光刻设备、照射系统、投影系统以及使用光刻设备制造器件的方法

专利名称：光刻设备、照射系统、投影系统以及使用光刻设备制造器件的方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备、一种用于光刻设备的照射系统、一种用于光刻设备的投影系统以及一种使用光刻设备制造器件的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。照射系统配置成在辐射到达掩模版之前调节辐射束。一旦辐射束已经通过掩模版图案化，投影系统引导辐射到衬底。照射系统和投影系统包括光学元件。投影系统的光学元件可以位于超清洁气体环境内以延长投影系统的光学元件的寿命。超清洁气体环境可以被称为保护性环境或微环境。这种环境减少光学元件的污染(可清洁的和不可清洁的)，由此减轻辐射束均勻性的劣化和减少来自系统的杂散辐射损失的量。已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体(例如水) 中，以便充满投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，液体是蒸馏水，但是可以使用其他液体。本发明的实施例将参考液体进行描述。然而，其它流体也可能是适合的，尤其是润湿性流体、不能压缩的流体和/或具有比空气折射率高的折射率的流体，期望是具有比水的折射率高的折射率。除气体以外的流体是尤其希望的。这样作是为了能够实现更小特征的成像，因为在液体中曝光辐射将会具有更短的波长。(液体的影响也可以被看成提高系统的有效数值孔径(NA)，并且也增加焦深)。还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米悬浮颗粒(例如具有最大尺寸达IOnm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃，例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液。将衬底或衬底与衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利No. US4, 509，852)意味着在扫描曝光过程中需要加速很大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。在浸没设备中，浸没流体由液体处理系统、装置、结构或设备处理。在一实施例中，液体处理系统可以供给浸没流体并因此可以是流体供给系统。在一个实施例中，流体处理结构可以至少部分地限制浸没流体并因此是流体限制系统。在一实施例中，流体处理结构可以提供阻挡件给浸没流体，因而是阻挡构件(例如流体限制结构)。在一实施例中，液体处理结构可以产生或使用气流，例如以便帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成密封以限制浸没流体，因而液体处理结构可以称为密封构件；这种密封构件可以是流体限制结构。在一实施例中，浸没液体被用作浸没流体。参照上述说明，本章中提到的限制流体的特征可以理解为包括限制液体的特征。在本发明的一个实施例中，光刻设备不包括液体处理结构。

发明内容
在光刻设备中，构件可能被构件暴露在其中的气体中的化合物污染。污染带来产生缺陷的风险。例如，污染的光学元件会导致辐射束均勻性降低。这负面地影响了衬底上成像的图案。期望地，例如减小或消除这种污染的风险。根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括具有与保护气体接触的被保护表面的构件；和 保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径弓I导气流至除被保护表面以外的表面，其中，所述气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括具有被保护表面的构件；表面遮蔽物，配置成沿邻接被保护表面的路径引导保护气体流以保护被保护表面；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成引导与保护气体流不同的气流，其中所述气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括具有物镜的照射系统，其中物镜的被保护表面与保护气体接触；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径弓I导气流至除被保护表面以外的表面，其中所述气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括具有透镜的投影系统，其中透镜的被保护表面与保护气体接触；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径弓I导气流至除被保护表面以外的表面，其中所述气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的照射系统，所述照射系统配置成调节辐射束，照射系统包括光学构件，具有与保护气体接触的被保护表面；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径弓I导气流至除被保护表面以外的表面，其中气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的投影系统，所述投影系统配置成将图案化的辐射束投影到衬底上，投影系统包括具有与保护气体接触的被保护表面的光学构件；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径弓I导气流至除被保护表面以外的表面，其中，气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。根据本发明的一方面，提供一种使用光刻设备制造器件的方法，光刻设备包括具有与保护气体接触的被保护表面的构件，该方法包括沿不邻接被保护表面的路径引导来自至少一个开口的气流至被除保护表面以外的表面，其中气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。根据本发明的一方面，提供一种使用光刻设备制造器件的方法，光刻设备包括具有被保护表面的构件，该方法包括沿邻接被保护表面的路径引导保护气体以保护被保护表面；和引导来自至少一个开口的与保护气体不同的气流，其中所述气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。


现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图1示出了根据本发明一个实施例的光刻设备；图2和3示出用于光刻投影设备中的液体供给系统；图4示出用于光刻投影设备中的另一液体供给系统；图5示出用于光刻投影设备中的另一液体供给系统；图6示出根据本发明的一个实施例的构件、保护环境以及保护装置；图7示出本发明的一个实施例；图8示出根据本发明的一个实施例的保护装置的布置；图9示出根据本发明的一个实施例的保护装置的布置；图10示出根据本发明的一个实施例的光刻设备的横截面视图；图11示出根据本发明的一个实施例的光刻设备的横截面视图12示出根据本发明的一个实施例的光刻设备的横截面视图；图13示出根据本发明的一个实施例的光刻设备的横截面视图；图14示出根据本发明的一个实施例的光刻设备的横截面视图；图15示出根据本发明的一个实施例的光刻设备的横截面视图；图16示出根据本发明的一个实施例的光刻设备的横截面视图。
