专利名称：光刻机对准参数的检测装置及其检测方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造工艺的检测装置及其检测方法，尤其涉及一种光刻机对准参数的检测装置及其检测方法。
背景技术：
随着半导体工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，芯片内的半导体器件关键尺寸也不断缩小，因此对半导体工艺精度要求越来越高。在半导体器件的制造工艺中，需要依次将超过20层以上的不同的掩膜图案重叠到晶圆上，为了保证半导体器件的导电性能， 每层图案都需要与其他层图案具有较好的套刻精度。为了使掩膜版图案正确转移到晶圆上，关键的步骤是将掩膜版与晶圆对准，为了达到较好的套刻精度，在进行光刻工艺前会先在晶圆上刻蚀一些图案，以作为后续各层在曝光时的对准标记。在目前的光刻工艺中，为了保证较好的套刻精度，不仅需要不同的光刻机的状态要一致，而且即使是同一光刻机，在整个光刻机运转的过程中，光刻机的对准参数会因为机台故障或者外部温度改变，造成对准参数发生变化，而这些变化会最终导致每层图案不能很好的对准。这些对准参数包括晶圆因外部温度等环境的变化出现的膨胀或者收缩，晶圆在曝光过程发生的位移，晶圆有可能发生旋转或者非正交旋转，以及晶圆上每个曝光区域发生膨胀或者收缩、旋转或者非正交旋转，以上这些对准参数的变化都会影响晶圆在光刻过程中套刻精度。现有制造工艺中，作业人员会定期检查对准参数是否发生变化，一旦发现有参数变化，则要及时调整光刻机的参数设定。检测的方法通常是首先准备一标准晶圆，该晶圆上已有符合制造工艺精度的标准图案，所述标准图案形状和尺寸均一致。另外，再准备一标准掩膜版，该标准掩膜版上的图案也是符合制造工艺精度的，其标准图案的形状一致、尺寸也一致，但是所述标准掩膜版的标准图案的尺寸小于所述标准晶圆的标准图案的尺寸。其次， 定期换上该标准掩膜版和该标准晶圆进行图案化制造工艺，包括在已有标准图案的晶圆上进行涂覆光致抗蚀剂，曝光，显影，在标准图案上进而光刻出新的一层图案，然后将该晶圆送入专门的测量设备，测量新的一层图案和前一层标准图案是否存在偏移，如果没有，则说明光刻机对准参数保持稳定；如果存在偏移，则检测所述标准晶圆图案的偏移量，并根据偏移量测算出参数的变化，重新调节光刻机对准参数。然后将标准晶圆后形成的一层图案去除，保留标准图案，以留作下次检测备用。可见，现有技术需要准备标准晶圆和标准掩膜版，专用于定期测量光刻机对准参数是否发生变化，此步骤较为繁琐，此外，还需要暂停制造工艺，以专门进行光刻机对准参数偏移量的测量，而且标准晶圆每次测量完还要将新的一层图案去除保留标准图案以备下次使用，不利于提高生产效率。
发明内容
为解决现有的光刻机对准参数的检测装置及其检测方法复杂、生产效率低的问题，有必要提供一种简单、生产效率高的光刻机对准参数的检测装置。同时还有必要提供一种针对光刻机对准参数的检测方法。一种解决技术问题的技术方案如下一种光刻机对准参数的检测装置，其包括一掩膜版，所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记，以配合晶圆确定所述光刻机的对准参数。所述晶圆包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道，所述多条第一切割道与所述多条第二切割道界定多个曝光区域。所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异，将掩膜版上的第一对准标记和第二对准标记转移至第一切割道或者第二切割道上后，对所述晶圆执行图形化工艺在两相邻曝光区域之间形成由所述第一对准标记和所述第二对准标记叠加的晶圆标记图案。作为本发明的进一步改进，所述掩膜版还包括一半导体器件图案，所述半导体器件图案与曝光区域的形状相同，均为正方形。作为本发明的进一步改进，所述第一对准标记及第二对准标记分布在所述半导体器件图案的二相对侧边旁。作为本发明的进一步改进，所述第一对准标记的中心点和所述第二对准标记的中心点连线平行或者垂直于所述第一切割道。