用于光刻校准的参数敏感和正交测规设计的方法和系统的制作方法

专利名称：用于光刻校准的参数敏感和正交测规设计的方法和系统的制作方法
技术领域：
本发明大体涉及设计用于与光刻工艺相关的校准的测规图案，更具体地，涉及用于设计校准图案组的计算有效的方法，其中单个图案对不同参数变化具有显著不同的响应并且也对参数变化非常敏感，因而具有对抵抗校准中的随机测量误差的鲁棒性。
背景技术：
例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，掩模包含对应IC的单层的电路图案，并且该图案被成像到已经涂覆有辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底 (例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，单个晶片将包含通过投影系统一次连续地被照射的相邻目标部分的整个网络。在一种类型的光刻投影设备中，通过将整个掩模图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分；这种设备通常称为晶片步进机。在替换的实施例中，通常称为步进-和-扫描设备，通过沿给定的参照方向(“扫描”方向)在投影束下渐进地扫描掩模图案、同时同步地沿与该方向平行或反向平行的方向扫描衬底台来辐射每一个目标部分。因而，通常投影系统将具有放大因子 M(通常< 1)，扫描衬底台的速度V将是扫描掩模台的速度的M倍。这里描述的有关光刻装置的更多的信息可以参考例如美国专利第6046792号。在使用光刻投影设备的制造过程中，掩模图案被成像到至少由辐射敏感材料(例如抗蚀剂)部分地覆盖的衬底上。在成像步骤之前，衬底可以经过多种工序，例如涂底料、 抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后，衬底可以经过其它工序，例如曝光后烘烤(PEB)、显影、 硬烘烤和成像特征的测量/检验。这一系列的工序被用作对器件(例如IC)的单层进行图案化的基础。然后，这样的图案化层可以经过多种处理，例如蚀刻、离子注入(例如，掺杂)、 金属化、氧化、化学-机械抛光等，所有这些处理用于完成对一个单层的处理。如果需要几层，则对于每个新的层必须重复整个工序或其变体。最后，在衬底(即，晶片)上将形成器件的阵列。然后，这些器件通过例如划片(dicing)或切割等技术彼此分割开，然后独立的器件可以安装到连接到插脚等的载体上。为了简化起见，下文中投影系统有时被称为“透镜”；然而，这个术语应该被广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括例如折射式光学系统、反射式光学系统和反射折射式系统。辐射系统还可以包括根据用于引导、成形或控制投影辐射束的这些设计类型中的任意类型来操作的部件，并且这些部件在下文中还可以被统称为或单独地称为“透镜”。而且，光刻设备可以是具有两个或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多台”的装置中，附加的台可以并行地使用，或者可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时使用一个或更多个其它的台进行曝光。例如，在US专利5，969，441中描述了双台光刻设备。上面提及的光刻掩模包括对应于将要被集成到硅晶片上的电路部件的几何图案。 用来形成这种掩模的图案使用CAD (计算机辅助设计)程序来生成，这种过程通常被称为 EDA(电子设计自动化)。大多数CAD程序依照一组预定的设计规则以便产生功能化掩模。 这些规则通过工艺和设计限制来设定。例如，设计规则限定电路器件(例如栅极、电容等) 或互连线之间的间隔容许量，使得确保电路器件或线不会彼此以不希望的方式相互作用/ 影响。通常，设计规则限制被称为“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸可以被定义成线或孔的最小宽度或两条线或两个孔之间的最小间隔。因此，CD决定所设计的电路的总的尺寸和密度。当然，集成电路制造的目标之一是在晶片上(通过掩模)忠实地复制原始电路设计。正如所指出的，微光刻术是半导体集成电路制造中的主要步骤，其中形成在半导体晶片衬底上的图案限定了半导体器件的功能元件，例如微处理器、存储芯片等。