具体实施例方式图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W， 并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学构件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学构件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT保持图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA 的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意， 被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO 看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO 可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD —起称作辐射系统。所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和ο-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它构件， 例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均勻性和强度分布。与源SO类似，照射器IL可以看作或可以不被看作形成光刻设备的一部分。例如，照射器IL可以是光刻设备的组成部分，或可以是与光刻设备分开的实体。在后一种情形中，光刻设备可以配置成允许照射器IL安装其上。可选地，照射器 IL是可分离的并且可以单独提供或设置(例如，由光刻设备制造商或其他供应商提供)。所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置 (例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA 之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分 C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT 的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(S卩，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。 在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列) 的无掩模光刻术中。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。用于在投影系统PS的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以分成至少两种一般类型。它们是浴器类型布置和所谓的局部浸没系统。在浴器类型布置中，基本上整个衬底W和(可选地)衬底台WT的一部分浸入到液体浴器中。在所谓的局部浸没系统中使用液体供给系统，以将液体仅提供到衬底的局部区域。在后一种类型中，由液体填满的空间在平面图中小于衬底的顶部表面，并且衬底在由液体充满的区域下面移动的同时，由该区域相对于投影系统PS基本上保持静止。图2-5中示出了四种不同类型的液体局部供给系统。提出来的一种布置是液体供给系统，用以通过使用液体限制系统将液体仅提供到衬底的局部区域上并且在投影系统的最终元件和衬底之间(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面积)。提出来的一种用于设置上述解决方案的方法在W099/49504中公开了。如图2和3所示，液体期望地沿着衬底相对于最终元件移动的方向，通过至少一个入口供给到衬底上，并且在已经通过投影系统PS下面之后，通过至少一个出口去除。也就是说，当衬底在所述元件下沿着-X方向扫描时，液体在元件的+X —侧供给并且在-χ —侧去除。图2示意地示出所述布置，其中液体通过入口供给，并在元件的另一侧通过连接至负压源的出口去除。衬底W上面的箭头表示液体流动的方向，衬底W下面的箭头表示衬底台的移动方向。在图2中，虽然液体沿着衬底W相对于最终元件的移动方向供给，但这并不是必须的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口，图3示出一个示例，其中在最终元件的周围在每侧上以规则的方式设置了四组入口和出口。液体供给和液体回收装置中的箭头表示液体的流动方向。在图4中示意地示出了另一个具有液体局部供给系统的浸没光刻方案。液体由位于投影系统PS每一侧上的两个槽状入口供给，由设置在入口的径向向外的位置上的多个离散的出口去除。所述入口和出口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，辐射束通过该孔投影。液体由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口提供，而由位于投影系统PS的另一侧上的多个离散的出口去除，由此造成投影系统PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口组合可以依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口组合是不起作用的)。在图4的横截面图中，箭头表示液体流入入口和流出出口的方向。
在欧洲专利申请公开出版物EP1420300和美国专利申请公开出版物 US2004-0136494中，公开了一种成对的或双台浸没式光刻设备的方案，这里以参考的方式全文并入本文。这种设备设置有两个台用以支撑衬底。调平(levelling)测量在没有浸没液体的工作台的第一位置处进行，曝光在存在浸没液体的工作台的第二位置处进行。可选的是，设备仅具有一个台。PCT专利申请公开出版物WO 2005/064405公开一种全浸湿布置，其中浸没液体是不受限制的。在这种系统中，衬底的整个顶部表面覆盖在液体中。这可以是有利的，因为衬底的整个顶部表面在基本上相同的条件下进行曝光。这对于衬底的温度控制和处理是有利的。在W02005/064405中，液体供给系统提供液体到投影系统的最终元件和衬底之间的区域。液体被允许泄露(或流)到衬底的其他部分。衬底台的边缘处的阻挡件防止液体逃逸， 使得液体可以从衬底台的顶部表面上以受控制的方式去除。虽然这样的系统改善了衬底的温度控制和处理，但仍然可能发生浸没液体的蒸发。帮助缓解这个问题的一种方法在美国专利申请公开出版物No. US 2006/0119809中有记载。设置一种构件覆盖衬底W的所有位置，并且布置成使浸没液体在所述构件和衬底和/或保持衬底的衬底台的顶部表面之间延伸。已经提出的另一布置是提供具有流体限制结构的液体供给系统。流体限制结构可以沿投影系统的最终元件和衬底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。这种布置在图5 中示出。虽然在Z方向(沿光轴的方向)上可以存在一定的相对移动，但是流体限制结构相对于投影系统在XY平面内是基本上静止的。在流体限制结构和衬底的表面之间形成密封。在一个实施例中，在流体限制结构和衬底的表面之间形成密封，并且密封可以是非接触密封，例如气体密封。在美国专利申请出版物第US2004-02078M号中公开了这种系统。在另一实施例中，流体限制结构具有非气体密封的密封，并因此可以称为液体限制结构。图5示意地示出了液体局部供给系统或者液体处理结构12或具有形成阻挡构件的主体的装置或流体限制结构，其沿投影系统PS的最终元件和衬底台WT或衬底W之间的空间11的边界的至少一部分延伸。(要说明的是，在下文中提到的衬底W的表面如果没有特别地规定，也附加地或可选地表示衬底台WT的表面。)虽然在Z方向上可以具有一些相对移动(在光轴的方向上)，但是液体处理结构相对于投影系统PS在XY平面内是基本上静止的。在一实施例中，密封被形成在液体处理结构12和衬底W的表面之间，并且密封可以是非接触密封，例如气体密封或流体密封。液体处理结构12至少部分地将液体限制在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11中。例如气体密封16的到衬底W的非接触密封可以形成在投影系统PS的像场周围，使得液体被限制在衬底W表面和投影系统PS的最终元件之间的空间11内部。该空间11至少部分地由位于投影系统PS的最终元件的下面和周围的液体处理结构12形成。液体通过液体入口 13被引入到投影系统PS下面和液体处理结构12内的所述空间11中。液体可以通过液体出口 13被去除。所述液体处理结构12在投影系统PS的最终元件上面一点延伸。液面高于最终元件，使得能提供液体的缓冲器。在一个实施例中，所述液体处理结构12的内周的上端处的形状与投影系统PS的形状或投影系统的最终元件的形状一致，例如可以是圆形。在底部，内周与像场的形状大致一致，例如矩形，虽然并不是必须的。内周可以是任何形状，例如内周可以与投影系统的最终元件的形状相符。内周可以是圆形的。
