然特定的罩具有最低5 μ m的分辨率。阴罩沉积也需要高真空环境，而这 会引入更多的限制。压印光刻已经展示出有前途的结果，其特征分辨率低至lOnm。然而，这 种技术相对于材料和设备结构仅示出了有限的适用性。而且，上述的所有方法都缺少配准 (registration)，这使得多层设备的制造特别具有挑战。多层设备结构是取得集成电路所 必需的。目前，有机材料成像的方法没有一个能够提供光刻法的分辨率和可靠性。因此，光 刻法是应用最广泛的成像方法，其能一贯地取得高分辨率和配准。光刻法的额外优点在于 其是发展最好的成像技术，并且其是半导体工业的成像方法的选择。
然而，如在上面提到的，在光刻法工艺中，可用的溶剂中有一定数量的溶剂不溶解 或相反地损坏有机层。目前，极性和非极性溶剂分别用于处理非极性和极型活性膜。例如， 通过使用极性溶剂可形成双层结构，以将极性膜沉积在非极性膜上面。因此，通过仔细地 选择适当的有机材料/溶剂组合或通过将有机材料化学改性以取得所需极性，可以达到溶 剂正交性。然而，这个策略也是有问题的，因为光刻法工艺典型地同时需要极性和非极性溶 剂。因此，在有机电子设备制造的光刻工艺中，有机材料的化学处理需要一种改进的 方法。而且，还需要一种环境友好的溶剂，其对有机电子设备制造中使用的大部分化学材料 是有利的。最后，需要一种处理有机电子设备的稳健的方法，其能避免对有机材料的破坏， 例如溶解、裂化、分层或其他不利的物理或化学损害。发明概述这里公开了一种用于有机结构的成像的正交工艺。该公开的工艺可以利用氟化溶 剂或超临界的CO2作为“正交”溶剂，其基本上不会对沉积的有机层有不利的影响。该公开 的工艺避免了在成像中使用传统溶剂可能会引起的对有机层的破坏。在一个改进中，该公开的工艺可同时利用氟化的光致抗蚀剂和氟化的溶剂。氟化 的光致抗蚀剂可以是间苯二酚杯芳烃、全氟癸基甲基丙烯酸酯和2-硝基苄基甲基丙烯酸 酯的共聚物、其衍生物或其他的具有足够的氟含量的聚合物光致抗蚀剂或分子玻璃光致抗 蚀剂。氟化的光致抗蚀剂和氟化的溶剂的组合提供了一个具有高产量的稳健的正交工艺。氟化的溶剂可以是一个或多个氢氟醚，例如甲基九氟丁醚、甲基九氟异丁醚、甲基 九氟丁醚和甲基九氟异丁醚的同分异构混合物，乙基九氟丁醚、乙基九氟异丁醚、乙基九氟 丁醚和乙基九氟异丁醚的同分异构混合物、3-乙氧基-1，1，1，2，3，4，4，5，5，6，6，6-十二 氟-2-三氟甲基-己烷、1，1，1，2，2，3，4，5，5，5-十氟-3-甲氧基_4_三氟甲基-戊烷、1， 1，1，2，3，3_六氟-4-(1，1，2，3，3，3，-六氟丙氧基)_戊烷，或其组合物。氟化溶剂可以选 自一个大范围的氟化溶剂，例如含氯氟碳(CFC) =CxClyFz，氧氯氟碳(HCFC) :CxClyFzHw，氢氟 碳(HFC) :CxFyHz，全氟化碳(FC) :CxFy，氢氟醚(HFE) :CxHy0CzFw，全氟醚CxFy0CzFw，全氟胺 (CxFy)3N,三氟甲基(CF3)取代的芳香族溶剂=(CF3)xPh[三氟甲苯，二 (三氟甲基)苯]，等寸。还公开了改进的氟化光致抗蚀剂。氟化光致抗蚀剂包括间苯二酚杯芳烃、全氟癸 基甲基丙烯酸酯和2-硝基苄基甲基丙烯酸酯的共聚物、其衍生物或其他的具有足够的氟 含量的聚合物光致抗蚀剂或分子玻璃光致抗蚀剂。