类似的光刻技术还用在平板显示器、微电子机械系统(MEMQ和其它器件的制造中。随着半导体制造工艺持续进步，在电路元件的尺寸持续地减小的同时，每个器件的功能元件(例如晶体管)的数量在过去几十年中已经遵照通常被称作为“摩尔定律”的趋势稳定地增加。在目前的技术状态下，上升沿器件的关键层使用已知如扫描器的光学光刻投影系统进行制造，其使用来自深紫外激光光源的照射将掩模图像投影到衬底上，产生具有IOOnm以下的尺寸，也就是小于投影光波长一半的各个电路特征。依照分辨率公式⑶=Ic1X λ /ΝΑ，这种印刷尺寸小于光投影系统的经典分辨率极限的特征的过程通常被称为低-kjlow-ki)光刻术，其中λ是所采用的辐射的波长(目前大多数情况是248nm或193nm)，NA是投影光学系统的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是所印刷的最小特征尺寸)，以及h是经验分辨率因子。通常，Ic1越小，越难以在晶片上复制与电路设计者设计的形状和尺寸相符的图案以便获得特定的电功能性和性能。为了克服这些困难，对投影系统和掩模设计实施复杂的精细的微调步骤。这些步骤包括(例如)但不限于NA和光学相干性设置的优化、定制的照射方案、使用相移掩模、掩模布局中的光学邻近效应校正，或其它通常称为“分辨率增强技术”(RET)的方法。作为一个重要的示例，光学邻近效应校正(0PC，有时称为“光学和过程校正”)解决晶片上所印刷的特征的最终尺寸和位置将不仅仅是掩模上对应的特征的尺寸和位置的函数的问题。应该注意的是，这里术语“掩模”和“掩模版”可以可互换地使用。因为在通常的电路设计上具有小的特征尺寸和高的特征密度，所以给定特征的特定边缘的位置将一定程度上受到存在或不存在其它邻近特征的影响。这些邻近效应源自一个特征和另一特征的微小量的光耦合。类似地，邻近效应可能源自曝光后烘烤(PEB)、抗蚀剂显影以及通常紧随光刻曝光后的蚀刻期间的扩散和其它化学效应。为了确保依照给定目标电路设计的需要在半导体衬底上形成特征，在能够成功地制造高端器件之前，需要使用复杂的数值模型预测邻近效应，和需要将校正或预变形应用到掩模的设计。C. Spence 在 Proc. SPIE，Vol.5751，pp 1-14(2005)上的文章 “Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis-How OPC Is Changing IC Design，，提供了目前“基于模型的(model-based)”光学邻近效应校正过程的概述。在一般的高端设计中，几乎每个特征边缘都需要一些修正以便获得充分接近目标设计的印刷图案。这些修正可以包括边缘位置或线宽的平移或偏斜，以及应用并不为了印刷本身但将会影响所关联的主要特征的性质的“辅助”特征。假定通常在芯片设计中存在数百万特征，将基于模型的OPC应用到目标设计需要良好的过程模型和相当多的计算资源。然而，通常应用OPC不是“精密科学”，而是不总是能解决布局中所有可能缺陷的经验的、迭代的过程。因而，OPC后的设计(也就是，在应用所有通过OPC和所有其它RET的图案修正后的掩模布局)需要通过设计检验(也就是使用经过校准的数值过程模型进行精密的全芯片模拟)进行校验，以便最小化掩模组的制造中形成设计缺陷的可能性。这是由制造以几百万美元量级运行的高端掩模组的巨大成本，和一旦实际掩模被制造而导致的重新制作或重新修改实际掩模的周转时间的影响所驱动的。OPC和全芯片RET校验两者都可以基于在例如美国专利第7，003，758号和来自 Proc. SPIE, Vol. 5754，405 (2005)上的 Y. Cao 等人的名称为 “Optimized Hardware and Software For Fast,Full Chip Simulation”的文章中描述的数值建模(即，计算光刻术) 系统和方法。正如上面所述，OPC和RET都需要精确地描述光刻工艺的鲁棒的模型。因此需要用于这种光刻模型的校准过程来实现在过程窗口上是可用的、鲁棒的并且精确的模型。目前，通过在晶片上实际印刷特定数量的一维和/或二维测规图案并且在印刷的图案上实施测量来完成校准。更具体地，那些一维测规图案是具有变化的节距和CD的线-间距图案， 并且二维测规图案通常包括线-末端、接触点以及随机地选择的SRAM(静态随机存取存储器)图案。然后这些图案被成像到晶片上并且测量最终的晶片⑶或接触孔(还已知为通孔或通过芯片的通孔)能量。