专利名称：能够放大空间偏移的ovl标记的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体光刻标记，具体涉及一种能够放大空间偏移的OVL标记。
背景技术：
现有的OVUoverlay套准)，其设计偏移和实际偏移都是1 1的比例，对于设计 偏移很小的0VL，无法采用目测方式进行测量。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能够放大空间偏移的OVL标记，它可 以将偏移放大，以便进行目测或其他量测方式。为解决上述技术问题，本实用新型能够放大空间偏移的OVL标记的技术解决方案 为包括几何图形状标记，几何图形设有角θ，tag( θ )为所述几何图形的放大因子。所述几何图形为等腰梯形、三角型或菱形。所述tag( θ )的取值范围为0到+①。本实用新型可以达到的技术效果是本实用新型利用几何图形的形状，能够将很小的偏移放大，以至于达到可以目测 或其他量测方式的范围。以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明
图1是本实用新型能够放大空间偏移的OVL标记的示意图；图2是本实用新型的偏移量换算示意图；图3是本实用新型的偏移量换算的另一示意图；图4是采用本实用新型进行偏移量测量的示意图。图中附图标记说明1为第一标记，2为第二标记。
具体实施方式
如
图1所示，本实用新型能够放大空间偏移的OVL标记，包括几何图形状标记，几 何图形设有角θ，tag( θ )为该几何图形的放大因子。tag( θ )的值可以为0到+①。几何图形可以是等腰梯形、三角型、菱形等。几何图形的大小可以根据制程、切割道大小进行调节。如等腰梯形的上边为 20um，下边为^um,高为30um，则放大倍率为10。[0021]本实用新型在当层和前层相应放置。本实用新型的使用方法如下1、将第一标记1放置于当层；2、将另一相同的第二标记2放置于相同的位置，第二标记2相对于第一标记1做 180度旋转；3、通过目测或其他量测方式，测量两个标记1、2的交点的垂直(或水平)距离，通 过放大因子换算成x(y)方向的偏移量。如图4所示，a、b点的垂直距离为Y，则X方向的偏移为Y/10 (Y/放大倍率)。如图2所示，第二标记2在χ方向发生偏移，χ方向的偏移量为Δ X (y方向的偏移 量为0)，由几何关系可以得到Δ Y = 2 X (tag ( θ ) X Δ Χ/2) = tag ( θ ) X Δ X，故通过目测 或其他量测方式测得AY(a、b之间的垂直距离)，即可得到ΔΧ的值。如图3所示，第二标记2在χ方向和y方向同时发生偏移，由于第二标记2向上或 者向下偏移，则两个标记的交点a、b都向上或向下偏移同样距离，所以a、b之间的垂直距离 不变。由几何关系可以得到ΔΧ不随y方向的偏移而变化。所以χ方向的标记(Mark) 可以monitor (量测)χ方向。本实用新型可以放大χ方向或者y方向的偏移，所以能够更好地通过目测或其他 量测方式测量到实际的偏移，可以提高量测的精度，可以在一些光刻工艺过程中利用目测 或其他量测方式而去除OVL量测。
权利要求1.一种能够放大空间偏移的OVL标记，其特征在于包括几何图形状标记，几何图形设 有角θ，tag( θ )为所述几何图形的放大因子。
2.根据权利要求1所述的能够放大空间偏移的OVL标记，其特征在于所述几何图形 为等腰梯形、三角型或菱形。
3.根据权利要求1或2所述的能够放大空间偏移的OVL标记，其特征在于所述 tag(6)的取值范围为0到+⑴。
专利摘要本实用新型公开了一种能够放大空间偏移的OVL标记，包括几何图形状标记，几何图形设有角θ，tag(θ)为所述几何图形的放大因子。所述几何图形为等腰梯形、三角型或菱形。本实用新型利用几何图形的形状，能够将很小的偏移放大，以至于达到可以目测或其他量测方式的范围。
文档编号G03F9/00GK201828772SQ201020561708
公开日2011年5月11日 申请日期2010年10月14日 优先权日2010年10月14日
发明者丁刘胜 申请人:上海华虹Nec电子有限公司