专利名称：光刻投影装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻投影装置，包括用于保持构图装置的支撑结构， 以通过投影光束的照射对所述冲殳影光束构图；构成和设置为将构图装置的受 照射部分成像到基底的目标部分上的投影系统，以及用于确定所述构图装置 相对于所述投影系统的空间位置的组件，所述组件包括一测量单元，该测量 单元具有足以确定所述空间位置的许多传感器。
背景技术：
这里使用的术语"构图装置"应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予 带图案的截面的装置，其中所述图案对应于在基底的目标部分上形成的图 案；本文中也使用术语"光阀"。 一般地，所述图案与在目标部分中形成的器 件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(参见下文)。这种构图装 置的示例包括
-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相 移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射 光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透 射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩 模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐 射束中的所需位置，并且如果需要则该台会相对光束移动。
-可编程反射镜阵列。这种装置的一个例子是具有一粘弹性控制层和 一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的 已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为非衍射 光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射 光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编 程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局 部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一 轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以与未寻址反射 镜不同的方向将入射的辐射光束反射；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射 镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩 阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵 列。关于如这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5, 296, Wl、美国专利US5， 523， 193、 PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文絲处引入作为 参照。在可编程M镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是才 或者工作台， 例如，所趙构條需要可以是固定的或者是可移动的；
- 可编程LCD阵列。例如由美国专利US 5, 229, 872给出的这种结构的一 个例子，它^Lil里引^v作为参照。如上所述，^il种情况下支撑结构可以^)医 絲者工作台，例如所錢构4娥需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其^P分在一定的情况下M以掩模和掩模台为例-， 可是，^j^i^样的例子中所讨论的一^f、理应适用于上述更宽范围的构图装置。