原始的测规图案和它们的晶片测量结果随后被结合地用以确定最小化模型预测结果和晶片测量结果之间的差异的模型参数。上面描述的以及现有技术中使用的模型校准过程在图3中示出。在现有技术的模型校准(图幻中，工艺从设计布局302开始，其可以包括测规和其他测试图案，并且还可以包括OPC和RET特征。接下来，在步骤304中使用设计生成掩模布局，其可以是标准形式 (例如GDSII或OASIS)。然后采用两个分开的路线，用于模拟和测量。在模拟路线中，在步骤308中掩模布局和模型306用于生成模拟的抗蚀剂图像。模型306提供用于计算光刻技术的光刻工艺的模型，并且校准工艺旨在使得模型306尽可能精确，使得计算光刻技术带来同样的精确度。然后，在步骤310中使用模拟的抗蚀剂图像确定预测的临界尺寸(CDs)、轮廓等。在测量路线中，使用掩模布局304形成物理掩模(即掩模版)，其随后在步骤312 中被成像到晶片上。用于成像晶片的光刻工艺(例如NA、焦距、剂量、照射源等)与在模型 306中想要收集的相同。随后，在步骤314中对实际的成像后的晶片执行测量(例如使用量测工具等)，这得出测量的⑶、轮廓等。在步骤316中，在步骤314得到的测量结果和步骤310的预测结果之间进行比较。 如果所述比较确定预测结果与测量结果在预定的误差阈值范围内匹配，则模型被认为在步骤318中成功地被校准。否则，对模型306进行改变，并且重复步骤308、310以及316直到使用模型306生成的预测结果与测量结果在预定阈值范围内匹配。发明人已经注意到，例如那些包含在设计布局302内的测规图案的设计可以极大地影响模型306的精确性和/或需要用以成功地完成校准过程的时间。不幸的是，常规技术没有包含有关如何确定用于校准的测规图案的设计或类型的系统研究。例如，没有有关选择线-间距图案的节距和CD或测规的数量的理论指导。在目前的实际应用中，测规图案的选择还是比较任意的-它们通常通过经验选择或随机地从实际的电路图案中选择。这种测规图案对于校准通常是不完全的或过于完全的，或两者。例如，选择的测规图案都没有有效地将模型参数中的某些模型参数之间区分开，因此由于测量的不精确而难以确定参数值。另一方面，许多图案可能会得出对不同参数变化的非常相似的响应，因此它们中的一些是多余的并且对这些多余的图案的晶片测量浪费了资源。

发明内容
本发明涉及用于设计用来校准在模拟过程中使用的光刻工艺模型的测规图案的计算有效的方法。根据一些方面，本发明涉及设计测规图案的方法，其对参数变化极为敏感，并因此相对于用于成像具有多个特征的目标设计的光刻工艺校准中的随机测量误差是鲁棒的。在一些实施例中，该工艺包括识别最敏感的具有优化的辅助特征布置的线宽/节距组合，其导致相对于参数变化的最敏感CD改变。另一工艺包括设计具有两个主特征的测规。两个主特征的CD之间的差异相对于参数变化极为敏感，因而相对于随机的测量误差和偏置的任何测量误差是鲁棒的(robust)。在还一过程中，图案被设计成导致最敏感的强度。根据另一方面，本发明包括用于设计测规的方法，该测规最小化上述的简并，并因此最大化用于模型校准的图案覆盖。更具体地，本发明涉及设计测规图案的方法，该方法用最小数量的测规和在用于模拟具有多个特征的目标设计的成像的光刻工艺模型的校准中的相应测量来实现参数变化的完全覆盖。根据一些方面，根据本发明的方法包括将模型参数空间转化为新的空间(基于CD敏感性或ATCC)，然后重复地或迭代地识别与该新的空间中已有的测规的CD敏感性最正交的方向，以及确定最敏感的具有优化的辅助特征布置的线宽/节距组合，其导致沿模型参数空间内的该方向最敏感的CD的变化。


在结合附图阅读下面的本发明的具体实施例的说明之后，本领域技术人员对本发明的这些和其他方面和特征将变得清楚，其中图1是示出通常的光刻投影系统的示例性方框图；图2是示出光刻模拟模型的功能模块的示例性方框图；图3是示出现有技术的光刻校准工艺的示例性方框图；图4是根据本发明的实施例的用于设计参数敏感测规的示例性方法的流程图；图5示出根据本发明的实施例的用于生成辅助特征的坐标系统；图6示出根据本发明实施例的辅助特征布置的示例；图7是根据本发明的实施例的在没有任何辅助特征的情况下和具有辅助特征的情况下的线间距图案的CD敏感性之间的对比示例图；图8是根据本发明的实施例的二维辅助特征布置的示例图；图9是根据本发明的实施例的基于大的图案组的CD敏感性设计正交测规的示例方法的流程图；图10是根据本发明的实施例的基于ATCC的用于设计正交测规的示例性方法的流程图；图11是示出可以帮助实施本发明的测规设计方法的计算机系统的方框图；图12示意地示出适于与本发明的测规设计方法一起使用或应用该方法的光刻投影设备。