液体通过气体密封16被限制在空间11内，气体密封16在使用期间形成在液体处理结构12的底部和衬底W的表面之间。气体密封16由气体形成，例如空气或合成空气， 但是在一个实施例中为氮气N2或其他惰性气体。该气体密封16中的气体在压力下通过入口 15提供到液体处理结构12和衬底W之间的区域。该气体通过出口 14抽取。气体入口 15处的过压、出口 14处的真空水平和所述区域的几何形状布置成使得形成向内的限制液体的高速气流。气体作用在液体处理结构12和衬底W之间的液体上的力将液体限制在空间11内。入口 /出口可以是围绕空间11的环形槽。环形槽可以是连续的或非连续的。气流有效地将液体限制在空间11中。这种系统在美国专利申请出版物第US2004-02078M中公开。图5中的示例是所谓的局部区域布置，其中液体每一次仅被提供到衬底W的顶部表面的局部区域。其他布置是可以的，包括如在美国专利申请出版物第US 2006-0038968 号中公开的使用单相抽取器或两相抽取器的液体处理结构。在一个实施例中，单相或两相抽取器可以包括由多孔材料覆盖的入口。在单相抽取器的实施例中，多孔材料被用于将液体和气体分开以实现单相液体抽取。多孔材料下游的腔被保持在稍微的负压下并充满液体。腔内的负压使得在多孔材料的孔内形成的弯液面阻止环境气体被抽入到腔内。然而， 当多孔表面与液体接触，没有弯液面限制流动，并且液体可以自由地流入腔中。多孔材料具有大量的小孔，例如直径在5到300 μ m范围内，期望是5到50 μ m范围。在一个实施例中， 多孔材料是至少轻微亲液的(例如亲水的)，即具有到浸没液体(例如水)的小于90°的接触角。许多种其他类型的液体供给系统是可以的。本发明的一个实施例不限于任何特定类型的液体供给系统。本发明的一个实施例对于使用限制的浸没系统是有利的，投影系统的最终元件和衬底之间的液体被限制在浸没系统中，例如用于优化使用。然而，本发明的实施例可以与任何其他类型的液体供给系统一起使用。本发明不限于浸没光刻设备。本发明的一个实施例的光刻设备可以是干式光刻设备。本发明的一个实施例可以与不包括液体处理结构的光刻设备一起使用。可以应用本发明的一个实施例的光刻设备的类型不具体限制。照射系统IL可以包括物镜光学元件(例如，物镜透镜)。物镜光学元件，也称为物镜，是昂贵的，并且不容易互换。结果，将物镜保持清洁以确保其正确地起作用是有利的。用于保护照射系统的物镜的系统包括在图案形成装置MA周围的区域内产生过压。过压的用途是通过净化该区域基本上阻止外部气体到达物镜。外部气体可以是脏的气体(即，具有污染化合物的气体)。外部气体可以是清洁气体，但是可以对于邻接物镜的区域内的气体具有一种或多种不同的性质。邻接物镜的区域内的气体可以是超高纯度(UHP) 等级的清洁气体，例如极清洁的干燥空气(XCDA )。外部气体可以是非-UHP气体。通过使污染物保持在保护环境的外部，过压和向外的流动被设计用以形成保护环境。这种系统的一个问题在于，需要极大量的清洁气体来产生足够的压力。保护环境的性能可能被相对高的支撑结构MT (例如掩模版台或台)的扫描速度负面地影响。支撑结构相对于物镜的相对速度和/或加速度导致较高的需要用以形成保护环境的过压。附加地或替换地，可以存在有限的可用的流动以用于保护环境。因此，较高的扫描速度和/或保护环境供给流动的减小会导致不能令人满意地将物镜与污染物分开的保护环境。所述问题的程度依赖于光刻设备的类型而变化。保护环境沿支撑结构MT扫描的方向的流出速度可能很低。这引起更多的污染物到达将要被保护的构件。其直接原因可能是，在污染的气体中的较多的污染物能够进入保护环境，在这种情况下污染物可能与所述构件接触。附加地或替换地，其间接原因可能是， 引导至光刻设备的其他部分的气流(污染的或没有污染的)可能干扰设计用以部分地保护所述构件的部件(例如为投影系统的最终元件的表面提供层流的净化罩)。这导致照射系统IL中的物镜例如变得被污染。这种污染的源可以是照射系统IL 中的物镜和投影系统PS的光学元件暴露于其中的气体中的微粒、有机物或化合物(即，无机物)。这种污染可以负面地影响辐射束。这会导致图案化的图像中的缺陷。期望减小图案化的图像中的缺陷。一种改善保护环境性能的方法是减小保护环境硬件的不同部件之间的间隙。其目的是通过减小从保护环境的泄露来保持较高的过压。在实际应用中，这可能难以应用并且可能需要基本上重新设计光刻设备。本发明的一个实施例提供一种光刻设备，其中用于保护光刻设备的构件的性能得以提高。本发明的一个实施例被应用至保护光刻设备的暴露到气体的任何构件。在根据本发明的一个实施例的光刻设备中，照射系统IL调节辐射束。照射系统IL 包括光学元件。被调节的辐射束通过图案形成装置MA被图案化。图案化的辐射束通过投影系统PS被引导至衬底W。投影系统PS包括光学元件。构件可以是光学构件。构件61可以例如是投影系统PS的顶部光学元件、投影系统PS的最终光学元件、图案形成装置MA、或照射系统IL的物镜。图6示出本发明的一个实施例。光刻设备的构件61具有与保护气体接触的表面 68。构件的表面68可以被称为被保护表面68。保护气体的用途是将构件61与污染物隔离，污染物例如是外部气体(或被污染的气体)内的颗粒、有机物或化合物(即，无机物)。 保护气体的用途包括帮助确保构件61的寿命。保护气体可以与在光刻设备内的其他部分中的气体流体连通。保护气体可以形成保护环境67。保护环境67形成在光刻设备的构件61的表面68附近。保护环境67位于保护装置64的气流的与构件61的被保护表面68相同的一侧。保护环境67可以被称为微环境。保护环境67可以是超清洁气体环境。保护环境67可以减少构件61的可清除的污染物和/或不可清除的污染物。如果构件61是光学构件，通过提高构件61的清洁度可以直接地降低辐射束的均勻性和杂散辐射的劣化。保护装置64包括位于保护环境67的边界处的至少一个开口 65。保护装置可以例如是净化屏或保护性净化幕帘。开口 65配置成引导气流到除被保护表面68以外的表面。 沿不邻接被保护表面68的路径引导气流。期望地，在保护装置64的气流和被保护表面68 之间的区域内的任何气流基本上不平行于保护装置64的气流。与根据本发明的一个实施例的保护装置64的气流对比，邻近被保护表面68的净化流动被引导沿着邻接被保护表面68的路径。净化流动的最远离被保护表面68的部分可以本身不与所述表面接触。然而，该部分是净化流动邻接被保护表面68的部分。在被保护表面68和净化流动最远离被保护表面68的部分之间的区域内，净化流动的一部分平行于净化流动的不与被保护表面68接触的部分平行。这与本发明的一个实施例不同，在该实施例中，在保护装置64的气流和被保护表面68之间存在一区域，在该区域中气流不平行于保护装置64的气流。在一个实施例中，保护装置64的气流的气体通过例如流动分隔部66被重新引导。 在与流动分隔部66接触之后，气体可以流入保护装置64的气流和被保护表面68之间的区域内。在这种情形中，改变方向的气体的流动不平行于(例如，反平行于)保护装置64的气流。气流基本上阻止气体从气流相对侧到达气流的与被保护表面68相同的一侧。气流可以阻止保护环境67外部的气体到达保护环境67的内部。在图6到12中，断开的箭头线表示构件61的表面68被保护与其隔离的气流(可能被污染)。没有断开的箭头表示来自开口 65的保护装置64的气流。根据上述过压流出系统，供给气体流出的开口不在保护环境的边界处。相反，开口在保护环境的内部。相对比，本发明的一个实施例的保护装置64的开口 65位于保护环境 67的边界处。由开口 65供给的气流限定了保护环境67的边界。本发明的一个实施例在不需要增大流量的情况下阻止外部气体到达相关的构件 61。这可以通过保护装置64阻挡外部气体流动到达构件61的表面68来直接实现。替换地或附加地，这可以通过保护装置64阻挡(清洁的或脏的)气体流动到达配置用以净化构件61的表面68的净化罩来间接实现。本发明的优点在于，其能够相对便宜地被应用。开口 65连接至过压源。期望地，构件61接触的保护环境67相对于保护环境67 外部的环境被保持过压67。开口 65配置成提供平面气流。平面流动可以采用例如气体幕帘或气体屏的形式。平面气流阻挡污染物颗粒、有机物或化合物(即无机物)和/或保护环境67外部的任何气流进入保护环境67。平面气流用作壁，阻挡否则可能进入保护环境67的污染物。替换地，开口 65可以配置成提供例如从开口 65、以锥形形状延伸的气流。这种气流可以用在构件61将被保护与其隔离开的外部气流相对窄(例如比由保护装置64提供的气流窄)的情形。这可以是存在窄的通向构件61的通道。在构件61的方向上沿该通道流动的外部气体可以通过采取锥形形式的气流来阻挡。其他非平面形状的气流是可以的。期望地，气流基本上垂直于将要被阻止进入到保护环境67的气流的方向。替换地，气流可以不垂直于保护环境67外部的气流的方向，而可以是处于一倾斜角度。由保护装置64提供的气流限定保护环境67的边界。这与气流本身形成保护环境的过压流出系统不同。由保护装置64提供的气流配置成与外部气流处于一定角度，并且具有足以阻挡外部气流的流速。可以相对于过压引起流出以形成保护环境的系统，减小由保护装置提供的气流的流量。保护装置64的流量可以低于100升每分钟。期望地，流量小于80升每分钟、小于60升每分钟或小于50升每分钟。开口 65配置成引导垂直于设置开口的表面的气流。其目的是阻止气流允许外部气流通过来自开口 65的气流。如果来自开口 65的气流的方向与外部气流的方向的角度小于90度，这可能发生。来自开口的气流可以与设置开口 65的表面成一倾斜的角度。在这种情形中，期望来自开口 65的气流在与外部气流的方向相反的方向上具有速度分量。其目的是有效地阻挡外部气流。