这里还公开了示例的间苯二酚杯芳烃光致抗蚀剂的合成方法以及物理和化学表 征。还公开了用于评估公开的氟化光致抗蚀剂的光刻性的方法。公开的方法和光致抗蚀剂可用于有机电子设备，包括但不限于，各种有机半导 体、有机发光二极管(OLED)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机太阳能电池、传感器等等；以及 有机电气设备，包括但不限于，电极。下面将更详细地描述公开的工艺的其他优点和特征。尽管这里仅公开了有限数量 的实施例，对于本领域技术人员来说各种改变都是显而易见的，因此也落在本发明的范围 内。
为了更完整的理解公开的工艺，应当参照在附图中更详尽示出的实施例，其中图1是根据本发明的间苯二酚杯芳烃5的合成步骤的示意图；图2是图1所示的间苯二酚杯芳烃5的1H NMR谱；图3 是图 1 所示的间苯二 酚杯芳烃 5 (m/z (MALDI-T0F) 2775. 4 [ (M+Na) + 'C100H68F68N a012 需要 M，2775. 35])的质谱；图4(a)是图1所示的间苯二酚杯芳烃5(峰a(Mn= 5200，D = 1.02)，峰b(Mn = 2500，D = 1.01)J$c(Mn= 1700，D = 1. 01))的尺寸排阻色谱；图4(b)是图1所示的间苯二酚杯芳烃5及其t-Boc衍生物6的XRD分析；图5是图1所示的t-Boc保护的Rf-间苯二酚杯芳烃6的1H NMR谱；图6是图1所示的t-Boc保护的Rf-间苯二酚杯芳烃6的IR谱；图7是图1所示的t-Boc保护的Rf-间苯二酚杯芳烃6的DSC温谱图；图8是图1所示的t-Boc保护的Rf-间苯二酚杯芳烃6的TGA温谱图；图9示出了根据本发明使用的HFE的化学结构；图10是间苯二酚杯芳烃6 (图1)和光生酸剂(PAG)(相对6，5% w/w)在Si晶片 上于UV(λ = 365nm)曝光条件下的对照曲线；图11示出了根据本发明的聚(9，9-二辛基芴)(顶部)和[Ru(bpy)3]2+(PF6_)2 (底 部)的重合图案(特征宽度为20、10、5和2μπι)的荧光显微镜图像；图12(a)示出了根据本发明的光刻评估中使用的PAG的结构；图12(b)是根据本发明的玻璃晶片(比例尺为ΙΟμπι)上的间苯二酚杯芳烃6(图 1)的SEM图像；图12(c)是根据本发明的聚酰亚胺涂层晶片(比例尺为ΙΟμπι)上的间苯二酚杯 芳烃6(图1)的光学显微镜图像；图12(d)是根据本发明的在电子束曝光条件下(IOOnm和SOnm图案)硅晶片上的 间苯二酚杯芳烃6 (图1)的SEM图像；图13(a)示意性地示出了根据本发明的功能材料的剥离成像的步骤；图13(b)是根据本发明的有图案的Ρ3ΗΤ的光学显微镜图像；图13(c)是根据本发明的聚(9，9-二辛基芴)(顶部)和[Ru (bpy) 3]2+(PF丄(底 部)的重合图案(特征宽度5 μ m)的荧光显微镜图像；图14(a)示出了公开的HFE溶剂的化学结构，其包括两种异构体的混合物，沸点为 61 °C ；图14(b)示出了另一个公开的沸点为130°C的HFE溶剂的化学结构；图15(a)通过图表表示出用溶剂处理之前和之后在-100V的源漏电压得到的P3HT OTFT闸间拂掠(gate sweep)曲线；图15 (b)通过图表表示出用溶剂处理之前和之后在3V的施加偏压下 [Ru(bpy)3]2+(PF6)2电致发光设备的放射的时间响应；图15(c)是在沸点下在图14(a)所示的HFE中运行的[Ru(bpy)3]2+(PF6_)2电致发 光设备的照片；图16(a)示意性地示出了用于有机材料的公开的基于HFE的剥离图案技术；