it^投影装置可以用于例如M电路(IC)的制造。在这种情况下，构图 装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成^^已涂覆^1"敏 感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个 管芯(die) ) 。 -*1也，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻 目标部分由投影系统逐个相继驗。在目前采用掩模台上的4^^进储图的装 置中，有两种不同类型的机器。在一类ife^)投影装置中，通过将4r^l"模图案 一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或 步进-重复装置'另一种装置(通常称作步进-扫描装D通it^投影^^下沿给 定的参考方向("扫描"方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行-或 者反平行的方向同步扫描1^台来^#^~目标部^因为-"feM兌，投影系 贿一个放大系数M (通常<1)，因otbft絲台的扫^l^V是对掩模台扫描 逸复的M倍。关于^pi^E描述的光刻设备的更多信息可以从例如US6， 046， 729 中获得，该文献il^作为参考引入。
在用光厕投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成4象在至少部
分由一层4yt敏感材料(抗蚀剂)覆盖的M上'在这种成像步骤之前，可以
对M进行^t处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对M ^^f亍其它的处理，如膝^烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成^#征' 以这一系列工艺为M，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图^&然后可 进行^f可不同的处理，如蚀刻、离子;iA (掺杂)、金属化、氧化、化学-机 光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么必须对#~~新层重 复^F步^者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例 :Wt刀割或者锯割技术将这些器件彼此^f，单个器件可以安^L栽体上，与管 脚等连接。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的"微芯片制造半^^加工实^AJ'"1 (Microchip Fabrication:A Practical Guide to Semiconductor Processing) 5， 一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co. ， 1997， ISBN 0"07-06725(M)中获得，处作为参考引入。
为了筒单^L，賴:影系,下文称为"镜头"；可是，该术语应广^JiW 释为包含各种类型的投影系统，包括例^4斤射光学装置，^^光学装置，和反 折射系统。，系M^可以包樹娥这些设计类型中^"i殳计的M部件，该 旨部件用于引导、整形或者控制旨的投影M，这种部件在下文还可总体 iM者单独;緣作"镜头，，。另外，^^装置可以是具有两个或者多个基底台 (和/或两个或者多个掩模台)的类型。在这种"多錄，，器件中，可以并行 4M这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多 个其它台用于曝光。例如在US5， 969， 441和W098/40791中描述的Ji^Ut^装置，
i^作为参考引入。
林申请中，虽然M结合本发明的装置在制造IC中的应用，但^该 明确理解这种装置可能具有许多其它应用。例如，它可用于制造^iUt学系统、 用于>^##器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。^^页域的技 术人员将理解，^t种可替换的用途范围中，在i兌明书中^f可术语"中间4fet莫 版，，，"晶片，，或者"管芯(die)，，的佳月应iU;分别可以由更脊逸的术语 "掩模，，"狄，和"目标部分"代替。
^^文件中，4^I的术语",，和"^^"包含所有类型的电磁储， 包括紫外(UV)缺(例如具有365， 248， 193， 157或者126nm的波长)械 紫外(EUV)驗(例如具有5-20nm的波长范围)，以錄子束，如离子絲 者电子束。