作为本发明的进一步改进，所述第一对准标记和所述第二对准标记的形状均为正方形或者圆形。作为本发明的进一步改进，所述叠加晶圆标记图案位于所述第一切割道或者所述第二切割道上。作为本发明的进一步改进，所述第一对准标记的尺寸小于所述第二对准标记的尺寸。一种光刻机对准参数的检测方法，包括以下步骤提供一晶圆，所述晶圆包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道，所述多条第一切割道与所述第二切割道界定多个曝光区域；提供一掩膜版，所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记，所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异；采用欲检测其对准参数的光刻机对所述晶圆进行图形化制造工艺，将所述第一对准标记和第二对准标记转移到对应的曝光区域周围，在每二相邻的两个曝光区域之间形成叠加的晶圆对准标记图案；及测量叠加的晶圆对准标记图案的中心点的偏移量，确定所述光刻机对准参数变化情况。作为本发明的进一步改进，形成所述叠加的晶圆对准标记图案的步骤包括所述叠加的晶圆对准标记图案形成在所述第一切割道或者第二切割道上的步骤。作为本发明的进一步改进，对所述晶圆进行图形化制作工艺步骤包括对所述晶圆的曝光区域依序进行曝光，形成叠加的晶圆对准标记图案由所述第一对准标记和所述第二对准标记转移的图案叠加形成。本发明光刻机对准参数的检测装置及检测方法，提供一特殊的掩膜版，所述掩膜版包括形状相同尺寸不同的第一对准标记和第二对准标记，，依次对所述晶圆的曝光区域图形化工艺后在任意两相邻的曝光区域之间形成一由所述第一对准标记和所述第二对准标记叠加的晶圆对准标记图案，对所述叠加的晶圆对准标记图案测量其中心点偏移情况就可确定所述光刻机对准参数变化情况。所述检测装置及检测方法简便，有利于提高生产效率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本发明晶圆的结构示意图。图2是本发明光刻机对准参数的检测装置第一实施方式示意图。图3是图2所示第一对准标记的结构示意图。图4是图2所示第二对准标记的结构示意图。图5是本发明光刻机对准参数的检测方法流程图。图6至图8是本发明光刻机对准参数的检测方法原理示意图。图9是本发明光刻机对准参数的检测装置的第二实施方式示意图。图10是本发明光刻机对准参数的检测装置的第三实施方式示意图。图11是本发明光刻机对准参数的检测装置的第四实施方式示意图。图12是本发明光刻机对准参数的检测装置的第五实施方式示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的光刻机的对准参数的检测装置及其检测方法进行详细说明。在对本发明光刻机的对准参数的检测装置说明之前，先对本实施方式的作为生产集成电路芯片基础的晶圆的结构进行说明。请参阅图1，其是本发明的晶圆的结构示意图。所述晶圆11包括m条相互平行且
沿水平方向延伸的第一切割道G1、G2.....Gm-l、Gm(m属于自然数且大于l)、m条相互平行
的第二切割道D1、D2、. . ·、Dm-I、Dm和多个呈矩阵排列的曝光区域ROl、R02、. . ·、R0X、· · ·、
RON (X小于N，且X大于1)。所述多条第一切割道Gl、G2.....Gm-I、Gm与所述多条第二切
割道Dl、D2.....Dm-I、Dm相互垂直。每两条相邻的第一切割道Gm与每两条相邻的第二切
割道Dm对应界定一正方形区域，所述多个曝光区域R01、R02.....ROX.....RON对应设置
在所述多个正方形区域中。具体的说，所述多条相邻的第一切割道Gm与所述多条相邻的第二切割道Dm界定
了多个正方形的曝光区域R01、R02.....ROX.....RON。所述多个曝光区域的编号方式为对
形成的正方形区域进行“Z”字形的方向依次编号R01、R02.....ROX.....RON。在水平方