具体实施例方式下面将参照附图详细描述本发明，所述附图为本发明的说明性的示例以便本领域技术人员实践本发明。要注意的是，下面的附图和示例并不意味着将本发明的范围限制到单个实施例，相反通过互换所述的或所示的元件的一部分或全部可以得出其他实施例。而且，在使用已知的部件部分地或全部地实施本发明的特定元件的情况下，将仅描述已知部件的那些对理解本发明是必要的部分，并且这些已知部件的其他部分的详细描述将被省略以便不会使本发明变得不清楚。正如本领域技术人员清楚的，如果这里没有具体指出，描述为被软件实施的实施例不应该限制于此，而可以包括在硬件中实施的实施例，或在软件和硬件的组合中实施的实施例，并且反之亦然。在本说明书中，如果这里没有明确地指出，示出单个部件的实施例不应该看作是限制；相反，本发明应该包括其他包含多个相同部件的实施例，并且反之亦然。而且，如果这里没有明确地提出，申请人不希望在说明书或这里提出的权利要求中的任何术语表示不普遍的或特定的含义。而且，本发明包含这里通过示例方式提出的已知部件的现在和将来已知的等价物。在讨论本发明之前，提供有关将要被校准的整体模拟和成像工艺的简要描述。图 1示出示例性的光刻投影系统10。主要部件是光源12，其可以是深紫外准分子激光器源； 限定部分相干性(用ο表示)且可以包括特定源成形光学元件14、16a以及16b的照射光学元件；掩模或掩模版18 ；以及将掩模版图案的图像形成到晶片平面22上的投影光学元件 16c。位于光瞳平面处的可调节的滤波器或孔20可以限制入射到晶片平面22上的束角度的范围，其中最大可能角度限定投影光学元件的数值孔径NA = sin(9 max)。在光刻模拟系统中，这些主要系统部件可以通过分开的功能模块进行描述，如图2 所示。参照图2，功能模块包括设计布局模块沈，其限定目标设计；掩模布局模块观，其限定如何基于目标设计以多边形的形式布局掩模；掩模模型模块30，其对在模拟过程中将要使用的不正常的和色调连续(continuous-tone)的掩模的物理性质进行建模；光学模型模块32，其限定光刻系统的光学部件的性能；以及抗蚀剂模型模块34，其限定在给定工艺中使用的抗蚀剂的性能。正如所知的，模拟过程的结果在结果模块36中产生例如预定的轮廓和CD。更具体地，应该说明的是，在光学模型模块32中收集的照射和投影光学元件的性质包括但不限于ΝΑ-σ (ο)设置以及任何特定照射源形状，其中σ (或sigma)是照射器的外径范围(extent)。涂覆在衬底上的光致抗蚀剂层的光学性质，即折射系数、膜厚度、传播和偏振效应，也被收集作为光学模型模块32的一部分，而抗蚀剂模型模块34描述在抗蚀剂曝光、PEB以及显影期间发生的化学处理的效果，以便预测例如形成在衬底晶片上的抗蚀剂特征的轮廓。掩模模型模块30收集如何在掩模版上布局目标设计特征，并且还包括掩模的详细物理性质的表征，例如在美国专利第7，587，704号中描述的。模拟的目的是精确地预测例如边缘布置和临界尺寸(⑶)，其随后可以与目标设计对比。目标设计通常被限定为预-OPC掩模布局，并且将以标准数字化文件格式设置，例如⑶SII或OASIS。通常，光学和抗蚀剂模型之间的连接是在抗蚀剂层内的模拟的空间图像强度，其通过光到衬底上的投影、在抗蚀剂界面的折射以及在抗蚀剂膜堆叠中的多次反射产生。通过光子吸收，光强度分布(空间图像强度)被转化为潜在的“抗蚀剂图像”，其进一步通过扩散过程和不同的加载效应进行修正。对全芯片应用足够快的有效的模拟方法通过二维空间 (和抗蚀剂)图像近似在抗蚀剂堆叠中的实际的三维强度分布。因此从上文应该清楚，模型表达式描述了整个过程的全部已知的物理和化学，并且每个模型参数优选地对应不同的物理或化学效应。模型表达式因此设定有关模型用于模拟整个光刻工艺的好坏程度的上限。然而，有时模型参数可能由于测量值和读取误差而不精确，并且在系统内可能存在其他缺陷。在模型参数的精确校准的情况下，可以完成极度精确的模拟。换句话说，现在的模型的校准的精确度很可能是精确度的理论上限的较大的倍数。存在多种表示模型参数的方法。一种有效的光刻模型的实现可以使用下面的形式，其中图像(这里是标量形式，但是其可以扩展以包括偏振矢量效应)被表示为在光瞳平面上整个信号振幅的傅里叶和。