具有用于确定构图装置相对于投影系统的空间位置的组件的光刻投影装置 例如从美国专利6， 359， 678中已知。然而，具有US6， 359， 678中公开的组件的 一个问题是，构图装置相对于投影系统的位置测量不够准确。不准确的原因之 一是，温度变化引^BL件尺寸变化，反ii^又引起热W^力，和/或振动^ 响构图^i相对于投影系统的位置测量。特别是，投影系统和传感恭t间关于 x轴和/或y轴的相对旋转可产生测量误差。务fe不准确是通过利用传感器直接 在构图装置上测量时因局部高;O:和在小角度下M而引起的。
在2001年11月出版的研^^开内容中，公开了一种用于确定构图装置相 对于投影系统的空间位置的组件，其中传感器直M于"fe影系统上。虽然在该 么Vf中提出的解决方，决了 一些关于投影系^f^各自的传感器之间相对旋转200910167452.8
能够部糾4Ht构图装置相对于投 影系统的动态移动。
发明内容
因》h^发明的一个目的是提供一种ife^)投影系统，它包括用于更准确i械 定构图装置相对于投影系统的位置的组件。特别是，本发明旨在提f种包括
这样一种组件的光刻投影装置，所i^且件对于因动态运动引起的热^i皮力和 旋转变她对不敏感。
这些目的通过^^权矛虔求i的光^投影装置来实现。该装置包括用于 提供辐射投影光束的辐射系统；用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图 装置用于才娥所需的图案对擐影i^i^沐图，用于将带图案的ib4投影到基 底的目标部分上的投影系统，以朋于确定所述构图装置相对于所述投影系统 的空间位置的la件，所iiiBL件包括一测量单元，该测量单元具有足以确定所述 空间位置的数量的传感器，其中所述数量的传感器安^^投影系统上。与目前
的技料目比，该组件不需要额外的结构条(construction bar) (MF条)，这 具有大量优点。该组件在真空下较好i"作(perform)，不容易产生污染的危 险。并且，该组件可^i:价iik^得。W卜，在其中安装投影系统的才魂的摆动 也不会导致位置检测的偏差。该组件具有更好的短时稳定性。该组件不太复杂。 jtW卜，不需要参考标架测量。除jlt^卜，导致真空腔中的部件数量大大减少， 并因此导致更低的放mi作用于投影系统的热量制氐，这奮未着缺乏用于 减少动态扰动力的存在的^HP水。在投影系统附^H^影系紅，大大增加了 布置空间。由于这些优点，光刻装置的配置方面仅M在少量的不同。
传感器的安装例如可以借助于^^/或通过夹具来实现。传感器至少具 有安^^投影系统上的光学部件。
^^发明的另一个实施方式中，脉M于所it^量单元包括6自由度的 干涉仪测量系统。干涉测量技术已经证实是可靠的，稳固的和准确的。
^s发明的另一个实施方式中，g特4^于在至少一个所述传感割吏用所 ，图装置的图案区0卜的所述构图装置的反射部件上的 ^。这具有用于 位置测量的辐射能够不受构图装置的图案影响的优点。由于图案的局部形貌 (topography)以;ME该局部形敎J^t"^，产生波前的变化，并产生其测
在另一个实施方式中，本发明涉及一种如上所述的^^投影装置，该it^ 投影装置中的构图装置沿扫描方向诜娱射，其中所述构图装置相对于所述投影系统的空间位置通过利用第一平面中的至少三个测量点来确定，第一平面相对 于扫描方向成一角度，第一直线上的至少两个测量点不在第一平面内，至少一 个点既不在第一平面内也不在第一直线上。这导致构图装置的六自由度的精确 确定。
本发明还涉及一种通iiit刻工艺制造集成电路(IC)的方法，该方法包括: -提供辐射系统以形成辐射的投影光束，辐射投影ife^来自由旨源发射 的絲；
-提供用于 #^图装置的支撑结构，以便由投影^^照射而对所述投影 i^J-提供用于^#基底的絲台，以及
-提供构成^io:为将构图装置的受照射部分成^^M的目标部分上的
投影系统，*##于
-至少一次确定构图装置相对于支撑结构的位置，
-在 >投影装置工作过程中，根据支撑结构的位置测量来确定构图装置 相对于投影系统的位置。
餘结合附图解释本发明，这些附图仅仅意在显示实施例而不;Ui7了限制 本发明的范围，其中
图1是^fj投影装置的示意性的总览图，
图2是#4&*技术的图1中先^投影装置的-"^分的更详WL图。
图3^_净 >^发明的图2所示it^投影装置的相同部分的视图。
图4是##本发明的具有中间掩^1的中间掩樹!1台US) a。
图5是才M&本发明的中间掩模波台M的it^L图。
图6a， 6b和6c是前面图中示出的中间掩樹&台的俯败图。
具体实施例方式
图1示意^Ak^示了本发明一M实施方案的一i^]投影装置1。 该装置包括
-絲系统Ex， IL，用于提供^yt投影MPB(例如波长为11-14nm的EUV 辐射)。在这种具体的情况下，辐射系统还包括辐射源LA;