向上，任意两个相邻的曝光区域RON位于其中一条第二切割道Dm两侧；对应在垂直于水平方向的竖直方向上，任意两个相邻的曝光区域RON位于所述其中一条第一切割道Gm两侧。 例如，在水平方向上，相邻曝光区域ROl和R02位于所述第二切割道D3两侧，同时，在竖直方向上，相邻曝光区域ROl和ROX位于所述第一切割道G2两侧。再请同时参阅图2，其是本发明光刻机对准参数的检测装置第一实施方式示意图。所述光刻机对准参数的检测装置2用来曝光图1所述晶圆11时形成对应半导体器件图案和对准标记图案，再通过检测所述对准标记图案的偏移是量，来调整所述光刻机的对准参数。所述光刻机对准参数的检测装置2包括一掩膜版21。所述掩膜版21包括位于基板(图未示)上的半导体器件图案210、四个第一对准标记212和四个第二对准标记214。 所述半导体器件图案210的形状和一所述曝光区域RON的形状和大小相同，在本实施方式中均为正方形。所述多个对准标记212、214的位置分布与任意一个曝光区域RON周围的第一切割道Gm和第二切割道Dm位置相对应。所述四个第一对准标记212与所述四个第二对准标记 214的形状相同，均为正方形，但是其尺寸相异，在本实施方式中，所述四个第一对准标记 212的尺寸小于所述四个第二对准标记214的尺寸。所述四个第一对准标记212均勻分布在所述半导体器件图案210两相邻侧边外侧，所述四个第二对准标记214均勻分布在所述半导体器件图案210另外两相邻侧边外侧。具体的说，所述半导体器件图案210每条侧边外侧分布两个相同对准标记，所述两个相同对准标记靠近每条侧边两端分布且其中心点连线分别平行于对应的侧边。另外，所述半导体器件图案210两条相对侧边外侧分布的对准标记尺寸相异。分布在所述半导体器件图案210相对侧边同一端的尺寸不同的对准标记的中心点连线对应垂直于所述相对两侧边。可以理解的是，所述第一对准标记212和所述第二对准标记214的形状可以是圆形。请同时参照图3及图4，其中图3为图2所示第一对准标记的结构示意图，图4为图2所示第二对准标记的结构示意图。每个第一对准标记212包括四条形状相同的光栅 215，所述四条光栅215围成一正方形结构。每条光栅215呈矩形结构，且其长边围成一正方形结构。每个第二对准标记214的形状与所述第一对准标记212结构相同，不同之处在于所述第二对准标记214整体尺寸大于所述第一对准标记212，如图4所示。所述对准标记212、214的大小与其所处位置和所述晶圆的大小有关，所述对准标记212、214的水平宽度不能超出所述切割道的宽度，而切割道的宽度是根据具体的晶圆设计有关。以八寸晶圆为例，第一组对准标记212的四条光栅215长边分别为5-7微米之间， 线宽为2微米，相对的两条光栅215之间的间距为7-9微米之间。所述第二组对准标记214的四条光栅217长边分别为5_7微米之间，线宽为2微米，相对的两条光栅217之间的间距为21-23微米之间。下面结合附图5至图8对本发明的光刻机对准参数检测装置用于检测所述光刻机对准参数的步骤进行详细说明。图5为本发明光刻机对准参数检测装置检测所述光刻机对准参数的流程图，图6至图8是图5所示流程图中检测所述光刻机对准参数原理示意图。步骤Si,提供一掩膜版，其包括特殊对准标记，所述特殊对准标记包括形状一致， 且尺寸相异的第一对准标记和第二对准标记。对特殊对准标记的定义......；所述对准标记图案的布局和所述半导体器件图案的布局通过布局软件写入掩膜版上，形成掩膜版的对准标记图案和所述半导体器件图案。以光学直写、投影式电子束直写或者扫描电镜直写等方式将布局软件中布局对准标记图案和布局半导体器件图案转移至透明基板的第一阻剂层上，经过显影及刻蚀，形成掩膜版对准标记图案和所述半导体器件图案。具体包括如下步骤第一步、首先在透明基板上形成一层不透光的铬膜层，所述透明基板的材料可以是石英玻璃等；第二步、在铬膜层上涂覆一层阻剂层；第三步、将布局软件中布局对准标记图案和布局半导体器件图案转移到阻剂层上；第四步、通过显影工艺在阻剂层上定义出掩膜版对准标记图案开口 ；第五步、以阻剂层为掩膜，以湿法刻蚀刻蚀铬膜层；第六步、移除阻剂层，在掩膜版21上形成掩膜版第一对准标记212、第二对准标记 214和半导体器件图案210，所述第一对准标记212和第二对准标记214分别包括四条相互垂直的光栅。