根据标准霍普金斯理论，空间图像(Al)强度可以通过下面的关系式限定I(x) =Σ k|A(k) Σ M(k' -k)p(k' )exp(_jk' x) |2=Σ kA(k)2{ Σ k, Σ k" M(k' -k)P(k' )M*(k〃 _k)P*(k〃 )exp(-j(k' _k〃 )x)}=Σ k, Σ k〃 [ Σ kA(k)2P(k+k' )P*(k+k" )]M(k' )M*(k" )exp(-j(k' _k" )x)=Σ Σ k" TCCk, ,k" M(k' )M*(k〃)exp(-j(k' -k〃 )x)(等式1)其中I(x)是在图像平面内的点χ处的空间图像强度(为了标记简单，使用由单个变量表示的二维坐标)，k表示在源平面上的点，A(k)是来自点k的源振幅，k’和k”是光瞳平面上的点，M是掩模图像的傅里叶变换，P是光瞳函数(M*和P*分别是M和P的复共轭)。前面推导的一个重要的方面是求和级数(将对所有k的求和移动到内部)和指数 (用k+k'替代了 k'，并且用k+k〃替代了 k")的改变，这导致等式中第三行的方括号内的项限定的并在第四行中示出的传递交叉系数(TCC)与其他项的分离。换句话说TCCk, ,k〃 =Σ kA(k)2P(k+k' )P*(k+k")这些传递交叉系数与掩模图案无关，因此可以仅使用光学元件或结构(例如NA和 σ或具体的照射器轮廓)的知识预先计算。还要注意的是，虽然在给定示例中为了容易解释，从标量成像模型推出(等式1)，本领域技术人员也可以将该关系式扩展到矢量成像模型，其中TE和TM偏振光分量分离地求和。为了清楚，应该注意的是，空间图像强度和TCC之间的关系，S卩(等式1)可以表示为双线性算子I (χ) = M*TCC*M*此外，可以通过仅使用有限数量的主要TCC项计算近似空间图像强度I，通过对角化TCC矩阵并保留对应其最大本征值的项可以确定主要TCC项，即
权利要求
1.一种设计用于校准光刻工艺的模拟模型的测试测规的方法，所述方法包括步骤 识别所述模拟模型的参数；和计算图案中优化与所述参数相关的量度的特征的宽度和间距的一个或多个。
2.如权利要求1所述的方法，还包括计算布置在所述图案中用于进一步优化所述量度的一个或多个辅助特征。
3.如权利要求1-2中任一项所述的方法，其中，计算所述图案的步骤包括确定优化的线宽。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述量度是对由所计算的图案得到的空间图像中的临界尺寸的敏感性。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述计算步骤包括 确定所识别的参数的扰动值；使用所述扰动值计算△算符；以及使用Δ算符计算所述空间图像。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述△算符包括传递交叉系数。
7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述图案是一维的。
8.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述图案是二维的。
9.如权利要求3所述的方法，其中，所述计算步骤初始地设定所述图案具有接近无限大的节距，并且所述计算步骤还包括确定孤立的线宽。
10.如权利要求2所述的方法，其中，计算所述一个或多个辅助特征的步骤包括计算用于所述图案中的辅助特征的布置的引导图。
11.如权利要求2所述的方法，其中，计算所述一个或多个辅助特征的步骤包括将可制造性约束条件应用到辅助特征的尺寸和间距。
12.如权利要求2所述的方法，其中，计算所述一个或多个辅助特征的步骤包括将所述辅助特征特征化为点源，并且估计点源对所述量度的影响。