开口 65可以配置成沿垂直于气流被弓I导的表面(即，被保护表面68之外的表面) 的路径引导气流。与上面一样，其目的是阻止外部气流到达相关的构件61，例如光学元件。保护气体可以通过来自开口 65的气流来提供。气流可以在保护环境67内循环。 气流形成保护气体。起初，气流不邻接被保护表面68。沿远离表面68的路径引导气流。在气流接触被保护表面68以外的表面(例如在一个变形示例中，气流接触流动分隔部66)之后，气流可以随后接触被保护表面68。在一个实施例中，构件61的整个表面位于气流的仅一侧。构件61没有接触保护装置64的气流与构件61的被保护表面68所处的一侧相对的一侧上的气体的表面。开口 65可以是伸长的。伸长的开口 65可以具体地适于提供平面气流。然而，伸长开口 65可以提供不是平面的气流。伸长的方向可以基本上平行于构件61与保护环境67 接触的表面68。期望地，伸长的方向基本上垂直于移动部件81 (例如，支撑结构MT或衬底台WT)和构件61之间的相对移动的方向。伸长的方向可以基本上平行于相对于移动的方向。伸长的方向可以与相对移动的方向成一倾斜的角度。保护装置64可以定位在构件61和相对于构件61移动的部件81之间(如图8和 9所示)。移动部件81可以是支撑结构。例如，移动部件81可以是用以支撑图案形成装置 MA的支撑结构MT或用以支撑衬底W的衬底台WT ( S卩，支撑结构)。保护装置64可以包括多个开口。每个开口可以具有上述与开口 65相关的特征。 多个开口可以布置成使得多个开口提供平面气流。开口可以单个地提供不是平面的气流， 但是当布置成阵列时，所述阵列的最终气流是平面的。开口的阵列可以提供形成保护环境 67的边界的气流。开口可以布置成使得每个开口，或开口的子集，提供配置成阻挡保护环境67外部的气流到达保护环境67的内部的气流。开口可以提供多个气流，每一个气流形成进入保护环境67的阻挡件。每个阻挡件对应于由一个开口或由多个开口提供的气流。这些阻挡件可以沿相同的方向(例如，全部平行于或垂直于构件61的表面68)。由多个开口形成的阻挡件可以具有不同的取向。例如，可以存在两个垂直于表面68的阻挡件和一个平行于表面 68的阻挡件。保护装置64可以包括双气刀。其目的是增加额外的保护层。任何到达第一气流的与被保护的构件相同侧的污染物被第二气流阻挡。在一个实施例中，开口中的一个较其他开口更靠近构件61。开口可以配置成供给基本上平行的气流。图6示出，开口 65配置成提供基本上平行于构件61的与保护环境67接触的表面 68的气流。替换地，开口 65可以配置成提供基本上垂直于构件61的表面68、或与构件61 的表面68处于一倾斜角度的气流。如果构件61的表面68与光刻设备的一部件的表面相对，则垂直于构件61的表面68的气流可以是尤其期望的。正如图11所示，部件81、MT的与构件61的表面68相对的表面可以形成保护环境 67的边界。外部气体朝向构件61流动通过构件的表面68和设备的另一部件的相对表面之间的通道。在这种情形中，外部气体的流动可以沿基本上平行于构件61的表面68的方向朝向构件61行进。垂直于构件的正对表面68的、由保护装置64的开口 65提供的气流基本上垂直于外部气体的流动。保护装置64提供用作阻挡外部气流的壁的气流。
图13示出本发明的一个实施例，其中开口 65配置成提供沿平行于构件的表面68 的方向具有速度分量并且远离构件61的气流。构件61的表面68限定垂直于表面68延伸的轴线。在一个实施例中，开65配置成供给沿远离轴线的方向具有速度分量的气流。保护装置64的气流被引导沿流入的外部气流的相反方向向外。通过部分地沿与外部气流相反的方向引导保护装置64的气流，保护装置64的气流具有抵抗外部气流的较大的动量。保护装置的气流提供较大的对外部气流的阻力。附加地，防止保护装置64的气流的气体被引导朝向气体会负面地影响光刻设备的构件的保护环境67。图6示出，开口 65面对平行于构件61的表面68的方向。在一个实施例中，开口 65配置成面对基本上垂直于构件61的表面68、或与构件61的表面68成一倾斜角度的方向。由保护装置64的开口 65提供的气流的方向可以与开口 65面对的方向无关。这是因为柯恩达效应(coandaeffect)可以用于改变气流的方向。图7示意地示出保护装置64，其与上面图6相关描述相同，但是具有配置成引导由开口 65提供的气流的引导装置79。引导装置79是工具，通过它利用柯恩达效应。引导装置79可以正好定位在开口 65所面对的所述方向的一侧。气流由保护装置64的开口 65提供。通过引导装置79的外表面吸引气流。气流围绕引导装置79的外表面弯曲。如果光刻设备具有非常有限的空间用于保护装置64，则引导装置79是期望的。通过使用引导装置， 保护装置64的开口 65的位置受到较少的限制。这允许开口 65被定位在具有足够空间的位置，同时引导装置79可以用于确保由开口 65提供的气流具有想要的方向和/或取向。保护装置64可以包括流动分隔部66。流动分隔部66配置成引导由保护装置64 的开口 65提供的气流进入保护环境67。流动分隔部66配置成引导外部气流离开保护环境 67。在由保护装置64的开口 65提供的气流限定的保护环境的边界处，外部气流被阻止进入保护环境67的内部。外部气体可以仅存在于保护环境67的外部。流动分隔部66配置成将由保护装置64提供的气流与保护环境67外侧的外部气体分开。流动分隔部66可以是鳍状物，配置成引导“脏的”流动向下并保持保护装置64或净化屏上面的区域处于更新状态。这具有净化相关构件，例如光学表面68的效果。清洁气体在构件61的保护环境67内部循环。外部气体被阻挡到达构件61。流动分隔部66可以包括凸出部，凸出部具有指向与由保护装置64提供的气流方向相反的方向的一锐角。流动分隔部66可以采用指向与由保护装置64提供的气流的方向相反的方向的一锐角脊的形式。在由保护装置64提供的气流是平面的时候，这种脊的形式是特别期望的。图8示出一种布置，其中不期望外部气体进入保护环境67。如果由保护装置64的开口 65提供的气流被引导至流动分隔部66和构件61之间的位置，则仅位于保护环境67 外部的外部气体可以进入保护环境67。这是不希望的。在外部气体沿基本上平行于气体幕帘的方向流动(即，由保护装置64提供的气流)的情况中，这会是问题。图9示出一个实施例，其中保护装置64配置成在与外部气流分开的位置处提供气体幕帘。在图9示出的实施例中，保护环境外部的(高速)外部气流不直接接触气体幕帘。 直接接触气体幕帘的保护环境67外部的外部气体在气体幕帘的气流方向上具有低的速度分量。为了将气体幕帘与外部气流分开，可以在开口 65的离开构件61的相对侧上存在至少一个凸缘82。凸缘配置成阻挡基本上平行于气体幕帘的气流与气体幕帘接触。凸缘82可以在开口 65的相同伸长方向上是伸长的(在开口 65是伸长的情况下)。凸缘82保护基本上不存在大致平行于气体幕帘的气流的空间。保护装置64定位成远离移动部件81。如果由保护装置64的开口 65提供的气流被引导至流动分隔部66离开构件61的相对侧上的一位置，则保护环境67内部的气体可以离开保护环境67。这倾向于在保护环境内部产生负压。在一个实施例中，保护装置64的气流与保护气体不同。气流可以通过抽取器69 抽取。保护装置64可以包括至少一个配置成抽取气体的抽取器69。抽取器69配置成抽取由保护装置64的开口 65提供的气体。抽取器69包括至少一个连接至负压源的开口。期望地，抽取器69包括开口的阵列。具有开口的阵列有助于使抽取均勻。抽取器69可以定位成面对气体幕帘。抽取器69可以定位于构件61的表面68的光轴的离开开口 65的另一侧边。将抽取器69定位成面对开口 65允许气体幕帘的气体被直接抽取。抽取器69可以配置成帮助引导气体幕帘，使得气体幕帘具有想要的取向或方向。 抽取器69不必须定位成面对开口 65。抽取器69可以定位在任何可以与气体幕帘的气体接触的表面。可以存在多个抽取器69。图14示出一个实施例，其中抽取器69不直接面对保护装置64的开口 65。支撑结构MT相对于保护装置64的开口 65移动。这使得难以提供总是面对开口 65的抽取器。相反，抽取器69包括定位在保护装置64的开口 65的径向向外位置处的开口。图15示出一个实施例，其包括卡盘抽取器151和净化板抽取器152。在一个实施例中，提供至少一个卡盘抽取器151。卡盘抽取器151包括在卡盘(即，支撑结构MT)的表面内的开口。开口位于其中的表面是面对保护环境67的表面。开口与负压流体连通。在图15示出的实施例中，保护环境67配置成保护图案形成装置(即掩模版)MA。卡盘抽取器151可以用在保护环境67配置成保护不同的构件，例如照射系统IL的物镜或类似的情形中。可以结合这里的实施例中任一个中描述的其他任意特征，提供卡盘抽取器151。在一个实施例中，提供多个卡盘抽取器151。在一个实施例中，提供至少一个净化板抽取器152。净化板抽取器152包括位于净化板72的表面内的开口。净化板72在本说明书其他部分更详细地描述。开口定位其中的表面是面对保护环境67的表面。