-第一目标台(掩模台)MT，设有用于^MW"模MA (例如中间掩模版)的 掩模储器，并与用于将该掩糊对于物体PL精确定位的第一定^i^置PM连 接；-第二目标台(基底台)WT，设有用于^f絲W (例如涂覆抗蚀剂的硅
晶片)的基底##器，并与用于将基射目对于物体PL精确定位的第二定^置 PW连接；
—投影系统("镜头，，)PL，用于将掩模MA的^f部分成^^狄W的 目标部分C (例如包括一个或多个管芯(die))上。
如i^E指出的，该装i4于^m (即具有^N^模)。可是，"^J^说， 它还可以是例如透被(具有透4H^模)。另外，该装置可以利用其它种类的 构图装置，如上述涉及的可编禾1^镜阵列型。
辐射源LA (例如产生激光的等离子体或者放电等离子体EW^f源)产生 ^#光束。该^^直接或在湊穿过如扩束器Ex等调节装^，，到照明系统 (照明器)IL上。该照明器IL包括调节装置AM，用于i5^i^强;l分布的外 和/或内径向范围(通常分别称为d-外和cj-内)。另外，它-"^:包括44t其它 部件，^P、分器IN和絲器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的絲PB
在其橫戴面具有所需的均匀度和强^^布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投影装置的壳体中(例如当 驗源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离ife^投影装置，其产生的 ，^^被(例M过合适的定向M镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA 是受激准W^^器时通常是后面的那种情况。本发明和权矛决求包*两种 方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后， 光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚禁^E^W的目标部分C上。在第二 定^^置PW (衬涉测量装置IF)的辅助下，M台WT可以精确i^多动，例 如在^PB的M中定位不同的目标部分C。勤W也，例如在从掩模库中^ 取出掩模MA后或在扫描期间，可以使月第一定^(i^置PM将掩模MA相对光束PB 的ife^进行精确定位。""^^也，用图1中未明确显示的长冲^I^:(粗略定位) 和短冲^块(精确定位)，可以实现目标台MT、 WT的移动。可是，在晶片步 进器中(与步进-扫描装置4树)，掩模台MT可与短沖^t动装置连接，或者 固定。掩模MA与MW可以^^掩斷;^示记M1、 M2和^^t;^^i己Pl、 P2 进树准。
所示的装置可以按照4不同模式使用
1.在步进模式中，掩模台MTl^絲不动，整个掩模图^^皮一次投影(即 单"闪，，)到目标部分C上。然后絲台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射；
2.在扫描模式中，^为相同的情况，但是给定的目标部分C没有暴露 在单"闪"中。取而^的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的"扫描方向"， 例如y方向)以狄v移动，以使投影絲PB在掩模图像上扫描；同时，基底 台WT沿相同或者相反的方向以皿V -Mv同时移动，其中M是镜头PL的方欲 率(通常M-1/4或1/5)。以这种方式，可以曝^目当大的目标部分C，而没 有牺牲，率。在图1中，示出用于确定构图装置相对于投影系统的空间位置 的组件12，该组件构^Ut^投影装置1的^分。参考图2进一步说明组件12。
在下面的说明中，使用笛卡儿坐标系，该坐标系的y方向平行于ib^投影 装置l中的扫描方向。
在图2中，示出依照贿技术(US—B1-6, 359, 678 )的组件12，该组件用 于确定构图装置(中间掩模版)23相对于包含投影光学装置的部件11的位置。 该部件11M为投影系统11或者"镜头"组件ll。中间掩^^23安^中 间掩樹H台13的下面。中间掩模H23在图2中不可见，因此以虚g出。在 z方向，将来自传感器21的、^^L 15从部件11引向中间掩微23。在x方向， 将^ULl7引向部件ll和中间掩^^台13。在y方向，将 ^19引向部 件11和中间掩^1台13。在图2中，示出将^U^17和19分别fef地引向 组件12。理论上可以^^单一光良17， 19，但是出于实际原因^^一对M'