图16(b)示意性地示出了在图16(a)中示出的基于HFE的成像中使用的光致抗蚀 剂的公开的成像过程；图16(c)是有图案的[Ru(bpy)3]2+(PF丄薄膜的光学显微照片；图17示出了图1中所示的间苯二酚杯芳烃的替代的氟化光致抗蚀剂；图18示出了图17中所示的氟化光 致抗蚀剂的合成；图19(a)-20(d)是图18中的聚合物10的四种有图案的光刻图像，使用HFE-7600 作为溶剂，在248和365nm曝光条件下成像，包括(a) 365nm，硅上；(b) 365nm，玻璃上； (c)365nm, PEDOT PSS薄膜上；(d)电子束曝光，硅上；图20 (a)-21(f)示出了 PEDOTPSS薄膜/并五苯底接触OTFT的光刻工艺，包括 (a)设备制造的示意性表示；(b)在PED0T:PSS电极之间的5 μ m(宽度)χ50 μ m(长度)的 并五苯通道的AFM图像；(c)在PED0T:PSS电极之间的另一个5 μ m(宽度)χ50 μ m(长度) 的并五苯通道的AFM图像；(d)OTFT的光学图像；(e) —个设备特性图；(f)另一个设备特性 图；图21是图18中的聚合物10在248nm的对照曲线；图22是图18中的聚合物10在365nm的另一个对照曲线；图23是图18中的聚合物10的差示扫描量热(DSC)曲线；图24是图18中的聚合物10的热重量分析(TGA)曲线；图25是图18中的聚合物10的凝胶渗透色谱(GPC)曲线；图26是图18中的聚合物10的核磁共振(1H NMR)谱；图27是图18中的聚合物10的红外(IR)谱；图28是有图案的PED0T:PSS在硅晶片上的两个光学显微镜图像；图29示出了利用超临界二氧化碳作为溶剂来代替氟化溶剂的光刻工艺；在特定例子中，省略了那些对于公开的工艺或材料的理解不是必须的或者难于理 解的细节。应当理解的是，本发明当然不局限于这里所列的实施例。当前优选实施方式的详细描述这里所使用的术语“化学加工”意指任意的化学处理，如清洁，从溶液沉积第二层 以形成多层的设备，以及沉积/显影用于光刻成像的抗蚀层。氟溶剂氟溶剂为全氟化或高氟化的液体，其典型地不能与有机溶剂和水互溶。在这些溶 剂中，隔离的氢氟醚(HFE)已知是高度环境友好的、绿色的溶剂。HFE是不可燃的，具有零臭 氧消耗潜能、低的全球变暖潜能并对人表现出非常低的毒性。HFE在1994年作为第三代氢 氟碳液体被引入工业，用来替代氯氟碳和氢氯氟碳制冷剂。HFE也作为用于电子设备的环境 友好的清洁溶剂。尽管这样，HFE在有机电子和电气结构的处理中的应用仍然有待报导。可以使用一个或多个氢氟醚(HFE)，例如甲基九氟丁醚、甲基九氟异丁醚、甲基九 氟丁醚和甲基九氟异丁醚的同分异构混合物、乙基九氟丁醚、乙基九氟异丁醚、乙基九氟 丁醚和乙基九氟异丁醚的同分异构混合物、3-乙氧基-1，1，1，2，3，4，4，5，5，6，6，6-十二 氟-2-三氟甲基-己烷、1，1，1，2，2，3，4，5，5，5-十氟-3-甲氧基_4_三氟甲基-戊烷、1，1， 1,2,3,3-六氟-4- (1，1，2，3，3，3，-六氟丙氧基)-戊烷，或其组合物。容易获得的HFE包括HFE的同分异构混合物，包括但不限于，甲基九氟丁醚和甲基九氟异丁醚(HFE 7100 ；图9和14(a))，乙基九氟丁醚和乙基九氟异丁醚(HFE7200 ；图 9)，3-乙氧基 _1，1，1，2，3，4，4，5，5，6，6，6-十二氟-2-三氟甲基-己烷(HFE 7500 ；图 9 和 14(b))，和 1，1，1，2，3，3_ 六氟 _4-(1，1，2，3，3，3，-六氟丙氧基)-戊烷(HFE7600 ；图 9)。