开口与负压流体连通。可以结合这里的实施例中任一个中描述的其他任意特征，提供净化板抽取器152。在一个实施例中，提供多个净化板抽取器 152。卡盘抽取器151和净化板抽取器152可以分开地设置，或彼此结合地设置。一种实施方式可以具有至少一个卡盘抽取器151，而没有净化板抽取器152。一种实施方式可以具有至少一个净化板抽取器152，而没有卡盘抽取器151。一种实施方式可以具有至少一个净化板抽取器152和至少一个卡盘抽取器151。在设置有至少一个卡盘抽取器151的实施例中，提供至少一个软管。软管配置成将被定位在支撑结构MT内的卡盘抽取器151的开口连接至负压。至少一个软管可能在支撑结构MT移动的时候不期望地增加对支撑结构MT的移动的阻力。基于这个原因，净化板抽取器152可以比卡盘抽取器151更值得期望。这是因为净化板抽取器151不需要连接至支撑结构MT的软管。抽取器69、卡盘抽取器151和净化板抽取器152的用途之一是降低保护环境67内的气体压力。例如，在图15示出的实施例的情形中，卡盘抽取器151和净化板抽取器152降低图案形成装置MA之上的区域内的气体压力。降低该区域内的气压的优点有几个。第一， 气压降低减小由已经被调节成具有不同温度的气流彼此混合引起的空间图像(即，辐射图案)的不稳定性的可能。另外，可用于精确地定位支撑结构MT的编码栅格较少受到保护环境67外部气流的破坏。如果离开保护环境67向外的气流相对高，则该气流，并且尤其是用于投影系统PS的第一光学元件(例如透镜)63的气体冲洗系统62 (下文中详细介绍)和支撑结构MT之间的气流会不期望地影响编码栅格。通过使用抽取器69和/或卡盘抽取器151和/或净化板抽取器152，通过保护装置64的开口 65引入至保护环境67的气体的流量可以在不让光刻设备遭受上面提到的高气流的潜在的负面影响的情况下保持相对高的水平。尤其地，透射图像传感器(未示出) 可以受到高气流的负面影响。透射图像传感器配置成测量位于衬底W上的图案形成装置的位置。相对高的气流是期望的，因为其改善了保护装置64的效率。如图15所示，保护环境67由支撑结构MT部分地限定。当沿平面看时，离开保护环境67向外流出的气体流过支撑结构MT的边界。离开保护环境67向外流动的气体的速度大体等于沿扫描方向向外流动的气体或沿垂直于扫描方向的方向流动的气体的速度。在扫描操作期间，支撑结构MT沿扫描方向移动。直接跟随支撑结构MT，形成低压区域。结果，周围的气体流入低压区域。当支撑结构MT的移动方向反向时，则流入低压区域内的气体会不期望地进入保护环境67。这种不想要的效果更容易在扫描速度与离开保护环境67的气体流出速度之间的比值较大的情况中发生。图16示出一个实施例，其中保护装置64的开口 65位于光刻设备的支撑结构MT 内。离开支撑结构MT内的开口 65的气流被引导朝向净化板72。保护装置64提供从支撑结构MT朝向净化板72的垂直气体幕帘。垂直气体幕帘在支撑结构MT和净化板72之间形成封闭的保护环境67。不管在扫描操作期间支撑结构MT的位置改变与否，向上的气流被净化板72反向。作为由保护装置64形成的气体幕帘的气刀在扫描操作期间与支撑结构MT 一起移动。其目的是帮助确保图案形成装置MA在扫描处理期间总是被保护。在图11示出的实施例中，保护装置64的开口 65是位于净化板72内。在这种情况下，保护装置64将气体吹扫离开净化板72朝向支撑结构MT。在一个实施例中，净化板 72内的开口 65是伸长的。在一个实施例中，开口 65沿扫描方向的长度大于支撑结构MT的扫描范围。这样的目的是帮助确保图案形成装置MA在整个扫描操作过程中被充分地保护。 图案形成装置MA在整个扫描操作过程中保持在保护环境67内。如上面所述，气体幕帘限定保护环境67的边界。在一个实施例中，保护环境67没有完全被一个或多个气体幕帘密封。气体幕帘的用途是提供阻挡，以帮助阻止外部气流进入到保护环境67中。气体幕帘帮助阻止外部气体靠近构件61。在一个实施例中，可以存在两个气体幕帘，配置成阻挡否则会沿两个方向接近构件61的外部气流。远离所述一个或两个气体幕帘，保护环境67可以在其其他边界处不具有气体幕帘。这是因为在光刻设备内， 外部气流可以接近构件67的方向可能被限制。在这种情况下，可以充分阻挡这些方向上的外部气流。外部气体从其他方向接近的可能性是充分低的，以至于不需要在保护环境的面对那些安全方向的边界处提供气体幕帘。在一个实施例中，保护环境67由多个气体幕帘完全地密封。在图10和11中，构件61是照射系统IL的物镜。本发明不限于物镜61的保护。 本发明的一个实施例可以用于保护其他构件、光学的或其他的构件。例如，在一个实施例中，采用保护装置保护或净化图案形成装置MA。在一个实施例中，构件是投影系统PS的最终元件。在图中附图标记示出的特征可能没有在说明书中联系附图进行详细地描述。本申请中其他部分描述的这些特征的变化可以用于在其他图中描述的相应特征。图10示出本发明的一个实施例。照射系统IL包括暴露到气体的构件61。构件可以是物镜。可以存在支撑结构MT，其配置成支撑照射系统IL下面的图案形成装置MA。可以存在投影系统PS，其配置成将图案化的辐射投影到照射系统IL下面和支撑结构MT下面的衬底W。投影系统的第一光学元件63可以面对构件61。第一光学元件63是当图案化的辐射束从照射IL传递至衬底W时图案化辐射束通过的第一光学元件。第一光学元件63可以设置有气体冲洗系统62。气体冲洗系统62可以用于净化投影系统PS的光学元件63 (例如透镜)的暴露至外部气体的表面。气体冲洗系统62形成跨经投影系统PS的面对的光学元件63的表面的清洁气体的气流。从气体冲洗系统62的出口流出的气体冲洗系统62的气流与光学元件63的表面直接地接触(即，在与其他物体接触之前)。气流与光学元件63的表面紧密接触。气体冲洗系统62的气流不形成接触光学元件63的表面的保护环境的边界。在气体冲洗系统62 的气流和光学元件63的表面之间没有空间。这与由保护装置64提供的气体幕帘不同。根据本发明的一个实施例，在气体幕帘和将要被保护的构件61的表面之间存在空间。气体幕帘限定保护环境的边界。下面介绍构件61的两个可能的污染源。首先，外部气体可能从支撑结构MT和照射系统IL之间的中间空间流到构件61。 支撑结构MT是光刻设备的可以相对物镜移动(S卩，构件61)或可以不相对物镜移动的一部分。支撑结构MT具有面对构件的表面。用于图案形成装置MA的支撑结构MT沿扫描方向相对于照射系统IL移动。相对移动速度和相对加速度可能引起气体在支撑结构MT和照射系统IL的下表面之间移动。这些气体可以朝向照射系统IL的构件61的正对表面68流动。其次，外部气体可能从图案形成装置MA的方向到达构件61。由气体冲洗系统62 提供的用以净化光学元件63的清洁气体可以朝向物件61移动并在路上被污染。本发明的一个实施例通过提供阻挡被例如卡盘(即，支撑结构MT)向上推的被污染的流动到达相关的光学元件(即构件61)，至少部分地克服了第一污染源。保护装置形成垂直于被污染的流动的分界。该分界可以采用气刀或小的狭缝净化罩的形式。建立平行于支撑结构的移动的净化屏。保护装置64可以是将构件61和上述的第一外部气体源分开的气体幕帘。保护装置64可以配置成将构件61与照射IL和支撑结构MT之间的构件61的径向向外位置处的中间空间分开。构件61接触的环境被保持为清洁环境。根据图10示出的一个实施例，保护装置64配置成将构件61与支撑结构MT分开。通过使用保护装置64，清洁环境与外部环境(可以是被污染的或清洁的)分开。
正如在图10看到的，保护装置64提供垂直于照射系统IL的光轴的分界。建立平行于支撑结构MT和照射系统IL的相对移动的净化屏。保护装置64的气流可以在照射系统IL和支撑结构MT之间沿径向向外延伸。以此方式，气流可以阻止外部气体到达构件61下面的区域。即使外部气体从中间空间到达构件61正下方的区域，保护装置64阻止外部气体到达构件61。而且，保护装置64将构件61 与从图案形成装置MA方向来的第二外部气体源隔离。光刻设备可以包括净化板72，所述净化板72配置成帮助阻止气体到达被保护表面68。净化板定位在构件61和相对于构件61移动的支撑结构MT之间。净化板72基本上平行于支撑结构MT的面对构件61的表面。净化板72和支撑结构MT的上表面形成它们之间的窄的空间的上边界和下边界。净化板72和支撑结构MT之间的空间是长的且窄的。这种布置削弱了气体沿间隙朝向被保护表面68的扩散。净化板72可以相对于构件61是基本上静止的。支撑结构MT可以相对于净化板 72移动。开口 65可以位于净化板72内。隔膜101可以设置用于净化板72和构件61的界面，或设置于固定构件61的结构(例如，照射系统IL)。隔膜101可以配置成帮助阻止气体从净化板72和照射系统IL之间的区域到达被保护表面68。隔膜101可以允许构件61和净化板72之间的相对移动。净化板可以连接至与支撑结构MT的框架相同的框架。净化板72可以连接至与支撑结构MT的框架不同的框架。