中间掩模版23相对于部件11的位置才Nt直接在中间掩樹H 23上的z测 量来确定。在x方向和y方向上，中间掩模版23相对于部件11的位置才娥激 Ml7和19的测量获得。因为已知中间掩^23在中间掩^台13上的位 置位于xy平面内，因此可以利用^^的测量^^得上一目对位置。发出、M 束17和19的传感器不在部件11上。
在图3中，示出賴l^本发明的图1的组件12，该组件用于确定中间^", 23相对于包含投影光学系统的部件11的位置。在该部件11上，安装有直接测 量中间掩模H台13的位置的传感器27和25。 a束26和28用于这些测量。 两个^W的^^I成一个测量点。为了清t^L， il种^t的邀^^只用一 条錄示，如用传感器25的^^L28 (即，4fcM)的情况。
在图3的布置中，该组件12包括与图2所示传感器21不同的传感器21'。 '传感器21'产生^t^^而不是两对.将i^J^^t^中的两对引向中间掩模 版23上的两个^i条，而^"-对引向中间掩^台13底部上的^t条33，如 下面参考图4所做的进一步说明。^卜，由传感器25产生的两对^t束28和由传感器27产生的^t、a束26如参考图5所做的详细说明。
在it^投影装置的工作过程中，辐射源照射中间掩模版23。传感器21'以 这种方式设置，即该传感H^^确定中间掩;^123和中间掩^台13的z位 置的、^t^15。按照这种方式，利用直絲部件ll相连的传感器来测量中间 掩模版台13的x， y和z位置。由于已知中间掩揚反23相对于中间掩樹改台13 的位置，因j^娥这种测量也可^p中间掩^l相对于透^i且件11的x和y位 置。在一个实施方式中，通过至少一#^#^>卜面与带图案区域外面测量 距""^分分4t^23的距离，可以确定中间掩^H23相对于部件n的z位置。 然后，进一步^^在扫描期间中间掩模&23相对于中间掩模d台13的z位置 不改变。因此，在^<投影装置1的工作过程中不需要连续监测中间掩樹&23 的z位置。
如对^^域的技权员M而易见的，关于中间掩微23的位置的信息 可以从传感器21' ， 25和27得到，&个传感器以不同于图3所示的方式设 置。例如传感器25和27可以集成为一个传感器，该传感器能够确定与传感器 25和27单独确定的相同的位置信息。
图4以M图示出中间掩^台:^ US AA) 31。 RS ^ 31包括M 部件33， 35和37。中间掩模版23以本身已知的方式附着于RS夹盘31上。两 个附加的狄条41， 43位于掩模区^卜面，并位于中间掩微23上。中间掩 模版23Ji4在一图案，该图案用标号45表示，标号47表示沿图案45扫描的 M，如4^页域的技^A员已知的。
需^ 虽调的是，与才W图2的絲技术的情;X^目反，所有的^t条33， 41， 43均位于图案外面，因jtt^工作过程中位于投影絲PB照射的区^卜面。这 防止了由图案对3J t^^l5的^&f贿害影响，所述有害影响可影响^ue^得 ,到的信息的测量精度。
传感器21', 25， 27将它们各自的 ^15， 28， 26引向^^部件33， 35 和37。 M的^^出有关RS M 31相对于图3中投影系统11的位置的 信息。M部件33， 37和35分别沿参考坐标系的z， x和y方向A^f光。
在图5中，以逸現图示出中间4^模反台^:31。该图用于进一步示出本发 明的作用方式。在x方向上，应身条37附着于中间掩模版台M31上。在y 方向上，如箭头3 9表示的扫描方向，形成为点状的反针面35附着于中间掩模 版台M 31上。用于沿z方向传播的光的反射条33附着于中间掩模版台妓 33的底部，由于在图5的it^L图中不能直^^看到，所以用虚线示出。也用虚线示出中间掩^ 23本身和中间掩才飄23上的^lt条41和43。 g面35沿y 方向是小斑点的原因是在^^投影装置1的工作过程中，中间掩機波台M 31 沿x方向的移动是少量的。反之，由于中间掩^模波台M沿y方向的移动是大 量的，因此沿x方向需要^gJt条37。为了在曝光用的光(exposure light) 扫描掩模的时间内确保引向反射条37的激光束能进行适当反射，反 射条37必须能足以用于更大量的移动。曝光用的光在掩模上扫描的 长度是沿y方向的图案长度和狹缝长度之和。
由于总共使用六对激光束，因此可提供六自由度(6D0F)干涉仪 测量系统。由于沿y方向有三对激光束，沿x方向有两对激光束，因 此激光束28和26 —起提供关于在x和y方向上中间掩模版台13的 位置信息，以及关于沿x方向的倾斜(Ry，即绕y轴旋转)，沿y方 向的倾斜(Rx，即绕x轴旋转)以及绕z轴旋转(Rz)的信息。所以， 这三个反射部件35可以不在一条直线上。优选地，它们位于直角三 角形的三个角上。