氟化溶剂可以选自一个大范围的氟化溶剂，例如含氯氟碳(CFC) =CxClyFz，氢氯氟 碳(HCFC) :CxClyFzHw，氢氟碳(HFC) :CxFyHz，全氟化碳(FC) :CxFy，氢氟醚(HFEs) =CxHyOCzFw, 全氟醚CxFy0CzFw，全氟胺=(CxFy)3N,三氟甲基(CF3)取代的芳香族溶剂(CF3)xPh[三氟甲 苯，二(三氟甲基)苯]，等等。间苯二酚杯芳烃这里描述了能够在氟化溶剂中处理的半-全氟烃基间苯二酚杯芳烃。这种新的 高性能的成像材料特别设计成与大部分的有机电子和电气结构正交，从而使其能够光刻图 案。而且，这种材料为有机结构的多层图案形成做好了准备，如聚芴和过度金属络合物的重 叠图案的制造所示。通常，具有更高氟含量的材料在氟溶剂中溶解的更好。另一方面，这些材料比较不 粘附于非氟化表面。因此，需要这样一种材料，其具有有限程度的氟化，同时在氟化溶剂中 仍然表现出足够的溶解度和均勻的溶解行为。申请人发现间苯二酚杯芳烃在传统的光刻 条件下表现出良好的成像性能。改造相同的分子框架，附加四个半_全氟烃基链和八个酸 解离性叔丁氧基羰基(t-Boc)基团。图1中得到的间苯二酚杯芳烃6具有36wt%的氟含 量。通过在酸催化的脱保护反应中转变成不可溶形式，间苯二酚杯芳烃6能够形成负光刻 图像，其中H+在UV曝光下从光生酸剂(PAG)释放出来。如图1所示，间苯二酚杯芳烃6的合成可以起自4-羟基苯甲醛和半-全氟烃基碘 化物2的烷基化。然后重结晶产物3与等摩尔量的间苯二酚在酸性条件下反应。间苯二酚 杯芳烃5，其仅在THF中微溶，作为精细的浅黄色粉末高收率地回收。尺寸排阻色谱法表明 产品5主要由两种化合物组成，同聚苯乙烯标样相比，一种的数均分子重量(Mn)为约2500， 另一种的Mn为约1700。不局限于任何特定理论，可以确信这两种是具有不同的流体力学体 积的立体异构体。立体异构体的存在可以稳定间苯二酚杯芳烃6的非晶态，这样促进高质 量薄膜的形成。间苯二酚杯芳烃5中的八个羟基基团的t-Boc保护在THF和三氟甲苯的混 合溶剂中完成。TGA和DSC表明间苯二酚杯芳烃6在直到150°C时都是热稳定的，在82°C出 现玻璃化转变。溶解度测试确认间苯二酚杯芳烃6在HFE-7200中是中等溶度的(图9)。光生酸剂 光刻评估始自间苯二酚杯芳烃6的旋涂膜和各种基质上的PAG混合物。图12 (a) 中所示的PAG7是N-九氟丁烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺(或N-羟基萘酰亚胺全氟丁基磺酸 盐)，其被使用是因为其在UVU = 365nm)曝光条件下良好的敏感度。其他适合的PAG可 以包括N-九氟丙烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺，N-九氟乙烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺，N-九 氟甲烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺。另外的PAG包括三芳基锍全氟烷基磺酸盐，例如三苯基锍全氟辛烷磺酸盐，三苯 基锍全氟丁烷磺酸盐以及三苯基锍三氟甲烷磺酸盐
权利要求