净化板72可以设置在构件61的保护环境67和包含图案形成装置MA的区域之间。 净化板72可以是照射系统IL的一部分。保护装置64可以包括净化板72的下表面内的配置成提供气流的至少一个开口 65。净化板72至少部分地阻挡气体从照射系统IL周围的区域到达构件61。隔膜101可以设置用以密封净化板72和照射系统IL的下表面之间的空间。隔膜 101可以连接至净化板72的表面。隔膜101可以在净化板72和保护装置64的表面之间形成密封。保护装置可以形成照射系统IL的一部分。隔膜可以在净化板72和配置成净化邻接构件61的区域的净化隔间之间形成密封。隔膜101配置成阻挡气体到达构件61。隔膜 101阻止净化板72和投影系统PS之间的气体进入保护环境67。图11示出本发明的一个实施例。参照图10描述的相同的被污染流动源同样可应用于图11中示出的实施例。例如，外部气流可以通过例如卡盘(即，支撑结构MT)的移动被推到保护环境67内。保护装置64(例如，净化幕帘)帮助阻止被污染流到达构件61和图案形成装置MA。保护装置64配置成提供垂直于被污染流或卡盘相对移动方向的气流。图11的实施例具有许多与图10中的实施例共同的特征。这些特征的详细描述可以省略。参照图10描述的这些特征的实施例可应用于图11的实施例。保护装置64设置用于将构件61与构件61的径向向外位置处的、照射系统IL和支撑结构MT之间的中间空间分开。期望地，在构件61的保护环境67内的气体相对于包含图案形成装置MA的区域内的气体被保持为过压。净化板72可以设置在构件61的保护环境67和包含图案形成装置MA的区域之间。 净化板72可以是照射系统IL的一部分。保护装置64可以包括位于净化板72的下表面内的配置用以提供气流的至少一个开口 65。在一个实施例中，保护装置64的开口 65设置在支撑结构MT内。
净化隔间111可以配置成提供气流流过构件61的表面68。净化隔间111的用途是保护构件61不受污染。净化隔间111的有效性会受到其他气流的负面影响。保护装置 64将净化隔间111与这些不想要的气流隔开。保护装置64以类似气刀的方式操作。保护装置64的开口 65可以设置在支撑结构MT和照射系统IL之间。开口 65可以是伸长的。伸长的开口 65连接至过压源并配置成供给气流。保护装置64供给可以被引导朝向支撑结构MT的气流。替换地，保护装置64的气流可以被引导离开支撑结构MT。期望地，气流相对于构件61的轴线，例如物镜的光轴，被引导沿径向向外。气流帮助阻止外部气体从中间空间到达构件61。通过供给流动至支撑结构MT的上表面之上的图案形成装置隔间，保护环境67外的气体被有效地阻挡。保护装置64阻止构件61的保护环境67内部的清洁气体逃逸至中间空间。结果，清洁气体将被改变方向。例如，清洁气体可以通过经过图案形成装置MA和 /或投影系统PS而逃离保护环境67。通过改变方向的清洁气体的净化效果，这可以附加地提高光刻设备的其他部件的清洁度。期望地，保护装置64包括至少一个沿垂直于扫描方向的方向延伸的伸长的开65。 在一个实施例中，保护装置64包括至少两个沿垂直于扫描方向的方向延伸的伸长的开口 65。两个伸长的开口 65定位于照射系统IL的光轴的每一侧。在一个实施例中，保护装置64包括至少一个伸长的开口，其沿扫描方向延伸。在一个实施例中，保护装置64包括至少两个沿扫描方向延伸的伸长的开口和至少两个沿垂直于扫描方向的方向延伸的伸长的开口 65。在一个实施例中，保护装置64包括至少两个沿扫描方向延伸的伸长的开口。沿垂直于扫描方向的方向延伸的伸长的开口 65有效地帮助阻止由支撑结构MT和照射系统IL的相对移动导致的外部气体到达构件61。由支撑结构MT和构件61的沿扫描方向的相对移动导致的来自中间空间的外部气体基本上沿扫描方向流动。伸长的开口 65 垂直于外部气体的流动。保护装置64的气流用以阻挡外部气流。沿扫描方向延伸的任何伸长的开口 65对于阻止沿步进方向、垂直于扫描方向行进的外部气体到达构件61是有用的。期望地，保护装置64形成物镜61的径向向外的外周。回路由至少一个伸长的开口 65来形成。回路可以是闭合的或可以包括位于光学保护装置64的开口 65的部分之间的至少一个间隙。所述外周的用途是帮助阻止外部气体从任何方向到达物镜61。至少一个光学校正板112可以设置在保护环境67内。不管光刻设备是浸没光刻设备或是干式光刻设备，都可以使用这种光学校正板112。光学校正板112配置成通过例如至少部分地校正辐射束的光学性质来调节已经通过照射系统IL的辐射。光学校正板112 可以是将要被保护的构件61。光学校正板112可以用以至少部分地保护构件61。光学校正板112可以基本上平行于构件61的表面68。净化隔间111可以配置成净化光学校正板 112的至少一个表面。图案形成装置保护装置104可以用以形成图案形成装置MA的图案形成装置保护环境107的边界。图案形成装置保护装置104可以具有上面参照保护装置64描述的相同的特征。图案形成装置保护装置104可以包括图案形成装置保护装置开口 105。图案形成装置保护装置104可以包括图案形成装置流动分隔部106。图案形成装置保护装置开口 105可以设置在配置成支撑图案形成装置MA的卡盘的表面处。图12示出本发明的一个实施例。保护装置64用于保护表面遮蔽物121，并由此间接地保护构件61的表面68。表面遮蔽物121可以是净化罩。表面遮蔽物121配置成沿邻接被保护表面68的路径引导保护气体，以保护被保护表面68。保护装置64包括至少一个开口 65，所述至少一个开口 65配置成引导与保护气体不同的气流。该气流帮助阻止气体到达气流的与离开气流的相反侧的被保护表面相同的一侧。在一个实施例中，表面遮蔽物121配置成提供跨经被保护表面68的层流。构件61 可以是投影系统PS的最终元件。投影系统PS配置成将图案化的辐射束投影至衬底W上。衬底台WT支撑衬底W。 衬底W和/或衬底台WT相对于构件61移动。气体可以不期望地朝向表面遮蔽物121流动通过投影系统PS和衬底W和/或衬底台WT之间的间隙。保护装置64在保护环境67的边界处提供气流。表面遮蔽物121位于保护环境67内。开口 65可以是位于投影系统PS的下表面内的开口。在一个实施例中，保护装置 64的开65设置在衬底台WT内。以与参照图11描述的保护装置64类似的方式，图12示出的实施例的保护装置64阻挡气流。开口 65可以是伸长的。开口 65可以沿垂直于扫描方向的方向延伸。附加地或替换地，保护装置64的开口可以沿平行于扫描方向的方向延伸。图11的实施例和图12的实施例之间的差异在于，图11的实施例的保护装置64 提供的气体幕帘阻挡照射系统IL和支撑结构MT之间的通道，而图12中的实施例的保护装置64提供的气体幕帘阻挡投影系统PS和衬底W和/或衬底台WT之间的通道。换句话说， 上面参照图11描述的特征可以应用于图12的实施例。会不期望地影响表面遮蔽物121的性能的气体源是气体吹送器122，也称为空气吹淋器。气体吹送器122可以用于光刻设备中，以提供满足特定参数(例如湿度、温度以及压力)的气流至光刻设备的一部分。例如，干涉仪123可以用于确定设备的衬底台WT的位置。干涉仪123配置成提供激光束至衬底台WT的表面。衬底台WT的位置的确定是基于反射激光束的方向。激光束可以通过位于衬底台WT表面上的反射镜IM反射。可以依赖于在干涉仪123和衬底台WT之间行进的任何气体调节反射的激光束。为了将激光束传播通过的介质的影响保持均勻或一致，可以设置气体吹送器122。气体吹送器122可以供给任何类型的气体，即不必是空气。气体吹送器122定位在保护装置64的气流的与构件61相对的一侧。气体吹送器 122配置成供给调节气体流、以调节干涉仪123的束。作为副作用，来自气体吹送器122的一部分气体可能沿固定构件61的结构(例如投影系统PS)和相对于构件61移动的结构 (例如衬底台WT)之间的间隙朝向构件61行进。保护装置64的气流配置成帮助阻止调节气体流到达气流的与被保护表面68相同的一侧。气体吹送器122可以定位在干涉仪123之上。气体吹送器可以相对于投影系统PS 具有固定的位置。由气体吹送器122提供用于干涉仪123的气流可以具有与提供至光刻设备的任何其他部件的任何气流不同的参数。气体吹送器122的用途是在衬底台WT和干涉仪123之间提供均勻或一致的介质。气体吹送器122可以提供远离投影系统PS的向下的气流。外部气体流可以流过干涉仪123和反射镜IM之间的区域。为了阻止外部气体沿投影系统PS和衬底台WT之间的通道朝向表面遮蔽物121和构件61行进，设置气体密封 125。气体密封125可以定位在气体吹送器122附近。气体密封125可以是气体吹送器122 的一部分。气体密封125包括方向向下且径向向内的气流。气体密封125的用途是帮助阻止外部气体升起对抗在反射镜124附近的气体吹送器122的流动。然而，气体密封125本身会引起问题。一些外部气体会被气体密封125吸入到衬底台WT和投影系统PS之间的空间。一些外部气体会被气体密封125的径向向内的气流抽取到衬底台WT和投影系统PS之间的通道中。