所述第一对准标记212与所述第二对准标记214形状一致，且彼此尺寸相异。步骤S2，利用所述掩膜版21对晶圆11进行图形化制造工艺。将所述晶圆的曝光区域RON和所述掩膜版21的半导体器件图案210对准将半导体器件图案210转移到晶圆的曝光区域RON，同时将所述掩膜版21的第一组对准标记212、第二对准标记214图案转移到所述曝光区域RON四周的第一、第二切割道Gm、Dm内。将所述掩膜版21放入步进光刻机中，将所述晶圆11的第一曝光区域ROl与所述掩膜版21的半导体器件图案210对准，然后将半导体器件图案210成像至所述曝光区域 R01,同时，将掩膜版21的第一对准标记212成像至所述第一切割道Gl和所述第二切割道 D2，将掩膜版21的第二对准标记214成像至所述第一切割道G2和所述第二切割道D3。也就是说，将曝光区域ROl对准所述掩膜版21进行曝光之后，所述第一、第二对准标记212、 214成像至所述曝光区域ROl周围的第一切割道G1、G2和第二切割道D2、D3。随后所述晶圆11相对于所述掩模版21移动，将所述晶圆11的第二曝光区域R02 与所述掩膜版21上的半导体器件图案210对准，然后将半导体器件图案210成像至所述晶圆11的曝光区域R02，同时将所述第一对准标记212成像至所述第一切割道Gl和所述第二切割道D3，将所述第二对准标记214成像至所述第一切割道G2和所述第二切割道D4。所以，将曝光区域R02对准所述掩膜版21进行曝光之后，所述第一、第二对准标记212、214对应成像至所述曝光区域R02周围的第一切割道G1、G2和第二切割道D3、D4，依次类推。将所述晶圆11的第N曝光区域RON与所述掩膜版21的半导体器件图案210对准， 然后将所述半导体器件图案210成像至所述曝光区域RON，将所述第一、第二对准标记212、 214对应成像至所述曝光区域RON周围的切割道，如图6所示。步骤S3，测量第N-I个曝光区域R0N-1曝光形成的晶圆对准标记和第N个曝光区域RON曝光形成的晶圆对准标记之间的偏移量，确定所述光刻机对准参数的变化情况。在完成上述步骤S3之后，就可以测量所述光刻机的对准参数。因为水平方向上相邻两个曝光区域RON共用一条第二切割道Dm，且所述第一对准标记212与所述第二对准标记214形状相同，尺寸不同。当利用所述掩膜版21依次对所述晶圆11的曝光区域RON进行曝光在共用的第二切割道Dm上会形成所述第一对准标记212与所述第二对准标记214 叠加的晶圆对准标记图案。另外，在垂直方向相邻的任意两个曝光区域RON共用一条第一切割道Gm，所以也会在共用的第一切割道Gm上形成叠加的晶圆对准标记图案。
成像后只需将所述晶圆11取出，然后送入专门的测量设备，测量设备通过测试叠加的两个晶圆11对准标记的中心点是否完全重合进一步确定光刻机的对准参数是否保持稳定。如果两组叠加的对准标记中心点之间发生偏移，则根据偏移量来修正光刻机的对准参数。以水平方向相邻的两个曝光区域ROl和R02以及垂直方向相邻的两个曝光区域 ROl和ROX为例进一步详细说明本发明的光刻机对准参数的检测方法。如图7和图8所示，所述曝光区域R01、R02及ROX经过图形化制造工艺之后。水平方向相邻的曝光区域ROl和R02周围的切割道上分别形成第一对准标记212图案和第二对准标记214的图案，其中曝光区域ROl和R02之间共用的第二切割道D2上形成叠加对准标记图案E1。另外，垂直方向相邻的曝光区域ROl和ROX周围也形成对应的第一、第二对准标记212、214图案，其中曝光区域ROl和ROX之间共用的第一切割道G2上也形成叠加对准标记图案F1。为了确定所述光刻机对准参数是否保持稳定，就可以检测所述叠加的对准标记El和F1，也即由所述第一对准标记212图案与所述第二对准标记214图案形成的叠加的晶圆对准标记图案的中心点的偏移情况。因为在本实施方式中，所述第一对准标记212尺寸小于所述第二对准标记214的尺寸，当所述光刻机的套准精度符合制造工艺要求时，所形成的叠加的晶圆对准标记图案的中心点是重合的，如果出现偏移，其中心点不是重合的， 所以可以通过检测中心的偏移量，来修正光刻机的套准精度。