图6a， 6b和6c示意性地示出通过中间掩模版台夹盘31的横截面。 它们分别示出沿y方向，x方向以及再沿y方向的视图，从而确定用 于计算中间掩模版13精确位置的各个参数和变量。所示的参数和变 量具有下面的含义
xl =通过两对光束28中之一测得的x位置； x2 =通过两对光束28中另 一个测得的x位置； yl， y2， y3-分别通过三对光束26中之一测得的y位置； zl =通过引向反射条33的光束15测得的z位置； zrl， zr2-通过引向反射条41， 43的光束15测得的z位置；这 些位置是非实时测量的。
al, a2， bl， el， e2， zx， zy-图6a， 6b， 6c中规定的预定常数。 中间掩模版台夹盘31的位置x， y和z是根据下面的通用公式利 用激光束15, 28， 26测得的相对于参考点的距离来确定，这代表理 想情况。利用反射条/面必须增加与小余弦相关的校正 x=xl+Ry*al
y= {(yl+y2) /2} + {Rx* (al+a2) /2}
z=zl+Rx*zy+Ry*zx
Rx=(yl-y3)/bl激光束可以具有一个公共原点，或者可以由独立的各个激光源产生。
附加的反射条41和43用于非实时地确定中间掩模版39本身相对 于参考点的沿z方向的位置和Ry定向。
由于沿x方向和z方向的有限行程，因此反射部件35还可以由三 个作为反射器的立体角组成。
权利要求
1.一种光刻投影装置，包括支撑结构，配置用于保持构图装置，所述构图装置配置用于根据所需的图案对辐射束构图；投影系统，配置用于将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上；以及配置用于确定所述构图装置相对于所述投影系统的空间位置的组件，所述组件包括测量单元，所述测量单元具有安装在所述投影系统上的多个传感器，其中，所述测量单元配置用于将辐射束引导到所述构图装置的一部分上，所述部分位于所述构图装置的图案区外部和与所述构图装置的图案区相邻的位置上。
2. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，还包括EUV辐射源。
3. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中所述测量单元包括6 自由度的干涉仪测量系统。
4. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中所述传感器中的至少 一个配置成在所述构图装置的图案区外的所述构图装置的反射部件上使 用激光束。
5. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中，所述光刻投影装置 配置用于沿着扫描方向照射所述构图装置，并且所述构图装置相对于所 述投影系统的空间位置利用第一平面中的至少三个测量点、第一直线上 的不在第一平面内的至少两个测量点以及既不在第一平面内也不在第一 直线上的至少一个测量点来确定，所述第一平面与所述扫描方向成一角 度。
6. 根据权利要求5所述的光刻投影装置，其中所述测量点位于所述 支撑结构上。
7. 根据权利要求5所述的光刻投影装置，其中所述测量点中的至少 两个位于所述构图装置上，且位于所述构图装置的图案区外。
8. 根据权利要求4所述的光刻投影装置，其中所述反射部件是反射条。
9. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中所述测量单元配置用 于确定所述构图装置在第一方向上相对于所述投影系统的位置，当所述 构图装置被所述支撑结构所保持时，所述第一方向与所述构图装置的图 案区的平面基本上垂直。
10. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中所述部分是反射性 的，且所述图案区和所述部分位于所述构图装置的同一侧。
11. 一种光刻投影装置，包括.. . 支撑结构，配置用于保持构图装置，所述构图装置配置用于根据所需的图案对辐射束构图；投影系统，配置用于将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上；以及测量单元，配置用于在所述构图装置被所述支撑结构所保持时将辐 射束引导到所述构图装置的一部分上，所述部分位于所述构图装置的图 案区外部和与所述构图装置的图案区相邻的位置上，所述测量单元还配 置用于采用所述辐射束确定所述构图装置在第一方向上的位置，在所述 构图装置被所述支撑结构所保持时，所述第一方向与所述构图装置的图 案区的平面基本垂直。