当衬底台WT相对于投影系统PS移动时尤其是这种情况。如图12所示，当衬底台WT 沿图中向左移动时，外部气体会被吸入到衬底台WT和投影系统PS之间的间隙。一些外部气体通过气体密封125到达气体密封的与构件61的被保护表面68相同的一侧。气体密封125的气流可能不期望地破坏表面遮蔽物121。保护装置64阻止气体密封125的气流进入保护环境67。提供到设备的不同部分的气流可以人为地设置以满足不同的要求。不期望两个气流相混合。这是因为混合稀释了具有想要参数的气体。气体吹送器122或任何其他气流可以包含污染物颗粒、有机物或化合物(即，无机物)。不期望外部气体吹送器122或气流到达设备的构件61。本发明的一个实施例的保护装置64可以用于帮助防止在光刻设备的不同部分处提供的气体的不想要的混合。期望地，保护装置64的气流包括极清洁干燥空气(XCDA )。保护装置64的气流可以是具有低湿度，例如0%。被阻止进入保护环境中的气流可以是具有非常低的湿度， 例如0%。保护装置64的气流可以包括极清洁湿润空气(XCHA )，或压缩的清洁空气 (CCA)。XCHA 和CCA的优点在于接近环境湿度并因此较少干扰干涉束。在一个实施例中，提供一种光刻设备，包括保护装置和具有与保护气体接触的被保护表面的构件。保护装置包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径引导气流至除被保护表面以外的表面。气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。在一个实施例中，提供一种光刻设备，包括构件、表面遮蔽物以及保护装置。构件具有被保护表面。表面遮蔽物配置成沿邻接被保护表面的路径引导保护气体流，以保护被保护表面。保护装置包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成引导与保护气体流不同的气流。该气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。保护气体可以形成保护环境。保护装置可以配置成将被保护表面与气流的相对侧隔开。该至少一个开口可以配置成朝向构件引导基本上垂直于被污染的气流的气流。保护装置可以定位在被保护表面和光刻设备的配置成相对于构件移动的部件之间。在一个实施例中，光刻设备还包括配置成相对于构件移动的结构。该结构可以具有邻近并面对被保护表面的表面。光刻设备可以还包括净化板，所述净化板定位在该结构和被保护表面之间。净化板配置成基本上阻止气体到达被保护表面。净化板可以相对于构件基本上静止。光刻设备还包括隔膜，所述隔膜配置成作为净化板和固定构件的结构的界面。隔膜可以配置成基本上阻止气体从净化板和隔膜之间的区域到达被保护表面。该至少一个开口可以位于净化板内。该至少一个开口可以位于所述结构内并配置成引导气流至净化板的表面。所述结构可以是配置成保持图案形成装置的支撑结构。在一个实施例中，光刻设备可以还包括位于气流的与构件相对的一侧处的气体吹送器。气体吹送器可以配置成供给调节气体流。气流可以配置成基本上阻止调节气体流到达气流的与被保护表面相同的一侧。固定构件的结构可以是投影系统。配置成相对于构件移动的结构可以是衬底台或掩模台。构件可以是投影系统的最终光学元件或照射系统的光学元件。气流和被保护表面之间的区域内的任何气流可以不平行于所述气流。构件可以是光学构件。保护装置可以包括气体幕帘。气流可以与保护气体不同。保护气体可以通过气流来提供。保护装置可以包括多个开口。该至少一个开口可以配置成供给平面气流。该至少一个开口可以是伸长的。该至少一个开口可以配置成引导与设置开口的表面相垂直的气流。该至少一个开口可以配置成沿垂直于被保护表面以外的表面的路径弓I导气流。构件的整个表面可以位于气流的仅一侧。保护气体可以保持为相对于位于气流的相对侧处的气体为过压。保护装置可以还包括流动分隔部，该至少一个开口配置成引导气流朝向该流动分隔部。保护装置可以包括流动分隔部，所述流动分隔部配置成改变由该至少一个开口引导的气流的方向朝向被保护表面并改变外部气体的方向离开被保护表面。构件可以是光学构件，保护装置可以配置成将光学构件的光轴与位于气流的相对侧处的区域分开。该至少一个开口可以配置成引导气流基本上平行于被保护表面。构件可以是光学构件，并且该至少一个开口可以配置成相对于光学构件的光轴引导径向向外的气流。构件可以是光学构件，并且该至少一个开口可以配置成引导气流跨经光学构件的光轴。该至少一个开口可以是伸长的并且可以沿垂直于扫描方向的方向延伸。该至少一个开口可以是伸长的并且可以沿基本上平行于扫描方向的方向延伸。该至少一个开口的长度可以大于在扫描操作期间移动的结构的扫描范围。在一个实施例中，光刻设备可以还包括照射系统，所述照射系统配置成调节辐射束。构件可以是照射系统的物镜。构件可以是图案形成装置。在一个实施例中，光刻设备可以还包括投影系统，所述投影系统配置成将由图案形成装置赋予到辐射束的图案投影到衬底上。构件可以是投影系统的光学元件。在一个实施例中，光刻设备可以还包括支撑结构。保护装置可以配置成将被保护表面与支撑结构的表面附近的构件的径向向外位置处的中间空间分开。保护装置可以配置成将被保护表面与支撑结构分开。构件可以是光学构件，并且保护装置可以包括至少两个沿基本上垂直于扫描方向的方向延伸的伸长的开口，其中光学构件的光轴在伸长的开口之间。构件可以是光学构件，并且保护装置可以包括在光学构件的光轴周围形成外周的多个伸长的开口。在一个实施例中，光刻设备可以包括投影系统和气体冲洗系统。投影系统配置成将由图案形成装置赋予辐射束的图案投影到衬底上。气体冲洗系统配置成产生跨经辐射束的路径的至少一部分的气流。该至少一个开口可以配置成引导清洁干燥空气的气流。在一个实施例中，光刻设备可以还包括抽取器，所述抽取器配置成抽取通过保护装置的至少一个开口提供的气体。在一个实施例中，光刻设备可以还包括支撑结构和支撑结构抽取器。支撑结构构造成支撑图案形成装置。支撑结构抽取器配置成抽取由保护装置的至少一个开口提供的气体。支撑结构抽取器可以包括位于支撑结构内的开口。在一个实施例中，光刻设备还包括净化板和净化板抽取器。净化板配置成基本上阻止气体到达被保护表面。净化板抽取器配置成抽取由保护装置的至少一个开口提供的气体。净化板抽取器可以包括位于净化板内的开口。在一个实施例中，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括照射系统和保护装置。照射系统具有物镜。物镜的被保护表面与保护气体接触。保护装置包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径弓I导气流至被保护表面以外的表面。气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。在一个实施例中，提供一种光刻设备，包括投影系统和保护装置。投影系统具有物镜。物镜的被保护表面与保护气体接触。保护装置包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径引导气流至被保护表面以外的表面。气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。该至少一个开口可以配置成引导投影系统的下表面和配置成相对于所述系统移动的结构的上表面之间的气流。该至少一个开口可以是伸长的，并且可以沿垂直于投影系统和所述结构的相对移动方向的方向延伸。在一个实施例中，提供一种用于光刻设备的照射系统，配置成调节辐射束。照射系统包括光学构件和保护装置。光学构件具有与保护气体接触的被保护表面。保护装置包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径引导气流至被保护表面以外的表面。气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。在一个实施例中，提供一种用于光刻设备的投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底上。投影系统包括保护装置和具有与保护气体接触的被保护表面的光学构件。 保护装置包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接被保护表面的路径引导气流至被保护表面以外的表面。气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。在一个实施例中，提供一种使用光刻设备制造器件的方法，光刻设备包括具有与保护气体接触的被保护表面的构件。该方法包括沿不邻接被保护表面的路径引导来自至少一个开口的气流至被保护表面以外的表面。气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。在一个实施例中，提供一种使用光刻设备制造器件的方法，光刻设备包括具有被保护表面的构件。