本发明光刻机对准参数的检测方法及检测设备不需要另外提供标准掩膜版及标准晶圆来检测所述光刻机的对准参数， 检测装置及检测方法简便，有利于提搞生产效率。本实施方式中，在对所述晶圆11进行图形化制造工艺过程中，所述掩膜版21保持不动，所述晶圆11移动完成对所述曝光区域RON依次曝光步骤。在另外较佳实施方式中， 还可以将所述掩膜版21放入步进扫描光刻装置中，在对掩膜版21和晶圆11对准标记图案成像过程中，将所述掩膜版21与晶圆11同时相对于投影系统和投影光束移动。根据上述原理，可以理解的是，所述第一对准标记212和所述第二对准标记214的数量可以分别是1个、2个、3个、4个或者4个以上，只要能保证在图形化工艺后在第一切割道或者第二切割道的位置对应形成叠加的晶圆对准标记，然后通过检测所述叠加的晶圆对准标记的中心点便宜量，便可确定所述光刻机调整参数。所以，下面将分别给出实施例以详细说明。请同时参阅图9，图9为本发明光刻机对准参数检测装置的第二实施方式示意图。 所述光刻机对准参数检测装置3包括一掩膜版31，其形状与所述第一实施方式中的掩膜版 21形状相同，不同之处在于所述掩膜版31包括一第一对准标记312和一第二对准标记 314。所述第一对准标记312和所述第二对准标记314分别位于半导体器件图案310沿竖直方向的两相对边旁，且其中心点连线垂直所述两相对边。与利用所述掩膜版21对所述晶圆11进行图形化制造工艺不同的是，利用所述掩膜版31对所述晶圆11进行图形化制造工艺时，只在水平方向上任意两个相邻曝光区域RON 之间形成一个叠加的晶圆对准标记图案。请同时参阅图10，图10为本发明光刻机对准参数的检测装置的第三实施方式示意图。所述光刻机对准参数的检测装置4包括一掩膜版41，其形状与所述第一实施方式中的掩膜版21形状相同，不同之处在于所述掩膜版41包括两个第一对准标记412和两个第二对准标记414。所述两个第一对准标记412和所述两个第二对准标记414分别位于半导体器件图案410沿竖直方向的两相对边旁，且靠近相对边同一端部的第一对准标记412和第二对准标记414中心点连线垂直所述两相对边。与利用所述掩膜版21对所述晶圆11进行图形化制造工艺不同的是，利用所述掩膜版41对所述晶圆11进行图形化制造工艺时，只在水平方向上任意两个相邻曝光区域RON 之间形成两个叠加的晶圆对准标记图案。请同时参阅图11，图11为本发明光刻机对准参数的检测装置的第四实施方式示意图。所述第四实施方式的光刻机对准参数的检测装置5的掩膜版51与所述第二实施方式的掩膜版31形状相同，将所述掩膜版31沿顺时针方向旋转90°即为掩膜版51的形状。 所以，利用所述掩膜版51对所述晶圆11进行图形化制造工艺时，只在竖直方向上任意两个相邻曝光区域RON之间形成一个叠加的晶圆对准标记图案。请参同时阅图12，图12为本发明光刻机对准参数的检测装置的第五实施方式示意图。所述第五实施方式的光刻机对准参数的检测装置6的掩膜版61与所述第三实施方式的掩膜版41形状相同，将所述掩膜版41沿顺时针方向旋转90°即为掩膜版61的形状。 所以，利用所述掩膜版61对所述晶圆11进行图形化制造工艺时，只在竖直方向上任意两个相邻曝光区域RON之间形成两个叠加的晶圆对准标记图案。以上仅为本发明的优选实施案例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种光刻机对准参数的检测装置，其包括一掩膜版，所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记，以配合晶圆确定所述光刻机的对准参数，所述晶圆，包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道， 所述多条第一切割道与所述第二切割道界定多个曝光区域，第一对准标记和第二对准标记的位置分别与相邻的第一切割道或者第二切割道的位置对应；其特征在于所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异，通过对所述晶圆执行图形化工艺，将掩膜版上的第一对准标记和第二对准标记转移至第一切割道或者第二切割道上后，在两相邻曝光区域之间形成由所述第一对准标记和所述第二对准标记叠加的晶圆标记图案，用于检测光刻机的对准参数。