1.一种为有机结构形成图案的方法，该方法包括用一层氟化的光致抗蚀剂材料涂覆基底；选择性地将部分氟化的光致抗蚀剂材料暴露于辐射中，以形成曝光的氟化光致抗蚀剂 材料的第一图案和未曝光的氟化光致抗蚀剂材料的第二图案；在溶剂中将曝光的氟化光致抗蚀剂材料的第一图案显影，移除未曝光的氟化光致抗蚀 剂材料的第二图案，该溶剂选自由一个或多个氟化溶剂和超临界二氧化碳构成的组中。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括用增溶剂处理显影的曝光的氟化光致抗蚀剂材料的第一图案，从而使显影的曝光的氟 化光致抗蚀剂材料的第一图案可溶于溶剂。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括将活性材料沉积在第一和第二图案上；并且移除氟化光致抗蚀剂材料的第一图案和溶剂，将活性材料的第二图案留在基底上。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其中氟化溶剂为至少一种氢氟醚。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其中氟化溶剂选自一个组中，该组包括甲基 九氟丁醚、甲基九氟异丁醚、甲基九氟丁醚和甲基九氟异丁醚的同分异构混合物、乙基九氟 丁醚、乙基九氟异丁醚、乙基九氟丁醚和乙基九氟异丁醚的同分异构混合物、3-乙氧基-1， 1，1，2，3，4，4，5，5，6，6，6-十二氟-2-三氟甲基-己烷、1，1，1，2，2，3，4，5，5，5-十氟-3-甲 氧基-4-三氟甲基-戊烷，及其组合物。
6.根据权利要求2所述的方法，其中增溶剂包括一个硅氮烷。
7.根据权利要求6所述的方法，其中硅氮烷选自由1，1，1，3，3，3_六甲基二硅氮烷、1， 1，3，3-四甲基二硅氮烷及其组合物构成的组。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其中氟化光致抗蚀剂材料包括一个间苯二酚 杯芳烃。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其中氟化光致抗蚀剂材料还包括一个光生酸剂。
10.根据权利要求9所述的方法，其中光生酸剂选自一个组中，该组包括:N-九氟丁 烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺、N-九氟丙烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺、N-九氟乙烷-磺酰氧-1， 8-萘酰亚胺、N-九氟甲烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺、三苯基锍全氟辛烷磺酸盐、三苯基锍全 氟丁烷磺酸盐、三苯基锍三氟甲烷磺酸盐、三苯基锍六氟磷酸盐、三苯基锍六氟锑酸盐、二 苯基碘全氟辛烷磺酸盐、二苯基碘全氟丁烷磺酸盐、二苯基碘三氟甲烷磺酸盐，二-(4-叔 丁基)苯基碘全氟辛烷磺酸盐、二-(4-叔丁基)苯基碘全氟甲烷磺酸盐、二-(4-叔丁基) 苯基碘三氟甲烷磺酸盐、二苯基碘六氟磷酸盐、二苯基碘六氟锑酸盐、二-(4-叔丁基)苯基 碘六氟磷酸盐、二 -(4-叔丁基)苯基碘六氟锑酸盐、η-羟基-5-降冰片烯-2，3- 二甲酰亚 胺全氟辛烷磺酸盐、η-羟基-5-降冰片烯-2，3- 二甲酰亚胺全氟丁烷磺酸盐、η-羟基_5_降 冰片烯-2，3- 二甲酰亚胺三氟甲烷磺酸盐、η-羟基萘酰亚胺全氟辛烷磺酸盐、η-羟基萘酰 亚胺全氟丁烷磺酸盐、η-羟基萘酰亚胺三氟甲烷磺酸盐，及其组合物。