该方法包括沿邻接被保护表面的路径引导保护气体以保护被保护表面。所述方法还包括引导与来自至少一个开口的保护气体不同的气流。所述气流基本上阻止气体从气流的相对侧到达气流的与被保护表面相同的一侧。应该认识到，上述的特征中任一个可以与任何其他特征一起应用，并且并不仅是那些在这里明确描述的组合被本申请覆盖。虽然本申请详述了光刻设备在制造ICs中的应用，应该理解到，这里描述的光刻设备可以有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中， 可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、测量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将这里公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(UV) (例如具有或约为436、405、365、248、193、157或126nm的波长)。在允许的情况下，术语 “透镜”可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组合，包括折射式的和反射式的光学构件。在整个说明书中，引入了步进方向和扫描方向。在说明书中引用的扫描和步进方向是正交主轴。在优选的实施例中，这些主轴可以与扫描和步进方向对准，然而在其他实施例中，它们可以与扫描和步进方向无关。尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。在通过位于光刻设备的至少一个构件内的一个或多个计算机处理器读取一个或多个计算机程序时，这里描述的控制器的每一个或组合可以操作。控制器每一个或组合可以具有合适的结构，用于接收、处理以及发送信号。一个或多个处理器配置成与至少一个控制器通信。例如，每个控制器可以包括一个或多个处理器，用于执行计算机程序， 所述计算机程序包括用于上述的方法的机器可读指令。控制器可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质，和/或用以接收这种介质的硬件。因而，控制器可以根据一个或更多个计算机程序的机器可读指令运行。本发明的一个或更多个实施例可以应用于任何干式光刻设备。本发明的一个或更多个实施例可以应用于任何浸没光刻设备，具体地但不排他地，应用于上述的那些类型、浸没液体是否以浴器的形式提供的类型、仅衬底的局部表面区域上提供浸没液体的类型或浸没液体是非限制的类型。在非限制布置中，浸没液体可以流过衬底和/或衬底台的表面，使得基本上衬底和/或衬底台的整个未覆盖表面被浸湿。在这种非限制的浸没系统中，液体供给系统可以不限制浸没液体或其可以提供一定比例的浸没液体限制，但是基本上不是完全的浸没液体限制。这里所述的液体供给系统应该广义地解释。在特定的实施例中，其可以是将液体供给至投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间的机构或结构的组合。其可以包括一个或更多个结构的组合、一个或更多个包括一个或更多个液体开口的流体开口、一个或更多个气体开口或一个或更多个用于两相流动的开口。开口可以每一个是进入浸没空间的入口 (或流体处理结构的出口)或离开浸没空间的出口(或进入流体处理结构的入口)。在一个实施例中，所述空间的表面是衬底和/或衬底台的一部分，或者所述空间的表面完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者所述空间可以包围衬底和/或衬底台。液体供给系统可以任意地进一步包括一个或更多个元件，用以控制液体的位置、数量、品质、形状、流量或其他任何特征。 上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本领域的技术人员在不脱离以下所述权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行更改。
权利要求
1.一种光刻设备，包括具有与保护气体接触的被保护表面的构件；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接所述被保护表面的路径弓I导气流至除所述被保护表面以外的表面，其中，所述气流基本上阻止气体从所述气流的相对侧到达所述气流的与所述被保护表面相同的一侧。
2.一种光刻设备，包括具有被保护表面的构件；表面遮蔽物，配置成沿邻接所述被保护表面的路径引导保护气体流、以保护所述被保护表面；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成引导与所述保护气体流不同的气流，其中，所述气流基本上阻止气体从所述气流的相对侧到达所述气流的与所述被保护表面相同的一侧。
3.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述保护装置配置成将所述被保护表面与所述气流的所述相对侧分开。
4.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述至少一个开口配置成引导基本上垂直于被污染的气流的气流朝向所述构件。
5.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述保护装置定位在所述被保护表面和所述光刻设备的配置成相对于所述构件移动的部件之间。
6.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述保护装置包括气体幕帘。
7.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述至少一个开口配置成引导与设置开口的表面相垂直的气流。
8.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述至少一个开口配置成沿垂直于所述被保护表面以外的表面的路径弓I导气流。
9.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述保护气体相对于所述气流的相对侧处的气体被保持为过压。
10.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述保护装置还包括流动分隔部，所述至少一个开口配置成引导所述气流朝向所述流动分隔部。
11.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述保护装置包括流动分隔部， 所述流动分隔部配置成使通过至少一个开口被引导的所述气流改变方向朝向所述被保护表面，并且改变外部气体的方向使其离开所述被保护表面。
12.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，还包括净化板，配置成基本上阻止气体到达所述被保护表面；和净化板抽取器，配置成抽取由所述保护装置的所述至少一个开口提供的气体，其中所述净化板抽取器包括位于所述净化板内的开口。
13.一种光刻设备，包括具有物镜的照射系统，其中物镜的被保护表面与保护气体接触；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接所述被保护表面的路径弓I导气流至所述被保护表面以外的表面，其中所述气流基本上阻止气体从所述气流的相对侧到达所述气流的与所述被保护表面相同的一侧。
14.一种光刻设备，包括具有透镜的投影系统，其中所述透镜的被保护表面与保护气体接触；和保护装置，包括至少一个开口，所述至少一个开口配置成沿不邻接所述被保护表面的路径弓I导气流至所述被保护表面以外的表面，其中，所述气流基本上阻止气体从所述气流的相对侧到达所述气流的与所述被保护表面相同的一侧。
15.一种使用光刻设备制造器件的方法，所述光刻设备包括具有与保护气体接触的被保护表面的构件，所述方法包括步骤沿不邻接所述被保护表面的路径引导来自至少一个开口的气流至所述被保护表面以外的表面，其中，所述气流基本上阻止气体从所述气流的相对侧到达所述气流的与所述被保护表面相同的一侧。
全文摘要
本发明公开了一种光刻设备、照射系统、投影系统以及使用光刻设备制造器件的方法。提供一种气体幕帘以将光刻设备的构件与被污染气体分开。气体幕帘通过开口供给。开口位于与构件的表面接触的保护环境的边界处。气体幕帘可以将构件与设备的移动部分分开。
文档编号G03F7/20GK102193337SQ20111006963
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月16日 优先权日2010年3月19日
发明者A·J·范德奈特, B·D·帕尔惠斯, F·J·J·范鲍克斯台尔, J·G·高森, 李靖高 申请人:Asml控股股份有限公司, Asml荷兰有限公司