13.一种设计用于校准光刻工艺的模拟模型的测试测规的方法，所述方法包括步骤 识别所述模拟模型的至少两个不同的参数；和设计用于校准所述模拟模型的所述参数的一个或多个测试测规，包括最大化相对于所述参数对第一变化的敏感性的至少一个第一测试测规，和最大化相对于所述参数对第二变化的敏感性的至少一个第二测试测规，其中所述第二变化显示与所述第一变化基本上正 、-父。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述设计步骤包括设计最大化所述参数中的第一和第二参数之间的成对的敏感性的一对测试测规。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述设计步骤包括 基于识别的参数建立模型参数空间；识别所述模型参数空间中的方向；和设计最大化对参数中与所识别的方向相关的改变的敏感性的一个或多个测试测规。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述设计步骤还包括 识别与所设计的测试测规的实际敏感性相关的方向；从所述模型参数空间去除该方向；和迭代地识别新的方向，设计最大化所述新的方向中的敏感性的测试测规，识别与实际敏感性相关的方向，以及从所述模型参数空间去除该方向。
17.如权利要求15-16中任一项所述的方法，其中，建立所述模型参数空间的步骤包括识别图案组；和计算所识别的模型参数对所述图案组中的图案的敏感性。
18.如权利要求15-16中任一项所述的方法，其中，建立所述模型参数空间的步骤包括计算与所识别的模型参数中的各个参数相关的扰动的组；和将所述扰动的组分解以形成多维空间。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述扰动通过来自名义模拟模型的传递交叉系数(TCC)中的差异而被特征化。
20.如权利要求13-19中任一项所述的方法，其中，设计一个或多个测试测规的步骤包括确定包括测试测规的图案的最敏感的线宽/节距组合。
21.如权利要求20所述的方法，其中，设计一个或多个测试测规的步骤还包括确定相对于所述图案的优化的辅助特征布置。
22.如权利要求13-21中任一项所述的方法，其中，结合使用光刻工艺印刷的特征的预测的和实际的临界尺寸特征化敏感性。
23.一种计算机程序产品，包括具有记录在其中的一组指令的计算机可读介质，所述指令在被计算机执行时，执行一种设计用于校准光刻工艺的模拟模型的测试测规的方法，所述方法包括步骤识别所述模拟模型的至少两个不同的参数；和设计用于校准所述模拟模型的所述参数的一个或多个测试测规，包括最大化相对于所述参数对第一变化的敏感性的至少一个第一测试测规，和最大化相对于所述参数对第二变化的敏感性的至少一个第二测试测规，其中第二变化显示基本上与第一变化正交。
24.如权利要求23所述的计算机程序产品，其中，所述设计步骤包括设计最大化所述参数中的第一和第二参数之间的成对的敏感性的一对测试测规。
25.如权利要求23所述的计算机程序产品，其中，所述设计步骤包括 基于所识别的参数建立模型参数空间；识别模型参数空间中的方向；和设计最大化对参数中与所识别的方向相关的变化的敏感性的一个或多个测试测规。
26.如权利要求25所述的计算机程序产品，其中，所述设计步骤还包括 识别与所设计的测试测规的实际敏感性相关的方向；从所述模型参数空间去除该方向；和迭代地识别新的方向，设计最大化所述新的方向中的敏感性的测试测规，识别与所述实际敏感性相关的方向，以及从所述模型参数空间去除该方向。
27.如权利要求25-26中任一项所述的计算机程序产品，其中，建立所述模型参数空间的步骤包括识别图案组；和计算所识别的模型参数对图案组中的图案的敏感性。
28.如权利要求25-26中任一项所述的计算机程序产品，其中，建立所述模型参数空间的步骤包括计算与所识别的模型参数中的各个参数相关的扰动的组；和将所述扰动的组分解以形成多维空间。
29.如权利要求28所述的计算机程序产品，其中，所述扰动通过来自名义模拟模型的传递交叉系数(TCC)中的差异而被特征化。
全文摘要
根据本发明的方法提供计算有效的用于设计测规图案的方法，该测规图案用于校准在模拟过程中使用的模型，并且最小化模型参数之间的简并，因而最大化用于参数校准的图案覆盖。更具体地，本发明涉及设计测规图案的方法，该方法用最小数量的测规和在用于成像具有多个特征的目标设计的光刻工艺校准中相应的测量，实现参数变化的完全覆盖。根据一些方面，根据本发明的方法包括转化模型参数空间的空间(基于CD敏感性或ΔTCC)，然后迭代地识别与该新的空间中已有的测规的CD敏感性最正交的方向，以及确定最敏感的具有优化的辅助特征布置的线宽/节距组合，其导致沿模型参数空间内的该方向最敏感的CD变化。
文档编号G03F7/20GK102209935SQ200980144728
公开日2011年10月5日 申请日期2009年11月10日 优先权日2008年11月10日
发明者冯函英, 叶军, 曹宇, 邵文晋 申请人:Asml荷兰有限公司