12. 根据权利要求11所述的光刻投影装置，其中所述部分是反射性 的，且所述图案区和所述部分位于所述构图装置的同一侧。
13. 根据权利要求11所述的光刻投影装置，其中所述测量单元配置 用于沿着第一方向引导所述辐射束。
14. 根据权利要求11所述的光刻投影装置，其中所述测量单元安装 在所述投影系统上。
15. 根据权利要求11所述的光刻投影装置，其中所述测量单元配置 用于将至少两对辐射束引导到所述构图装置上的至少两个反射条上。
16. —种光刻投影装置，包括支撑结构，配置用于保持构图装置，所述构图装置配置用于根据所 需的图案对辐射束构图；投影系统，配置用于将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上；以及位于所述投影系统上的测量单元，所述测量单元配置用于将辐射束 引导到所述构图装置的一部分上，所述部分位于所述构图装置的图案区 外部和与所述构图装置的图案区相邻的位置上。
17. 根据权利要求16所述的光刻投影装置，还包括EUV辐射源。
18. —种光刻投影装置，包括支撑结构，配置用于保持构图装置，所述构图装置配置用于根据所需的图案对辐射束构图； ..投影系统，配置用于将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上；以及测量单元，配置用于至少在采用所述构图装置进行曝光之前测量在 所述构图装置被所述支撑结构所保持时所述构图装置的位置，配置用于 采用对所述构图装置的位置的测量结果来确定所述构图装置相对于所述 支撑结构的位置，并配置用于在采用所述构图装置进行曝光过程中根据 对所述支撑结构的位置的测量来确定所述构图装置相对于所述投影系统 的位置，其中所述测量单元配置用于将辐射束引导到所述构图装置的一部分 上，所述部分位于所述构图装置的图案区外部和与所述构图装置的图案 区相邻的位置上，所述图案区和所述部分位于所述构图装置的同一侧 上。
19. 根据权利要求18所述的光刻投影装置，其中所述测量单元配置 用于将辐射束引导到所述构图装置的一部分上，所述部分位于所述构图 装置的图案区外部，所述测量单元还配置用于采用所述辐射束确定所述 构图装置在第一方向上的位置，在所述构图装置被所述支撑结构所保持 时，所述第一方向与所述构图装置的图案区的平面基本垂直。
20. 根据权利要求18所述的光刻投影装置，其中所述测量单元包括 安装在所述投影系统上的多个传感器。
21. —种光刻投影装置，包括 支撑结构，配置用于保持构图装置，所述构图装置配置用于根据所需的图案对辐射束构图；投影系统，配置用于将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上；以及测量单元，配置用于在所述构图装置被所述支撑结构所保持时测量 所述构图装置的位置，配置用于采用对所述构图装置的位置的测量结果 来确定所述构图装置相对于所述支撑结构的位置，配置用于测量所述支 撑结构的位置，并配置用于在光刻装置的操作过程中确定所述构图装置 相对于所述投影系统的位置，其中所述测量单元配置用于将辐射束引导到所述构图装置的一部分 上，所述部分位于所述构图装置的图案区外部和与所述构图装置的图案 区相邻的位置上。
22. 根据权利要求21所述的光刻投影装置，其中所述测量单元安装 在所述投影系统上，且所述测量单元配置用于采用所述辐射束确定所述 构图装置在第一方向上的位置，在所述构图装置被所述支撑结构所保持 时，所述第一方向与所述构图装置的图案区的平面基本垂直。
23. 根据权利要求22所述的光刻投影装置，还包括EUV辐射源。
全文摘要
本发明涉及一种光刻投影装置。该投影装置包括用于支撑构图装置例如中间掩模版的支撑结构。当通过投影光束照射中间掩模版时，利用中间掩模版上的图案对投影光束进行构图。投影系统构成和设置为使中间掩模版的受照射部分成像到基底的目标部分上。存在有用于确定中间掩模版相对于投影系统的空间位置的组件。该组件包括一测量单元，该测量单元具有足以确定所需空间位置的数量的传感器。
文档编号H01L21/027GK101639632SQ20091016745
公开日2010年2月3日 申请日期2004年6月25日 优先权日2003年6月27日
发明者B·A·J·卢蒂克惠斯, D·J·P·A·弗兰肯, E·A·F·范德帕施, M·J·M·恩格尔斯, M·W·M·范德维斯特, P·R·巴特雷, W·J·博克斯 申请人:Asml荷兰有限公司