11.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其中氟化光致抗蚀剂材料包括具有下列结 构的间苯二酚杯芳烃
12.根据权利要求1-10任-构的共聚物-项所述的方法，其中有机光致抗蚀剂材料包括具有下列结
13.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其中氟化光致抗蚀剂材料选自一个组，该 组包括氟化间苯二酚杯芳烃、氟化光致抗蚀剂、氟化分子玻璃光致抗蚀剂，以及包括含氟 官能团和酸敏感或辐射敏感官能团的聚合物。
14.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其中氟化光致抗蚀剂材料是全氟癸基丙烯 酸酯和2-硝基苄基甲基丙烯酸酯的共聚物。
15.一种氟化光致抗蚀剂材料，其包括具有下列结构的间苯二酚杯芳烃(
16.根据权利要求15所述的氟化光致抗蚀剂材料，其还包括光生酸剂。
17.根据权利要求16所述的氟化光致抗蚀剂材料，其中，光生酸剂选自一个组中，该组 包括N-九氟丁烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺、N-九氟丙烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺、N-九 氟乙烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺、N-九氟甲烷-磺酰氧-1，8-萘酰亚胺、三苯基锍全氟辛 烷磺酸盐、三苯基锍全氟丁烷磺酸盐、三苯基锍三氟甲烷磺酸盐、三苯基锍六氟磷酸盐、三 苯基锍六氟锑酸盐、二苯基碘全氟辛烷磺酸盐、二苯基碘全氟丁烷磺酸盐、二苯基碘三氟甲 烷磺酸盐、二-(4-叔丁基)苯基碘全氟辛烷磺酸盐、二-(4-叔丁基)苯基碘全氟丁烷磺酸 盐、二-(4-叔丁基)苯基碘三氟甲烷磺酸盐、二苯基碘六氟磷酸盐、二苯基碘六氟锑酸盐、 二-(4-叔丁基)苯基碘六氟磷酸盐、二-(4-叔丁基)苯基碘六氟锑酸盐、η-羟基-5-降 冰片烯-2，3- 二甲酰亚胺全氟辛烷磺酸盐、η-羟基-5-降冰片烯-2，3- 二甲酰亚胺全氟丁 烷磺酸盐、η-羟基-5-降冰片烯-2，3- 二甲酰亚胺三氟甲烷磺酸盐、η-羟基萘酰亚胺全氟 辛烷磺酸盐、η-羟基萘酰亚胺全氟丁烷磺酸盐、η-羟基萘酰亚胺三氟甲烷磺酸盐，及其组 合物。
全文摘要
公开了一种为有机结构形成光刻图案的正交工艺。该公开的工艺利用氟化溶剂或超临界CO2作为溶剂，从而有机导体和半导体的性能不会受到其他侵蚀性溶剂的不良影响。一种公开的方法可以同时利用氟化光致抗蚀剂和HFE溶剂，当然其他氟化溶剂也是可以使用的。在一个实施例中，氟化光致抗蚀剂是间苯二酚杯芳烃，但是各种氟化的聚合物光致抗蚀剂和氟化的分子玻璃光致抗蚀剂也是可以使用的。例如，全氟癸基甲基丙烯酸酯(FDMA)和2-硝基苄基甲基丙烯酸酯(NBMA)的共聚物是一种合适的在光刻工艺中可与氟化溶剂和超临界二氧化碳共同使用的正交氟化光致抗蚀剂。氟化光致抗蚀剂和氟化溶剂的结合提供了一种稳健的正交工艺，其也可通过现有技术中已知的方法和设备实现。
文档编号G03F7/32GK102037409SQ200980118760
公开日2011年4月27日 申请日期2009年5月21日 优先权日2008年5月23日
发明者乔治·马利亚拉斯, 亚历山大·扎希多夫, 克里斯托弗·K·奥伯, 普丽西拉·泰勒, 李锦俊, 玛格丽塔·夏齐克里斯提蒂 申请人:康奈尔大学