2.根据权利要求1所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于所述掩膜版还包括一半导体器件图案，所述半导体器件图案与所述曝光区域的形状相同，均为正方形。
3.根据权利要求2所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于所述第一对准标记及第二对准标记分布在所述半导体器件图案的二相对侧边旁。
4.根据权利要求3所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于所述第一对准标记的中心点和所述第二对准标记的中心点连线平行或者垂直于所述第一切割道。
5.根据权利要求4所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于所述第一对准标记和所述第二对准标记的形状均为正方形或者圆形。
6.根据权利要求1所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于所述叠加晶圆标记图案位于所述第一切割道或者所述第二切割道上。
7.根据权利要求1所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于所述第一对准标记的尺寸小于所述第二对准标记的尺寸。
8.一种光刻机对准参数的检测方法，包括以下步骤提供一晶圆，所述晶圆包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道，所述多条第一切割道与所述第二切割道界定多个曝光区域；提供一掩膜版，所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记，所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异；第一对准标记和第二对准标记的位置分别与相邻的第一切割道或者第二切割道的位置对应；采用欲检测其对准参数的光刻机对所述晶圆进行图形化制造工艺，将所述第一对准标记和第二对准标记转移到对应的曝光区域周围，在每二相邻曝光区域之间形成叠加的晶圆对准标记图案；及测量所述叠加的晶圆对准标记图案的中心点的偏移量，确定所述光刻机对准参数变化情况。
9.根据权利要求8所述光刻机对准参数的检测方法，其特征在于形成所述叠加的晶圆对准标记图案的步骤包括所述叠加的晶圆对准标记图案形成在所述第一切割道或者第二切割道上的步骤。
10.根据权利要求8所述光刻机对准参数的检测方法，其特征在于对所述晶圆进行图形化制作工艺步骤包括对所述晶圆的曝光区域依序进行曝光，形成叠加的晶圆对准标记图案由所述第一对准标记和所述第二对准标记转移的图案叠加形成。
全文摘要
本发明提供一种光刻机对准参数的检测装置及其检测方法，涉及一种半导体制造工艺领域。所述检测装置包括一掩膜版，所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记，以配合晶圆确定所述光刻机的对准参数。所述晶圆包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道，所述多条第一切割道与所述第二切割道界定多个曝光区域。所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异，所述晶圆图形化工艺后，在两相邻曝光区域之间形成由所述第一对准标记和所述第二对准标记叠加的晶圆标记图案。所述检测方法及装置简单，生产效率高。
文档编号G03F9/00GK102156392SQ201010110209
公开日2011年8月17日 申请日期2010年2月11日 优先权日2010年2月11日
发明者夏婷婷 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司